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简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

在电子工程世界为您找到如下关于“mosfet”的新闻

Allegro Microsystems推出全新BLDC mosfet驱动器
新产品针对外部微处理器应用可提供完整的模拟系统解决方案  功率器件和传感器技术的全球领导厂商Allegro MicroSystems(以下简称Allegro)宣布推出符合ISO-26262标准的全新N沟道功率MOSFET驱动器AMT49105,新产品能够简化电机系统设计,并通过集成所需的功率模拟系统而减少了PCB面积。 AMT49105得益于强大...
类别:驱动 2018-12-24 标签: Allegro Microsystems
探讨1200 V 碳化硅 mosfet的稳固性
碳化硅MOSFET是功率转换器效率最大化的最佳解决方案吗? 本文探讨了最近在1200 V,80mΩ碳化硅MOSFET上进行的研究,突出了其短路能力。 碳化硅(SiC)MOSFET具有极高的开关损耗,可最大限度地提高功率转换器的效率。 然而,在确定这些器件是否是用于实际功率转换应用的实际解决方案时,它们的短路鲁棒性一直是讨论的主题。 由于相对较小的芯片尺寸...
类别:转换器 2018-12-21 标签: MOSFET
集微网消息,晶圆代工厂茂硅现金增资案顺利完成,成功募得8.61亿元新台币,主要用于扩产以及偿还银行借款。茂硅大股东朋程也公布认购茂硅现金增资8925张,斥资近1.83亿元新台币。受惠金氧半场效电晶体(MOSFET)供不应求,茂硅今年持续接单满载,公司办理现金增资案,以因应购置机器设备以进行扩产,预计新产能自2020年开出,将贡献当年2.85亿元新台币营收。茂硅此次现增发行新股...
类别:综合资讯 2018-12-15 标签: MOSFET 茂硅
晶圆和mosfet价格继续上涨
集微网消息,MOSFET的缺货、涨价潮早已不是什么新鲜事。MOSFET的缺货从2016年下半年就已经开始,一直持续至今,主要由于上游晶圆代工厂产能有限,加之需求市场火爆,引发缺货潮。2017年下半年,长电科技先后三次提价,部分产品累计涨价幅度或超50%;长电之后,包括大中、尼克松、富鼎在内的台系MOSFET供货商也跟着涨价。MOSFET价格同比上涨30%,交期延长到10-20...
类别:便携/移动产品 2018-12-04 标签: 晶圆 MOSFET
芯科技消息(文/雷明正),金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)与电源管理IC厂商杰力今(26)日举办法说会,对于未来展望,总经理吴嘉连表示,今年第4季大概和第3季持平,不过,随着电动车发展,整体MOSFET市场需求仍大于供给的产能。吴嘉连指出,一般汽车所使用的功率元件占21%,电动车则呈倍数增长到55%,主要原因是,汽车产业相当高的比例加入像电动车般的电子管理,传统...
类别:分立器件 2018-11-27 标签: MOSFET
瑞萨推出汽车应用级的100V、4A半桥N-mosfet系列驱动器
 全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社(TSE:6723)今日宣布推出全新汽车应用级的 100V、4A 半桥N-MOSFET系列驱动器--- ISL784x4。ISL784x4 系列驱动器包括三个型号: ISL78424 、 ISL78444(三态电平PWM 输入,高边和低边驱动输出)和 ISL78434(高边和低...
类别:转换器 2018-11-07 标签: 瑞萨 驱动器 ISL784x4
东芝宣布推出新一代超结功率mosfet
新器件进一步提高电源效率 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出新系列的下一代650V功率MOSFET,用于数据中心服务器电源、太阳能(PV)功率调节器、不间断电源系统(UPS)和其他工业应用。 TK040N65Z是DTMOS VI系列的首款器件,是一款支持续漏极电流(ID)高达57A,脉冲电流(IDP)高达228A的650V器件该款新器件提供...
类别:分立器件 2018-09-27 标签: MOSFET 东芝
mosfet短缺3成 大中涨价提升毛利率
   金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)厂大中(6435)总经理薛添福表示,今年下半年MOSFET供给将持续短缺,大中当前产能也相当吃紧,预期目前供货缺口比例达到三成。不过,目前大中在短期内有抢到多余产能,将有助于出货成长。法人预期,MOSFET市场在缺货效应加持下,大中可望借由产品涨价提升毛利率,第三季获利相较上季有机会明显提升。大中昨(28)日...
类别:综合资讯 2018-08-29 标签: MOSFET 毛利率
更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司推出CoolMOS™ P7系列的新成员950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件。该器件甚至能达到最严格的设计要求:用于照明、智能电表、移动充电器、笔记本适配器、AUX电源和工业SMPS应用。这种全新半导体解决方案能实现出色的散热性能及能源效率,减少用料并降低总生产成本。 ...
类别:分立器件 2018-08-27 标签: MOSFET器件
mosfet - 热插拔原理
本文将探讨如何选择用于热插拔的MOSFET(金氧半场效晶体管)。 当电源与其负载突然断开时,电路寄生电感元件上的大电流摆动会产生巨大的尖峰电压,对电路上的电子元件造成十分不利的影响。与电池保护应用类似,此处MOSFET可以将输入电源与其他电路隔离开来。但此时,FET的作用并不是立即断开输入与输出之间的连接,而是减轻那些具有破坏力的浪涌电流带来的严重后果。这需要通过一个控制器...
类别:分立器件 2018-08-06 标签: MOSFET 热插拔

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MOSFET的基础知识:2.功率MOSFET 的结构和工作原理:功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P 沟道和N 沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET 主要是N沟道增强型。2.1 功率MOSFET 的结构功率 MOSFET 的内部结构和电气符号如图1 所示;其导通时...
类别:电机 2013年09月20日 标签: 功率MOSFET
MOSFET的工作原理MOSFET的工作原理MOSFET的原意是:MOS(Metal OxideSemiconductor金属氧化物半导体),FET(Field EffectTransistor场效应晶体管),即以金属层...
类别:电机 2013年09月29日 标签: MOSFET 的工 作原
功率MOSFET的基本知识功率MOSFET的基本知识自 1976 年开发出功率 MOSFET 以来,由于半导体工艺技术的发展,它的性能不断提高:如高压功率 MOSFET 其工 作电压可达 1000V;低导通电阻 MOSFET 其阻值仅 lOm;工作频率范围从直流到达数兆赫;保护措施越来越完善;并开 发出各种贴片式功率 MOSFET(如 Siliconix 最近...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 功率 MOSFET 的基 本知
功率场效 应晶体管MOSFET 功率场效应晶体管MOSFET 摘要:文中阐述了MOSFET的结构、工作原理、静态、动态特性,并对动态特性的改进进行了论述,简介了MOSFET的驱动电路及其发展动态。 关键词:MOSFET 结构 特性 驱动电路 发展 Abstract:This paper elaborate MOSFET frame、work elements、static state...
类别:模拟及混合电路 2013年06月18日 标签: MOSFET
能同时满足高、低b值的晶体管工作要求的设计方案8.2.6驱动效率8.3贝克(baker)钳位8.3.1baker钳位的工作原理8.3.2使用变压器耦合的baker钳位电路8.3.3变压器型baker钳位[5]8.3.4达林顿管(darlington)内部的baker钳位电路8.3.5比例基极驱动[2~4]8.3.6其他类型的基极驱动电路参考文献第9章大功率场效应管(mosfet)及其驱动电路9.1...
类别:开关电源 2013年06月18日 标签: 开关电源设计
管(Darlington)内部的Baker钳位电路 8.3.5 比例基极驱动[2~4] 8.3.6 其他类型的基极驱动电路 参考文献 第9章 大功率场效应管(MOSFET)及其驱动电路 9.1 概述 9.2 MOSFET管的基本工作原理 9.2.1 MOSFET管的输出特性(Id-Vds) 9.2.2 MOSFET管的输入阻抗和栅极电流 9.2.3 MOSFET管栅极驱动...
类别:开关电源 2013年07月15日 标签: 开关电源
N3856V动作原理说明:DISCONTINUE MODE 是利用流經MOSFET 兩端的電流與MOSFET 本身之RDS(ON)形成電壓降(VSD)和內部參考電壓20mV 比較來控制MOSFET 的導通與關閉 , N3856V 內部有一個電流偵測電路(current decter), 其偵測端直接接於MOSFET 之源極(S)與洩極(D) ,因為此IC 之參考接地為MOSFET 之源極(S...
类别:IC设计及制造 2013年09月22日 标签: N3856V动作原理说明
MOSFET开关过程理解 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程。开关过程中,功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程。在跨越恒流区时,功率MOSFET漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列,线性增加。米勒平台区对应着最大的负载...
类别:电机 2013年06月08日 标签: MOSFET开关过程理解
,当开关K2,K3关断的瞬间,由二极管VD4,VD1提供线圈绕组的续流,电流回路为地→VD4→线圈绕组BA→VD1→电源+Vs.步进电机驱动器中,实现上述开关功能的元件在实际电路中常采用功率MOSFET管.    由步进电机H桥驱动电路原理可知,电流在绕组中流动是两个完全相反的方向.推动级的信号逻辑应使对角线晶体管不能同时导通,以免造成高低压管的直通. ...
类别:电机 2013年09月22日 标签: 步进电机控制电路设计
随着MOSFET 的应用日益广泛,在一些特殊场合常常会使用到互补MOSFET。本文针对互补MOSFET 的驱动问题进行了深入讨论,比较了常用的驱动电路,提出了一种针对互补MOSFET 设计的新型驱动电路,并通过仿真验证了结果。关键词:互补MOSFET,脉冲变压器,隔离驱动电路随着电力半导体器件的发展[1-2],已经出现了各种各样的全控型器件,最常用的有适用于大功率场合的大功率晶体管(GTR...

mosfet相关帖子

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FP6296 是一顆电流模式DC-DC升压转换器,脉波宽度调变(PWM),內置0.015Ω,10A,14VMOSFET,能做大功率高转换效率,周边元件少节省空间,适合用在便携式产品,宽电压(2.7V~12V),单节与双节电池都能用,精准反馈电压1.2V(±2%),过流保护点通过外部电阻调整,电流模式可让瞬态响应系统稳定性高,轻载可进入省电模式(Skip Mode),达到轻载高效率...
45次浏览 2019-01-18 电源技术

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TCNTBn的值可以控制PWM 波的占空比增加或减少1,PWM 输出占空比增加或者减少千分之一,可以达到千分之一的控制精度。半导体功率开关器件其开关转换速度的快慢直接影响电源的转换效率和负载能力,本系统PWM 稳压电路中,驱动电路由电阻、电容、晶体管和场效应管组成,MOSFET是电压单极性金属氧化硅场效应晶体管,所需驱动功率很小,容易驱动。MOSFET的输入阻抗很高,其导通和关断就相当于输入电容...
0次浏览 2019-01-16 信息发布

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最近想用这款芯片去控制电源,但是看了数据手册似乎并没有讲的很详细。想问一下这款芯片可以用FPGA直接控制吗还是需要加一个驱放。还有这款芯片的数据手册上也没有讲到参考电路,也想问一下参考电路怎么接 有了解FDS9435芯片的吗 FDS9435不就是个MOSFET吗 [quote][size=2][url=forum.php?mod=redirect&goto=findpos...
139次浏览 2019-01-15 电源技术

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高端对于降压调节器,电流检测电阻有多个位置可以放置。当放置在顶部MOSFET的高端时(如图3所示),它会在顶部MOSFET 导通时检测峰值电感电流,从而可用于峰值电流模式控制电源。但是,当顶部MOSFET关断且底部MOSFET导通时,它不测量电感电流。 图3. 带高端RSENSE的降压转换器 在这种配置中,电流检测可能有很高的噪声,原因是顶部 MOSFET的导通边沿具有很强的开关电压振荡。为使...
47次浏览 2019-01-15 电源技术

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应用中实际开关电流通常小于ID 额定值@ TC = 25℃的一半,通常在1/3~1/4。补充,如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID,这个值更有现实意义。IDM -脉冲漏极电流该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低,脉冲电流要远高于连续的直流电流。定义IDM的目的在于:线的欧姆区。对于一定的栅-源电压,MOSFET导通后,存在最大的漏极电流。如图所示,对于给定的一个栅-源电压,如果工作点...
224次浏览 2019-01-14 电源技术

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很高, 大部分情况下效率在90%以上, PFC 0.95到0.99,       2.原边控制,省去光耦和相关电路,降低BOM cost       3.独特的MOSFET控制技术,对MOSFET和快恢复二极管的要求降低很多,不必选择昂贵的MOSFET和二极管,   4.高功率因数、精度3%以内,QR...
0次浏览 2019-01-11 信息发布

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,避免供应商偷工减料,影响产品效率)。令人烦恼的就是供应商做手脚,导致一整批试产的产品过不了六级能效,原因就是肖特基内部晶元用小导致。22. 电路设计,Snubber 电容,因为有异音问题,优先使用 Mylar 电容,这是处理异音的方法之一。23. 电路设计,启动电阻如果使用在整流前,要加串一颗几百 K 的电阻。电阻短路时,不会造成 IC 和 MOSFET 损坏。24. 电路设计,高压大电容并一颗...
0次浏览 2019-01-11 电源技术

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低功耗120V转5V1A降压芯片 120V转12V1A降压芯片90V降压芯片_100v降压ic 120V降压芯片降压5V2A12V2ADC输入8-120V降压恒压电源芯片AL8558 简介:AL8558HV集成PFM控制器及200V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源,固定输出电压。AL8558HV内置200V高压启动模块,实现系统快速启动...
0次浏览 2019-01-11 信息发布

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MOSFET 最大耐压就可能造成炸机。经验值 1nS 的 Delay 约等于1;K 对100PF,也等于 100R 对102PF。未完待续。来源:eepw,如侵删 【转帖】三十条开关电源设计实用经验(一)...
0次浏览 2019-01-10 电源技术

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的启动电压,3~12V的宽工作电压范围,可最大限度的适用于各种终端设备。 CS5025E提供了ESOP10的封装类型,其额定的工作温度范围为-40℃至85℃。 特征输入电压范围:3~12V可调电压输出最高至 13V振荡频率: 600KHz精准的反馈参考电压: 1V (±2%)内置0.08Ω, 8A, 15V 的 MOSFET关断电流: <36μA过温保护过压保护封装: ESOP10L应用充电设备...
0次浏览 2019-01-10 信息发布

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600 V MDmesh II Plus低 Qg MOSFET 系列...
2013-08-07 标签: MOSFET
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2016-12-09 标签: MOSFET 数据手册
电源设计小贴士42:可替代集成MOSFET的分立器件
在电源设计中,工程师通常会面临控制 IC 驱动电流不足的问题,或者面临由于栅极驱动损耗导致控制 IC 功耗过大的问题。为缓解这一问题,工程师通常会采用外部驱动器。半导体厂商(包括 TI 在内)拥有现成的 MOSFET 集成电路驱动器解决方案,但这通常不是成本最低的解决方案,工程师通常会选择比较廉...
电源设计小贴士28-29:估算热插拔MOSFET的瞬态温升
在本《电源设计小贴士》中,我们将最终对一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法进行研究。在《电源设计小贴士28》中,我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。根据系统组件的物理属性,计算得到热阻和热容。遍及整个网络的各种电压代表各个温度。 本文中,我们把图 1...
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在这篇《电源设计小贴士》中,我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理,而其与占空比和 FET 电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常,作为设计过程的一个组成部分,您会有一套包括了输入电压范围和期望输出电压的规范,并且需要选择一些 FET。另...

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