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flash操作

在电子工程世界为您找到如下关于“flash操作”的新闻

t_nand_chip nand_chip;// 供外部调用的函数 void nand_init(void);void nand_read(unsigned char *buf, unsigned long start_addr, int size);// NAND Flash操作的总入口, 它们将调用S3C2410或S3C2440的相应函数 static void...
类别:ARM单片机 2018-10-13 标签: JZ2440 裸板 nand flash
;   clock_init();// 初始化时钟     uart_init(); // 初始化UART0     nand_init(); // 初始化Nand Flash     ...
类别:ARM单片机 2018-10-13 标签: Tiny210裸机 nand_flash操作
;  6410就可以读入数据       对于6410,读NFDATA寄存器用openjtag来体验nand flash操作:1. 读ID:a. 初始化   设置MEM_SYS_CFG[1] = 0(0x7E00_F120), 让xm0csn[2]用作nand flash的片...
类别:ARM单片机 2018-10-11 标签: OK6410 裸机 NAND Flash 更新固件
的变量地址是16位对齐的,不是32位对齐,看来问题肯定是出现在这里了;我找到很久以前正常运行的版本,看了下这个变量的地址, 果然是4字节对齐的;我在网上也搜了我这个问题,看来这个问题人家5年前就遇到了,今天又被我撞见了.建议以后所有的需要存储到flash里的变量都先判断下是否是字对齐,如果不是就得跳过写flash操作,以免酿成大祸,现在我对远程升级的程序存储的时候都添加了字对齐...
类别:ARM单片机 2018-08-19 标签: STM32L系列 flash操作
/* 实际适用于MSP430x2xx系列单片机,包含以下10个常用功能函数: (1)初始化。Flash_Init(unsigned char Div,unsigned char Seg ):依据SMCLK频率计算设定Flash的时钟的分频系数,靠Seg段号码确定计划操作的段起始地址。 (2)整段擦除。Flash_Erase():段擦除函数。 ...
类别:其他技术 2018-07-11 标签: MSP430G2553 flash操作
1.stm32内部flash操作只能是两个byte写入,不能一个byte一个byte的写2.写之前需要擦除,擦除后数据均为FF3.内部flash为512kb为大容量,小于512为小容量。在stm32的stm32f10x_flash.c里面FLASH_Status FLASH_ErasePage擦除页函数有区别擦2k还是擦1k,大容量擦2k,小容量擦1k4.读可以只读一个字节...
类别:ARM单片机 2018-07-10 标签: stm32 内部flash 操作细节
MSP430F149内部flash操作
128B;可以保存用户自己的内容(主Flash也可以但是要避免与程序代码区冲突);这里就把信息Flash的两段称为InfoA(1080H-10FFh)和InfoB(1000H-10FFH)。Flash操作包括:字或字节写入;块写入;段擦除;主Flash擦除;全部擦除。任何的Flash操作都可以从Flash或从RAM中运行。Flash操作时需要时序发生器,Flash控制器内部含有...
类别:其他技术 2018-05-01 标签: MSP430F149 内部Flash操作
HSEStartUpStatus = RCC_WaitForHSEStartUp(); //等待外部晶振就绪if (HSEStartUpStatus == SUCCESS){FLASH_PrefetchBufferCmd(FLASH_PrefetchBuffer_Enable);//flash读取缓冲,加速FLASH_SetLatency(FLASH_Latency_2); //flash操作的延时...
类别:ARM单片机 2017-11-26 标签: STM32 flash操作
44. flash操作程序
1. 读取半字(16位)函数//读取指定地址的半字(16位数据)//faddr:读地址(此地址必须为2的倍数!!)//返回值:对应数据.u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr){return *(vu16*)faddr; }2. 不进行检查的直接写入//不检查的写入//WriteAddr:起始地址//pBuffer:数据指针...
类别:ARM单片机 2017-11-10 标签: Flash 操作程序
;  FLASH_FLAG_EOP            FLASH操作结束标志位          //               ...
类别:ARM单片机 2017-10-01 标签: STM32 FLASH操作

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Flash单片机自编程技术的探讨Flash单片机自编程技术的探讨 Flash的可自编程性(Self-Programmability)是指,用Flash存储器中的驻留软件或程序对Flash存储器进行擦除/编程,但是,要求运行程序代码的存储区与待编程的存储区不在同一模块中。因此,只有一个片上Flash存储器模块的微处理器,是不能在进行擦除/编程Flash操作...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: Flash 单片 机自 编程 技术 的探
了基于WDM的USB驱动程序设计原理,其中包括了从结构到通信流对USB主机系统的介绍,编写WDM驱动程序的基础理论(主要介绍了数个相关的重要概念、驱动程序的基本组成),以及在开发对Flash操作的例程会使用到的Mass Storage类协议的简要介绍。在介绍设计原理后,论文从总体的系统应用环境和结构蓟数据传输、内部模块以及软硬件体系结构几个方面简要描述了该IP的系统设计。接着论文通过分析主机端驱动程序...
类别:ARM MPU 2014年03月05日 标签: arm 接口 主机 驱动 驱动程序
了……所以我把这些代码集中,进行了逐句注释,希望对新手们有价值。1、 阅读flash: 芯片内部存储器flash操作函数我的理解——对芯片内部flash进行操作的函数,包括读取,状态,擦除,写入等等,可以允许程序去操作flash上的数据。基础应用1,FLASH时序延迟几个周期,等待总线同步操作。推荐按照单片机系统运行频率,0—24MHz时,取Latency=0;24—48MHz时,取Latency...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: STM32 学前 班教
音频的压缩和解压耳机里实时发出mic收到声音。录音,程序将会把mic输入声音存储到flash里面,程序会停止在三个断点之一。这三个断点分别是flash擦除失败、flash写入失败、录音结束。如果是停在前两个断点,是flash操作失败。如果是停在第三个断点,表明录音结束。可以停止程序,进行录音回放操作。录音回放,程序将会循环播放flash里面存储的声音。...
类别:科学普及 2014年03月05日 标签: 音频 压缩 和解 解压 耳机
摘要:68HC08系列单片机在运行程序时往往需要保存某些参数使其掉电不丢失,为节约成本提高可靠性,可以将这些参数保存在片内FLASH中。片内FLASH主要是用来保存用户程序的,为避免在程序运行时往FLASH中写入数据所导致的单片机复位,因此采用了调用芯片内部监控ROM中自带的FLASH操作子程序的方法。该方法适用于所有68HC08系列片内含FLASH芯片的单片机,具有很高的实用性和应用前景。...
类别:其它 2013年09月22日 标签: 68HC08 单片机
ti的 F2XX 系列dsp的flash操作接口,可以通过该函数对dsp的flash数据进行在线修改...
类别:DSP 2014年03月05日 标签: ti的 F2XX 系列dsp的flash操作接口
spiflash操作,在C8051f310下测试过...
类别:嵌入式系统 2014年03月05日 标签: spiflash操作

KEIL MDK环境下的TQ2440裸奔程序,之前在网上找了几个,但是nandflash操作不能使用,我改了一下,烧上去可以直接用,用串口打印运行结果。

S3C2440\All_test\2440Anorom.ini
  .......\........\2440init.s
  ...

类别:其它 2013年09月03日 标签: KEIL nbsp MDK环境下的TQ2440裸奔程序
MCU为LPC2220,FLASH为39FV1601(地址0x80000000),外部一个SRAM(地址0x81000000),程序用ADS编译,用分散加载,程序0x80000000开始引导,FLASH操作在LPC2220内部RAM运行。实现的作用为开机等待2秒左右若PC发来连接指令将进入BOOT部分,若超时则COPY应用程序到外部RAM开始运行。抛砖引玉,可以认识到分散加载,BOOT的基本原理...
类别:嵌入式系统 2014年03月05日 标签: flash 地址 外部
工程 2.2.7 导入工程 2.3 工程的调试 2.3.1 选择调试方式 2.3.2 调试工具条 3. K-Flash 3.1 概述 3.2 K-Flash操作 4. 串口调试助手 4.1 概述 4.2 TKS_COM操作 5. 免责声明...
类别:ARM MPU 2013年09月09日 标签: ZLG M0 开发手册

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101次浏览 2018-09-29 信息发布 标签: 深圳嵌入式培训

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; 0.179 Mbytes/sec >>> 复制代码 可以看到,1Line和4Line模式的结果仍然差别非常小。 此内容由EEWORLD论坛网友dcexpert原创,如需转载或用于商业用途需征得作者同意并注明出处 【ESP32学习】SD卡速度比较测试2 速度差异不大可能是因为,读取写入时间的大头在flash操作,不在传输,导致传输速度差异对整体读写速度的影响较小...
283次浏览 2018-09-16 【MicroPython开源版块】

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脱离PC,CCS运行了,波形也非常准确。 不过我想,我一定是哪里做的不对,TI不可能让它的用户做这么变态的烧写flash操作吧?       另外注意: 烧flash时,SDK跳线应该选成boot to H0 ram,否则烧写可能失败。这一点,TMD文档帮助里也没有提到。 脱离PC,CCS运行时,SDK跳线应该选成boot to H0 flash 可能叙述...
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如下图,STM32L15x有4KB的EEPROM. 现在,想将一char型数据存入其内,以便再次上电时读取。 请问,STM32L15x的EEPROM如何 读写 ? 非常感谢! STM32L15x 4KB EEPROM的使用问题 ? 没用过,和flash操作一样吧,帮你顶下 度了一下是和falsh一样的 STM32L152 求助其内置的eeprom如何使用 先要...
275次浏览 2018-05-26 【stm32/stm8】

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flash操作错误标志               ErrorFlashNum ++ ;             }           ...
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操作可避免 在对FLASH操作期间读FLASH内容,会引发ACCVFIG状态位的设置。小心操作可避免 在对FLASH操作期间看门狗定时器溢出。建议用户程序在进行FLASH操作之前先停止看门狗定时器,等操作结束后再打开看门狗 所有的FLASH类型的MSP430器件0段都包含有中断向量等重要的程序代码,如果对其进行擦除操作,将会引起严重的后果 不要在FLASH操作期间允许中断的发生...
101次浏览 2018-04-17 【MSP430】

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;           //再读取   gA=gTemp; } MSP430G2553 flash操作例子 请问下你,msp430G2553单片机怎么进行内存选择呢?谢谢!:)...
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iNand分成了很多个分区,每个分区有地址范围和分区名,uboot程序操作中可以使用直接地址来操作iNand分区,也可以使用分区名来操作分区。);注意这里的0x30000000也可以直接写作30000000,意思是一样的(uboot的命令行中所有数字都被默认当作十六进制处理,不管你加不加0x都一样)。9.2、NandFlash操作指令nand理解方法和操作方法完全类似于movi指令9.3、内存操作指令...
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呢 在flash中读取速度要比RAM中慢。虽然有优化,但还是慢一点。涉及到经常运算的要搬运到RAM里面去。 除此以外,还有就是flash操作。是制定要在搬运到RAM里面才能进行调用的。 感谢楼主分享心得 但楼主说:“运行的时候,要么就拷贝到RAM里,要么就直接在flash里面跑。“这个地方应该不是很正确,如果一个函数定义在一个段里面(而这个段在CMD文件里声明成RAN = RAM),那么如果要调用...
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我的需求是希望在程序运行过程中,实现自我升级的功能. 也就是说, 正在运行的程序会将从串口接受到的新程序写入Flash中, 而新的程序会在设备再次启动后自动加载! 那位高手从事过相关的开发,请指教,谢谢! any comment is welcomed, Thanks! 如何在msp430f161X 上实现IAP功能 两个方案: 1。写一段专用引导程序,包括串口,Flash操作...
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