Microsemi发布用于二次监视雷达航空应用的RF晶体管

2012-09-07 23:39:46来源: EEWORLD

美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布推出用于大功率航空交通管制(air traffic control, ATC)、二次监视无线电 (secondary surveillance radio, SSR)应用的射频(RF)晶体管系列中的首款产品1011GN-700ELM。SSR用于发送信息至装备有雷达应答器的飞机并收集信息,允许航空交通控制系统识别、跟踪和测量特定飞机的位置。美高森美新型700W峰值1011GN-700ELM器件的工作频率为1030MHz,并且支持短脉冲和长脉冲扩展长度信息(extended length message, ELM) 。新型晶体管基于碳化硅衬底氮化镓(GaN on SiC) 技术,这项技术特别适合大功率电子应用。

美高森美公司RF集成系统产品部门副总裁David Hall表示:“我们积极推进下一代GaN on SiC功率器件的开发,把握不断增长的更高性能航天和军事应用的机会。通过发布新产品,我们现在提供功率为250、500和700W的高可靠性GaN on SiC晶体管,用于二次监控雷达搜索和跟踪应用。我们还在研发多个其它GaN on SiC晶体管产品,将于今年稍后时间推出。”

美高森美即将推出的产品包括多个用于L,S和C波段雷达系统的高脉冲功率GaN on SiC晶体管,还提供一整套GaN微波功率器件,包括S波段雷达型款:2729GN-150,2729GN-270,2731GN-110M,2731GN-200M,3135GN-100M,3135GN-170M,2735GN-35M和2735GN-100M。正在开发的数款新产品包括用于涵盖960-1215 MHz的L波段航空电子产品;涵盖1200-1400MHz的L波段雷达,以及涵盖2.7-2.9 GHzS波段雷达的较大功率器件。

关于1011GN-700ELM RF晶体管

1011GN-700ELM晶体管具有无与伦比的性能,包括700W峰值功率,21dB功率增益,以及1030 Mhz下70% 漏极效率,以期降低总体漏极电流和热耗散,其它的主要产品特性包括:

· 短脉冲和长脉冲间歇模式: ELM = 2.4 ms, 64%和6.4% LTD

· 出色的输出功率: 700W

· 高功率增益: >21 dB最小值

· 受控的动态范围: 增量1.0dB,总计15 dB

· 漏极偏压 - Vdd: +65V

使用GaN on SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)实现的系统优势包括:

· 采用简化阻抗匹配的单端设计,替代需要附加合成的较低功率器件

· 较高峰值功率和功率增益,用于减少系统功率放大级数和最终功率级合成

· 单级配对提供带有余量的1.3kW功率,四路结合提供4 kW的总体系统功率

· 65V的高工作电压,减小电源尺寸和直流电流需求

· 极高的稳健性,提高系统良率

· 放大器尺寸比使用Si BJT或LDMOS工艺器件减小50%

封装和供货

1011GN-700ELM以单端封装形式供货,采用100%高温金(Au)金属化和焊锡密封引线,实现长期军用可靠性。美高森美可借出演示单元供客户使用数周,但鉴于产品成本的缘故,不会提供免费的样品。

关键字:Microsemi

编辑:eric 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/wltx/2012/0907/article_9663.html
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