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PCRAM

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冯丹:忆阻器RRAM最有希望取代DRAM

冯丹:忆阻器RRAM最有希望取代DRAM

的性能高,而RRAM原型芯片的存储容量由Mb级逐渐向Gb级发展,技术结点逐渐缩小,读写性能逐渐提高。从容量和读写带宽的发展对比来看,RRAM虽发展较晚,但存储容量增长迅速,相比于PCRAM和STT-MRAM,RRAM在读写带宽当方面更具优势。另一方面,基于忆阻器的神经形态计算系统也在不断发展中,有忆阻器构成的Crossbar阵列可用于加速神经形态计算中常见的矩阵向量乘法,作为一种...

类别:综合资讯 2017-12-13 14:28:21 标签: 忆阻器 RRAM

RRAM与DRAM的区别在哪

RRAM与DRAM的区别在哪

,但存储容量增长迅速,相比于PCRAM和STT-MRAM,RRAM在读写带宽当方面更具优势。另一方面,基于忆阻器的神经形态计算系统也在不断发展中,有忆阻器构成的Crossbar阵列可用于加速神经形态计算中常见的矩阵向量乘法,作为一种模拟计算,要想提高计算精度就需要解决Crossbar阵列中互连导线上的电压降以及器件变化所导致的可靠性问题,计算与存储已深度融合。从器件变化性问题上看,忆阻器...

类别:综合资讯 2017-12-12 22:14:32 标签: RRAM DRAM

冯丹:忆阻器RRAM最有希望取代DRAM

发展,技术结点逐渐缩小,读写性能逐渐提高。从容量和读写带宽的发展对比来看,RRAM虽发展较晚,但存储容量增长迅速,相比于PCRAM和STT-MRAM,RRAM在读写带宽当方面更具优势。另一方面,基于忆阻器的神经形态计算系统也在不断发展中,有忆阻器构成的Crossbar阵列可用于加速神经形态计算中常见的矩阵向量乘法,作为一种模拟计算,要想提高计算精度就需要解决Crossbar阵列...

类别:综合资讯 2017-12-12 20:20:47 标签: RRAM DRAM

0.7纳秒!相变存储器速度新极限

0.7纳秒!相变存储器速度新极限

惊讶的是,共同第一作者还是个大四本科生。   0.7纳秒!相变存储器速度新极限  基于相变材料的相变存储器(PCRAM)是最接近商业化的通用式存储器,由国际半导体巨头Intel与Mircon联合推出的首款商用相变存储器“傲腾”已于今年投入市场。我国目前所有相变存储器的读写速度仍然无法媲美高速型存储器,如内存(纳秒)和缓存(亚纳秒)。除去工业化工艺水平问题,最为核心的难题...

类别:综合资讯 2017-11-13 15:37:43 标签: 相变存储器 DRAM

Science发表西安交大合作研究成果:突破相变存储速度极限

Science发表西安交大合作研究成果:突破相变存储速度极限

)等特点的新式通用式存储介质势在必行。基于相变材料的相变存储器(PCRAM)是最接近商业化的通用式存储器,由国际半导体巨头Intel与Mircon联合推出的首款商用相变存储器“傲腾”已于今年投入市场。我国科研人员在国家的大力支持下,经过十多年的发展,也已能够初步实现相变存储器的产业化。但目前所有相变存储器的读写速度仍然无法媲美高速型存储器,如内存(纳秒)和缓存(亚纳秒)。除去工业化...

类别:综合资讯 2017-11-13 14:25:02 标签: 相变存储

相变存储器PCRAM产业化取得突破性进展

近日,纳思达股份有限公司(以下简称“公司”)收到全资子公司珠海艾派克微电子有限公司(以下简称“艾派克微电子”)的通知,艾派克微电子、中国科学院上海微系统与信息技术研究所(以下简称“中科院上海微系统所”)以及中芯国际集成电路制造有限公司(以下简称“中芯国际”)在相变储存器(“PCRAM” ,Phase Change Random Access Memory)产业化获突破性进展...

类别:存储技术 2017-07-05 11:19:10 标签: PCRAM

相变存储器PCRAM产业化取得突破性进展

集微网消息,近日,纳思达股份有限公司(以下简称“公司”)收到全资子公司珠海艾派克微电子有限公司(以下简称“艾派克微电子”)的通知,艾派克微电子、中国科学院上海微系统与信息技术研究所(以下简称“中科院上海微系统所”)以及中芯国际集成电路制造有限公司(以下简称“中芯国际”)在相变储存器(“PCRAM” ,Phase Change Random Access Memory)产业化获...

类别:综合资讯 2017-07-05 08:34:46 标签: 存储器

上海微系统所召开“相变存储器产业化获突破性进展”新闻发布会

 近日,上海微系统所召开“相变存储器产业化获突破性进展”新闻发布会,会上,上海微系统所执行副所长谢晓明致欢迎词,信息功能材料国家重点实验室主任宋志棠研究员介绍了“相变存储器(PCRAM)发展动态”。下面就随模拟电子小编一起来了解一下相关内容吧。纳思达股份有限公司技术负责人、珠海艾派克微电子有限公司副总经理丁励介绍了“企业发展与技术进步”。李喜博士等分别就研发的相变...

类别:综合资讯 2017-06-29 11:31:37 标签: 中芯国际 存储器 上海微系统所 PCRAM

STT-MRAM存储技术详解

STT-MRAM存储技术详解

在追求更快、更小、更可靠、更便宜,以在未来五到十年间进行有力竞争,所以上述存储器的不足,也给其未来蒙上阴影。 有新的突破性技术以挑战者姿态进入市场,特别是诸如电阻式RAM(RRAM)和相变RAM(PCRAM)等非易失性存储器(NVM),它们承诺提供高性能、低功耗、以及无限的使用寿命。磁RAM(MRAM)也是这些新兴技术之一。 需要注意的是,MRAM并非初来乍到,其在25年以前...

类别:其他技术 2014-12-16 17:03:23 标签: STT-MRAM 存储技术

IDC:PC电脑市场已达发展极限

IDC:PC电脑市场已达发展极限

不断萎缩。我认为,Windows 8操作系统并不比以前的Windows Vista平台出色。”他说。他还补充说,三星对于PC行业并不看好,目前该公司正准备缩减PCRAM芯片的产量,以加大力度为需求不断增长的平板电脑和智能手机生产芯片。在这方面,他的观点与IDC公司一致。该市场研究公司发布了一份报告,预测了五年内PC行业的规模和结构;而这才是真正让微软及其主要PC合作伙伴(如戴尔...

类别:综合资讯 2013-03-12 23:02:12 标签: PC电脑市场 极限

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