飞思卡尔RF业务部对美国航空航天和国防市场做出长期承诺

2013-06-06 17:04:25来源: EEWORLD

    RF功率领域先驱者创建面向航空航天和国防市场的器件;采用多技术方法利用LDMOS、GaAs和GaN产品线的优势

    2013年6月4日,西雅图(2013国际微波研讨会) 讯–– 射频(RF)功率晶体管领域的全球领先企业飞思卡尔半导体(NYSE:FSL)日前宣布了一项重大举措,主要展示其新型和现有商用RF功率和微波RF器件如何满足美国航空航天和国防(A&D)市场的需求。

    飞思卡尔计划通过全新的氮化镓(GaN) RF功率晶体管产品、经过验证的400多个LDMOS RF功率晶体管和砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)产品支持广泛的A&D应用。这些飞思卡尔产品将由主攻A&D市场和客户的一个由专业人员组成的专门团队提供支持。

    飞思卡尔高级副总裁兼射频业务部总经理Ritu Favre表示:“飞思卡尔拥有60多年的RF功率创新和经验,我们希望将业务重点从我们领先的RF功率晶体管领域延伸至不断增长的A&D市场。飞思卡尔长期以来一直在与客户密切合作,共同创建经济高效的解决方案,这些解决方案结合了精湛的性能、久经考验的可靠性和极强的耐用性,A&D设备制造商将从中获益匪浅。”

    根据分析机构ABI Research的调查,到2018年面向全球国防市场的RF功率器件(4 GHz以下,4 W输出以上)的销售总额将达到1.44亿(美元)。

    ABI Research的RF器件研究总监Lance Wilson表示:“多年来,飞思卡尔一直是面向无线基础设施的RF功率器件领域的市场领先企业。当他们进入包括A&D在内的其他RF功率市场领域时,该经验和专业技术将为其带来极大帮助。”

    RF创新历程:现在面向航空航天和国防
    飞思卡尔的RF业务部门(前身是摩托罗拉半导体产品部门的一部分)在RF功率晶体管开发领域拥有60多年的历史和经验,在1952年推出了其首款器件。从那时起,它已成为面向无线基础设施市场的LDMOS RF功率晶体管领域的全球领先企业,每年提供3000多万件产品。飞思卡尔拥有RF功率晶体管市场的唯一设在美国的LDMOS器件制造工厂,并保留了自有的成品生产基地。

    公司的Airfast™ LDMOS器件提供高线性、宽瞬时带宽和先进的塑料封装。面向商业应用进行“强化”的飞思卡尔LDMOS产品非常适合满足A&D的要求,它能够在大于65:1的极端负载失配(VSWR)环境中运行,并具有静电放电(ESD)增强保护。公司推出的LDMOS器件频率范围可扩展至3 GHz以上,RF功率输出可达1250 W。飞思卡尔的GaAs MMIC器件覆盖5 GHz以上的应用,包括增益模块放大器、功率放大器(高达4 W)和具有低至0.35 dB的噪声指数的低噪放大器。飞思卡尔的首款GaN RF功率晶体管计划于2013年年末上市。

    这种独特的经验和世界级技术将由一支专注A&D市场(包括技术和应用支持)的RF专家团队完善。飞思卡尔RF A&D团队由飞思卡尔技术团队的高级成员领导,拥有超过30年的RF功率晶体管经验,包括从设计工程到执行管理。之前他担任飞思卡尔RF功率业务部门的营销总监,在市场、销售和分销领域拥有40年的经验。飞思卡尔产品还将由一支由营销、项目管理、应用、合规性和其他专业人员组成的团队提供额外支持,该团队主攻A&D市场和客户。

    已购面向A&D应用的新产品将包含在飞思卡尔长期供货计划中,供货期至少为15年。

关键字:飞思卡尔  业务  美国  美国航空

编辑:huimin 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/wltx/2013/0606/article_11643.html
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