datasheet

SiC

在电子工程世界为您找到如下关于“SiC”的新闻

Cree有限公司宣布已签署一份多年供货协议,为横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体 (STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)生产和供应Wolfspeed®碳化硅(SiC)晶圆。按照该协议的规定,在当前碳化硅功率器件市场需求显著增长期间,Cree将向意法半导体供应价值2.5亿美元Cree先进的150mm碳化硅裸晶圆和外延晶...
类别:半导体生产 2019-01-10 标签: Cree SiC
Cree(纳斯达克股票代码:CREE)宣布与STMicroelectronics(纽约证券交易所代码:STM)签署一项多年期协议,为ST生产和供应其Wolfspeed®碳化硅(SiC)晶圆,ST是全球半导体领导者,为各种电子产品的客户提供芯片级支持。该协议规定,在这一特殊增长期和对SiC功率器件的需求期间,向意法半导体供应价值2.5亿美元的Cree先进150mmSiC裸晶...
类别:行业动态 2019-01-08 标签: Cree ST SiC
简析SiC技术发展趋势
在未来几年投入使用SiC技术来应对汽车电子技术挑战是ECSEL JU的WInSiC4AP专案所要达成的目标之一。ECSEL JU和ESI携手为该专案提供资金支援,实现具有重大经济和社会影响的优势互补的研发活动。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi)牵头,20个专案合作成员将在技术研究、制程...
类别:动力系统 2019-01-08 标签: SiC
北汽新能源联手罗姆半导体,推动SiC产品技术研发
11月30日,北汽新能源(北汽蓝谷 600733)与罗姆半导体集团合作成立SiC产品技术联合实验室。北汽新能源执行副总经理陈上华与罗姆半导体集团董事末永良明现场签署了合作协议书,并共同为SiC产品技术联合试验室揭牌。该联合实验室的成立,是北汽新能源在新能源汽车领域不断加强自主技术实力的重要举措,联合实验室成立后,北汽新能源将可以与罗姆半导体集团共同深入到碳化硅等新技术的预研中...
类别:行业动态 2018-12-15 标签: 北汽新能源 罗姆半导体 SiC
北汽新能源联手罗姆半导体,推动SiC产品技术研发
11月30日,北汽新能源(北汽蓝谷 600733)与罗姆半导体集团合作成立SiC产品技术联合实验室。北汽新能源执行副总经理陈上华与罗姆半导体集团董事末永良明现场签署了合作协议书,并共同为SiC产品技术联合试验室揭牌。该联合实验室的成立,是北汽新能源在新能源汽车领域不断加强自主技术实力的重要举措,联合实验室成立后,北汽新能源将可以与罗姆半导体集团共同深入到碳化硅等新技术的预研中...
类别:材料技术 2018-12-14 标签: SiC 北汽新能源 罗姆
除了汽车,比亚迪还能造什么?
让他们的供应链安全更受保障; 第三让国内车企与比亚迪一起共同提升; 第四促进新能源汽车市场的发展。”,吴海平说。提前布局SiC,押宝第三代半导体器件在持续推进IGBT的同时,比亚迪也开始投入到了SiC方面的布局,瞄准产业下一个未来。与IGBT这些硅器件相比,宽禁带半导体碳化硅(SiC)器件具备更高的击穿电场强度、高电流密度、高可靠性和导热率以及低损耗的优势,可以制造出远超相应硅基的器件...
类别:市场动态 2018-12-12 标签: 比亚迪 IGBT SiC
使用SiC技术攻克汽车挑战
WInSiC4AP: 采用SiC宽带隙创新技术开发先进功率器件在未来几年投入使用SiC技术来应对汽车电子技术挑战是ECSEL JU 的WInSiC4AP项目所要达到的目标之一。ECSEL JU和ESI协同为该项目提供资金支持,实现具有重大经济和社会影响的优势互补的研发活动。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e...
类别:行业动态 2018-11-23
SiC宽带隙创新技术如何攻克汽车难题
摘要 – 在未来几年投入使用SiC技术来应对汽车电子技术挑战是ECSEL JU 的WInSiC4AP项目所要达到的目标之一。ECSEL JU和ESI协同为该项目提供资金支持,实现具有重大经济和社会影响的优势互补的研发活动。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi)牵头...
类别:动力系统 2018-11-23 标签: SiC 封装
一文读懂第三代半导体材料的特性、应用
就用于无线电检波,氧化亚铜(Cu2O)用作固体整流器,闪锌矿(ZnS)是熟知的固体发光材料,碳化硅(SiC)的整流检波作用也较早被利用。  硒(Se)是最早发现并被利用的元素半导体,曾是固体整流器和光电池的重要材料。元素半导体锗(Ge)放大作用的发现开辟了半导体历史新的一页,从此电子设备开始实现晶体管化。 中国的半导体研究和生产是从1957年首...
类别:工业电子 2018-11-23 标签: 半导体材料 SiC GaN
谁能掌握SiC技术,便可引领半导体行业发展
日前,德国大厂英飞凌宣布,已收购一家名为Siltectra的初创企业,将一项创新技术(ColdSpilt)也收入了囊中。“冷切割”是一种高效的晶体材料加工工艺,能够将材料损失降到最低。英飞凌将把这项技术用于碳化硅(SiC)晶圆的切割上,从而让单片晶圆可出产的芯片数量翻番。进一步加码碳化硅市场。 在早些时候,意法半导体CEO在接受半导体行业观察等媒体采访也谈到,该公司...
类别:材料技术 2018-11-20 标签: SiC

SiC资料下载

; 采用微电子平面工艺,用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au(或Ni)形成肖特基接触,Ti、Ni、Ag合金在背底作欧姆接触,制备出Au/n-4H-SiC和Ni/n-4H-SiC肖特基紫外光电探测器。测试...
类别:测试测量 2013年09月22日 标签: 肖特基 SiC 紫外 光电探测器
提出了SiC-SBD 气体传感器器件分析模型,利用当前流行的MATLAB 强大的计算编程功能,模拟了SiC-SBD气体传感器的电流-电压特性,结果与实验数据吻合很好,较好地解释了Pd-SiC 肖特基二极管比较灵敏的原因,并根据模拟结果提出了提高传感器灵敏度的方法。关键词: 碳化硅;肖特基二极管;气体传感器;MATLAB;模型中图分类号: TN311.7 文献标识码:A 文章编号...
用氮离子注入的方法制备了4H-SiC欧姆接触层。注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件 TRIM模拟提取,Si面4H-SiC-Ni/Cr合金欧姆接触的特性由传输线方法结构进行了测量,得到氮离子注入层的方块电阻Rsh为30 kΩ/square, Ni/Cr合金与离子注入层的欧姆接触电阻ρc为7.1×10−4 Ωcm2。关 键 词 SiC; 离子注入; 欧姆接触; 方块电阻Abstract...
类别:其他 2013年09月16日 标签: 4HSiC离子注入层的欧姆接触的制备
SiC 肖特基二极管气体传感器可以广泛应用于检测气体排放物和气体泄露。通过采用PdCr 合金,可以提高Pd/ SiC 气体传感器的灵敏度。同时,在Pd 层和SiC 之间引入SnO2 作为界面层也是提高其灵敏度的一种有效途径。进一步的研究表明,SnO2 层的大小也对传感器的性能有着重要影响。关键词: 碳化硅; 气体传感器; 肖特基二极管Abstract : Silicon carbide...
类别:模拟及混合电路 2013年09月19日 标签: SiC气体传感器
  分析了SiC半导体材料的结构类型和基本特性, 介绍了SiC 单晶材料的生长技术及器件工艺技术, 简要讨论了SiC 器件的主要应用领域和优势...
类别:其他 2013年09月22日 标签: 半导体材料 SiC
本文档为Littelfuse《Littelfuse的SiC MOSFET和肖特基二极管产品介绍及相关应用-电动汽车、再生能源、工业驱动、电池充电和运输市场》主题直播所用PPT,内容涉及到:碳化硅(SiC)是在功率半导体产品中的创新产品之一, 与传统的硅基产品相比,SiC是一种具有优良开关性能和高效率的新一代技术。Littelfuse提供多系列碳化硅MOSFET和肖特基二极管产品,适用于电动汽车...
类别:电子元器件 2018年12月05日 标签: littelfuse SIC 二极管 MOSFET
铝碳化硅AlSiC(有的文献英文所略语写为SiCp/Al或Al/SiCSiC/Al)是一种颗粒增强金属基复合材料,采用Al合金作基体,按设计要求,以一定形式、比例和分布状态,用SiC颗粒作增强体,构成有明显界面的多组相复合材料,兼具单一金属不具备的综合优越性能。AlSiC研发较早,理论描述较为完善,有品种率先实现电子封装材料的规模产业化,满足半导体芯片集成度沿摩尔定律提高导致芯片发热量急剧升高...
类别:射频 2013年09月22日 标签: 电子封装 铝碳化硅 AlSiC
        Q:Cree 公司生产红光LED 芯片吗?A :Cree 公司一直以来都没有生产红光LED 芯片,只有蓝光、绿光和紫外光LED 芯片。Q:Cree 的芯片都是碳化硅(SiC)材料为衬底的吗?A:目前Cree 公司的小功率LED 芯片都是采用碳化硅(SiC)材料为衬底的,而EZBright 系列LED...
类别:科学普及 2013年12月06日 标签: CREE晶片常见问题及解答
郭老师Advances in SiC processes and applicaitons...
类别:科学普及 2013年12月27日 标签: 郭老师 SiC
在工业设备和太阳能电池、电动汽车、铁路等电力电子技术领域,与Si元件相比,电力转换时损耗少、材料性能卓越的SiC元件/模块的实际应用备受期待,其中“全SiC”功率模块与普通的Si(硅)材质的IGBT模块相比,优势明显,能有效解决世界能源和资源等地球环境问题。...
类别:IC设计及制造 2013年02月27日 标签: 罗姆 半导体 ROHM

SiC相关帖子

0

0

上,随着信息技术的突飞猛进,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的半导体材料,因具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能,是固态光源、电力电子和微波射频器件的关键技术和材料支撑。2018年3月,中国科技部高新司在高质量第三代半导体材料关键技术上实现了新突破,据相关工作人员对OFweek电子工程网介绍,该项目完成了两英寸GaN自支撑衬底的规模化生产,实现...
0次浏览 2019-01-02 信息发布

33

0

lark100 颁奖:Littelfuse SiC MOSFET和肖特基二极管产品介绍及相关应用直播 信息确认!感谢EEWORLD! 信息确认!感谢eeworld!! 信息确认!感谢eeworld!! 信息确认!感谢EEWORLD! 信息确认!感谢EEWORLD! 确认信息无误,感谢eeworld 信息确认!感谢EEWORLD! 确认信息无误,感谢EEWORLD...
251次浏览 2018-12-28 EEWORLD颁奖专区

8

0

拓扑结构 1)     三相二极管整流桥,使用超快恢复二极管或SiC二极管;2)     每相一个双向开关,每个双向开关由两个MOS管组成,利用了其固有的反并联体二极管,共用驱动信号,降低了控制和驱动的难度。相比其他组合方案,具有效率高、器件数量少的有点;3)     电流...
466次浏览 2018-12-27 【模拟与混合信号】

5

0

轴向的成本。直播日程如下:1. 支持双轴的芯片特性; 2. 支持双快速电流环的单芯片。 39、Littelfuse 碳化硅(SiC) MOSFET和肖特基二极管产品介绍及相关应用(2018年11月22日) 直播回放观看:http://training.eeworld.com.cn/course/4811 碳化硅(SiC)是在功率半导体产品中的创新产品之一, 与传统的硅基产品相比,SiC...
652次浏览 2018-12-26 大学堂专版

7

0

匹配;常规情况驱动电阻在10R-150R比较多,选取驱动电阻与结电容有关,针对快板驱动电阻可适当增大,慢管驱动电阻可适当减小;        对于二极管,有肖特基二极管,快回复二极管,普通二极管,还有一种用的比较少的SIC二极管,开关速度SIC二极管几乎为零,等于是没有反向恢复,开关辐射最小,并且损耗也最小,唯一的缺点就是价格昂贵,故很少用...
399次浏览 2018-12-12 电源技术

3

0

直播时间:2018年11月22日 直播内容: 碳化硅(SiC)是在功率半导体产品中的创新产品之一, 与传统的硅基产品相比,SiC是一种具有优良开关性能和高效率的新一代技术。Littelfuse提供多系列碳化硅MOSFET和肖特基二极管产品,适用于电动汽车(EV)、再生能源、工业驱动、电池充电和运输市场。 >>观看回放<<< 直播...
95次浏览 2018-12-05 模拟电子

1

0

直播时间:今日上午10:00-11:30 直播预告: 碳化硅(SiC)是在功率半导体产品中的创新产品之一,与传统的硅基产品相比,SiC是一种具有优良开关性能和高效率的新一代技术。Littelfuse提供多系列碳化硅MOSFET和肖特基二极管产品,适用于电动汽车(EV)、再生能源、工业驱动、电池充电和运输市场。11月22日今日上午10:00,Littelfuse高级技术市场经理为你带来...
80次浏览 2018-11-22 模拟电子

0

0

=1;         DELAY_US(100000L); } C2000LaunchPad的SIC串口发送数据...
101次浏览 2018-11-03 【TI C2000】

0

0

直播时间:11月22日(周四)上午10:00-11:30 直播预告: 碳化硅(SiC)是在功率半导体产品中的创新产品之一,与传统的硅基产品相比,SiC是一种具有优良开关性能和高效率的新一代技术。Littelfuse提供多系列碳化硅MOSFET和肖特基二极管产品,适用于电动汽车(EV)、再生能源、工业驱动、电池充电和运输市场。11月22日上午10:00,Littelfuse高级技术市场经理...
202次浏览 2018-11-02 模拟电子

0

0

河北半导体研究所报道了一种大面积800μm直径的4H-多型碳化硅(SiC)紫外(UV)雪崩光电二极管(APD),其具有高增益(106),高量子效率(81.5%)和低暗电流强度,紫外/可见光抑制比高达103。在本研究中,第一次使用可变温度光致抗蚀剂回流技术来产生平滑的斜面侧壁,其抑制漏电流并避免过早的边缘击穿。 紫外检测在天文学,通信和生化分析上都有广泛的应用;在荧光实验和火焰中也会发射出UV线...
0次浏览 2018-10-30 信息发布

SiC视频

东芝PCIM在线展会
东芝PCIM在线展会主要包含以下内容: 大功率器件IEGT 无传感器直流无刷风机控制方案 高效光伏逆变器 大功率器件SiC混合模块 SiC MOSFET PMI 模块封装IEGT PPI...
2016-07-04 标签: 东芝 PCIM

小广播

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved