SK

Hynix 海力士芯片生产商,源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存,2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商,也在整个半导体公司中占第九位。

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日本锂电池产业观察

日本锂电池产业观察

典型的是锂电隔膜供应商。国际上的隔膜供应商主要有7家,6家是日本公司:旭化成、日本东丽、日本宇部、Celgard、住友化学、SK创新(韩国)和三菱化学。旭化成是其中最领先的企业,2015年收购Celgard之后全球份额已超过30%。由于面向锂电产业需求,产能扩张非常迅速,特别是湿法隔膜。2018年扩产至6.6亿平方米2019年Moriyama, Shiga, Japan总产能扩充...

类别:动力系统 2017-11-18 18:03:04 标签: 日本 锂电池产业

东芝:不考虑接受贝恩财团成员单独投资

给该财团。该财团中的其他成员还包括SK海力士。东芝上周五重申了该公司的立场,即计划在3月底之前完成这笔交易。(李丽)...

类别:半导体生产 2017-11-17 20:18:41 标签: 东芝

三星半导体资本支出超过英特尔和台积电的总和达到260亿美元

三星半导体资本支出超过英特尔和台积电的总和达到260亿美元

面如SK海力士、美光、东芝、英特尔等公司对这一细分市场的投资激增导致。从某种程度上来说,三星的竞争对手必须提高产能否则将失去部分市场份额。  三星的投资热预计也成为中国3DNAND闪存或DRAM相关企业的噩梦,此前ICInsights一直对中国初创企业对抗诸如三星、SK海力士、美光的3DNAND和DRAM技术持怀疑态度。如今三星在资本支出上的疯狂成了自己市场地位的保证...

类别:市场动态 2017-11-17 16:01:20 标签: 三星 台积电

数据中心需求热,SK海力士第三季营收大幅增长30.1%

数据中心需求热,SK海力士第三季营收大幅增长30.1%

解一下相关内容吧。  DRAMeXchange分析师刘家豪指出,进入第四季,在服务器出货动能不减的情况下,整体Server DRAM供不应求的状况将更为明显,Server DRAM第四季合约价将持续上涨6%至10%,可望带动厂商营收与利润率表现再创新高。   数据中心需求热,SK海力士第三季营收大幅增长30.1%  三星(Samsung)  以目前市场规模来看,三星...

类别:综合资讯 2017-11-17 15:45:20 标签: SK海力士 DRAM

三星2017年豪掷260亿美元投资 欲遏制中国存储器厂商发展

三星2017年豪掷260亿美元投资 欲遏制中国存储器厂商发展

的额外容量) 代工/其他:50亿美元(用于提升10纳米制程能力)  IC Insights认为,今年三星的巨额支出将会对该行业未来格局产生巨大影响。 3D NAND闪存市场可能因此出现产能过剩时期。 这种产能过剩的情况不仅是由于三星在3D NAND闪存方面的巨额支出,而且也是由于竞争对手(例如SK海力士,美光,东芝,英特尔等公司)的大力投入所致。 在某种程度上讲,三星的竞争对手...

类别:综合资讯 2017-11-17 15:42:52 标签: 三星 存储器

数据中心需求热,SK海力士第三季营收大幅增长30.1%

数据中心需求热,SK海力士第三季营收大幅增长30.1%

DRAM仍以20nm产出为主,18nm比重在第四季度将会提升至40%,预期至2018年第一季底将逾五成,逐渐成为主流产品。在高容量芯片的规划上,三星将会在其18nm导入16Gb mono die的设计,目前已送样品至英特尔测试,预计在2018度第二季度导入生产线,预期将大幅改善Server DRAM的成本结构,并有利于高容量模组布局。SK海力士(SK Hynix)受惠于北美...

类别:综合资讯 2017-11-17 08:47:21 标签: SK 海力士

三星2017年豪掷260亿美元投资 欲遏制中国存储器厂商发展

三星2017年豪掷260亿美元投资 欲遏制中国存储器厂商发展

美元(用于提升10纳米制程能力)  IC Insights认为,今年三星的巨额支出将会对该行业未来格局产生巨大影响。 3D NAND闪存市场可能因此出现产能过剩时期。 这种产能过剩的情况不仅是由于三星在3D NAND闪存方面的巨额支出,而且也是由于竞争对手(例如SK海力士,美光,东芝,英特尔等公司)的大力投入所致。 在某种程度上讲,三星的竞争对手只能提高...

类别:综合资讯 2017-11-17 08:42:42 标签: 三星

三星扩产NAND Flash IC Insights估恐过剩

(Intel)与台积电的总和还多。  三星今年的资本支出主要投入3D储存型闪存(NAND Flash),将达140亿美元,IC Insights指出,三星将斥资70亿美元,推进动态随机存取内存(DRAM)制程技术,并弥补因制程转换造成的产能损失。  在晶圆代工方面,IC Insights表示,三星将投入50亿美元扩增10奈米制程产能。  除三星投入巨额资本支出,SK...

类别:综合资讯 2017-11-16 21:18:37 标签: 三星 NAND

南麟电子拟定增募资2000万元

南麟电子11月14日晚发布《股票发行方案》,拟以每股16元的价格向大唐汇金(苏州)产业投资基金合伙企业(有限合伙)、SK海力士半导体(无锡)有限公司定向发行股票合计125万股,预计募集资金2000万元。本次股票发行募集资金将全部用于对子公司无锡麟力科技有限公司增资,补充子公司流动资金。公告显示,截至2017年6月30日,公司每股净资产为4.19元。本次股票发行价格综合考虑...

类别:半导体生产 2017-11-16 20:13:00 标签: 南麟电子

三星2017年砸260 亿美元资本支出,为英特尔及台积电总和

Insights 表示,将对于全球半导体产业造成影响。而首当其冲的,就是在 3D NAND Flash 产业上。IC Insights 解释到,未来 3D NAND Flash 将可能因为三星的扩大产能而造成产量过剩的情况。不过,这个产量过程并非是三星一家公司所造成,而是三星带给其他厂商,包括 SK 海力士、美光、东芝、英特尔等公司的压力,在某些特别领域的资本支出增加,以提升产能所造成...

类别:半导体生产 2017-11-16 19:34:37 标签: 英特尔 台积电

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SK资料下载

彩显电源管大功率场效应管技术参数与代换立即下载

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类别:消费电子 2013年09月22日 标签: 场效应管 彩显电源管

大功率高耐压场效应管参数114种立即下载

大功率高耐压场效应管参数114种 大功率高耐压场效应管参数114种 型 号 耐压(V) 电流(A) 功率(W) 型 号 耐压(V) 电流(A) 功率(W) 2SK534 800 5 100 2SK1045 900 5 150 2SK538 900 3 100 2SK1081 800 7 125 2SK557 500 12 100...

类别:模拟及混合电路 2013年07月09日 标签: 大功率

ucos官方在IAR上的移植源码,使用stm32芯片立即下载

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类别:嵌入式系统 2013年08月21日 标签: ucos官方在IAR上的移植源码 使用stm32芯片

SK32-SK3A0立即下载

SK32-SK3A0...

类别:IC设计及制造 2013年10月19日 标签: SK32SK3A0

NEC FS2140SK彩电电路图立即下载

NEC FS2140SK彩电电路图NEC FS2140SK彩色电视机电路图,NEC FS2140SK彩电图纸,NEC FS2140SK原理图...

类别:瑞萨单片机 2013年09月22日 标签: NEC FS2140SK彩电电路图

康佳 P21SK177电路图立即下载

康佳 P21SK177电路图 康佳P21SK177电路图,康佳P21SK177电视机图纸,康佳P21SK177电视机原理图。...

类别:消费电子 2013年09月22日 标签: 康佳 P21SK177 电路图

飞利浦SK3.0机芯原理、调试及维修立即下载

SK3.0机芯主要功能• 采用数字视频处理技术• 统一的清晰电视扫描• 特殊的高清晰100HZ• 数字动态图像处理• 数字亮度补偿D.LTI• 数字色度补偿D.CTI• 黑电平延伸BLK• 新智能图像降噪• 速度调制SVM• 数字动态图像补偿 内插技术• 图像边缘...

类别:消费电子 2013年09月17日 标签: 飞利浦SK3 0机芯原理 调试及维修

2SK2847资料立即下载

2SK2847资料2SK2847资料...

类别:开关电源 2016年01月18日 标签: 2SK2847

2SK1522/2SK1521 pdf datasheet立即下载

2SK1521, 2SK1522 Silicon N-Channel MOS FETApplicationHigh speed power switchingFeatures·  Low on-resistance·  High speed switching·  Low drive current·  Built-in fast recovery...

类别:IC设计及制造 2013年09月22日 标签: 2SK1522 2SK1521 datasheet

2SK3111 pdf datasheet立即下载

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK3111DEs criptIONThe 2SK3111 is N channel MOS FET device thatfeatures a low on-state resistance and excellentswitching characteristics, and designed for high...

类别:IC设计及制造 2013年09月18日 标签: 2SK3111 datasheet

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