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简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

在电子工程世界为您找到如下关于“mosfet”的新闻

ROHM全新600V耐压超级结 mosfet“PrestoMOS”,让设计更灵敏
半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品,在保持极快反向恢复时间(trr※1))的同时,提高设计灵活度,非常适用于空调、冰箱等白色家电的电机驱动以及EV充电桩。近日,该系列产品群又新增了“R60xxJNx系列”共30种机型。  此次开发的新系列产品与以往产品同样利用了ROHM独有的寿命...
类别:分立器件 2019-03-19 标签: ROHM MOSFET
安森美半导体推出碳化硅(SiC) mosfet,完善生态系统
SiC MOSFET支持高能效、小外形、强固和高性价比的高频设计,用于汽车、可再生能源和数据中心电源系统  推动高能效创新的安森美半导体,推出了两款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽禁带技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC...
类别:动力系统 2019-03-19 标签: MOSFET 安森美
世纪金光SiC mosfet系列,满足多种应用需求
;●新能源汽车    ●充电桩充电模组●光伏逆变器   ●工业电机   ●智能电网    ●航空航天 SiC MOSFET系列产品覆盖额定电压650-1200V,额定电流30-92A,可满足多种应用需求。 产品特点...
类别:行业动态 2019-03-08 标签: 世纪金光 新能源汽车
Vishay新款30 V和40 V汽车级p沟道mosfet—节省PCB空间,更可靠
汽车级器件导通电阻低至4.4 mW,采用业内超薄鸥翼引线结构5 mm x 6 mm紧凑型PowerPAK® SO-8L封装 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款30 V和40 V汽车级p沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP,采用鸥翼引线结构PowerPAK® SO-8L封装,有效提升...
类别:半导体生产 2019-03-07 标签: Vishay MOSFET
碳化硅mosfet的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发
摘要:本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言,该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量,并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值,对短路行为的动态变化进行深度评估。 前言        就目前而言,碳化硅(SiC)材料具有极佳的的电学和热学...
技术文章—mosfet管的安全工作区
我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态,承受着很大的功耗,一但过压或过流就会导致功耗大增,晶圆结温急剧上升,如果散热不及时,就会导致器件损坏,甚至可能会伴随爆炸,非常危险。这里就衍生一个概念,安全工作区。一、什么是安全工作区?安全工作区:SOA(Safe operating area)是由一系列(电压,电流...
类别:分立器件 2019-02-18 标签: MOSFET
Vishay新款2.5 A IGBT和mosfet驱动器,让工作效率更上一层楼
器件最高输出电流2.5 A,适用于电机驱动、可替代能源和其他高工作电压的应用 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驱动器---VOD3120A,扩展其光电产品组合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装,低压降输出电流损耗仅为3.5 mA...
类别:驱动 2019-02-15 标签: MOSFET Vishay
IDM厂看好mosfet市况
虽然美中贸易战引发的总体经济不确定性,对第一季半导体市场造成冲击,但包括英飞凌(Infineon)、安森美(ON Semi)、威世(Vishay)等国际IDM大厂,在近期召开的法人说明会中不约而同表示,受惠于5G及电动车等新需求明显成长,对今年金氧半场效晶体管(MOSFET)等功率半导体市况抱持乐观看法,下半年仍有可能持续供不应求。 此外,晶圆代工厂持续受惠于IDM...
类别:市场动态 2019-02-12 标签: MOSFET
Vishay最新第四代600V E系列mosfet器件问市
超级结器件降低传导和开关损耗,提高通信、工业和企业级应用能效日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %,为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案,同时,栅极电荷下降60...
类别:分立器件 2019-01-28 标签: Vishay MOSFET
ST超结mosfet帮助电桥和ZVS相移转换器实现更高效能
意法半导体的MDmesh™ DM6 600V MOSFET含有一个快速恢复体二极管,将该公司最新的超结(super-junction)技术的性能优势引入到全桥和半桥拓扑、零电压开关(ZVS)相移转换器等通常需要一个稳定可靠的二极管来处理动态dV/dt的应用和拓扑结构里。 MDmesh DM6 MOSFET利用意法半导体先进的载流子寿命控制技术减少反向恢复...
类别:转换器 2019-01-22 标签: 意法半导体 MOSFET 电桥

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MOSFET驱动AN799MOSFET 驱动器与 MOSFET 的匹配设计作者:Jamie Dunn Microchip Technology Inc. 2. 由于 MOSFET 驱动器吸收静态电流而产生的功 耗。简介当今多种 MOSFET 技术和硅片制程并存,而且技术进 步日新月异。要根据 MOSFET 的电压 / 电流或管芯尺 寸, 对如何将 MOSFET...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: MOSFET 驱动
MOSFET的基础知识:2.功率MOSFET 的结构和工作原理:功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P 沟道和N 沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET 主要是N沟道增强型。2.1 功率MOSFET 的结构功率 MOSFET 的内部结构和电气符号如图1 所示;其导通时...
类别:电机 2013年09月20日 标签: 功率MOSFET
MOSFET的工作原理MOSFET的工作原理MOSFET的原意是:MOS(Metal OxideSemiconductor金属氧化物半导体),FET(Field EffectTransistor场效应晶体管),即以金属层...
类别:电机 2013年09月29日 标签: MOSFET 的工 作原
选择正确的MOSFET:工程师所需要知道的选择正确的MOSFET:工程师所需要知道的作者:飞兆半导体公司 Jonathan Harper 和Enrique Rodriguez随着制造技术的发展和进步,系统设计人员必须跟上技术的发展步伐,才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件,工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 选择 正确 MOSFET 工程 师所 需要 知道
功率MOSFET的基本知识功率MOSFET的基本知识自 1976 年开发出功率 MOSFET 以来,由于半导体工艺技术的发展,它的性能不断提高:如高压功率 MOSFET 其工 作电压可达 1000V;低导通电阻 MOSFET 其阻值仅 lOm;工作频率范围从直流到达数兆赫;保护措施越来越完善;并开 发出各种贴片式功率 MOSFET(如 Siliconix 最近...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 功率 MOSFET 的基 本知
功率场效 应晶体管MOSFET 功率场效应晶体管MOSFET 摘要:文中阐述了MOSFET的结构、工作原理、静态、动态特性,并对动态特性的改进进行了论述,简介了MOSFET的驱动电路及其发展动态。 关键词:MOSFET 结构 特性 驱动电路 发展 Abstract:This paper elaborate MOSFET frame、work elements、static state...
类别:模拟及混合电路 2013年06月18日 标签: MOSFET
能同时满足高、低b值的晶体管工作要求的设计方案8.2.6驱动效率8.3贝克(baker)钳位8.3.1baker钳位的工作原理8.3.2使用变压器耦合的baker钳位电路8.3.3变压器型baker钳位[5]8.3.4达林顿管(darlington)内部的baker钳位电路8.3.5比例基极驱动[2~4]8.3.6其他类型的基极驱动电路参考文献第9章大功率场效应管(mosfet)及其驱动电路9.1...
类别:开关电源 2013年06月18日 标签: 开关电源设计
MOSFET开关过程理解 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程。开关过程中,功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程。在跨越恒流区时,功率MOSFET漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列,线性增加。米勒平台区对应着最大的负载...
类别:电机 2013年06月08日 标签: MOSFET开关过程理解
P-MOSFET的开关实例在上电过程中,I/O供电电源经过MOSFET管连接到外部电源上,外部电源通过DC/DC模块变换后作为内核电源。只有当内核电源的稳定状态输出引脚输出低电平时,才会接通外部I/O电源,保证了内核先于I/O供电。  在掉电过程中,由于外部供电线路中某些容性器件的存在,外部电源电压由正常值到0状态会有一个过程。因此,当外部电源降低到DC/DC...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: PMOSFET 的开 关实
0922MOSFETMOSFET驱动电路总结在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。   下面是我对MOSFETMOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: MOSFET及MOSFET驱动电路总结

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随着电子行业的发展,对电源的要求越来越高,体积更小,可靠性更高,电源模块作为集成器件应运而生。在LED照明应用中,由于非隔离开关电源的效率较高,所以有较多客户青睐,占了一部分的市场份额。 LED驱动IC芯片U6112包括高精度的恒流原边控制器及功率MOSFET,专用于高可靠、隔离双绕组、极精简外围元器件的小功率LED照明,该芯片工作在原边检测和调整模式。可省略光耦、TL431,采用了快速DMOS...
0次浏览 2019-03-19 信息发布

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650V功率MOSFET 自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度,多模式PSR,控制提高可靠性和效率,内置软启动,超低启动电流,管脚浮空保护。电源芯片TB6806的特点:效率满足六级能效要求,低待机功耗小于70mW,内置600V 功率MOSFET,QR-PSR控制提高工作效率,±4%恒压恒流精度,多模式PSR控制,内置迅速动态响应控制,无异音工作,技术方面,更高的集成度、更高的功率密度、更强的耐压...
0次浏览 2019-03-18 信息发布

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; 9、开关电源整流桥损坏造成; 10、开关管发射极限流电阻过小造成; 11、开关管性能不良或功率过小造成; 12、开关管与散热片之间的绝缘不良造成。 浅谈开关电源MOS管发热的原因 正反馈过强造成和与散热片之间的绝缘不良造成 这个最容易忽视 10、开关管发射极限流电阻过小造成; 这是mosfet吗? [quote][size=2][url=forum.php...
87次浏览 2019-03-16 电源技术

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液晶显示屏使用场合越来越广泛,随着小间距技术越来越成熟,LED显示屏也广泛应用到会议室、指挥控制中心、乃至家庭影院等多种场合。成为人们充分运用想象和科技手段提升产品性能的新型显示媒体。而液晶显示屏的好坏取决于电源芯片的选择,一款好的电源芯片能带来许多优质的保护。接下来小编就带您一起来认识这款电源芯片——TB3865。电源芯片TB3865内置650V高压MOSFET,有光耦和TL431...
0次浏览 2019-03-15 信息发布

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,100倍就要考虑采用特殊的绕法并且采用比较大的铁心,1000倍还要求频率特性平直那是几乎做不到的事。通常我们说人耳可闻的频率是20Hz~20kHz,是1000倍,变压器传输这么宽频率范围还要求频率特性平直,还要求非线性失真够小,简直就是办不到。 谢谢楼主,支持分享 楼主这种MOSFET外置的,响起来容易,做好够呛。。。水深得很 [quote][size=2][url=forum.php...
254次浏览 2019-03-15 模拟电子

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可怎样呢?”虽然很少有客户直接提及这一问题,但确常常被问到有关采用不适合高分辨率 ADC 的时钟源之问题。 10、Why 100Ω?较真的教授发现简单结论背后不简单的问题 MOSFET 栅极前要放什么,你很可能会听到“一个约 100 Ω 的电阻”。虽然我们对这个问题的答案非常肯定,但是或许你还是忍不住想问“为什么呢?它的具体作用是什么呢?电阻值为什么是 100 Ω 呢?” ADI 最受...
101次浏览 2019-03-15 模拟电子

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数量。电源开关的另一个原因是减少电力消耗。在具有功耗意识的系统中,如使用电池供电的应用,电力消耗是关键问题所在。 哪些市场和终端设备使用电源开关? 个人电子产品,如笔记本电脑、平板电脑及穿戴式计算机工业市场中,如移动销售点机器汽车,如仪表组、信息娱乐系统企业市场,如服务器 实现电源开关的方法有两种 一种方法就是使用分立式解决方案。这些解决方案使用MOSFET 来接通和切断对某负载...
101次浏览 2019-03-14 电源技术

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] 不是快不快的事情,很多情况不能只看器件模型,而要熟读熟记datasheet, 你注意到C73没有?它的作用是让MOSFET开得慢一些,电容充电太快的话MOSFET内部瞬间高热DS短路。 MOSFET体二极管的正向电流峰值仅标称Id的1-4倍(具体查规格书),时间不超过300uS,然二极管则是30倍10mS。 这是防止正常工作时,输入端短路造成P-MOS损坏用的,该不该加,看产品需求,看成...
193次浏览 2019-03-14 电源技术

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请问各位,下面这幅电路图中IR2104的自举原理(写详细点,谢谢) 在另外一个类似的贴中,几位网友已经建议楼主看下工作原理弄清楚,然后再谈这种“自举”电路。 这里楼主的口气 是“这题我不会”请写详细点介绍 好吧,带你了解一下 先把手册搞一下,IR2104是一个高压驱动芯片,驱动一个半桥MOSFET。Vb,Vs为高压端供电;Ho为高压端驱动输出;COM为低压端驱动供电,Lo为低压端驱动...
65次浏览 2019-03-12 模拟电子

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随着电子行业的发展,对电源的要求越来越高,而非隔离电源因为体积小,成本低,转化率高等优点而越来越受到广泛的应用,被广大电源厂商青睐并称赞。 银联宝科技所自主研发的电源芯片U6110便是一款超低待机功耗非隔离3W的开关电源芯片,是输入8V~380Vac,输出5V/500mA非隔离电源方案,结合500V功率MOSFET,单芯片的开/关PWM控制器。而小编接下来就为您介绍一下这款芯片。 这款...
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在电源设计中,工程师通常会面临控制 IC 驱动电流不足的问题,或者面临由于栅极驱动损耗导致控制 IC 功耗过大的问题。为缓解这一问题,工程师通常会采用外部驱动器。半导体厂商(包括 TI 在内)拥有现成的 MOSFET 集成电路驱动器解决方案,但这通常不是成本最低的解决方案,工程师通常会选择比较廉...
电源设计小贴士28-29:估算热插拔MOSFET的瞬态温升
在本《电源设计小贴士》中,我们将最终对一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法进行研究。在《电源设计小贴士28》中,我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。根据系统组件的物理属性,计算得到热阻和热容。遍及整个网络的各种电压代表各个温度。 本文中,我们把图 1...

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