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SiC

在电子工程世界为您找到如下关于“SiC”的新闻

ST发起SiC攻势 助力电动车发展
。虽说IGBT在新能源领域红得发紫,但是SiC也不甘示弱,未来如何发展也不好定论。 SiC的优点在于: 1、SiC器件的工作结温在200℃以上,工作频率在100kHz以上,耐压可达20kV,这些性能都优于传统硅器件;2、SiC器件体积可减小到IGBT整机的1/3-1/5,重量可减小到40-60%;3、SiC器件还可以提升系统的效率,进一步提高性价比和可靠性。在电动车...
类别:车身电子 2019-06-17 标签: ST SiC
Cree:大众汽车集团 FAST 项目 SiC 独家合作伙伴
Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布,作为SiC(碳化硅)半导体的全球引领者,成为大众汽车集团(Volkswagen Group)FAST(Future Automotive Supply Tracks,未来汽车供应链)项目SiC(碳化硅)独家合作伙伴。FAST的目标旨在推进共同合作,比以往更为快速地实施技术创新,并且更有效率地、更有效果地实现全球汽车项目...
类别:行业动态 2019-05-15 标签: Cree 大众汽车集团 FAST
专注SiC碳化硅,Cree出售照明业务给Ideal Industries
方面的领先地位使我们能够帮助客户提高性能并实现更高的效率。”Cree将利用此次出售所得的收益来加速Wolfspeed(其核心功率和射频业务)的增长,并扩大其半导体业务。最近,Cree宣布计划投资10亿美元(折合人民币约67.8亿元)用于扩大SiC碳化硅产能,在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料超级工厂。...
类别:LED照明 2019-05-15 标签: Cree
Cree $10亿扩充SiC 产能
昨日,最近全力进军半导体业务的cree宣布,将投资10亿美元,扩大SiC碳化硅产能,这将加速从Si硅向SiC碳化硅的产业转型,满足EV电动汽车和5G市场需求。cree表示,此次产能扩大,将带来SiC碳化硅晶圆制造产能的30倍增长和SiC碳化硅材料生产的30倍增长,以满足2024年之前的预期市场增长。cree表示,他们在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进...
类别:材料技术 2019-05-08 标签: Cree
TI一口气抛出5款汽车应用方案,这场押注胜算几何?
,产生的热量很高,过热会损坏电力系统甚至造成车辆损坏,温度检测很重要。TMP235-Q1是用于电动汽车的高精度温度传感器,可以在-40-150°C的全工作范围内,精度达到±0.5°C。 为了提高功率密度和能源效率,高功率应用主要采用IGBT,SiC也越来越多被应用。为了驱动大功率元器件,需要更高性能、更安全的栅极驱动器,工作在高压大电流条件下,UCC21710-Q1...
类别:汽车电子 2019-05-05 标签: 德州仪器 BMS BQ79606A-Q1 TMP235-Q1 IGBT SiC
安森美推出全新基于碳化硅(SiC)的混合IGBT
安森美半导体,将于5月7日开始的德国纽伦堡欧洲PCIM 2019展会推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器。 AFGHL50T65SQDC采用最新的场截止IGBT和SiC肖特基二极管技术,提供低导通损耗和开关损耗,用于多方面的电源应用,包括那些将得益于更低反向恢复损耗的应用,如基于图腾柱的无桥功率因数校正(PFC)和逆变器...
类别:半导体生产 2019-04-30 标签: 安森美 IGBT
Cree CEO:出售照明业务使公司将更聚焦在碳化硅
随着Cree出售其照明业务,公司首席执行官Gregg Lowe近日接受Compound Semiconductor专访,解读了公司未来动向。3 月 15 日,CREE 宣布执行最终协议,出售其照明产品业务部门(Cree Lighting)给 IDEAL INDUSTRIES,其中包括面向商业、工业及消费者的 LED 照明灯具、光源和照明解决方案业务,该交易税前价约为 3.1...
类别:市场动态 2019-04-24 标签: Cree SiC 碳化硅
罗姆的碳化硅及其他技术是如何解决新能源汽车的痛点
的产品及方案ROHM针对EV专用单元的综合解决方案电动车的需求分为12V和48V两套系统。其中12V系列低电压电路要和电池/驱动系统高电压电路进行绝缘,进而要求较高的可靠性、小型化、低功耗。罗姆通过碳化硅功率元器件、IGBT、SJMOSFET等功率元器件对其作出贡献。此外,罗姆还提供与功率元器件控制IC及电源、变压器、二极管、检测电流的分流电阻器等各种通用产品配套的解决方案...
类别:行业动态 2019-04-22 标签: 罗姆 碳化硅 SiC
ROHM开发出内置 SiC MOSFET AC/DC转换器IC
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),面向大功率通用逆变器、AC伺服、工业用空调、街灯等工业设备,开发出内置1700V耐压SiC MOSFET*1)的AC/DC转换器*2)IC“BM2SCQ12xT-LBZ”。  近年来,随着节能意识的提高,在交流400V工业设备领域,相比现有的Si功率半导体,可支持更高电压、更节能、更小型的SiC...
类别:转换器 2019-04-18 标签: ROHM AC DC转换器
谁会是SiC市场的最后赢家?
据EE Times消息,不久前,意法半导体在其意大利卡塔尼亚工厂概述了大力发展碳化硅(SiC)业务,并将其作为战略和收入的关键部分的计划。在ST最近的季度和年度业绩发布会上,ST总裁兼首席技术官Jean-Marc Chery多次重申了占据在2025年预计即将达到37亿美元SiC市场30%份额的计划。 由于SiC具有高耐压、低损耗、高效率等特性...
类别:材料技术 2019-04-15 标签: SiC

SiC资料下载

; 采用微电子平面工艺,用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au(或Ni)形成肖特基接触,Ti、Ni、Ag合金在背底作欧姆接触,制备出Au/n-4H-SiC和Ni/n-4H-SiC肖特基紫外光电探测器。测试...
类别:测试测量 2013年09月22日 标签: 肖特基 SiC 紫外 光电探测器
  分析了SiC半导体材料的结构类型和基本特性, 介绍了SiC 单晶材料的生长技术及器件工艺技术, 简要讨论了SiC 器件的主要应用领域和优势...
类别:其他 2013年09月22日 标签: 半导体材料 SiC
本文档为Littelfuse《Littelfuse的SiC MOSFET和肖特基二极管产品介绍及相关应用-电动汽车、再生能源、工业驱动、电池充电和运输市场》主题直播所用PPT,内容涉及到:碳化硅(SiC)是在功率半导体产品中的创新产品之一, 与传统的硅基产品相比,SiC是一种具有优良开关性能和高效率的新一代技术。Littelfuse提供多系列碳化硅MOSFET和肖特基二极管产品,适用于电动汽车...
类别:电子元器件 2018年12月05日 标签: littelfuse SIC 二极管 MOSFET
铝碳化硅AlSiC(有的文献英文所略语写为SiCp/Al或Al/SiCSiC/Al)是一种颗粒增强金属基复合材料,采用Al合金作基体,按设计要求,以一定形式、比例和分布状态,用SiC颗粒作增强体,构成有明显界面的多组相复合材料,兼具单一金属不具备的综合优越性能。AlSiC研发较早,理论描述较为完善,有品种率先实现电子封装材料的规模产业化,满足半导体芯片集成度沿摩尔定律提高导致芯片发热量急剧升高...
类别:射频 2013年09月22日 标签: 电子封装 铝碳化硅 AlSiC
        Q:Cree 公司生产红光LED 芯片吗?A :Cree 公司一直以来都没有生产红光LED 芯片,只有蓝光、绿光和紫外光LED 芯片。Q:Cree 的芯片都是碳化硅(SiC)材料为衬底的吗?A:目前Cree 公司的小功率LED 芯片都是采用碳化硅(SiC)材料为衬底的,而EZBright 系列LED...
类别:科学普及 2013年12月06日 标签: CREE晶片常见问题及解答
郭老师Advances in SiC processes and applicaitons...
类别:科学普及 2013年12月27日 标签: 郭老师 SiC
在工业设备和太阳能电池、电动汽车、铁路等电力电子技术领域,与Si元件相比,电力转换时损耗少、材料性能卓越的SiC元件/模块的实际应用备受期待,其中“全SiC”功率模块与普通的Si(硅)材质的IGBT模块相比,优势明显,能有效解决世界能源和资源等地球环境问题。...
类别:IC设计及制造 2013年02月27日 标签: 罗姆 半导体 ROHM
非常全面的sic使用资料,对器件的使用仿真和开关电源的设计非常有帮助!...
类别:开关电源 2017年12月23日 标签: rohm sic 手册
  在高频PFC Boost变换器中,一种CoolMOS和碳化硅(SiC)二极管配合使用的方法已成为研究热点。这里,以400kHz 500W PFC变换器为例,对其方法进行了研究;针对变换器低压输入时效率下降的情况,试图用软开关电路加以改善,实验结果表明效果不明显;在此基础上,采用3个MOS并联的硬开关方法完成了400kHz lkW PFC变换器,给出了实验结果。...
类别:其他 2013年09月22日 标签: 二极管 Boost SiC CoolMOS PFC变换器
Reliability considerations for recent Infineon SiC diode releases...
类别:IC设计及制造 2013年09月22日 标签: reliability infineon sic

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门极驱动芯片相当于控制信号(数字或模拟控制器)与功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之间的接口。集成的门极驱动解决方案有助于工程师降低设计复杂度,缩短开发时间,节省用料(BOM)及电路板空间,相较于分立的方式实现的门极驱动解决方案,可提高方案的可靠度。 每一个功率器件都需要一个门极驱动,同时每一个门极驱动都需要一个功率器件。英飞凌提供一系列拥有...
65次浏览 2019-06-14 电源技术

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新型半导体器件(GaN,SiC) 半导体器件测试方案 PCT半导体测试系统 2400系列数字源表   元器件测试(二极管,三极管,MOSFET等)     PCT半导体测试系统...

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每个功率器件都需要一个驱动芯片——合适的驱动器让您事半功倍   英飞凌EiceDRIVER 栅极驱动器解决方案,用于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET以及GaN HEMT,包括: - 隔离栅极驱动器 - 电平转换栅极驱动器 - 非隔离低边驱动器 下载选型手册,不仅可基于不同的终端应用,为您推荐最适合的栅极驱动芯片,更可参与...
72次浏览 2019-06-10 工控电子

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,所以值得引起制造厂及用户的关注,是理所当然的。目前低压或高压变频器常用功率模块有IGBT、IGBT一HV、IGCT、SGCT、IEGT、SiC等。在这个问题上要注意如下:  (1)模块的封装型式有单个(中,大功率)或IPM、PIM组合方式。  (2)使用的安全系数,电压3~5倍的额定电压,电流3~5倍的额定电流,这样静态工作时器件负担小,动态工作时亦有足够的裕量,确保使用具有较大的安全可靠性...
11次浏览 2019-05-22 信息发布

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Id=0Id=0 。之后我将详细介绍一下这个算法的数学原理和一些自己的理解。 FOC矢量控制总体算法简述 输入:位置信息,两相采样电流值,(3相电流、电机位置或者电机速度) 输出:三相PWM波 所需硬件:两个ADC,一个光电或磁编码器,主控,依据电压等级的不同有mosfet或者IGBT或者SiC功率模块组成的三个半桥 FOC算法在本质上就是一些线性代数中的矩阵变换,我在这里讲述...

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适合利用 GaN-on-SiC 和毫米波技术的能力。5G 正在急剧增加,但在许多国家/地区仍然存在未知性。已经进行了部署和现场试验,这将为 2019 年的容量增长提供支持,但毫米波还有很长的路要走。技术开发本身很重要,但我认为需要针对正确的客户需求部署正确的技术。Qorvo 支持所有产品,并且我们正在与客户一起研究他们的最佳解决方案,这些解决方案可能是各种技术的混合。尺寸、效率和功率将推动...
148次浏览 2019-05-09 RF/无线

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和毫米波频率实现室内穿透性。我们也因为绝缘硅片 (SOI) 合作伙伴 GlobalFoundries 和 5G GaN 合作伙伴 Gapwaves 出现在 MWC 新闻通讯中。Gapwaves 的 28 GHz 5G 有源天线采用了 Qorvo 的集成式 FEM 和 GaN-on-SiC 技术。阅读我们的5G基础新闻: (https://www.qorvo.com/newsroom/n...
124次浏览 2019-04-23 RF/无线

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和驱动芯片,实现更低的损耗、更高的效率、更高的功率密度和更小的体积。如同样400W的电源模块,通过封装,其体积缩减了90%!尤其在采用SiP封装结构实现模块化后,同步改善了模块的可靠性,可以应用于更恶劣的场景。而SIC 和 GAN材料的开发,更助推了电源芯片的小型大功率密度的发展,为将来的微型化设备供电提供了更优质的解决方案。 SiP先进封装技术的腾飞 通过对应用市场的分析,不难看出...
0次浏览 2019-04-15 信息发布 标签: IBM 封装技术 长芯半导体 SIP

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、多元酯   AIN ──氮化铝   SIC ──碳化硅 TEL 18681567708  详情可见www.sz-jlc.com/s PCB板是什么材料做的...
0次浏览 2019-04-10 信息发布

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的测试设备。随着消费者对互联网和云的需求增加,特定于应用的处理器正变得越来越耗电。 另一项激动人心的技术进步是增加宽带隙器件的使用量,如氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)。GaN和SiC已存在一段时间,但在2002年既不可靠也不具有成本效益,无法用于商业用途。这两种技术都可大幅提高功率密度和开关速度。图1所示为1 kW功率因数校正(PFC)电源,每立方英寸能够达到156 W - 比超级结硅芯片...
303次浏览 2019-04-02 TI技术论坛

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东芝PCIM在线展会
东芝PCIM在线展会主要包含以下内容: 大功率器件IEGT 无传感器直流无刷风机控制方案 高效光伏逆变器 大功率器件SiC混合模块 SiC MOSFET PMI 模块封装IEGT PPI...
2016-07-04 标签: 东芝 PCIM

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