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简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

在电子工程世界为您找到如下关于“mosfet”的新闻

瑞萨推出汽车应用级的100V、4A半桥N-mosfet系列驱动器
 全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社(TSE:6723)今日宣布推出全新汽车应用级的 100V、4A 半桥N-MOSFET系列驱动器--- ISL784x4。ISL784x4 系列驱动器包括三个型号: ISL78424 、 ISL78444(三态电平PWM 输入,高边和低边驱动输出)和 ISL78434(高边和低...
类别:转换器 2018-11-07 标签: 瑞萨 驱动器 ISL784x4
东芝宣布推出新一代超结功率mosfet
新器件进一步提高电源效率 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出新系列的下一代650V功率MOSFET,用于数据中心服务器电源、太阳能(PV)功率调节器、不间断电源系统(UPS)和其他工业应用。 TK040N65Z是DTMOS VI系列的首款器件,是一款支持续漏极电流(ID)高达57A,脉冲电流(IDP)高达228A的650V器件该款新器件提供...
类别:分立器件 2018-10-25 标签: MOSFET 东芝
更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司推出CoolMOS™ P7系列的新成员950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件。该器件甚至能达到最严格的设计要求:用于照明、智能电表、移动充电器、笔记本适配器、AUX电源和工业SMPS应用。这种全新半导体解决方案能实现出色的散热性能及能源效率,减少用料并降低总生产成本。 ...
类别:分立器件 2018-08-27 标签: MOSFET器件
mosfet - 热插拔原理
本文将探讨如何选择用于热插拔的MOSFET(金氧半场效晶体管)。 当电源与其负载突然断开时,电路寄生电感元件上的大电流摆动会产生巨大的尖峰电压,对电路上的电子元件造成十分不利的影响。与电池保护应用类似,此处MOSFET可以将输入电源与其他电路隔离开来。但此时,FET的作用并不是立即断开输入与输出之间的连接,而是减轻那些具有破坏力的浪涌电流带来的严重后果。这需要通过一个控制器...
类别:分立器件 2018-08-06 标签: MOSFET 热插拔
东芝开发出散热性能更强的40V N沟道功率mosfet
- 新封装提供双面散热,有效改善散热。东京--八月,东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)将启动面向汽车应用的40V N沟道功率MOSFET——“TPWR7904PB”和“TPW1R104PB”的量产和出货。其采用双面散热、低电阻、小型DSOP Advance(WF)封装。  这些新产品在“DSOP Advance”(WF)封装中安装U-MOS IX-H系列芯片...
类别:分立器件 2018-07-31 标签: 东芝 MOSFET
mosfet供需紧张,半导体涨价缺货,景气将持续
日前,据台湾媒体报道,随着时序进入半导体市场传统旺季,功率半导体MOSFET市场供给缺口持续扩大,国际IDM大厂又无扩增新产能,导致MOSFET价格已连续3季度调涨,目前第三季价格已上涨一成。而国际IDM厂下半年MOSFET产能也已被预订一空,在此情形下,ODM/OEM厂及系统厂大举转单台湾供应商,而国内随着中兴通讯重启运营,也带动大陆厂商MOSFET订单大增,在涨价缺货...
类别:分立器件 2018-07-27 标签: MOSFET
东芝推出紧凑型功率mosfet栅极驱动器智能功率器件
-新器件尺寸显著减小,适用于汽车用三相无刷电机应用东京—东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布面向汽车用三相无刷电机推出一款全新的紧凑型功率MOSFET栅极驱动器智能功率器件(IPD)。该器件适用于汽车用电机驱动器应用,例如,12V电动助力转向系统(EPS)、油泵/水泵、风扇电机和电动涡轮增压器。东芝的IPD产品为高边和低边功率开关提供保护,在汽车应用中尤为有用。通常...
类别:分立器件 2018-07-24 标签: 东芝 MOSFET
二次侧同步整流 mosfet 驱动器问市
Diodes Incorporated 为高质量应用特定标准产品全球制造商和供货商,其产品涵盖广泛领域,包括独立、逻辑、模拟和混合讯号半导体等市场。该公司今日宣布推出 APR346 二次侧同步整流 MOSFET 驱动器,可将 AC 电源转成 DC 电源,提供 5V 至 20V 的电压,提升脱机式变压器的效率。 APR346 可运作于连续导通模式 (CCM)、不连续...
类别:分立器件 2018-07-18 标签: 二次侧同步整流 MOSFET 驱动器 Diodes
意法半导体推出全新VIPower™mosfet功率管
熔断器作用是啥?电路发生故障或异常,随着电流不断升高,并且电流升高有可能损坏电路中的某些重要器件或贵重器件,也可能烧毁电路甚至造成火灾。电路中正确地安置了熔断器,熔断器就会在电流异常升高到一定的高度和一定的时候,自身熔断切断电流,从而起到保护电路安全运行的作用。意法半导体STEF01可编程电子熔断器集成低导通电阻RDS(ON) 的VIPower™MOSFET功率管,在8V...
类别:其他技术 2018-07-16 标签: 集成低导通电阻RDS 意法半导体
 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,拓宽其SOT-227封装电源模块产品线,将有七款新器件采用ThunderFET® 功率MOSFET和标准、FRED Pt® 和沟槽式MOS势垒肖特基(TMBS®)二极管。Vishay 的这些模块提供双片、单相桥和单开关拓扑结构,并有多种额定电流和额定电压可供选择...
类别:分立器件 2018-07-02 标签: 二极管 MOSFET

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MOSFET的基础知识:2.功率MOSFET 的结构和工作原理:功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P 沟道和N 沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET 主要是N沟道增强型。2.1 功率MOSFET 的结构功率 MOSFET 的内部结构和电气符号如图1 所示;其导通时...
类别:电机 2013年09月20日 标签: 功率MOSFET
MOSFET的工作原理MOSFET的工作原理MOSFET的原意是:MOS(Metal OxideSemiconductor金属氧化物半导体),FET(Field EffectTransistor场效应晶体管),即以金属层...
类别:电机 2013年09月29日 标签: MOSFET 的工 作原
功率MOSFET的基本知识功率MOSFET的基本知识自 1976 年开发出功率 MOSFET 以来,由于半导体工艺技术的发展,它的性能不断提高:如高压功率 MOSFET 其工 作电压可达 1000V;低导通电阻 MOSFET 其阻值仅 lOm;工作频率范围从直流到达数兆赫;保护措施越来越完善;并开 发出各种贴片式功率 MOSFET(如 Siliconix 最近...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 功率 MOSFET 的基 本知
功率场效 应晶体管MOSFET 功率场效应晶体管MOSFET 摘要:文中阐述了MOSFET的结构、工作原理、静态、动态特性,并对动态特性的改进进行了论述,简介了MOSFET的驱动电路及其发展动态。 关键词:MOSFET 结构 特性 驱动电路 发展 Abstract:This paper elaborate MOSFET frame、work elements、static state...
类别:模拟及混合电路 2013年06月18日 标签: MOSFET
管(Darlington)内部的Baker钳位电路 8.3.5 比例基极驱动[2~4] 8.3.6 其他类型的基极驱动电路 参考文献 第9章 大功率场效应管(MOSFET)及其驱动电路 9.1 概述 9.2 MOSFET管的基本工作原理 9.2.1 MOSFET管的输出特性(Id-Vds) 9.2.2 MOSFET管的输入阻抗和栅极电流 9.2.3 MOSFET管栅极驱动...
类别:开关电源 2013年07月15日 标签: 开关电源
能同时满足高、低b值的晶体管工作要求的设计方案8.2.6驱动效率8.3贝克(baker)钳位8.3.1baker钳位的工作原理8.3.2使用变压器耦合的baker钳位电路8.3.3变压器型baker钳位[5]8.3.4达林顿管(darlington)内部的baker钳位电路8.3.5比例基极驱动[2~4]8.3.6其他类型的基极驱动电路参考文献第9章大功率场效应管(mosfet)及其驱动电路9.1...
类别:开关电源 2013年06月18日 标签: 开关电源设计
N3856V动作原理说明:DISCONTINUE MODE 是利用流經MOSFET 兩端的電流與MOSFET 本身之RDS(ON)形成電壓降(VSD)和內部參考電壓20mV 比較來控制MOSFET 的導通與關閉 , N3856V 內部有一個電流偵測電路(current decter), 其偵測端直接接於MOSFET 之源極(S)與洩極(D) ,因為此IC 之參考接地為MOSFET 之源極(S...
类别:IC设计及制造 2013年09月22日 标签: N3856V动作原理说明
MOSFET开关过程理解 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程。开关过程中,功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程。在跨越恒流区时,功率MOSFET漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列,线性增加。米勒平台区对应着最大的负载...
类别:电机 2013年06月08日 标签: MOSFET开关过程理解
,当开关K2,K3关断的瞬间,由二极管VD4,VD1提供线圈绕组的续流,电流回路为地→VD4→线圈绕组BA→VD1→电源+Vs.步进电机驱动器中,实现上述开关功能的元件在实际电路中常采用功率MOSFET管.    由步进电机H桥驱动电路原理可知,电流在绕组中流动是两个完全相反的方向.推动级的信号逻辑应使对角线晶体管不能同时导通,以免造成高低压管的直通. ...
类别:电机 2013年09月22日 标签: 步进电机控制电路设计
随着MOSFET 的应用日益广泛,在一些特殊场合常常会使用到互补MOSFET。本文针对互补MOSFET 的驱动问题进行了深入讨论,比较了常用的驱动电路,提出了一种针对互补MOSFET 设计的新型驱动电路,并通过仿真验证了结果。关键词:互补MOSFET,脉冲变压器,隔离驱动电路随着电力半导体器件的发展[1-2],已经出现了各种各样的全控型器件,最常用的有适用于大功率场合的大功率晶体管(GTR...

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。 对比富昌电子Q3和Q4的报告,我们看到: 分立器件的交期似乎更长了 据《富昌电子市场行情报告——2018Q4》的统计:下半年产能已满的高低压Mosfet的交期依然普遍处于高位,且货期继续拉长,特别是高压Mosfet的原厂货期普遍超过30周。 (摘自:富昌电子市场行情报告——Q4) 除此之外,在第四季度,包括肖特基二级管、开关二级管、小信号MOSFET、齐纳二极管、双极晶体管、数字晶体管、通用晶体管...
0次浏览 2018-11-16 信息发布

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类型的C和功率交付(PD)控制器,双闪光灯LED电流源,ARGB LED驱动器,背光WLED驱动器,A显示偏置驱动器和通用LDO便携设备 开关充电器集成了同步PWM控制器MOSFET、输入电流传感和输入高精度电压电流调节调节和充电终止电路。此外,调节了充电电流。通过集成的感测电阻。它还具有USB GO(OTG)支持 USB类型C和PD控制器遵从采用最新的USB类型C和PD标准。它集成了一个完整的C...
0次浏览 2018-11-16 信息发布

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产品概述:   8325B是一款ESOP-8封装单片同步降压稳压器。该器件集成了两个内阻分别为108毫欧和102毫欧的功率MOSFET,可提供足2.4A的连续负载电流在较宽的输入电压范围从6.5V到36V,电流模式控制提供快速瞬态响应和逐周期电流限制,可调节的软启动可防止涌流。   8325B具输入过压保护功能,当输入电压超过33V时,该器件即进入保护状态...
0次浏览 2018-11-16 信息发布 标签: 丝印8325B 车充方案芯片

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:SanjayaManiktala 《精通开关电源设计》基于作者多年从事开关电源设计的经验,从分析开关变换器最基本器件:电感的原理入手,由浅入深系统地论述了宽输入电压DC-DC变换器(含离线式正、反激电源)及其磁件设计、MOSFET导通和开关损耗、pcb布线技术、三种主要拓扑电压/电流模式下控制环稳定性以及开关电源电磁干扰(EMI)控制及测量的理论和实践等。 书中还解答了变换器拓扑的常见问题,讨论...
102次浏览 2018-11-16 PCB设计

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降压转换器图1是非同步降压转换器的原理图。降压转换器将其输入电压降低为较低的输出电压。当开关Q1导通时,能量转移到输出端。 图1:非同步降压转换器原理图 公式1计算占空比: 公式2计算最大金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)应力: 公式3给出了最大二极管应力: 其中Vin是输入电压,Vout是输出电压,Vf是二极管正向电压。与线性稳压器或低压差稳压器(LDO)相比...
43次浏览 2018-11-16 【跟TI学电源】

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了大约10dB,频带宽度扩展到了300MHz。上述实验最重要的结论是确认了更好地放置CIN可以改善开关切换波形上的过冲和振铃信号的幅度,还能降低高频辐射。在RT7297CHZSP中,芯片底部的散热焊盘是没有和晶圆内核连接在一起的,所以在PCB布局中将铜箔和散热焊盘连接在一起并不能缩短CIN回路。它的上桥MOSFET和下桥MOSFET通过多根邦定线连接到VIN和GND端子,因而可以通过这两个端子形成最短的回路...
114次浏览 2018-11-15 电源技术 标签: buck电路 EMI

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容易超出规格的限制。现实中造成辐射超标的原因常常是应该极小化的环路变成了大的环路,或者是附加在线路上的导线形成了多余的辐射。这些大回路或导线所形成的天线效应将在总的辐射中发挥主要的作用。 3. 转换器中的电流回路Buck架构DC/DC转换器中存在两个电流发生剧烈变化的主回路 :当上桥MOSFET Q1导通的时候,电流从电源流出,经Q1和L1后进入输出电容和负载,再经地线回流至电源输入端。在此过程中...
213次浏览 2018-11-15 电源技术 标签: buck电路 EMI

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软开关分为ZVS(零电压开关)和ZCS(零电流开关),由于ZVS一般无需外加辅助器件,容易实现所以在隔离DC-DC变换器中得到了广泛的运用(以移相全桥(Full Bridge Phase-shift)和LLC为代表)。      下面主要来讲讲开关管ZVS的实现,下图是MOSFET及其在分析ZVS时的等效模型。全控开关用一个理想开关及一个串联导通...
0次浏览 2018-11-15 电源技术 标签: EMI 软开关 硬开关 损耗

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内实现灵活的功率级安装、更好的电路板布局性能和低成本设计。效率高,则可最大限度地延长电池寿命并减少冷却操作。可靠的操作和保护可延长使用寿命,有助于提高产品声誉。 为在两个方向上驱动BDC电机,您需要使用两个半桥(四个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET))组成一个全桥。而要驱动三相BLDC电机,则需要使用三个半桥(六个MOSFET)组成一个三相逆变器。 凭借TI采用堆叠管芯架构...
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.usoftchina.com/ 简介mt6238结合专用的电流 高电压模式PWM控制器 功率MOSFET。其优化为高 性能、低待机功率和成本 一种有效的离线反激变换器 在子27w范围的应用。mt6238 提供完整的保护范围 自动自恢复功能包括 逐周期电流限制(OCP), 过载保护(OLP),VDD Over 电压钳和欠压 锁定(UVLO)。优良的EMI 性能达到频率 混洗技术与软 图腾柱闸门的开关控制 驱动输出 概述本文介绍...
0次浏览 2018-11-12 信息发布

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电源设计小贴士42:可替代集成MOSFET的分立器件
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电源设计小贴士28-29:估算热插拔MOSFET的瞬态温升
在本《电源设计小贴士》中,我们将最终对一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法进行研究。在《电源设计小贴士28》中,我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。根据系统组件的物理属性,计算得到热阻和热容。遍及整个网络的各种电压代表各个温度。 本文中,我们把图 1...
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半导体器件是微电子学的基础课程,在对半导体物理的基本原理有一定了解后,了解和掌握半导体器件的基本理论和物理模型对于微电子学及相关专业人员是非常必要的。本系列课程由复旦大学蒋玉龙老师为我们讲解,蒋玉龙老师系统的介绍了集成电路中的半导体器件的工作原理,着重讲解了半导体器件的物理概念及物理模型,以及基本...

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