多款采用创毅TD-LTE基带芯片的终端亮相2012深圳高交会

2012-11-15 20:58:38来源: CCTIME飞象网

  2012年11月16日消息,随着国内TD-LTE频谱的正式敲定,以及中国移动网络部署规模的持续扩大,TD-LTE商用已经初步奠定了基础。作为核心环节的芯片产业的发展,也传来积极的消息。多款基于创毅核心基带芯片WarpDrive5000的TD-LTE终端产品在今年先后推出,并在今年的深圳高新技术交易会上全面呈现给消费者。这些终端产品形态丰富,功能完善,有面向个人应用的智能手机、高速数据卡和方便携带的MIFI(便携式高速移动网关),也有面向企业和家庭的CPE产品(高速无线网关)。

    其中采用创毅WarpDrive5000的TD-LTE多模手机MH2300在今年成功入选广东移动创新项目,是全球第一款可批量生产的同时支持GSM/TD-SCDMA/TD-LTE/FDD-LTE/WIFI的手机终端。MH2300是一款单卡双待多模手机,实现了使用一张USIM卡,数据业务承载在TD-LTE网络上,话音业务承载在TD-SCDMA/GSM上;同时为支持国际及港澳台漫游,LTE模块实现TD-LTE与FDD-LTE的共模。在漫游场景下,FDD-LTE模式和GSM模式同时待机,FDD-LTE提供数据服务,GSM模式提供话音服务。单卡双待的方案将移动的GSM语音优势和TD-LTE数据能力捆绑起来,实现GSM网络数据业务分流到LTE/TDS网络,提供用户更好的体验,促进多网均衡发展。

    除了手机,此次展出的数据卡、CPE、MIFI等都是基于创毅创毅WarpDrive5000而设计的,并且成功通过中国移动TD-LTE第一和第二阶段规模测试。多模数据卡MD2110新增了对FDD-LTE的支持,TDD/FDD共模为TD-LTE标准的国际化推广提供了强有力的支撑。CPE和MIFI分别针对室内和便携两种应用环境,可支持多个用户通过WIFI同时接入,在TD-LTE终端尚未普及的情况下,消费者通过CPE和MIFI就可以体验4G的高速带宽。

    TD-LTE基带芯片的持续研发支撑产业发展

    作为国内主要的TD-LTE基带芯片供应商,创毅早在2008就组织TD-LTE基带芯片研发团队,启动了TD-LTE终端基带芯片研发项目。2009年,创毅TD-LTE终端原型机全面参与工信部和中移集团组织的各项Poc验证测试,并且进驻怀柔外场参加工信部TD-LTE测试。2010年初,创毅成功推出全球首枚TD-LTE 终端芯片与终端数据卡,并且在上海世博会进行TD-LTE数据卡业务演示。2011年5月,创毅率先入选由工信部组织的“6+1”城市TD-LTE 第一阶段规模技术试验网测试,并在厦门,广州,杭州,南京,深圳,与多家系统厂商展开测试。2011年底,创毅又成为首批入围第二阶段TD-LTE 规模技术试验网测试的芯片厂商。

    同时,创毅也在加速芯片的研发进度,2011年9月,推出了兼容3GPPR9版本的40nm工艺WarpDrive5000芯片,支持FDD/TD-LTE/TDS/GSM/GPRS/EDGE多模制式,最高可实现150Mbps的下载速率和50Mbps的上传速率,支持700M~3.5GHz全频段,可实现TD-SCDMA/GSM双模自动切换。WarpDrive5000采用超低功耗设计,支持多种上下行配比及同频、异频测量和切换,支持CAT4速率等级,下行高达150Mbps,值得一提的是该款产品是全球第一款支持先进的双流波束赋形TM8传输技术的基带芯片。支持4G标准TD-LTE-Advanced的基带芯片研发也已经启动,预计将在2013年底推出支持TD-LTE-A的基带芯片。

    定制化芯片开拓专网市场

    在全国无线智慧城市项目遍地开花和行业信息化建设如火如荼的环境下,无线和高带宽的技术优势凸显了TD-LTE更大的市场空间。TD-LTE目前在部分专网中已经得到应用,如北京政务网、天津政务网、浙江海盐的国家电网试验网等。在能源行业,如石油、煤矿等,对TD-LTE也显示出了旺盛的需求。出于安全等因素,拥有自主知识产权的TD-LTE技术在城市政务网建设中更受青睐。

    创毅研发团队掌握了全套LTE芯片设计技术,易于对芯片做定制化修改,能够快速满足专网和行业应用特殊需求。创毅的专网模块是一款MINIPCIE卡,支持专网的1.4G/1.8G频段,同样是基于WarpDrive5000,峰值速率可达到下行150Mbps和上行50Mbps。在这款专网模块的基础上,终端厂商可以开发出室外CPE、物联网网关等产品用于政务专网、航天、石油、电力、运输、轨道交通等多个行业。

 

关键字:高交会  创毅  TD-LTE  基带  芯片  终端

编辑:eric 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/wltx/2012/1115/article_10392.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
高交会
创毅
TD-LTE
基带
芯片
终端

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved