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MOSFET

简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

在电子工程世界为您找到如下关于“MOSFET”的新闻

王传福的野“芯” 起底比亚迪芯片布局

王传福的野“芯” 起底比亚迪芯片布局

相关的数据披露。  进攻IGBT,助力新能源汽车  所谓的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),就是绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT产品集合了高频、高压、大电流三大技术优势,是电力...

类别:行业动态 2017-07-21 15:19:40 标签: 比亚迪 芯片

野“芯”勃勃,比亚迪布局芯片市场

野“芯”勃勃,比亚迪布局芯片市场

雷声大雨点小,似乎没能获得意料中的效果。也没见到很多相关的数据披露。进攻IGBT,助力新能源汽车所谓的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),就是绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT产品...

类别:综合资讯 2017-07-21 14:06:21 标签: 比亚迪 宁波中纬 指纹识别 IG

氮化镓有望乘5G起飞 亟需建立产业链

  随着氮化镓(GaN)不断应用在二极管、场效电晶体(MOSFET)等元件上,不少业内专家直言,电力电子产业即将迎来技术的大革命。氮化镓虽然在成本上仍比传统硅元件高出一大截,但其开关速度、切换损失等性能指标,也是硅元件难以望其项背的。特别是近年来随着氮化镓广泛被应用于手机快充、电源以及5G市场,氮化镓即将引领半导体技术革命的呼声越来越高。下面就随网络通信小编一起来了解一下...

类别:综合资讯 2017-07-20 13:49:55 标签: 氮化镓 5G

王传福的野“芯” 起底比亚迪芯片布局

王传福的野“芯” 起底比亚迪芯片布局

Transistor),就是绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT产品集合了高频、高压、大电流三大技术优势,是电力电子设备中的核心部件,涉及几乎所有电压等级下的电气设备。作为主流的新型电力电子器件之一,IGBT被大规模应用于...

类别:市场动态 2017-07-20 11:54:08 标签: 比亚迪

士兰微电子推出高PF隔离SDH682X系列LED照明驱动新品

士兰微电子推出高PF隔离SDH682X系列LED照明驱动新品

照明驱动系列芯片,使用了多项士兰微自有的专利技术来提高产品性能,降低方案应用成本,如使用了THD优化专利技术,THD可以小于10%,而且可以省去外围补偿电路。采用了VCC供电专利电路,可以省去变压器辅助绕组。使用的输入线打火保护的技术则可以使芯片在发生输入打火的异常情况下,尽可能的避免损坏电路及外围元器件。该系列芯片采用了原边电流控制、隔离浮地结构, 内置高压功率MOSFET...

类别:驱动IC 2017-07-19 18:30:43 标签: 士兰微

ROHM 的MOSFET PrestoMOS产品群又增新品“R60xxMNx系列”

ROHM 的MOSFET PrestoMOS产品群又增新品“R60xxMNx系列”

还是工业设备都会使用到变频技术。大大的降低了能源上的浪费。在这种背景下,全球知名半导体制造商ROHM公司推出了MOSFET PrestoMOS※产品群“R60xxMNx系列”产品,使搭载变频器的白色家电及工业设备的电机驱动功耗降至更低。满足了现在的节能需求。在ROHM新品发布会上,罗姆半导体(上海)有限公司设计中心高级经理水原德健先生说道“罗姆的功率元器件,主要由三种材料做成...

类别:白色家电 2017-07-19 09:36:19 标签: 变频技术 开关损耗

ADI推出快速 60V 保护的高压侧 N 沟道MOSFET

ADI推出快速 60V 保护的高压侧 N 沟道MOSFET

亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.,简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7003,该器件可采用高达 60V 的电源电压工作。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关,从而使其能够无限期地保持导通。LTC7003 强大的 1...

类别:分立器件 2017-07-18 11:20:17 标签: ADI MOSFET 高压

Bosch/Delphi加速转型布局 汽车电气化革命挡不住

朝碳化硅(SiC)发展。 利用碳化硅材料制造的场效晶体管(MOSFET)、二极管(Diode),在性能与功率密度上远高于使用传统硅材料的组件,即便这类组件单价偏高,还是能从缩小系统尺寸、减少散热片跟磁性材料使用量等优势弥补其缺点。 然而,目前台湾的晶圆代工业者并无碳化硅制程产能,也缺乏相关技术,这使得台湾的电源芯片业者很难挟着晶圆代工的奥援切入市场。第三,台湾的芯片设计公司...

类别:半导体生产 2017-07-17 21:23:16 标签: Bosch Delphi

汽车市场的电气化时代来临

汽车市场的电气化时代来临

朝碳化硅(SiC)发展。 利用碳化硅材料制造的场效晶体管(MOSFET)、二极管(Diode),在性能与功率密度上远高于使用传统硅材料的组件,即便这类组件单价偏高,还是能从缩小系统尺寸、减少散热片跟磁性材料使用量等优势弥补其缺点。 然而,目前台湾的晶圆代工业者并无碳化硅制程产能,也缺乏相关技术,这使得台湾的电源芯片业者很难挟着晶圆代工的奥援切入市场。第三,台湾的芯片设计公司...

类别:汽车电子 2017-07-17 21:13:55 标签: 博世集团 Delphi 电动车 芯片

博世和英飞凌等将成为电动车领域新巨头,台湾半导体无缘

大力推动半导体供应链自主化的中国,当地车厂对于关键芯片,还是倾向于使用外商解决方案,由此便可看出要打入汽车前装市场的难度。 其次,电动车动力总成所使用的芯片零组件,未来将朝碳化硅(SiC)发展。 利用碳化硅材料制造的场效晶体管(MOSFET)、二极管(Diode),在性能与功率密度上远高于使用传统硅材料的组件,即便这类组件单价偏高,还是能从缩小系统尺寸、减少散热片跟...

类别:汽车电子 2017-07-17 20:47:50 标签: 博世集团 delphi 电动车 芯片 英飞凌 意法 半导体

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MOSFET资料下载

MCRPCHIP工程师写的关于MOSFET驱动资料,个人感觉立即下载

MOSFET驱动AN799MOSFET 驱动器与 MOSFET 的匹配设计作者:Jamie Dunn Microchip Technology Inc. 2. 由于 MOSFET 驱动器吸收静态电流而产生的功 耗。简介当今多种 MOSFET 技术和硅片制程并存,而且技术进 步日新月异。要根据 MOSFET 的电压 / 电流或管芯尺 寸, 对如何将 MOSFET...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: MOSFET 驱动

功率场效应晶体管MOSFET立即下载

功率场效 应晶体管MOSFET 功率场效应晶体管MOSFET 摘要:文中阐述了MOSFET的结构、工作原理、静态、动态特性,并对动态特性的改进进行了论述,简介了MOSFET的驱动电路及其发展动态。 关键词:MOSFET 结构 特性 驱动电路 发展 Abstract:This paper elaborate MOSFET frame、work elements、static state...

类别:模拟及混合电路 2013年06月18日 标签: MOSFET

功率MOSFET立即下载

MOSFET的基础知识:2.功率MOSFET 的结构和工作原理:功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P 沟道和N 沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET 主要是N沟道增强型。2.1 功率MOSFET 的结构功率 MOSFET 的内部结构和电气符号如图1 所示;其导通时...

类别:IC设计及制造 2013年09月20日 标签: 功率MOSFET

功率场效应晶体管MOSFET详解立即下载

选择正确的MOSFET:工程师所需要知道的选择正确的MOSFET:工程师所需要知道的作者:飞兆半导体公司 Jonathan Harper 和Enrique Rodriguez随着制造技术的发展和进步,系统设计人员必须跟上技术的发展步伐,才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件,工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 选择 正确 MOSFET 工程 师所 需要 知道

MOSFET开关过程理解立即下载

MOSFET开关过程理解 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程。开关过程中,功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程。在跨越恒流区时,功率MOSFET漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列,线性增加。米勒平台区对应着最大的负载...

类别:模拟及混合电路 2013年06月08日 标签: MOSFET开关过程理解

功率MOSFET的基本知识-免费立即下载

功率MOSFET的基本知识功率MOSFET的基本知识自 1976 年开发出功率 MOSFET 以来,由于半导体工艺技术的发展,它的性能不断提高:如高压功率 MOSFET 其工 作电压可达 1000V;低导通电阻 MOSFET 其阻值仅 lOm;工作频率范围从直流到达数兆赫;保护措施越来越完善;并开 发出各种贴片式功率 MOSFET(如 Siliconix 最近...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 功率 MOSFET 的基 本知

MOSFET的工作原理立即下载

MOSFET的工作原理MOSFET的工作原理MOSFET的原意是:MOS(Metal OxideSemiconductor金属氧化物半导体),FET(Field EffectTransistor场效应晶体管),即以金属层...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: MOSFET 的工 作原

功率MOSFET的基本知识立即下载

功率MOSFET的基本知识:功率MOSFET主要用于计算机外设(软、硬驱动器、打印机、绘图机)、电源(AC/DC变换器、DC/DC变换器)、汽车电子、音响电路及仪器、仪表等领域。本文将介绍功率MOSFET的结构、工作原理及基本工作电路。什么是MOSFET:“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写,译成中文是“金属...

类别:IC设计及制造 2013年09月18日 标签: 功率MOSFET的基本知识

互补MOSFET的脉冲变压器隔离驱动电路设计立即下载

随着MOSFET 的应用日益广泛,在一些特殊场合常常会使用到互补MOSFET。本文针对互补MOSFET 的驱动问题进行了深入讨论,比较了常用的驱动电路,提出了一种针对互补MOSFET 设计的新型驱动电路,并通过仿真验证了结果。关键词:互补MOSFET,脉冲变压器,隔离驱动电路随着电力半导体器件的发展[1-2],已经出现了各种各样的全控型器件,最常用的有适用于大功率场合的大功率晶体管(GTR...

类别:电路仿真 2013年09月19日 标签: 互补MOSFET的脉冲变压器隔离驱动电路设计

N3856V动作原理说明立即下载

N3856V动作原理说明:DISCONTINUE MODE 是利用流經MOSFET 兩端的電流與MOSFET 本身之RDS(ON)形成電壓降(VSD)和內部參考電壓20mV 比較來控制MOSFET 的導通與關閉 , N3856V 內部有一個電流偵測電路(current decter), 其偵測端直接接於MOSFET 之源極(S)與洩極(D) ,因為此IC 之參考接地為MOSFET 之源極(S...

类别:IC设计及制造 2013年09月22日 标签: N3856V动作原理说明

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