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简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

在电子工程世界为您找到如下关于“mosfet”的新闻

Power Integrations发布集成900 V初级mosfet离线式开关电源IC
深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司发布一系列集成了900 V初级MOSFET的离线式开关电源IC。新发布的器件既包括适合高效率隔离反激式电源的IC,也包括适合简单型非隔离降压式变换器的IC。其应用范围包括480 VAC三相工业电源以及专供电网不稳定地区、时常遭受雷击的热带地区或者经常发生高能振荡波和浪涌的地区的高品质...
类别:驱动 2019-05-07 标签: Power Integrations
如何选择mosfet——电机控制
本文主要讨论特定终端应用需要考虑的具体注意事项,首先从终端应用中将用于驱动电机的FET着手。电机控制是30V-100V分立式MOSFET的一个庞大且快速增长的市场,特别是对于许多驱动直流电机的拓扑结构来说。在此,我们将专注于讨论如何选择正确的FET来驱动有刷、无刷和步进电机。尽管很少有硬性规定,且可能有无数种方法,但希望本文能让您基于终端应用了解从何处着手。 要做...
类别:智能工业 2019-04-30 标签: MOSFET 电机控制
ROHM开发出内置 SiC mosfet AC/DC转换器IC
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),面向大功率通用逆变器、AC伺服、工业用空调、街灯等工业设备,开发出内置1700V耐压SiC MOSFET*1)的AC/DC转换器*2)IC“BM2SCQ12xT-LBZ”。  近年来,随着节能意识的提高,在交流400V工业设备领域,相比现有的Si功率半导体,可支持更高电压、更节能、更小型的SiC功率半导体...
类别:转换器 2019-04-18 标签: ROHM AC DC转换器
围绕汽车电子,芯片厂商之间的这场争夺战会越来越热闹
的缓解做出巨大贡献。这就使得这个新型材料器件非常适合于在电源、汽车、铁路、工业设备、家用消费电子设备等各个领域。尤其是今年来随着电动车等产业的发展要求,市场对SiC的需求大增。据麦姆斯咨询分析,2018年全球有超过20家的汽车业者,在OBC中使用SiC肖特基二极管(Schottky Diodes)或SiC MOSFET;未来SiC功率半导体在OBC市场中有望以CAGR 44...
类别:汽车电子 2019-04-03 标签: ST SiC功率器件 肖特基二极管 MOSFET
被动元件价格暴跌,MLCC和mosfet首当其冲
零组件陷盘整,被动元件好景不复见!业界传出,微软因MLCC库存水位过高、四处询问代工厂有没有需要?最近连涨价概念MOSFET也跟着头大,近期不仅供需相当平衡,价格也是松动在即,让已经跟英飞凌签订条件严苛的长期供货合约的业者觉得伤脑筋。 业界预期,比起被动元件价格「躺平」,MOSFET价格状况应该会好一点,只会从「站着」变成「坐着」而已。 业界传出,去年...
类别:半导体生产 2019-04-01 标签: MLCC MOSFET
ROHM全新600V耐压超级结 mosfet“PrestoMOS”,让设计更灵敏
半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品,在保持极快反向恢复时间(trr※1))的同时,提高设计灵活度,非常适用于空调、冰箱等白色家电的电机驱动以及EV充电桩。近日,该系列产品群又新增了“R60xxJNx系列”共30种机型。  此次开发的新系列产品与以往产品同样利用了ROHM独有的寿命...
类别:分立器件 2019-03-19 标签: ROHM MOSFET
安森美半导体推出碳化硅(SiC) mosfet,完善生态系统
SiC MOSFET支持高能效、小外形、强固和高性价比的高频设计,用于汽车、可再生能源和数据中心电源系统  推动高能效创新的安森美半导体,推出了两款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽禁带技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC...
类别:动力系统 2019-03-19 标签: MOSFET 安森美
世纪金光SiC mosfet系列,满足多种应用需求
;●新能源汽车    ●充电桩充电模组●光伏逆变器   ●工业电机   ●智能电网    ●航空航天 SiC MOSFET系列产品覆盖额定电压650-1200V,额定电流30-92A,可满足多种应用需求。 产品特点...
类别:行业动态 2019-03-08 标签: 世纪金光 新能源汽车
Vishay新款30 V和40 V汽车级p沟道mosfet—节省PCB空间,更可靠
汽车级器件导通电阻低至4.4 mW,采用业内超薄鸥翼引线结构5 mm x 6 mm紧凑型PowerPAK® SO-8L封装 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款30 V和40 V汽车级p沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP,采用鸥翼引线结构PowerPAK® SO-8L封装,有效提升...
类别:半导体生产 2019-03-07 标签: Vishay MOSFET
碳化硅mosfet的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发
摘要:本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言,该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量,并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值,对短路行为的动态变化进行深度评估。 前言        就目前而言,碳化硅(SiC)材料具有极佳的的电学和热学...

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MOSFET驱动AN799MOSFET 驱动器与 MOSFET 的匹配设计作者:Jamie Dunn Microchip Technology Inc. 2. 由于 MOSFET 驱动器吸收静态电流而产生的功 耗。简介当今多种 MOSFET 技术和硅片制程并存,而且技术进 步日新月异。要根据 MOSFET 的电压 / 电流或管芯尺 寸, 对如何将 MOSFET...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: MOSFET 驱动
MOSFET的基础知识:2.功率MOSFET 的结构和工作原理:功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P 沟道和N 沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET 主要是N沟道增强型。2.1 功率MOSFET 的结构功率 MOSFET 的内部结构和电气符号如图1 所示;其导通时...
类别:电机 2013年09月20日 标签: 功率MOSFET
MOSFET的工作原理MOSFET的工作原理MOSFET的原意是:MOS(Metal OxideSemiconductor金属氧化物半导体),FET(Field EffectTransistor场效应晶体管),即以金属层...
类别:电机 2013年09月29日 标签: MOSFET 的工 作原
选择正确的MOSFET:工程师所需要知道的选择正确的MOSFET:工程师所需要知道的作者:飞兆半导体公司 Jonathan Harper 和Enrique Rodriguez随着制造技术的发展和进步,系统设计人员必须跟上技术的发展步伐,才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件,工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 选择 正确 MOSFET 工程 师所 需要 知道
功率MOSFET的基本知识功率MOSFET的基本知识自 1976 年开发出功率 MOSFET 以来,由于半导体工艺技术的发展,它的性能不断提高:如高压功率 MOSFET 其工 作电压可达 1000V;低导通电阻 MOSFET 其阻值仅 lOm;工作频率范围从直流到达数兆赫;保护措施越来越完善;并开 发出各种贴片式功率 MOSFET(如 Siliconix 最近...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 功率 MOSFET 的基 本知
功率场效 应晶体管MOSFET 功率场效应晶体管MOSFET 摘要:文中阐述了MOSFET的结构、工作原理、静态、动态特性,并对动态特性的改进进行了论述,简介了MOSFET的驱动电路及其发展动态。 关键词:MOSFET 结构 特性 驱动电路 发展 Abstract:This paper elaborate MOSFET frame、work elements、static state...
类别:模拟及混合电路 2013年06月18日 标签: MOSFET
能同时满足高、低b值的晶体管工作要求的设计方案8.2.6驱动效率8.3贝克(baker)钳位8.3.1baker钳位的工作原理8.3.2使用变压器耦合的baker钳位电路8.3.3变压器型baker钳位[5]8.3.4达林顿管(darlington)内部的baker钳位电路8.3.5比例基极驱动[2~4]8.3.6其他类型的基极驱动电路参考文献第9章大功率场效应管(mosfet)及其驱动电路9.1...
类别:开关电源 2013年06月18日 标签: 开关电源设计
MOSFET开关过程理解 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程。开关过程中,功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程。在跨越恒流区时,功率MOSFET漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列,线性增加。米勒平台区对应着最大的负载...
类别:电机 2013年06月08日 标签: MOSFET开关过程理解
P-MOSFET的开关实例在上电过程中,I/O供电电源经过MOSFET管连接到外部电源上,外部电源通过DC/DC模块变换后作为内核电源。只有当内核电源的稳定状态输出引脚输出低电平时,才会接通外部I/O电源,保证了内核先于I/O供电。  在掉电过程中,由于外部供电线路中某些容性器件的存在,外部电源电压由正常值到0状态会有一个过程。因此,当外部电源降低到DC/DC...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: PMOSFET 的开 关实
0922MOSFETMOSFET驱动电路总结在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。   下面是我对MOSFETMOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: MOSFET及MOSFET驱动电路总结

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FET的漏极为输出的电路。一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成。组成开漏形式的电路有以下几个特点:   1. 利用 外部电路的驱动能力,减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时,驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up,MOSFET到GND。IC内部仅需很小的栅极驱动电流。如图1。   2. 可以将多个开漏输出的Pin,连接...
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VDS额定功率MOSFET。随着VGS驱动电压的降低,栅极驱动损耗降低,许多MOSFET器件的RDS(on)与VGS曲线显示出8V至10V VGS以上的RDS(on)几乎没有降低。选择驱动器VDD的一项考虑因素是开启UVLO阈值,以及包括偏置电压上的负电压瞬变的一些裕度。对于上一代驱动器,这可能导致选择驱动器VDD高于最佳栅极驱动和传导损耗工作点。 CSD19531 100V 5.3m...
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将信号的驱动能力增大,就能驱动有刷电机了。那么选择什么元件来提供这样的特性呢?Crazepony的电机驱动IC选型经历了三级管,中功率管的失败,最后选用的是场效应管(即MOSFET)SI2302。由于笔者完全是由于一种强烈的爱好选择了飞行器,最开始连有刷电机和无刷电机的物理结构区别都不知道,电调又是啥?傻傻分不清楚……从一个几乎零基础的状态去选择电机驱动芯片,弯路是必须要走的,学费是必须要交的。曾以...
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我们大家来进一步深入讨论下这个三明治绕发对EMI的影响。 三明治绕法对EMI的有利因数       我们来看初级夹次级的绕法,我们知道,变压器的初级由于电压较高,所以绕组较多,一般要超过2层,有时甚至达到4-5层,这就给变压器带来一个分布参数---层间电容,形成原理相信大家都清楚,我就不多解释了。当MOSFET关断的时候,变压器的漏感与MOSFET的结电容...
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作为开关电源工程师,会经常碰到电源板上MOSFET无法正常工作,首先,要正确测试判断MOSFET是否失效,然后关键是要找到失效背后的原因,并避免再犯同样的错误,本文整理了常见的MOSFET失效的几大原因,以及如何避免失效的具体措施。用万用表简单检测MOS管是否完好测试MOS好坏用指针式万用表方便点,测试时选择欧姆R×10K档,这时电压可达10.5V,红笔是负电位,黑笔是正电位。测试步骤...
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来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤,例如穿透元器件内部薄的绝缘层;损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极;CMOS器件中的触发器锁死;短路反偏的PN结;短路正向偏置的PN结;熔化有源器件内部的焊接线或铝线。为了消除静电释放(ESD)对电子设备的干扰和破坏,需要采取多种技术手段进行防范。在PCB板的设计当中,可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现PCB的抗ESD...
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