工信部科技司处长:TD-LTE测试仪表和FDD相比还有差距

2012-11-23 13:41:33来源: CCTIME飞象网
11月23日上午消息,在工信部电信研究院TD技术论坛合办的“2012TD-LTE测试技术研讨会”上,工信部科技司处长董晓鲁表示终端芯片和测试仪表是TD-LTE的关键环节也是薄弱环节,测试仪表和FDD相比还有差距。

    近期工信部将2.6GHz频段的2500-2690Hz全部划归TDD频谱,TD-LTE商业化发展迈出了关键一步。而TD-LTE测试技术也在稳步推进。

    对此,工信部科技司处长董晓鲁认为TD-LTE测试技术和FDD相比还有一段差距。“终端芯片和测试仪表是TD-LTE的关键环节也是薄弱环节。TD-LTE终端芯片和FDD差距已经缩小,但是在测试仪表方面还有较大差距。”董晓鲁提到。

    据了解,TD-LTE首次终端招标结果已经出炉,有16家企业中标,总计获得3万多终端的采购,涉及到TD-LTE数据卡、手机等多类终端。

关键字:工信部电信研究院  TD技术论坛  2012TD-LTE测试技术研讨会  董晓鲁

编辑:eric 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/wltx/2012/1123/article_10600.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
工信部电信研究院
TD技术论坛
2012TD-LTE测试技术研讨会
董晓鲁

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved