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MOSFET

简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

在电子工程世界为您找到如下关于“MOSFET”的新闻

消除汽车应用中的ESD威胁

消除汽车应用中的ESD威胁

9V、最高16V电池电压下的汽车电池短路状况。这些器件不但能提供低钳位ESD保护,还拥有超低电容,能在GHz频率范围内运行。NIV1161和NIV2161等器件拥有与前述器件相同的ESD保护硅芯片,同时集成了小信号MOSFET以实现限流功能,可为SoC提供电池短路和接地短路保护。这些集成式MOSFET具有低Rds(on),适用于每秒吉比特高数据速率的应用。...

类别:行业动态 2017-10-21 20:25:53 标签: 汽车应用 ESD威胁 安森美半导体

士兰微前三季度净利预增130%,8英寸芯片产出单月已达10000片

,今年以来,士兰微5英寸和6英寸产线都在满载运行,同时8英寸产线也开始导入生产,整体制造产能依旧供不应求。今年三月份8英寸产线实现第一个研片跑通,8月份单月产出已达到6500片,今年年底力争达到15000片/月,目标明年年底实现每月3万-4万片的产能,争取能够满足市场的需求。同时,士兰微将要完成高压集成电路、超结MOSFET、IGBT等工艺平台的导入和进入量产爬坡期。长期以来,士兰...

类别:半导体生产 2017-10-20 20:39:25 标签: 8英寸芯片

扬杰科技提升国产替代化,今年前三季度净利润预计增长45%

芯片及高压模块雪崩圆形芯片,将充分发挥晶圆-封装-销售的协同效应,是功率分立器件国产化的排头兵。在功率二极管领域,相比美、欧、日、台系同行,扬杰科技竞争优势明显,在整合芯片制造、芯片封装、销售渠道全产业链资源之后,成本效率较为领先,正逐步替代海外厂商的市场份额。随着功率分立器件订单出货量比值持续提升和汽车电子需求拉动功率器件快速成长,MOSFET、功率二极管供不应求,如今扬杰科技成功...

类别:半导体生产 2017-10-20 20:20:53 标签: 扬杰科技

晶圆代工产能排队潮不散 iPhone X将重装上阵

在2017年底、2018年初重现。 芯片业者表示,2017年全球半导体产业景气看似热络,但真正受惠的业者其实相当有限,普遍集中在传出缺货声浪的产品市场,包括已缺货大半年的矽晶圆、DRAM、Flash及MOSFET,以及甫传出缺货疑云的MCU及LCD驱动IC等。 由于相关芯片缺货情况必须等到产能有效开出之后,才有办法满足市场需求,并缓和客户对于缺货的疑虑...

类别:半导体生产 2017-10-20 20:04:16 标签: 晶圆 iPhone X

士兰微前三季度净利预增130%,8英寸芯片产出单月已达10000片

向东在接受集微网采访时表示,今年以来,士兰微5英寸和6英寸产线都在满载运行,同时8英寸产线也开始导入生产,整体制造产能依旧供不应求。今年三月份8英寸产线实现第一个研片跑通,8月份单月产出已达到6500片,今年年底力争达到15000片/月,目标明年年底实现每月3万-4万片的产能,争取能够满足市场的需求。同时,士兰微将要完成高压集成电路、超结MOSFET、IGBT等工艺平台的导入...

类别:综合资讯 2017-10-20 15:31:36 标签: 士兰微 芯片

NXP MRFX1K80H晶体管在贸泽开售

NXP MRFX1K80H晶体管在贸泽开售

商贸泽电子 (Mouser Electronics),即日起开始备货NXP Semiconductors的MRFX1K80H LDMOS 晶体管。MRFX1K80H 是MRFX系列射频 (RF) MOSFET晶体管,此系列器件采用了最新的LDMOS(橫向扩散金属氧化物半导体)技术。MRFX1K80H运用LDMOS技术来提高宽频应用的输出功率,同时维持适当的输出阻抗。 ...

类别:市场动态 2017-10-20 14:33:57 标签: MRFX1K80H

Power Integrations推出无需中线连接的墙壁开关方案

列IC集成了众多安全特性,包括输入及输出过压保护、过温保护、输出短路保护以及坚固耐用的725 V功率MOSFET,因此可增强系统可靠性。在DER-622中,LinkSwitch-TN2电源IC应用于非隔离反激式拓扑中,并采用半波交流输入整流来降低方案成本。这款电源提供两路输出,12 V用于驱动继电器,3.8 V用于为蓝牙LE控制器供电。 Power...

类别:智能家居 2017-10-20 14:27:00 标签: Power Integrations

焕然一新的Motion SPM设计工具

焕然一新的Motion SPM设计工具

MOSFET模块。与其他Power Supply WebDesigner工具一样,这工具也集成器件数据和有用的“相关信息”,所以无需查阅数据表或应用注释。通过改变功率因数、调制指数、直流总线电压、PWM或逆变器频率等参数,可以轻松比较不同工作条件下的性能。您还可以从正弦、空间矢量或四类不连续PWM中选择调制方法。有三个热管理计算选项可供选择:限制最高结温、手动输入已知散热器热阻或者假定...

类别:电子设计 2017-10-20 14:22:41 标签: Motion SPM

消除汽车应用中的ESD威胁

消除汽车应用中的ESD威胁

16V电池电压下的汽车电池短路状况。这些器件不但能提供低钳位ESD保护,还拥有超低电容,能在GHz频率范围内运行。NIV1161和NIV2161等器件拥有与前述器件相同的ESD保护硅芯片,同时集成了小信号MOSFET以实现限流功能,可为SoC提供电池短路和接地短路保护。这些集成式MOSFET具有低Rds(on),适用于每秒吉比特高数据速率的应用。...

类别:其他技术 2017-10-20 13:52:57 标签: ESD

士兰微前三季度净利预增130%,8英寸芯片产出单月已达10000片

,今年以来,士兰微5英寸和6英寸产线都在满载运行,同时8英寸产线也开始导入生产,整体制造产能依旧供不应求。今年三月份8英寸产线实现第一个研片跑通,8月份单月产出已达到6500片,今年年底力争达到15000片/月,目标明年年底实现每月3万-4万片的产能,争取能够满足市场的需求。同时,士兰微将要完成高压集成电路、超结MOSFET、IGBT等工艺平台的导入和进入量产爬坡期。长期以来,士兰...

类别:综合资讯 2017-10-20 08:48:49 标签: 士兰微

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MOSFET资料下载

MCRPCHIP工程师写的关于MOSFET驱动资料,个人感觉立即下载

MOSFET驱动AN799MOSFET 驱动器与 MOSFET 的匹配设计作者:Jamie Dunn Microchip Technology Inc. 2. 由于 MOSFET 驱动器吸收静态电流而产生的功 耗。简介当今多种 MOSFET 技术和硅片制程并存,而且技术进 步日新月异。要根据 MOSFET 的电压 / 电流或管芯尺 寸, 对如何将 MOSFET...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: MOSFET 驱动

功率MOSFET立即下载

MOSFET的基础知识:2.功率MOSFET 的结构和工作原理:功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P 沟道和N 沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET 主要是N沟道增强型。2.1 功率MOSFET 的结构功率 MOSFET 的内部结构和电气符号如图1 所示;其导通时...

类别:IC设计及制造 2013年09月20日 标签: 功率MOSFET

功率MOSFET的基本知识-免费立即下载

功率MOSFET的基本知识功率MOSFET的基本知识自 1976 年开发出功率 MOSFET 以来,由于半导体工艺技术的发展,它的性能不断提高:如高压功率 MOSFET 其工 作电压可达 1000V;低导通电阻 MOSFET 其阻值仅 lOm;工作频率范围从直流到达数兆赫;保护措施越来越完善;并开 发出各种贴片式功率 MOSFET(如 Siliconix 最近...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 功率 MOSFET 的基 本知

功率场效应晶体管MOSFET立即下载

功率场效 应晶体管MOSFET 功率场效应晶体管MOSFET 摘要:文中阐述了MOSFET的结构、工作原理、静态、动态特性,并对动态特性的改进进行了论述,简介了MOSFET的驱动电路及其发展动态。 关键词:MOSFET 结构 特性 驱动电路 发展 Abstract:This paper elaborate MOSFET frame、work elements、static state...

类别:模拟及混合电路 2013年06月18日 标签: MOSFET

功率场效应晶体管MOSFET详解立即下载

选择正确的MOSFET:工程师所需要知道的选择正确的MOSFET:工程师所需要知道的作者:飞兆半导体公司 Jonathan Harper 和Enrique Rodriguez随着制造技术的发展和进步,系统设计人员必须跟上技术的发展步伐,才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件,工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 选择 正确 MOSFET 工程 师所 需要 知道

MOSFET开关过程理解立即下载

MOSFET开关过程理解 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程。开关过程中,功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程。在跨越恒流区时,功率MOSFET漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列,线性增加。米勒平台区对应着最大的负载...

类别:模拟及混合电路 2013年06月08日 标签: MOSFET开关过程理解

MOSFET的工作原理立即下载

MOSFET的工作原理MOSFET的工作原理MOSFET的原意是:MOS(Metal OxideSemiconductor金属氧化物半导体),FET(Field EffectTransistor场效应晶体管),即以金属层...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: MOSFET 的工 作原

功率MOSFET的基本知识立即下载

功率MOSFET的基本知识:功率MOSFET主要用于计算机外设(软、硬驱动器、打印机、绘图机)、电源(AC/DC变换器、DC/DC变换器)、汽车电子、音响电路及仪器、仪表等领域。本文将介绍功率MOSFET的结构、工作原理及基本工作电路。什么是MOSFET:“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写,译成中文是“金属...

类别:IC设计及制造 2013年09月18日 标签: 功率MOSFET的基本知识

N3856V动作原理说明立即下载

N3856V动作原理说明:DISCONTINUE MODE 是利用流經MOSFET 兩端的電流與MOSFET 本身之RDS(ON)形成電壓降(VSD)和內部參考電壓20mV 比較來控制MOSFET 的導通與關閉 , N3856V 內部有一個電流偵測電路(current decter), 其偵測端直接接於MOSFET 之源極(S)與洩極(D) ,因為此IC 之參考接地為MOSFET 之源極(S...

类别:IC设计及制造 2013年09月22日 标签: N3856V动作原理说明

互补MOSFET的脉冲变压器隔离驱动电路设计立即下载

随着MOSFET 的应用日益广泛,在一些特殊场合常常会使用到互补MOSFET。本文针对互补MOSFET 的驱动问题进行了深入讨论,比较了常用的驱动电路,提出了一种针对互补MOSFET 设计的新型驱动电路,并通过仿真验证了结果。关键词:互补MOSFET,脉冲变压器,隔离驱动电路随着电力半导体器件的发展[1-2],已经出现了各种各样的全控型器件,最常用的有适用于大功率场合的大功率晶体管(GTR...

类别:电路仿真 2013年09月19日 标签: 互补MOSFET的脉冲变压器隔离驱动电路设计

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且调整合理的参数; 7、在变压器与MOSFET之间加磁珠; 8、在变压器的输入电压脚加一个小电容。 9、可以用增大MOS 驱动电阻。 10、可能是电子负载引起的,可改用电阻负载。 11、可将MOS管D 端对地接一个101的电容。 12、可将输出整流二极管换一个积电容小一点的。 13、可将输出整流二极管的RC回路去掉。 14、将输入端加两个Y电容对地,可降低传导25MHZ-30MHZ...

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