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MOSFET

简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

在电子工程世界为您找到如下关于“MOSFET”的新闻

集微网消息(记者/邓文标),“所有功率器件都在涨价,其中电容领涨,MOSFET、IGBT、二极管等都在持续跟进涨价潮。”业内人士向集微网记者表示,自去年以来,电容涨幅超过十几倍,MOSFET、IGBT整体涨幅超过40%,未来很长一段时间功率器件涨价依旧坚挺。更严峻的是,在上游晶圆产能持续紧张的现况下,供不应求的产能只会去保大客户,中小客户很难拿到单,生存压力很大。整个功率器件...
类别:综合资讯 2018-06-19 20:44:16 标签: MOSFET
  据媒体报道,近期功率半导体金氧半场效电晶体(MOSFET)及绝缘闸双极电晶体(IGBT)缺货潮持续发酵,目前大厂手中库存均降至1个月以下,已低于2-3个月的安全库存水准。茂硅、汉磊等代工大厂订单已满到年底,第三季已确定涨价5-20%。受行业利好刺激,台湾产业链公司股价全线暴涨,代工企业茂硅年初至今股价涨幅超过3倍,MOSFET厂大中股价月涨幅超过1倍。  MOSFET...
类别:综合资讯 2018-06-13 10:17:14 标签: MOSFET
摘要:延续2017年缺货、涨价的势头,今年MOSFET、二极管、电阻、电容等元器件纷纷涨价,而缺货涨价可能推动厂商进行产业升级。延续2017年缺货、涨价的势头,今年MOSFET、二极管、电阻、电容等元器件纷纷涨价,背后的主要原因为供不应求,市场需求暴增、上游原材料缺货涨价。据悉,二线晶圆代工厂向台积电看齐,推动晶圆代工价格上调,这很可能推动元器件价格再次调高。富昌电子元器件...
类别:半导体生产 2018-06-01 20:05:05 标签: MOSFET
美高森美宣布推出专门用于SiC MOSFET技术的 极低电感SP6LI封装
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 发布专门用于高电流、低导通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC) MOSFET功率模块的极低电感封装。这款全新封装专为用于公司SP6LI 产品系列而开发,经设计提供适用于SiC MOSFET技术的2.9 nH杂散...
类别:分立器件 2018-05-30 10:13:04 标签: SiC MOSFET SP6LI
电子涨价题材一发不可收拾,金氧半场效电晶体(MOSFET)涨价题材股价劲扬,多家股价均大涨4~8%。法人表示,MOSFET供货吃紧情况未获改善,价格也连续4个季度调涨。因整合元件厂(IDM)大厂今年底前MOSFET接单几乎全满,在自有产能无法因应市场强劲需求情况下,已扩大释出委外代工订单催化MOSFET涨价题材。日前传出MOSFET设计厂,如大中、尼克森、富鼎等,均积极争取...
类别:半导体生产 2018-05-29 09:10:14 标签: MOSFET
Vishay推出输入电压为4.5V~60V的新款2A~10A器件---SiC46X,扩充其microBUCK同步降压稳压器。Vishay Siliconix SiC46X器件十分节省空间,在小尺寸MLP55-27L封装内组合了高性能N沟道沟槽式MOSFET和一颗控制器,具有高效率和高功率密度,并提高了长期可靠性,简化了热管理。今天发布的稳压器采用了导通电阻比竞争器件低5倍...
类别:综合资讯 2018-05-24 17:49:14 标签: 同步降压稳压器 Vishay MOSFET
受惠于金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)市况热,晶圆代工厂茂矽业绩畅旺,茂矽现阶段订单大排队,产能满载,传出目前有10多万片的订单量在排队。业者指出,MOSFET目前的景气情况,堪称是20多年来最佳。据了解,茂矽目前6吋月产能约超过5.7万片,已满载生产,但需求远大于供给,现阶段还有约12万至13万片,约等于2个月的订单量在排队。该公司主要负责代工MOSFET与二极体...
类别:半导体生产 2018-05-23 07:33:56 标签: MOSFET
成功转型晶圆代工的力晶旗下8吋厂巨晶今年接单满载,产能供不应求,去年更买下了新日光的竹南厂积极进行扩产的动作,力晶执行厂黄崇仁表示,MOSFET的需求非常强劲,根据日本客户透露,未来将大增2、3倍的需求量。 黄崇仁说,MOSFET(金属氧化物半导体场效晶体管)主要采用8吋晶圆制作,未来应用范围广泛,尤其是电动车、车用电子以及智能城市崛起,带动MOSFET需求明显激增...
类别:半导体生产 2018-05-14 08:37:14 标签: ​力晶 MOSFET
ROHM投建新厂房, 以强化SiC功率元器件的产能
全球知名半导体制造商ROHM为加强需求日益扩大的SiC功率元器件的生产能力,决定在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县)的筑后工厂投建新厂房。新厂房为地上3层建筑,总建筑面积约11,000㎡。现在,具体设计工作正在有条不紊地进行,预计将于2019年动工,于2020年竣工。ROHM自2010年开始量产SiC功率元器件(SiC-SBD、SiC-MOSFET)以来...
类别:综合资讯 2018-05-09 20:16:21 标签: SiC功率元器件 ROHM SiC-MOSFET
PSR反激式LED驱动器电路。对于初级端调节,通常优先使用非连续导通工作模式(DCM),因为它能提供极为精确的输出调节[1]。为了实现高功率因数和低总谐波失真(THD),通常会在开关频率固定的DCM反激式转换器中采用恒定导通时间控制。图2所示为初级端开关电流、次级端二极管电流和MOSFET开关栅极信号的典型理论波形。在导通时间恒定的条件下,平均输入电流如下式所示:此处,D为转换器...
类别:综合资讯 2018-05-06 16:57:59 标签: DCM BCM MOSFET led

MOSFET资料下载

高精度Mosfet设计指南,很不错的资料-Mosfet design high-precision guide...
类别:科学普及 2014年03月05日 标签: MOSFET
MOSFET选型 MOSFET选型资料,考虑的比较全面,并有相关流程介绍,从开关到线性MOSFET选择,都有介绍,是一个不错资料...
类别:电源技术 2013年08月05日 标签: MOSFET
MOSFET器件的驱动电路...
类别:模拟及混合电路 2013年05月30日 标签: MOSFET
MOSFET应用电路...
类别:科学普及 2014年03月20日 标签: MOSFET
关于MOSFET的资料,很详细的....
类别:模拟及混合电路 2013年08月18日 标签: MOSFET
附件是Semihow MOS 管的选型手册,Semihow 是一家韩国品牌,品质跟Fairchild(仙童)相同...
类别:其他 2013年03月03日 标签: MOSFET
TPN22006NH型场效应管的技术文档...
类别:模拟及混合电路 2013年09月04日 标签: MOSFET
Modsfet的简介...
类别:科学普及 2015年02月04日 标签: mosfet
MOSFET型号参数表用于选型...
类别:电源技术 2015年08月06日 标签: MOSFET
总结了几种热载流子,并在此基础上详细讨论了热载流子注入(HCI) 引起的退化机制。对器件寿命预测模型进行了总结和讨论。为MOSFET 热载流子效应可靠性研究奠定了基础。...
类别:其他 2013年09月22日 标签: MOSFET

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t=data(:,1); V=data(:,2); I=data(:,3); plot(t,V,'g',t,I,'r') title('Power Loss'); xlabel('Time (s)');ylabel('Amplitude'); legend('Voltage (V)','Current (A)'); % for j = 1:length(I); % if (V(j)...
1206次浏览 2016-01-11 电源技术 标签: 程序 matlab MOSFET

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3 IR2127 mosfet驱动电路 当Q14关闭的时候7脚输出12V,Q14导通,导通之后20V电压就加到Q14的源极,要继续维持Q14的导通,栅极相对于源极然要有12V的电压,那么删极就是12+20=22V,这是自举电容在5脚到8脚哪里提供,,升压之后为什么没有维持?是否是自举电容无法充电造成,Q14没完全导通等等,,, 谢谢版主的热心帮助,问题我已经解决了,是CS脚的问题 回复 沙发...
2118次浏览 2013-11-20 电源技术 标签: buck MOSFET ir2127

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。例如,一个60A电源变成了两个30A电源。但是,这种方法并没有额外增加板上空间,对于热设计方面的挑战基本上没有多大帮助。 在设计大电流电源时,MOSFET是最难确定的元件。这一点在笔记本电脑中尤其显著,这样的环境中,散热器、风扇、热管和其它散热手段通常都留给了CPU。这样,电源设计常常要面临狭小的空间、静止的气流以及来自于附近其它元件的热量等不利因素的挑战。而且,除了电源下面少量的印制板铜膜外...
1831次浏览 2013-08-22 【跟TI学电源】 标签: MOSFET

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在汽车电子的驱动负载的各种应用中,最常见的半导体元件就是功率MOSFET了。本文不准备写成一篇介绍功率MOSFET的技术大全,只是让读者去了解如何正确的理解功率MOSFET数据表中的常用主要参数,以帮助设计者更好的使用功率MOSFET进行设计。  数据表中的参数分为两类:即最大额定值和电气特性值。对于前者,在任何情况下都不能超过,否则器件将永久损害;对于后者,一般以最小值、最大值、和典型值的形式...
1678次浏览 2013-04-24 PCB设计 标签: MOSFET

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随着制造技术的发展和进步,系统设计人员必须跟上技术的发展步伐,才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件,工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。本文将讨论如何根据RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFETMOSFET的选择 MOSFET有两大类型:N沟道和P沟道。在功率系统中,MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道...
1437次浏览 2013-04-24 PCB设计 标签: MOSFET

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600 V MDmesh II Plus低 Qg MOSFET 系列
600 V MDmesh II Plus低 Qg MOSFET 系列...
2013-08-07 标签: MOSFET
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2016-12-09 标签: MOSFET 数据手册
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在电源设计中,工程师通常会面临控制 IC 驱动电流不足的问题,或者面临由于栅极驱动损耗导致控制 IC 功耗过大的问题。为缓解这一问题,工程师通常会采用外部驱动器。半导体厂商(包括 TI 在内)拥有现成的 MOSFET 集成电路驱动器解决方案,但这通常不是成本最低的解决方案,工程师通常会选择比较廉...
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在本《电源设计小贴士》中,我们将最终对一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法进行研究。在《电源设计小贴士28》中,我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。根据系统组件的物理属性,计算得到热阻和热容。遍及整个网络的各种电压代表各个温度。 本文中,我们把图 1...
电源设计小贴士31:同步降压MOSFET电阻比的正确选择
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20世纪80年代末期和90年代初期发展起来的以功率MOSFET和IGBT为代表的集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件,表明传统电源技术已经进入现代电源技术的新兴时代。详细介绍了英飞凌公司最新CoolMOS系列MOSFET独特的封装技术,在采用了表面贴装的ThinPAK后极可实现600伏的电...
2013-01-01 标签: MOSFET Infineon CoolMOS C6

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