先进移动平台用户采用Soitec全耗尽(Fully Depleted)技术

2012-03-14 21:32:34来源: EEWORLD


北京, 2012年3月14日 —— 全球领先的电子和能源行业半导体材料生产制造商 Soitec (Euronext)今天宣布,无线平台和半导体领军企业 ST-Ericsson 已选择全耗尽平面晶体管技术(FD-SOI)开发设计其下一代移动处理器。 Soitec 创新的基板为全耗尽晶体管技术提供了技术基础,它以极薄的顶层确保了晶体管的各种关键属性。

ST-Ericsson 首席芯片架构师 Louis Tannyeres 认为:“下一代移动消费电子设备将在保持待机时间的条件下,带来更优秀的用户体验。在开发下一代高性能与低功耗应用的过程中,工艺技术的进步与整体平台系统设计创新同样起着十分关键的作用。我们与意法半导体在 FD-SOI 方面的合作成果表明,这项技术能够以颇具成本效益的方式获得这些益处,令我们的解决方案实现差异化。”

源自 Soitec  的 FD-SOI  晶圆使 NovaThor TM的性能得到显著提升,而耗电却更少,在最高性能时能够节约 35% 的功耗。对于消费者而言,这意味着他们能更长时间地以高速度浏览网页,或者让待机时间增加一天。

Soitec 首席运营官  Paul Boudre  表示:“很多像 ST-Ericsson 这样的半导体公司都正在寻求利用现有设计和制造方法,以尽快从全耗尽晶体管架构中受益,而 FD 技术为此提供了一个低风险的方案选项。ST-Ericsson 的这一选择代表着全行业向 FD 平面 CMOS 技术所迈出的第一步,在晶圆厂采用其他替代制造工艺前就能提前实现其设计目标。Soitec 致力于提供大量制造业不可或缺的高品质晶圆,加速将将全耗尽技术运用到下一代主流移动设备中。”

意法半导体公司研发科技部门副总经理Joël Hartmann表示:“意法半导体公司及Leti、Soitec和IBM等合作伙伴已经为开发FD-SOI技术投入数年。最近,意法半导体已经向业界展示了这种技术与传统Bulk CMOS技术的重大差异,如在28nm及以下若干种设计中更杰出的性能与更节约的功耗表现。这些特性的结合使得FD-SOI 特别适于应用在无线和平板应用中。FD-SOI技术不仅能得到FinFET全耗尽晶体管带给平面传统技术的全部好处,而且还能实现后者无法达到的先进的负偏压(back bias)技术。对于ST-Ericsson 在其下一代产品中采用FD-SOI 技术,我们感到由衷高兴。”

新颖的外观因素推动半导体制造商必须超越 28nm 工艺节点,传统的 Bulk CMOS 制作技术显然无法有效地平衡高性能和低功耗。FD 晶圆实现了平面全耗尽的晶体管架构,使其成为助力半导体公司跨越 CMOS 工艺障碍的突破性技术,让下一代智能手机和移动计算设备的高效节能处理器成为可能。该架构还是通过实施晶体管技术,以较低的工艺复杂性解决各类随 CMOS 技术从 28nm到更小级别技术所遇到的问题(如微缩、静电泄漏和器件特性的不一致性等)的关键。

关键字:Soitec

编辑:eric 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/wltx/2012/0314/article_7848.html
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