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ReRAM

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富士通分享三大存储技术 各具独特堪称黑马技术
2018产业和技术展望研讨会上,富士通电子元器件产品管理部总监冯逸新就富士通对非易失性存储器的策略以及创新方向为大家做了分享。“FRAM(铁电存储器)用于数据记录;NRAM(碳纳米管存储)用于数据记录和电码储存, 还可替代NOR Flash;ReRAM(电阻式记忆体)可替代大容量EEPROM。”在详细介绍富士通三大存储技术之前,冯逸新首先介绍了它们各自的市场定位,三大各具独特性...
类别:行业动态 2018-05-05 标签: 富士通 fram reram 非易失性存储器 NRAM
ReRAM即将跨入3D时代?
  莫斯科物理技术学院(MIPT)宣称成功为ReRAM开发出新的制程,可望为其实现适于3D堆叠的薄膜技术…下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。  可变电阻式随机存取存储器(ReRAM)是一种可望取代其他各种储存类型的“通用”存储器,不仅提供了随机存取存储器(RAM)的速度,又兼具快闪存储器(flash)的密度与非挥发性。然而目前,flash由于抢先进入3D时代...
类别:综合资讯 2017-07-05 标签: ReRAM 存储器
中芯国际40nm ReRAM存储芯片出样
目前在下一代存储芯片的研发当中,除了3D XPoint芯片外还有ReRAM芯片(非易失性阻变式存储器)。2016年3月,Crossbar公司宣布与中芯国际达成合作,发力中国市场。其中,中芯国际将采用自家的40nm CMOS试产ReRAM芯片。近日,两者合作的结晶终于诞生,中芯国际正式出样40nm工艺的ReRAM芯片。据介绍,这种芯片比NAND芯片性能更强,密度比DRAM内存高...
类别:综合资讯 2017-01-15 标签: 中芯国际
富士通推出业界最高密度4 Mbit ReRAM量产产品
上海,2016年11月8日 – 富士通电子元器件(上海)有限公司今天宣布,推出业界最高密度4 Mbit ReRAM(可变电阻式存储器)(注1)产品MB85AS4MT。此产品为富士通半导体与松下电器半导体(注2)合作开发的首款ReRAM存储器产品。   ReRAM是基于电阻式随机存取的一种非易失性存储器,此产品可将DRAM的读写速度与SSD的非易失性...
类别:可穿戴设备 2016-11-08 标签: 存储器 穿戴式设备
DRAM微缩到顶!新存储器MRAM、ReRAM等接班?
    DRAM和NAND Flash微缩制程逼近极限,业界认为次世代记忆体“磁电阻式随机存取记忆体”(MRAM)、“可变电阻式记忆体”(ReRAM)可能即将现身,要以更快的存取速度横扫市场。 韩媒BusinessKorea 16日报导,南韩半导体业者指出,16奈米将是DRAM微缩制程的最后...
类别:存储技术 2015-06-18 标签: DRAM ReRAM
兴趣。       中国发展 DRAM 渐渐在人才、技术寻求突破点,即便影响可能在 3~5 年之后,但当此时台湾重要的人才资产流失、未来技术优势可能也不再明显,能靠什么与中国拚搏?红潮进逼台厂警铃大响,如何化危机为转机,端看台湾政府与厂商的智慧了。   不过DRAM微缩到顶!新存储器MRAMReRAM等接班?  ...
类别:存储技术 2015-06-18 标签: DRAM 存储器 MRAM ReRAM
ReRAM存储来袭:比闪存快20倍
    初创公司Crossbar近日发布了一款全新的ReRAM存储芯片。ReRAM一直被认为是未来闪存的替代方案,前者能在单块芯片上存储1T数据,存取速率比后者快20倍。如果这类芯片能够投入量产,将极大地冲击全球600亿美金的闪存市场。    在很长一段时间内,闪存一直作为电子工业非常重要的基石——它的应用...
类别:存储技术 2013-08-06 标签: ReRAM 闪存 RRAM
     综合外电 日本电子大厂Panasonic日前发表声明表示,开发出名为ReRAM的新型次世代记忆体,据称写入速度较目前主流NAND Flash还要快上20倍,新型记忆体除了在回路及构造上有所改变外,储存容量也有明显增加。    据日本经济新闻报导,Panasonic以目前大量普及的智慧型...
类别:存储技术 2012-02-26 标签: Panasonic ReRAM
ReRAM将能代替内存和硬盘
    固态硬盘供应商SanDisk正在研发一种新型的系统存储器,未来也许能一举替代内存和硬盘。 ReRAM代表电阻式RAM,将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身。换句话说,关闭电源后存储器仍能记住数据。如果ReRAM有足够大的空间,一台配备ReRAM的PC将不需要载入时间。ReRAM基于忆阻器原理,致力于商业化ReRAM的企业包括...
类别:存储技术 2012-02-26 标签: ReRAM
     尔必达存储器股份有限公司(总公司:日本东京都中央区,总裁兼CEO:坂本幸雄 以下简称为“尔必达”)此次成功开发出一种次世代新型记忆体:高速非挥发性可变电阻式记忆体(ReRAM)。采用电路线宽50nm(奈米、※注1)世代的加工制程技术制作的样品,作为ReRAM实现了世界最高水准的大容量:64M(Maga、※注2)位,并已确认...
类别:存储技术 2012-01-29 标签: 尔必达 ReRAM

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