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MOSFET

简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

在电子工程世界为您找到如下关于“MOSFET”的新闻

Power Integrations推出HiperPFS-4功率因数校正IC

Power Integrations推出HiperPFS-4功率因数校正IC

美国加利福尼亚州圣何塞,2017年3月28日讯 – 致力于高能效电源转换的高压集成电路的Power Integrations推出HiperPFSTM-4系列功率因数校正(PFC) IC。新器件系列适合要求在满载及轻载下均提供优异效率及功率因数性能的应用。HiperPFS-4器件采用紧凑型电气隔离的可散热封装,内部同时集成了一个适合305 VAC输入的600 V MOSFET和...

类别:其他技术 2017-03-29 11:30:12 标签: 电源 功率因数 变频 电气隔离

行业首款用于半桥和全桥DC-DC转换器的100 V桥式功率级模块

行业首款用于半桥和全桥DC-DC转换器的100 V桥式功率级模块

两个高能效的功率MOSFET。与分立方案相比,FDMF8811减少DC-DC转换器设计所需的板面积约三分之一,使工程师能够设计更小的系统。如果空间不是问题,那么FDMF8811还能在现有的可用板面积内增加电力输送。FDMF8811极其适用于云应用如无线基站、电源模块或任何板载、隔离型DC-DC转换器和工业应用如电机驱动器、风扇和暖通空调(HVAC)。通过集成所有的关键功率器件...

类别:转换器 2017-03-29 10:34:07 标签: 安森美 转换器 100V

行业首款用于半桥和全桥DC-DC转换器的100 V桥式功率级模块

行业首款用于半桥和全桥DC-DC转换器的100 V桥式功率级模块

安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出了行业首款100 V桥式功率级模块FDMF8811 用于半桥和全桥隔离型DC-DC转换器。该器件额定电流25 A,在一个PQFN-36的封装中集成了一个120 V驱动器IC、一个自举二极管和两个高能效的功率MOSFET。下面就随电源管理小编一起来了解一下相关内容吧。显著减少板尺寸和器件数,同时...

类别:综合资讯 2017-03-28 21:02:07 标签: DC-DC转换器

EPC eGaN®技术在性能及成本上实现质的飞跃

EPC eGaN®技术在性能及成本上实现质的飞跃

MOSFET的绩效差距。与前一代EPC2001C eGaN FET相比, EPC2045的芯片尺寸减半。而200 V、10 mΩ的EPC2047eGaN FET的尺寸也是减半,如果与等效硅基MOSFET相比,它的尺寸减小达15倍。设计师现在可以同时实现更小型化和性能更高的器件! eGaN产品采用芯片级封装,比MOSFET使用塑胶封装可以更有效地散热,这是由于使用芯片级封装的器件可以直接...

类别:分立器件 2017-03-28 13:44:25 标签: GaN 氮化镓

ADI公司推出集成式隔离电源控制器系列

ADI公司推出集成式隔离电源控制器系列

隔离边界上传输信号的庞大信号变压器和光耦合器。ADP1074在原边和副边均集成了隔离器和MOSFET驱动器,提供紧凑的系统级设计,在重负载下的效率优于非同步正激转换器。该器件降低了系统设计复杂性、成本和元器件数量,同时提高了系统的整体可靠性。ADP1074非常适合用于许多应用中的隔离式DC/DC电源转换,包括电信和工业设备中的中间总线电压生成、基站和天线RF功率、小型蜂窝...

类别:综合资讯 2017-03-27 22:28:37 标签: 隔离电源 控制器

美高森美航天太空产品支持Iridium NEXT卫星项目

”的研究报告称,美高森美是国防和航空半导体市场的领先供应商,约占20%市场份额。美高森美的航空级产品包括二极管、整流器、齐纳二极管、瞬态电压抑制器(TVS)和MOSFET。此外,其FPGA可提供几种不同的密度和性能水平选择,使客户能够灵活选择适合应用的最佳尺寸。这些范围广泛的器件反映了公司重视向市场提供差异化解决方案,其中商业卫星通信是其持续承诺的一部分。除分立产品、电源DC至...

类别:市场动态 2017-03-27 21:12:02 标签: NEXT卫星 半导体技术

各类芯片狂飙,智能机不涨不行了

各类芯片狂飙,智能机不涨不行了

各类芯片涨价情况内存价格第1季顺利调涨后,第2季价格可望续涨近1成幅度,然而除了内存价格看涨,包括模拟IC领域的金氧半场效晶体管(MOSFET)、CMOS影像传感器等关键零组件,第2季同样涨声响起,若再加上新款手机芯片、中央处理器、绘图芯片的价格又高于旧款,系统厂第2季获利恐被明显压缩,终端产品看来不涨不行了。第1季是传统淡季,但内存市场却是热度不减,DRAM及NAND...

类别:综合资讯 2017-03-27 12:39:43 标签: 芯片

ADI公司推出集成式隔离电源控制器系列

耦合器。ADP1074在原边和副边均集成了隔离器和MOSFET驱动器,提供紧凑的系统级设计,在重负载下的效率优于非同步正激转换器。该器件降低了系统设计复杂性、成本和元器件数量,同时提高了系统的整体可靠性。ADP1074非常适合用于许多应用中的隔离式DC/DC电源转换,包括电信和工业设备中的中间总线电压生成、基站和天线RF功率、小型蜂窝、PoE供电设备、企业交换机/路由器、核心/边缘...

类别:控制器 2017-03-27 11:04:55 标签: ADI 控制器 i Coupler ®

美高森美航天太空产品支持Iridium® NEXT卫星项目

%。据Databeans, Inc.标题为“2016军事和航空电子半导体”的研究报告称,美高森美是国防和航空半导体市场的领先供应商,约占20%市场份额。 美高森美的航空级产品包括二极管、整流器、齐纳二极管、瞬态电压抑制器(TVS)和MOSFET。此外,其FPGA可提供几种不同的密度和性能水平选择,使客户能够灵活选择适合应用的最佳尺寸。这些范围广泛的器件反映了公司重视向...

类别:其他应用 2017-03-27 10:58:00 标签: 美高森美 FPGA 卫星通信

安森美半导体亮点应用电力电子会议(APEC)

零静态功耗上电复位电路实现欠压锁定(UVLO) – 星期四, 3月30日, 上午11:30, 宴会厅 B/C 同时,工程师将能在安森美半导体展台观看领先技术的演示,包括一些首次展示的项目。展台访客将能够在现有的Power Supply WebDesigner™在线设计工具测试一个新的模块。同步降压动力总成模块提供完整的动力总成设计和分析,包括功率MOSFET、输出电感...

类别:综合资讯 2017-03-27 10:42:30 标签: 安森美 适配器 转换器

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MOSFET资料下载

MCRPCHIP工程师写的关于MOSFET驱动资料,个人感觉立即下载

MOSFET驱动AN799MOSFET 驱动器与 MOSFET 的匹配设计作者:Jamie Dunn Microchip Technology Inc. 2. 由于 MOSFET 驱动器吸收静态电流而产生的功 耗。简介当今多种 MOSFET 技术和硅片制程并存,而且技术进 步日新月异。要根据 MOSFET 的电压 / 电流或管芯尺 寸, 对如何将 MOSFET...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: MOSFET 驱动

功率场效应晶体管MOSFET立即下载

功率场效 应晶体管MOSFET 功率场效应晶体管MOSFET 摘要:文中阐述了MOSFET的结构、工作原理、静态、动态特性,并对动态特性的改进进行了论述,简介了MOSFET的驱动电路及其发展动态。 关键词:MOSFET 结构 特性 驱动电路 发展 Abstract:This paper elaborate MOSFET frame、work elements、static state...

类别:模拟及混合电路 2013年06月18日 标签: MOSFET

功率MOSFET立即下载

MOSFET的基础知识:2.功率MOSFET 的结构和工作原理:功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P 沟道和N 沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET 主要是N沟道增强型。2.1 功率MOSFET 的结构功率 MOSFET 的内部结构和电气符号如图1 所示;其导通时...

类别:IC设计及制造 2013年09月20日 标签: 功率MOSFET

功率场效应晶体管MOSFET详解立即下载

选择正确的MOSFET:工程师所需要知道的选择正确的MOSFET:工程师所需要知道的作者:飞兆半导体公司 Jonathan Harper 和Enrique Rodriguez随着制造技术的发展和进步,系统设计人员必须跟上技术的发展步伐,才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件,工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 选择 正确 MOSFET 工程 师所 需要 知道

MOSFET开关过程理解立即下载

MOSFET开关过程理解 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程。开关过程中,功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程。在跨越恒流区时,功率MOSFET漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列,线性增加。米勒平台区对应着最大的负载...

类别:模拟及混合电路 2013年06月08日 标签: MOSFET开关过程理解

功率MOSFET的基本知识-免费立即下载

功率MOSFET的基本知识功率MOSFET的基本知识自 1976 年开发出功率 MOSFET 以来,由于半导体工艺技术的发展,它的性能不断提高:如高压功率 MOSFET 其工 作电压可达 1000V;低导通电阻 MOSFET 其阻值仅 lOm;工作频率范围从直流到达数兆赫;保护措施越来越完善;并开 发出各种贴片式功率 MOSFET(如 Siliconix 最近...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 功率 MOSFET 的基 本知

MOSFET的工作原理立即下载

MOSFET的工作原理MOSFET的工作原理MOSFET的原意是:MOS(Metal OxideSemiconductor金属氧化物半导体),FET(Field EffectTransistor场效应晶体管),即以金属层...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: MOSFET 的工 作原

功率MOSFET的基本知识立即下载

功率MOSFET的基本知识:功率MOSFET主要用于计算机外设(软、硬驱动器、打印机、绘图机)、电源(AC/DC变换器、DC/DC变换器)、汽车电子、音响电路及仪器、仪表等领域。本文将介绍功率MOSFET的结构、工作原理及基本工作电路。什么是MOSFET:“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写,译成中文是“金属...

类别:IC设计及制造 2013年09月18日 标签: 功率MOSFET的基本知识

互补MOSFET的脉冲变压器隔离驱动电路设计立即下载

随着MOSFET 的应用日益广泛,在一些特殊场合常常会使用到互补MOSFET。本文针对互补MOSFET 的驱动问题进行了深入讨论,比较了常用的驱动电路,提出了一种针对互补MOSFET 设计的新型驱动电路,并通过仿真验证了结果。关键词:互补MOSFET,脉冲变压器,隔离驱动电路随着电力半导体器件的发展[1-2],已经出现了各种各样的全控型器件,最常用的有适用于大功率场合的大功率晶体管(GTR...

类别:电路仿真 2013年09月19日 标签: 互补MOSFET的脉冲变压器隔离驱动电路设计

N3856V动作原理说明立即下载

N3856V动作原理说明:DISCONTINUE MODE 是利用流經MOSFET 兩端的電流與MOSFET 本身之RDS(ON)形成電壓降(VSD)和內部參考電壓20mV 比較來控制MOSFET 的導通與關閉 , N3856V 內部有一個電流偵測電路(current decter), 其偵測端直接接於MOSFET 之源極(S)與洩極(D) ,因為此IC 之參考接地為MOSFET 之源極(S...

类别:IC设计及制造 2013年09月22日 标签: N3856V动作原理说明

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