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PCRAM

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国内存储关键核心材料论文首登《Science》

为鼓励广大科技人员融入科技创新主战场,促进学术繁荣和鼓励科技人才成长,中科院上海微系统所今天下午举行Science高水平文章发布报告会,表彰宋志棠研究员课题组在高速、低功耗新型Sc-Sb-Te相变存储材料研究中的重大科学发现。据悉,上海微系统与信息技术研究所联合中芯国际集成电路制造有限公司,选择以嵌入式相变存储器(PCRAM)为切入点,在国家重点研发计划纳米科技重点专项...

类别:半导体生产 2017-12-25 18:53:44 标签: 国内存储 Science

冯丹:忆阻器RRAM最有希望取代DRAM

冯丹:忆阻器RRAM最有希望取代DRAM

的性能高,而RRAM原型芯片的存储容量由Mb级逐渐向Gb级发展,技术结点逐渐缩小,读写性能逐渐提高。从容量和读写带宽的发展对比来看,RRAM虽发展较晚,但存储容量增长迅速,相比于PCRAM和STT-MRAM,RRAM在读写带宽当方面更具优势。另一方面,基于忆阻器的神经形态计算系统也在不断发展中,有忆阻器构成的Crossbar阵列可用于加速神经形态计算中常见的矩阵向量乘法,作为一种...

类别:综合资讯 2017-12-13 14:28:21 标签: 忆阻器 RRAM

RRAM与DRAM的区别在哪

RRAM与DRAM的区别在哪

,但存储容量增长迅速,相比于PCRAM和STT-MRAM,RRAM在读写带宽当方面更具优势。另一方面,基于忆阻器的神经形态计算系统也在不断发展中,有忆阻器构成的Crossbar阵列可用于加速神经形态计算中常见的矩阵向量乘法,作为一种模拟计算,要想提高计算精度就需要解决Crossbar阵列中互连导线上的电压降以及器件变化所导致的可靠性问题,计算与存储已深度融合。从器件变化性问题上看,忆阻器...

类别:综合资讯 2017-12-12 22:14:32 标签: RRAM DRAM

冯丹:忆阻器RRAM最有希望取代DRAM

发展,技术结点逐渐缩小,读写性能逐渐提高。从容量和读写带宽的发展对比来看,RRAM虽发展较晚,但存储容量增长迅速,相比于PCRAM和STT-MRAM,RRAM在读写带宽当方面更具优势。另一方面,基于忆阻器的神经形态计算系统也在不断发展中,有忆阻器构成的Crossbar阵列可用于加速神经形态计算中常见的矩阵向量乘法,作为一种模拟计算,要想提高计算精度就需要解决Crossbar阵列...

类别:综合资讯 2017-12-12 20:20:47 标签: RRAM DRAM

西安交大Science文章突破相变存储速度极限

势在必行。基于相变材料的相变存储器(PCRAM)是最接近商业化的通用式存储器,由国际半导体巨头Intel与Mircon联合推出的首款商用相变存储器“傲腾”已于今年投入市场。我国科研人员在国家的大力支持下,经过十多年的发展,也已能够初步实现相变存储器的产业化。但目前所有相变存储器的读写速度仍然无法媲美高速型存储器,如内存(纳秒)和缓存(亚纳秒)。除去工业化工艺水平问题,最为核心的难题...

类别:半导体生产 2017-11-14 20:40:37 标签: Science

0.7纳秒!相变存储器速度新极限

0.7纳秒!相变存储器速度新极限

惊讶的是,共同第一作者还是个大四本科生。   0.7纳秒!相变存储器速度新极限  基于相变材料的相变存储器(PCRAM)是最接近商业化的通用式存储器,由国际半导体巨头Intel与Mircon联合推出的首款商用相变存储器“傲腾”已于今年投入市场。我国目前所有相变存储器的读写速度仍然无法媲美高速型存储器,如内存(纳秒)和缓存(亚纳秒)。除去工业化工艺水平问题,最为核心的难题...

类别:综合资讯 2017-11-13 15:37:43 标签: 相变存储器 DRAM

Science发表西安交大合作研究成果:突破相变存储速度极限

Science发表西安交大合作研究成果:突破相变存储速度极限

)等特点的新式通用式存储介质势在必行。基于相变材料的相变存储器(PCRAM)是最接近商业化的通用式存储器,由国际半导体巨头Intel与Mircon联合推出的首款商用相变存储器“傲腾”已于今年投入市场。我国科研人员在国家的大力支持下,经过十多年的发展,也已能够初步实现相变存储器的产业化。但目前所有相变存储器的读写速度仍然无法媲美高速型存储器,如内存(纳秒)和缓存(亚纳秒)。除去工业化...

类别:综合资讯 2017-11-13 14:25:02 标签: 相变存储

相变存储器PCRAM产业化取得突破性进展

近日,纳思达股份有限公司(以下简称“公司”)收到全资子公司珠海艾派克微电子有限公司(以下简称“艾派克微电子”)的通知,艾派克微电子、中国科学院上海微系统与信息技术研究所(以下简称“中科院上海微系统所”)以及中芯国际集成电路制造有限公司(以下简称“中芯国际”)在相变储存器(“PCRAM” ,Phase Change Random Access Memory)产业化获突破性进展...

类别:存储技术 2017-07-05 11:19:10 标签: PCRAM

相变存储器PCRAM产业化取得突破性进展

集微网消息,近日,纳思达股份有限公司(以下简称“公司”)收到全资子公司珠海艾派克微电子有限公司(以下简称“艾派克微电子”)的通知,艾派克微电子、中国科学院上海微系统与信息技术研究所(以下简称“中科院上海微系统所”)以及中芯国际集成电路制造有限公司(以下简称“中芯国际”)在相变储存器(“PCRAM” ,Phase Change Random Access Memory)产业化获...

类别:综合资讯 2017-07-05 08:34:46 标签: 存储器

相变存储器PCRAM产业化取得突破性进展

电子网消息,近日,纳思达股份有限公司(以下简称“公司”)收到全资子公司珠海艾派克微电子有限公司(以下简称“艾派克微电子”)的通知,艾派克微电子、中国科学院上海微系统与信息技术研究所(以下简称“中科院上海微系统所”)以及中芯国际集成电路制造有限公司(以下简称“中芯国际”)在相变储存器(“PCRAM” ,Phase Change Random Access Memory)产业化获...

类别:半导体生产 2017-07-04 21:24:22 标签: 存储器 PCRAM

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FRAM扫盲帖——技术知识百问百答

,PCRAM, MRAM和nvSRAM之间的区别是什么?A: ReRAMPCRAM和 MRAM的开发是用于取代DRAM大容量的产品,而FRAM拥有中小容量的产品阵列。因此,产品容量范围在FRAM和其它新一代存储器之间会有所不同。nvSRAM具有与FRAM具有相同的容量,但是nvSRAM在性能上存在一些不足,它需要一个额外的电容器以保证在电源发生故障时保存数据。 Q: 富士通的存储器可以保证一万亿...

1308次浏览 2013-06-26 信息发布 标签: 富士通 半导体 代理商 技术 知识

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【转】FRAM扫盲帖

:  FRAM和新一代存储器,如ReRAM, PCRAM, MRAM和nvSRAM之间的区别是什么? A: ReRAMPCRAM和 MRAM的开发是用于取代DRAM大容量的产品,而FRAM拥有中小容量的产品阵列。因此,产品容量范围在FRAM和其它新一代存储器之间会有所不同。nvSRAM具有与FRAM具有相同的容量,但是nvSRAM在性能上存在一些不足,它需要一个额外的电容器以保证...

2161次浏览 2013-06-26 【MSP430】 标签: 富士通 控制器 半导体 代理商 存储器

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最新一代的超快I-V测试系统参数分析仪

集成的SMU)和C-V测量(利用可选的C-V模块)。利用最近推出的4225-PMU[6]超快I-V模块和4225-RPM[7]远程放大器/开关,用户可以增加超高速源和测量功能,所构建的系统也针对新兴的实验室应用进行了优化,例如超快通用I-V测量;脉冲式I-V和瞬态I-V测量;闪存、PCRAM和其它非易失性测试;中等尺寸功率器件的恒温测试;缩放CMOS的材料测试,例如高k介质;NBTI/PBTI...

1248次浏览 2011-08-09 信息发布

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