如何提高G652D光纤宏弯损耗测试效率?

2010-11-16 10:20:26来源: 通信世界周刊

作者:江苏亨通光纤科技有限公司 王利英 马爱惠 黄强 

     光纤宏弯损耗测试,在国家标准GB/T9771.3-2008中描述为:光纤以30mm半径松绕100圈,在1625nm测得的宏弯损耗应不超过0.1dB。

     而注2中描述:为了保证弯曲损耗易于测量和测量准确度,可用1圈或几圈小半径环光纤代替100圈光纤进行试验,在此情况下,绕的圈数环的半径和最大允许的弯曲损耗都应该与30mm半径100圈试验的损耗值相适应。


     大多光纤厂家都提供Φ60mm*100圈的判断标准,然而,在日常的测试工作中,若要采用方便快捷的实验方法,则倾向于按照注2中的建议去进行一些常规判断。因此,掌握Φ32mm*1圈与Φ60mm*100圈的数据差异就十分有必要。

     Φ32mm*1宏弯测试更为简便

     两种宏弯损耗测试方法示意图如图1所示。

     用上述方法对10盘正常生产条件下的光纤样品进行对比测试。

     分别在1310nm、1550nm、1625nm三种波长下,对10盘光纤样品的宏弯平均值、标准偏差进行统计,最后将全部数据汇总,得到图2。

     从整体数据汇总图可看出,Φ32mm*1宏弯测试方法所得数据的平均值和标准偏差都比Φ60mm*100的要小,且数据相对稳定,重复性好。当然所抽样品也不是完全都遵循此规律,10个样品中有3个样品在1625nm窗口下Φ32mm*1所得数据的平均值大于Φ60mm*100所测得的;还有1个样品在1550nm、1625nm窗口下所得数据的标准偏差大于Φ60mm*100的。

     10个样品用两种测试方法所得数据的平均值和标准偏差相差不大,处于一个数据等级内。Φ32mm*1的判断标准应考虑的与60mm*100比较接近。

     在测试过程中,Φ32mm*1宏弯测试方法易于操作,能减少测试误差,根据GB/T 9771.3-2008宏弯损耗的说明,Φ32mm*1宏弯测试方法可作为判断光纤宏弯性能的一种简便方法。

     Φ60mm*100作为标准明确规定一种方法,其准确性的提高需依赖于测试装置的改良,如保证光纤以尽可能一致的直径、适宜的张力缠绕100圈。

     截止波长与宏弯损耗存在相关性

     为更好地摸索宏弯损耗与截止波长的关系,随机抽取760个样品进行实验,实验数据如图3、图4所示。

     由图3可明显看出1625nm的数据较1550nm窗口下宏弯损耗分散,实际数据证实长波长对弯曲的敏感程度更甚。

     由图4可看出1625nm宏弯损耗相对集中时对应的截止波长也相对集中分布在1210nm~1290nm,截止波长越小,宏弯损耗越大,且分布散乱无规律。

     通过以上分析,可以看出截止波长对宏弯损耗有一定的影响,当截止波长分布在1210nm~1290nm范围内时,1550nm、1625nm窗口下宏弯损耗相对集中,数据稳定,这为光纤厂商优化工艺改善宏弯损耗提供了有利的数据依据。

关键字:提高  光纤  损耗  测试

编辑:masen 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/wltx/2010/1116/article_1486.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
提高
光纤
损耗
测试

小广播

独家专题更多

TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved