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在电子工程世界为您找到如下关于“NAND”的新闻

朱老师ARM裸机学习笔记(三):CPU和与外部存储器的接口

朱老师ARM裸机学习笔记(三):CPU和与外部存储器的接口

 坏处 : 读取速度较慢,访问外存控制器的时序较为复杂。SOC常用的外部存储器类型NOR Flash 最早出现的Flash存储器,支持总线式访问,代码可以直接在Nor中运行,CPU可以像访问内存一样访问Nor Flash,在嵌入式发展到额初期阶段常用于存储启动代码,例如s3c2440开发板的Nor Flash启动。Nand Flash 集成密度高...

类别:ARM单片机 2017-08-16 22:03:51 标签: ARM裸机 CPU 存储器

朱老师ARM裸机学习笔记(四):S5PV210启动过程详解

朱老师ARM裸机学习笔记(四):S5PV210启动过程详解

时序接口读写。所以一般PC机都是:很小容量的BIOS(NorFlash)+ 很大容量的硬盘(类似于NandFlash)+ 大容量的DRAM 一般的单片机: 很小容量的NorFlash + 很小容量的SRAM 嵌入式系统:因为NorFlash很贵,所以现在很多嵌入式系统倾向于不用NorFlash, 直接用:外接的大容量Nand + 外接大容量DRAM...

类别:ARM单片机 2017-08-16 22:03:00 标签: ARM裸机 S5PV210 启动过程

ARM裸机程序研究

。当然,ARM CPU都还有外接的RAM,不过这些大都是SDRAM。 SDRAM在芯片初始化的时候是还不能用的,需要初始化SDRAM控制器,设置一些初始值才行。    我现在有的开发板是QQ2440,使用的samsung S3C2440的SOC。2440有一个很好的特性,就是可以从NAND启动。CPU是不能直接访问NAND存储器的,需要通过NAND...

类别:ARM单片机 2017-08-16 21:54:44 标签: ARM 裸机程序

谱瑞、矽力杰位居台股IC设计获利第二、三名

电子网消息,台湾股市IC设计股上半年财报陆续出炉,群联以每股税后纯益14.57元新台币夺冠,高速传输芯片谱瑞及电源管理芯片矽力杰分居二、三名,前三名共同点均于上半年顺利赚进1个股本;联发科掉落至第五,远程服务器控制芯片信骅则挤进前四名。由于上半年营运受惠于NAND Flash市场需求强劲、供给短缺,并进行策略性产品组合优化,工业及车用等嵌入式应用产品比重提升,带动群联第2季...

类别:半导体生产 2017-08-16 21:39:25 标签: IC

中国“注血”集成电路产业三年解“空芯”之忧

企业垄断的存储器江湖。公开资料显示,长江存储的主要产品为3D NAND,将以芯片制造环节为突破口,集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体,预计到2020年形成月产能30万片的生产规模,到2030年建成每月100万片的产能。“怎么让技术、资本两个轮子都能转起来,让其转得更好是当前需要思考的问题。”中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长魏少军曾经在公开场合表示,仅仅...

类别:半导体生产 2017-08-16 21:38:06 标签: 集成电路

赛灵思可重组储存加速解决方案亮相

压缩与纠删码(Erasure code)等加值型储存作业负载加速机制。ScaleFlux运算储存子系统(CSS)独树一格的设计解决运算与储存I/O的瓶颈。CSS压缩技术能加速吞吐量,提高整整一个量级,甚至不必运行软件动用到昂贵的CPU资源,因此能提供最佳的储存容量使用率,而且效能分毫不减。Burlywood的TrueFlash模块化控制器架构,不仅加快采纳新NAND产品的上市时程...

类别:半导体生产 2017-08-16 21:06:25 标签: 赛灵思

如何看待半导体市场的“搅局者”?

1x纳米进军,从缩小尺寸角度来看,15纳米可能是极限,三星肯定走在最前面,目前它拥有DRAM及NAND闪存产能各有40万片(按12英寸晶圆计)。而另一方面,在2DNAND向3DNAND转移中,三星、美光、东芝、西数、海力士等都扬言近期要开始64层3DNAND的量产出货,并全力向96层3DNAND挺进。而中国的长江存储是一个“新进者”,它仅是可能于2018年出货32层3DNAND...

类别:市场动态 2017-08-16 16:32:51 标签: 存储器 三星

拓展核心芯片领域,英唐智控布局物联网战略

(大容量存储器,如电脑内存等)领域产品线。而本次与兆易创新达成合作,公司在微处理器和MMC(微存储)方面再下一城,兆易创新拥有国内领先的先进生产线及强大产能支持,其产品为NOR Flash、NAND Flash及MCU,广泛应用于手持移动终端、消费类电子产品、个人电脑及周边、网络、电信设备、医疗设备、办公设备、汽车电子及工业控制设备等各个领域。通过不断开展的收购与业务合作,英唐智...

类别:综合资讯 2017-08-16 16:19:48 标签: 核心芯片

3D NAND究竟出了什么问题?

3D NAND究竟出了什么问题?

  3D NAND存储器自从2013年8月以来已经成功地投入市场。虽然,3D NAND仍然比平面NAND更昂贵,但大家都期待它将有助于快速地降低NAND的成本,以及取代平面NAND。但这是为什么呢?事实上,3D NAND仍然存在着目前无法轻易克服的许多问题。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。  因此,我想在本文中讨论与3D NAND有关的几个技术议题以及一般对它的...

类别:综合资讯 2017-08-16 13:46:49 标签: 3D NAND 存储器

3D NAND究竟出了什么问题?

3D NAND究竟出了什么问题?

3D NAND存储器市场看俏,但几个有关的技术问题和误解也随之而来...3D NAND存储器自从2013年8月以来已经成功地投入市场。虽然,3D NAND仍然比平面NAND更昂贵,但大家都期待它将有助于快速地降低NAND的成本,以及取代平面NAND。但这是为什么呢?事实上,3D NAND仍然存在着目前无法轻易克服的许多问题。因此,我想在本文中讨论与3D NAND有关的几个技术...

类别:存储技术 2017-08-16 10:58:39 标签: NAND

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NAND资料下载

NAND FLASH 深入解析立即下载

NAND闪存深入解析NAND闪存深入解析上网时间: 2006年09月04日对于许多消费类音视频产品而言,NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案,这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品,NAND正被证明极具吸引力。NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block),这些区块是NAND器件中最小...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 闪存 深入 解析

NAND闪存立即下载

NAND闪存对于许多消费类音视频产品而言,NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案,这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品,NAND正被证明极具吸引力。NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block),这些区块是NAND器件中最小的可擦除实体。擦除一个区块就是把所有的位(bit)设置为“1...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 闪存

如何添加NandFlash驱动立即下载

这个文档简单介绍了如何在 H-FLASHER 中添加NAND FLASH 驱动。基于这个文档,用户可以根据 自己的实际需求修改已有的NAND FLASH 驱动程序,或添加新的NAND FLASH 驱动程序。 1. 基本介绍 NAND FLASH 和NOR FLASH 有很大的差别,NOR FLASH 可以通过地址和数据总线直接访问,而 NAND FLASH 的访问需要通过NAND FLASH...

类别: 2013年09月22日 标签: NandFlash

独家揭秘tiny210v2的nand启动流程立即下载

注意: 1. 本次调试代码使用的平台是: tiny210v2 + 2G的MLC Nand(K9GAG08U0F) 2. "tiny210v2-u-boot"是用于下载到开发板的uboot, 该uboot很多功能没有实现。 移植该uboot的目的仅仅只是为了下载"reload_demo" 到nand中。”tiny210v2-u-boot“的配置编译过程: make mrproper make...

类别:嵌入式系统 2013年08月20日 标签: 独家揭秘tiny210v2的nand启动流程

东芝对手机存储的未来预测立即下载

cunchuanwww.hqwic.com 利用 NAND 闪存来实现手机存储的成本、密度和性能优势作者:Scott Beekman 东芝(美国)电子元器件公司 本文概括了关于可支持多媒体功能的手机存储子系统的最新趋势、替换方案和错 误认识更高分辨率的相机、音乐、视频和游戏,驱动着对于更高密度的低成本存储方案 的需求。NAND 闪存正是高密度、低成本和快速写...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: cunchuan

NAND和NOR存储器立即下载

NAND和NOR| |第1页:原理篇闪存主要由外壳、PCB板、USB主控芯片和Flash存储芯片四部分构成。闪存名称的由来主要是因为其存储介质是FlashMemory。Flash闪存是非易失存储器(所谓非...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: NAND和NOR存储器

NAND Flash的驱动程序设计方案立即下载

NAND Flash的驱动程序设计方案NAND Flash的驱动程序设计方案以三星公司K9F2808UOB为例,设计了NAND Flash与S3C2410的接口电路,介绍了NANDFlash在ARM嵌入式系统中的设计与实现方法,并在UBoot上进行了验证。所设计的驱动易于移植,可简化嵌入式系统开发。关键词  ARM  UBoot  NAND Flash...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: Flash 的驱 动程 序设 计方

NAND Flash的驱动程序设计立即下载

NAND Flash的驱动程序设计NAND Flash的驱动程序设计摘要 以三星公司K9F2808UOB为例,设计了NANDFlash与S3C2410的接口电路,介绍了NANDFlash在ARM嵌入式系统中的设计与实现方法,并在UBoot上进行了验证。所设计的驱动易于移植,可简化嵌入式系统开发。关键词 ARM  UBoot  NAND Flash...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: Flash 的驱 动程 序设

NAND和NOR flash的区别立即下载

NAND和NOR flash的区别FLASH:主要分为两块:NAND FLASH和NOR FLASH主要差别:NAND FLASH一般是用来存储数据,而NORFLASH是用来执行程序,在断电情况下,NAND FLASH的数据仍然存在,NORFLASH则断电,数据就消失,所以,一般,NORFLASH会搭配一个SDRAM,用以存储程序,通电情况下,转入NOR...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: flash 的区

NAND和NORflash的区别和选择立即下载

NAND和NORflash慎重选择NAND和NORflash技术设计师在使用闪存时需要慎重选择 NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: NORflash 慎重 选择

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 可重配置安徽存储加速解决方案亮相2017年闪存大时代峰会正规

NAND 的市场采用进程,同时为云端、全闪存阵列和超融合 OEM 客户带来突破性的成本和性能优势。采用赛灵思UltraScale+? FPGA的TrueFlash,充分利用赛灵思器件的功耗、性能和成本方面的优势,能帮助客户快速优化解决方案,满足工作负载要求,还能运用同一控制器验证多种 NAND 产品。   包括Everspin Technologies、IntelliProp、IP-Maker...

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32MB/64MB/128MB SPI NAND Flash

1.AFND1G08UC-CKA SLC NAND Flash 封装:48P_TSOP/48B_BGA/63B_BGA 尺寸:48B_BGA最小尺寸6.5x8mm 大小:256Mb/512Mb/1Gb 1. ATO25D1GA 128MB SPI NAND FLASH WSON-8pad封装,尺寸6x8mm 我们是专业做Memory/flash/SLCNAND/DDR...

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# 2017-8-15 # 记忆科技苏州\上海\北京\深圳研发中心最新招聘职位

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血氧测量 你支持电子产品涨价吗?你会选择质优价高的电子产品吗?跟帖说说你的理由吧! @白丁:我们代工据说都想给涨价,量大了没给涨,nand去年涨价百分之七十,就是要搞3dnand,2d产能不足 @辛昕:其实他真涨我觉得也没啥可埋怨的,现在物价都在涨,还是一起涨吧,不然怎么活 @besk:电子行业就是自己把自己折腾死了,明明可以卖高价的,结果自己折腾自己。你卖8元,我就7元,然后还...

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K海力士今年投资规模上看62亿美元 致力于技术提升

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