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NAND

在电子工程世界为您找到如下关于“NAND”的新闻

硅晶圆:价格上涨倒逼国产化加速

场的供需状况将更加紧张。因为届时中国大陆新建晶圆厂产能将会开出,需求预期将进一步上升。在硅晶圆产能没有同步增加的前提下,供给将较现在更为吃紧。赵荣祥预计,2017年至2020年硅晶圆市场规模将增长4.3%至5.4%,其中NAND FLASH与逻辑晶圆是主要的驱动力。归纳造成近几个月硅晶圆价格持续上涨的主要原因:首先硅晶圆产业经历了多年的低潮期,过剩产能得到消化,目前全球主要的硅晶...

类别:消费电子 2017-10-17 09:35:35 标签: 硅晶圆 国产化

东芝Flash产能损失远小于外传10万片规模

集微网消息,DRAMeXchange 16日指出,近期市场传出 NAND Flash 大厂东芝产能出现问题,损失 10 万片产出,经调查与确认后,东芝确实在产在线遭遇一些问题,且整体产出量较原先预期少 ,但影响程度远低于外界谣传近 10 万片的规模,且东芝工厂产线也未出现停摆。 对于东芝客户来说,在第 4 季议价时所承诺的交货数量也没有受到直接冲击。东芝在台主要合作伙伴群联...

类别:综合资讯 2017-10-17 08:42:46 标签: 东芝

2017年内存市场波涛汹涌,缺货疑云持续笼罩整体供应链

2017年内存市场波涛汹涌,缺货疑云持续笼罩整体供应链

内存市场包含NAND Flash、NOR及DRAM,分别都受到供给短缺,以及需求大幅成长的影响,导致内存颗粒等料件价格暴涨。 不同内存背后的市场供需变化,以及技术发展近况都是影响要素,同时,也影响着未来的价格走向。从2016年底开始到2017年第二季,各种内存的每季报价都有10%以上的成长,其中NAND涨幅最凶狠,其次是NOR,DRAM涨幅较平稳。 但就算涨价,客户都还是排队...

类别:综合资讯 2017-10-17 08:42:11 标签: 供应链

DRAM连续涨价的原因是什么?

DRAM连续涨价的原因是什么?

,但是至2018年,涨幅会逐渐趋于平稳,相比2017年,涨幅不会太大。DRAM连续一年涨幅的主要原因为以下几点,其一,近年来,小米、华为以及OPPO等国产手机开始走中高端路线。其二,数据中心的服务器对于DRAM需求加强。其三,DRAM产业制程接近极限,技术研发难度增加,导致供货短缺。至于NAND Flash走势情况,据业者分析,在今年第四季度苹果需求的冲击下,其缺口会逐渐扩大...

类别:综合资讯 2017-10-16 21:04:23 标签: DRAM 三星 美光 SK海力士

AR领域风生水起,看智能可穿戴如何搭出最潮“科技范”

AR领域风生水起,看智能可穿戴如何搭出最潮“科技范”

头显支持的应用类型(包括但不限于能够与数英里之外的人员进行通信),这些高级AR 头显有望在架构上与智能手机类似。与 PC 和服务器中使用的处理器相比,这些头显中能够推动计算的处理器可能更类似于高端智能手机中的芯片组(性能卓越且更加省电)。此外,要在头显本地储存数据,需要使用eMMC、SD 卡或SSD 等形式的存储。为了实现高效的集成并节省空间,各种 SLC/MLC NAND...

类别:数码影像 2017-10-16 18:30:21 标签: AR 智能可穿戴

DRAM涨潮再起 谁才是真正赢家?

DRAM涨潮再起 谁才是真正赢家?

7%,未来第四季度涨幅约5%-10%,虽然涨幅依旧,但是至2018年,涨幅会逐渐趋于平稳,相比2017年,涨幅不会太大。  DRAM连续一年涨幅的主要原因为以下几点,其一,近年来,小米、华为以及OPPO等国产手机开始走中高端路线。其二,数据中心的服务器对于DRAM需求加强。其三,DRAM产业制程接近极限,技术研发难度增加,导致供货短缺。  至于NAND Flash走势...

类别:综合资讯 2017-10-16 15:28:06 标签: DRAM NAND

为什么3D NAND的平均生命周期很短

为什么3D NAND的平均生命周期很短

随着平面的2D NAND Flash制程逐渐面临微缩极限,3D NAND的平均生命周期也可能比大多数人所想象的更短许多...在今年的闪存高峰会(Flash Memory Summit)上,三星(Samsung)宣布开发1Tb 3D NAND,并将用于明年推出的商用产品中。 不过,我想知道4Tb 3D NAND何时将会出现在市场上。根据来自三星与东芝(Toshiba)的信息...

类别:综合资讯 2017-10-14 20:14:22 标签: 3D NAND 内存

2017年全球半导体市场增速接近20%

2017年全球半导体市场增速接近20%

公司均预期DRAM和NAND闪存的需求维持强势,美光则表示,这种供需状况将延续到2018年。 在2017年第三季度,非存储器公司的优异表现是半导体整体市场越来越健康的标志。除了英飞凌环比零增长,表中列出的主要非存储器公司在该季度的环比增长幅度为5.6%至9.0%,而且这些公司的预期上限为9.1%至15.4%,均接近或实现了两位数增长。近期市场调研机构的预测数据也显示了市场...

类别:综合资讯 2017-10-14 20:13:08 标签: 半导体 存储器 英飞凌

为什么西部数据不能收购东芝存储器业务

副社长兼半导体事业负责人成毛康雄,与西部数据CEO、Steve Milligan的会谈,西部数据基于自身财务状况,只能出130亿美元,让成毛康雄认为西部数据是利用东芝危机想杀价购并,使得原先倾向与西部数据合作的东芝转向,使得整个案子拖延。日刊工业新闻指出,东芝是NAND快闪存储器专业厂商,西部数据是硬碟专业厂商,但Bain Capital是企业购并专业厂商,TMC案虽牵涉...

类别:综合资讯 2017-10-14 20:00:17 标签: 西部数据 TMC 东芝 存储器

分析:三星芯片业务助推Q3利润创新高

TrendForce旗下的DRAMeXchange部门称,2018年全球对DRAM芯片的强劲需求将继续超过供应,因三星和第二大记忆体芯片厂商SK海力士的新厂料在2019年前不会投产;此外,截至9月NAND闪存的需求则连续第六季超过供应。供苹果新手机使用的有机发光二极体(OLED)面板的销售增长,也支撑了第四季获利创纪录新高的预期。...

类别:半导体生产 2017-10-14 19:41:26 标签: 三星芯片

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NAND资料下载

NAND FLASH 深入解析立即下载

NAND闪存深入解析NAND闪存深入解析上网时间: 2006年09月04日对于许多消费类音视频产品而言,NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案,这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品,NAND正被证明极具吸引力。NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block),这些区块是NAND器件中最...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 闪存 深入 解析

NAND闪存立即下载

NAND闪存对于许多消费类音视频产品而言,NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案,这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品,NAND正被证明极具吸引力。NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block),这些区块是NAND器件中最小的可擦除实体。擦除一个区块就是把所有的位(bit)设置...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 闪存

ARM920Ts3c2440 bootloader源代码 开发环境ADS1.2立即下载

s3c2440 bootloader\uboot源码\u-boot-1.1.6.tar.bz2 ..................\.........\u-boot-1.1.6_OpenJTAG_nand_large_page.tar.bz2 ..................\.........\u-boot-1.2.0.tar.bz2...

类别:嵌入式系统 2013年08月22日 标签: ARM920Ts3c2440 bootloader源代码 开发环境ADS1 2

如何添加NandFlash驱动立即下载

这个文档简单介绍了如何在 H-FLASHER 中添加NAND FLASH 驱动。基于这个文档,用户可以根据 自己的实际需求修改已有的NAND FLASH 驱动程序,或添加新的NAND FLASH 驱动程序。 1. 基本介绍 NAND FLASH 和NOR FLASH 有很大的差别,NOR FLASH 可以通过地址和数据总线直接访问,而 NAND FLASH 的访问需要通过NAND FLASH...

类别: 2013年09月22日 标签: NandFlash

ARM9的LPC3180在linux移植和驱动(很新的技术)立即下载

....\......\Blinky_LPC3180 Ext NAND FLASH.dep ....\......\Blinky_LPC3180 Ext SDRAM.dep ....\......\Blinky_LPC3180 Int RAM.dep ....\......\Blinky_Opt.Bak ....\......\Blinky_Uv2.Bak ....\......\Clock.ini...

类别:嵌入式系统 2013年08月25日 标签: ARM9的LPC3180在linux移植和驱动 很新的技术

独家揭秘tiny210v2的nand启动流程立即下载

注意: 1. 本次调试代码使用的平台是: tiny210v2 + 2G的MLC Nand(K9GAG08U0F) 2. "tiny210v2-u-boot"是用于下载到开发板的uboot, 该uboot很多功能没有实现。 移植该uboot的目的仅仅只是为了下载"reload_demo" 到nand中。”tiny210v2-u-boot“的配置编译过程: make mrproper make...

类别:嵌入式系统 2013年08月20日 标签: 独家揭秘tiny210v2的nand启动流程

Nand Flash与Nor Flash 的区别!立即下载

0718NAND和NOR flash的区别(转载)2006-10-14 10:03:00NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NORflash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NANDflash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: Nand Flash与Nor Flash 的区别

东芝对手机存储的未来预测立即下载

cunchuanwww.hqwic.com 利用 NAND 闪存来实现手机存储的成本、密度和性能优势作者:Scott Beekman 东芝(美国)电子元器件公司 本文概括了关于可支持多媒体功能的手机存储子系统的最新趋势、替换方案和错 误认识更高分辨率的相机、音乐、视频和游戏,驱动着对于更高密度的低成本存储方案 的需求。NAND 闪存正是高密度、低成本和快速...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: cunchuan

NAND和NORflash的区别和选择立即下载

NAND和NORflash慎重选择NAND和NORflash技术设计师在使用闪存时需要慎重选择 NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: NORflash 慎重 选择

NAND和NOR flash的区别立即下载

NAND和NOR flash的区别FLASH:主要分为两块:NAND FLASH和NOR FLASH主要差别:NAND FLASH一般是用来存储数据,而NORFLASH是用来执行程序,在断电情况下,NAND FLASH的数据仍然存在,NORFLASH则断电,数据就消失,所以,一般,NORFLASH会搭配一个SDRAM,用以存储程序,通电情况下,转入NOR...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: flash 的区

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的寄存器映射地址。10. nandlib目录:包含NAND lib库的源码。11. platform目录:包含与平台相关源码。这些源码提供了板级相关的API函数,比如管脚复用功能的配置等。12. system_config目录:包含系统配置库源码。这些源码提供了芯片中断和catch配置的API函数。13. third_party目录:包含StartWare使用的第三方模块的源码。这些源码没有被编译成静态...

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