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MOSFET

简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

在电子工程世界为您找到如下关于“MOSFET”的新闻

MOSFET - 热插拔原理
本文将探讨如何选择用于热插拔的MOSFET(金氧半场效晶体管)。 当电源与其负载突然断开时,电路寄生电感元件上的大电流摆动会产生巨大的尖峰电压,对电路上的电子元件造成十分不利的影响。与电池保护应用类似,此处MOSFET可以将输入电源与其他电路隔离开来。但此时,FET的作用并不是立即断开输入与输出之间的连接,而是减轻那些具有破坏力的浪涌电流带来的严重后果。这需要通过一个控制器...
类别:分立器件 2018-08-06 标签: MOSFET 热插拔
MOSFET供需紧张,半导体涨价缺货,景气将持续
日前,据台湾媒体报道,随着时序进入半导体市场传统旺季,功率半导体MOSFET市场供给缺口持续扩大,国际IDM大厂又无扩增新产能,导致MOSFET价格已连续3季度调涨,目前第三季价格已上涨一成。而国际IDM厂下半年MOSFET产能也已被预订一空,在此情形下,ODM/OEM厂及系统厂大举转单台湾供应商,而国内随着中兴通讯重启运营,也带动大陆厂商MOSFET订单大增,在涨价缺货...
类别:分立器件 2018-07-27 标签: MOSFET
二次侧同步整流 MOSFET 驱动器问市
Diodes Incorporated 为高质量应用特定标准产品全球制造商和供货商,其产品涵盖广泛领域,包括独立、逻辑、模拟和混合讯号半导体等市场。该公司今日宣布推出 APR346 二次侧同步整流 MOSFET 驱动器,可将 AC 电源转成 DC 电源,提供 5V 至 20V 的电压,提升脱机式变压器的效率。 APR346 可运作于连续导通模式 (CCM)、不连续...
类别:分立器件 2018-07-18 标签: 二次侧同步整流 MOSFET 驱动器 Diodes
意法半导体推出全新VIPower™MOSFET功率管
熔断器作用是啥?电路发生故障或异常,随着电流不断升高,并且电流升高有可能损坏电路中的某些重要器件或贵重器件,也可能烧毁电路甚至造成火灾。电路中正确地安置了熔断器,熔断器就会在电流异常升高到一定的高度和一定的时候,自身熔断切断电流,从而起到保护电路安全运行的作用。意法半导体STEF01可编程电子熔断器集成低导通电阻RDS(ON) 的VIPower™MOSFET功率管,在8V...
类别:其他技术 2018-07-16 标签: 集成低导通电阻RDS 意法半导体
 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,拓宽其SOT-227封装电源模块产品线,将有七款新器件采用ThunderFET® 功率MOSFET和标准、FRED Pt® 和沟槽式MOS势垒肖特基(TMBS®)二极管。Vishay 的这些模块提供双片、单相桥和单开关拓扑结构,并有多种额定电流和额定电压可供选择...
类别:分立器件 2018-07-02 标签: 二极管 MOSFET
东芝推出采用新型封装的车规40V N沟道功率MOSFET
—采用小型低电阻封装,实现更低的导通电阻 TPHR7904PB, TPH1R104PB东京--东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已推出两款采用小型低电阻SOP Advance(WF)封装的新MOSFET产品——“TPHR7904PB”和“TPH1R104PB”,这两款产品是车规40V N沟道功率MOSFET系列的最新产品。批量生产即日启动。这两款新MOSFET产品采用...
类别:动力系统 2018-06-29 标签: 东芝 40V车规MOSFET
集微网消息(记者/邓文标),“所有功率器件都在涨价,其中电容领涨,MOSFET、IGBT、二极管等都在持续跟进涨价潮。”业内人士向集微网记者表示,自去年以来,电容涨幅超过十几倍,MOSFET、IGBT整体涨幅超过40%,未来很长一段时间功率器件涨价依旧坚挺。更严峻的是,在上游晶圆产能持续紧张的现况下,供不应求的产能只会去保大客户,中小客户很难拿到单,生存压力很大。整个功率器件...
类别:综合资讯 2018-06-19 标签: MOSFET
  据媒体报道,近期功率半导体金氧半场效电晶体(MOSFET)及绝缘闸双极电晶体(IGBT)缺货潮持续发酵,目前大厂手中库存均降至1个月以下,已低于2-3个月的安全库存水准。茂硅、汉磊等代工大厂订单已满到年底,第三季已确定涨价5-20%。受行业利好刺激,台湾产业链公司股价全线暴涨,代工企业茂硅年初至今股价涨幅超过3倍,MOSFET厂大中股价月涨幅超过1倍。  MOSFET...
类别:综合资讯 2018-06-13 标签: MOSFET
在低功率压缩机驱动电路,ST超结MOSFET与IGBT技术能效比较
摘要电机驱动市场特别是家电市场对系统的能效、尺寸和稳健性的要求越来越高。为满足市场需求,意法半导体针对不同的工况提供多种功率开关技术,例如, IGBT和最新的超结功率MOSFET。本文在实际工况下的一个低功耗电机驱动电路(例如,小功率冰箱压缩机)内测试了基于这两种功率技术的SLLIMM™-nano(小型低损耗智能模压模块),从电热性能两个方面对这两项技术进行了详细的分析和比较...
类别:电子设计 2018-06-07 标签: 超结MOSFET
摘要:延续2017年缺货、涨价的势头,今年MOSFET、二极管、电阻、电容等元器件纷纷涨价,而缺货涨价可能推动厂商进行产业升级。延续2017年缺货、涨价的势头,今年MOSFET、二极管、电阻、电容等元器件纷纷涨价,背后的主要原因为供不应求,市场需求暴增、上游原材料缺货涨价。据悉,二线晶圆代工厂向台积电看齐,推动晶圆代工价格上调,这很可能推动元器件价格再次调高。富昌电子元器件...
类别:半导体生产 2018-06-01 标签: MOSFET

MOSFET资料下载

MOSFET驱动AN799MOSFET 驱动器与 MOSFET 的匹配设计作者:Jamie Dunn Microchip Technology Inc. 2. 由于 MOSFET 驱动器吸收静态电流而产生的功 耗。简介当今多种 MOSFET 技术和硅片制程并存,而且技术进 步日新月异。要根据 MOSFET 的电压 / 电流或管芯尺 寸, 对如何将 MOSFET...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: MOSFET 驱动
MOSFET的基础知识:2.功率MOSFET 的结构和工作原理:功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P 沟道和N 沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET 主要是N沟道增强型。2.1 功率MOSFET 的结构功率 MOSFET 的内部结构和电气符号如图1 所示;其导通时...
类别:电机 2013年09月20日 标签: 功率MOSFET
MOSFET的工作原理MOSFET的工作原理MOSFET的原意是:MOS(Metal OxideSemiconductor金属氧化物半导体),FET(Field EffectTransistor场效应晶体管),即以金属层...
类别:电机 2013年09月29日 标签: MOSFET 的工 作原
选择正确的MOSFET:工程师所需要知道的选择正确的MOSFET:工程师所需要知道的作者:飞兆半导体公司 Jonathan Harper 和Enrique Rodriguez随着制造技术的发展和进步,系统设计人员必须跟上技术的发展步伐,才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件,工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 选择 正确 MOSFET 工程 师所 需要 知道
功率MOSFET的基本知识功率MOSFET的基本知识自 1976 年开发出功率 MOSFET 以来,由于半导体工艺技术的发展,它的性能不断提高:如高压功率 MOSFET 其工 作电压可达 1000V;低导通电阻 MOSFET 其阻值仅 lOm;工作频率范围从直流到达数兆赫;保护措施越来越完善;并开 发出各种贴片式功率 MOSFET(如 Siliconix 最近...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 功率 MOSFET 的基 本知
功率场效 应晶体管MOSFET 功率场效应晶体管MOSFET 摘要:文中阐述了MOSFET的结构、工作原理、静态、动态特性,并对动态特性的改进进行了论述,简介了MOSFET的驱动电路及其发展动态。 关键词:MOSFET 结构 特性 驱动电路 发展 Abstract:This paper elaborate MOSFET frame、work elements、static state...
类别:模拟及混合电路 2013年06月18日 标签: MOSFET
管(Darlington)内部的Baker钳位电路 8.3.5 比例基极驱动[2~4] 8.3.6 其他类型的基极驱动电路 参考文献 第9章 大功率场效应管(MOSFET)及其驱动电路 9.1 概述 9.2 MOSFET管的基本工作原理 9.2.1 MOSFET管的输出特性(Id-Vds) 9.2.2 MOSFET管的输入阻抗和栅极电流 9.2.3 MOSFET管栅极驱动...
类别:开关电源 2013年07月15日 标签: 开关电源
能同时满足高、低b值的晶体管工作要求的设计方案8.2.6驱动效率8.3贝克(baker)钳位8.3.1baker钳位的工作原理8.3.2使用变压器耦合的baker钳位电路8.3.3变压器型baker钳位[5]8.3.4达林顿管(darlington)内部的baker钳位电路8.3.5比例基极驱动[2~4]8.3.6其他类型的基极驱动电路参考文献第9章大功率场效应管(mosfet)及其驱动电路9.1...
类别:开关电源 2013年06月18日 标签: 开关电源设计
MOSFET开关过程理解 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程。开关过程中,功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程。在跨越恒流区时,功率MOSFET漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列,线性增加。米勒平台区对应着最大的负载...
类别:电机 2013年06月08日 标签: MOSFET开关过程理解
随着MOSFET 的应用日益广泛,在一些特殊场合常常会使用到互补MOSFET。本文针对互补MOSFET 的驱动问题进行了深入讨论,比较了常用的驱动电路,提出了一种针对互补MOSFET 设计的新型驱动电路,并通过仿真验证了结果。关键词:互补MOSFET,脉冲变压器,隔离驱动电路随着电力半导体器件的发展[1-2],已经出现了各种各样的全控型器件,最常用的有适用于大功率场合的大功率晶体管(GTR...

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我想问一下有谁知道高边开关是怎么工作的,怎么我看着手册觉得它就是起电路保护作用的开关,没有升压降压的作用,也不会有连续的脉冲输出的,不知道我理解的是否正确,下面ts4141N的数据手册,请高手指点一下? 高边开关的工作原理不理解 手册里也没说会升降压啊,这是个用信号控制的电源开关,内置的开关器件为MOSFET。...
18次浏览 2018-08-20 FPGA/CPLD

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概述: AP6301是一款完整的单节锂离子电池恒流恒压线性充电IC.它采用极小的SOT-23-5封装,只需要外接极少的外部元件,使它能真正的适用于便携式产品的应用.而且,AP6301是专门为USB电源特性而设计的.同时AP6301也能作为一个独立的线性锂离子电池充电器 由于它有内部完善的MOSFET构架,所以无需外接任何感应电阻和二极管.在大功率负载或高温环境下工作时,热反馈降自...
0次浏览 2018-08-17 信息发布 标签: 充电IC 电源IC LED驱动芯片

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来新的市场需求量。   总而言之, 目前这波贴片电容的涨价在意料之中也属意料之外。意料之中的是,十年一遇的缺货潮全面席卷各类电子元器件:存储、电阻、电感、MOSFET、电源管理IC等无一幸免,因此贴片电容受到垂青自是情理之中,然而意料之外的是,以往价值体现如此低的消费级贴片电容产品,涨价幅度竟然是电子元器件的前列。 贴片电容的下一个爆发性市场...
0次浏览 2018-08-17 信息发布

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;        电动系统库中拥有各类电器元件,并包括详细的半导体元件,如IGBT,BJT,MOSFET 等,考虑了其瞬态效果与能耗。电机模型能够精确反映电机的生热、冷却及温度对电机特性的影响。模型库包含多种驱动控制模型,满足不同仿真速度需求。 • 热管理系统模型库       ...
0次浏览 2018-08-17 信息发布

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半导体设计及分销业务,其中设计业务的主要产品包括分立器件(TVS、MOSFET等)、电源管理IC、射频芯片、卫星接收芯片等。 公司表示,本次交易标的公司豪威科技、思比科为芯片设计公司,主营业务均为CMOS图像传感器的研发和销售,韦尔股份与标的公司的客户均主要集中在移动通信、平板电脑、安防、汽车电子等领域,终端客户重合度较高。通过本次交易,一方面丰富了上市公司设计业务产品类别,带动公司半导体设计...
0次浏览 2018-08-16 信息发布

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MOSFET 的开关损耗,其谷底检测电路集成了线电压补偿保证了全工作电压范围内的的电流精度。同时,电流检测电路具备的边沿消隐功能使得无需外加滤波器,增强系统的抗干扰能力。LZC8660 具有完备的保护功能,辅助绕组过压保护、VDD 二次过压保护,输出短路保护,逐周限流等功能,并具备自恢复重复启动的特性。 LZC8610A充电器专用集成方案:  最大功率200W ...
0次浏览 2018-08-16 信息发布

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本文先对mos失效的原因总结以下六点,然后对1,2重点进行分析:1:雪崩失效(电压失效),也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压,并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。2:SOA失效(电流失效),既超出MOSFET安全工作区引起失效,分为Id超出器件规格失效以及Id过大,损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。3:体二极管失效:在桥式、LLC等有用到体二极管...
0次浏览 2018-08-15 电源技术

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] 还有你的外围元件参数是怎么确定的?应该都要计算的吧[/quote] 我想问的是电路的设计应该是没有问题的吧,参数是自己算出来的 输出电压被拉低啦 洞洞板的器件分布的比较分散 电感距离芯片太远 对照手册典型电路和说明,检查电感,mosfet,二极管的额定电流参数 这种开关电源建议还是做个双面PCB会调试简单点,稳定可靠。用洞洞板焊接得要有经验的工程师才能做得符合设计要求,特别是...
123次浏览 2018-08-15 电源技术

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MOSFET 的开关损耗,其谷底检测电路集成了线电压补偿保证了全工作电压范围内的的电流精度。同时,电流检测电路具备的边沿消隐功能使得无需外加滤波器,增强系统的抗干扰能力。LZC8660 具有完备的保护功能,辅助绕组过压保护、VDD 二次过压保护,输出短路保护,逐周限流等功能,并具备自恢复重复启动的特性。 LZC8660你喜欢大海我爱过你 0-120W 非隔离0-10V数字调光方案...
0次浏览 2018-08-15 信息发布

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; 应用场合:  商业照明(0到10V调光)  智能照明  蓝牙  WIFI  红外线  2.4G LZC8660 工作在准谐振(QRM)模式,可降低 MOSFET 的开关损耗,其谷底检测电路集成了线电压补偿保证了全工作电压范围内的的电流精度。同时,电流检测电路具备的边沿消隐功能使得无需外加...
0次浏览 2018-08-13 信息发布

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电源设计小贴士42:可替代集成MOSFET的分立器件
在电源设计中,工程师通常会面临控制 IC 驱动电流不足的问题,或者面临由于栅极驱动损耗导致控制 IC 功耗过大的问题。为缓解这一问题,工程师通常会采用外部驱动器。半导体厂商(包括 TI 在内)拥有现成的 MOSFET 集成电路驱动器解决方案,但这通常不是成本最低的解决方案,工程师通常会选择比较廉...
电源设计小贴士28-29:估算热插拔MOSFET的瞬态温升
在本《电源设计小贴士》中,我们将最终对一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法进行研究。在《电源设计小贴士28》中,我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。根据系统组件的物理属性,计算得到热阻和热容。遍及整个网络的各种电压代表各个温度。 本文中,我们把图 1...
基于SMD封装的高压CoolMOS
20世纪80年代末期和90年代初期发展起来的以功率MOSFET和IGBT为代表的集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件,表明传统电源技术已经进入现代电源技术的新兴时代。详细介绍了英飞凌公司最新CoolMOS系列MOSFET独特的封装技术,在采用了表面贴装的ThinPAK后极可实现600伏的电...
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电源设计小贴士31:同步降压MOSFET电阻比的正确选择
在这篇《电源设计小贴士》中,我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理,而其与占空比和 FET 电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常,作为设计过程的一个组成部分,您会有一套包括了输入电压范围和期望输出电压的规范,并且需要选择一些 FET。另...

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