恩智浦将推出采用SiGe:C BiCMOS工艺的射频产品

2010-05-21 15:57:23来源: EEWORLD


      恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日宣布推出一系列采用最新SiGe(硅锗)工艺技术开发、针对高频无线电应用的新产品,旨在满足行业对更强大、高性价比和高集成度硅基技术日益增长的需求。恩智浦将在2010年底前推出超过50种采用SiGe:C技术的产品,其QUBiC4 SiGe:C工艺技术可提供高功率增益和优良的动态范围,专为满足现实生活中无线、宽带通信、网络和多媒体市场领域的高频应用需要而设计。2010年5月25日至27日在加利福尼亚州阿纳海姆举行的“2010年IEEE MTT-S国际微波年会”上,恩智浦将会展示其高性能射频解决方案(恩智浦展位号:3324)。

      恩智浦目前已有10多种硅锗产品上市,采用其QUBIC4技术开发并售出的射频产品已超过2500万件。此销售业绩彰显了恩智浦QUBIC4工艺的技术成熟度以及行业对SiGe:C工艺实现GaAs技术性能的认可度。 

      恩智浦半导体射频小信号业务总经理Ronald van Cleef先生表示:“作为射频技术和器件设计领域的全球领导者之一,恩智浦致力于SiGe:C技术的产品开发,适应射频、微波市场的飞速发展。我们将借助采用硅基工艺,努力为市场提供具有砷化镓(GaAs)技术的性能、高性价比、高集成度的高频解决方案。”

      恩智浦创新的高性能SiGe:C QUBiC4工艺可以让无线设备制造商增加更多设备功能,同时更节省空间、更节约成本、性能更可靠以及制造更方便。QUBiC4技术加快了从GaAs技术向硅芯片技术的转移速度,实现了高技术含量,低噪声特性和IP可用性。恩智浦提供了三种不同的QUBiC4工艺:QUBiC4+,针对小于5GHz应用的硅基工艺,如中功率放大器;QUBiC4X,一种0.25µm SiGe:C 工艺,大约6年前推出,常用于高达30GHz和极低噪声应用,如GPS;以及最新推出的0.25µm QUBiC4Xi SiGe:C工艺,特征频率(Ft)超过200GHz,特别适合30GHz以上以及要求极低噪声系数的应用,例如VSAT和雷达应用。

      恩智浦的QUBiC4 SiGe:C技术拥有量产所需的完善IP和先进的内部制造工艺,可以提高整体射频性能,降低器件成本,同时提供比砷化镓(GaAs) 技术更高和更灵活的性能。凭借超过45年在射频建模、设计和封装方面的丰富经验,恩智浦的QUBiC4技术将砷化镓(GaAs)技术的高性能与硅基工艺的可靠度完善溶合在一起。随着高速数字数据传输和无线通信技术的持续发展,恩智浦的QUBiC4技术将推动传统的砷化镓(GaAs)技术解决方案不断向前发展,实现更低成本、更高集成度和更多功能,同时满足低功耗需求。

      基于QUBiC4技术的产品涵盖移动平台、个人导航设备、有源相控阵雷达、卫星DBS/-VSAT、电子计量、软件无线电(SDR)技术、基站、点对点无线链路以及无线局域网WLAN等广阔领域,这些都是高频和高集成度至关重要的领域。终端用户的受益之处则在于手机变得更小巧,更轻便而功能却不断增加。

上市时间
      2010年底之前将有50多种采用 SiGe:C 工艺的恩智浦产品面市,其中十多种产品已经上市,包括GPS低噪声放大器,如BGU7005;中等功率放大器,如BGA7124 ;以及本振(LO)发生器,如TFF1003HN。

      其他40种新产品将在5月和年内陆续发布,包括全新的第6代和第7代宽带晶体管、低噪声放大器、中等功率放大器、可变增益放大器和本振(LO)发生器等。

关键字:恩智浦  BiCMOS  射频

编辑:于丽娜 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/wltx/2010/0521/article_811.html
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