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MOSFET

简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

在电子工程世界为您找到如下关于“MOSFET”的新闻

技术文章—MOSFET管的安全工作区
我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态,承受着很大的功耗,一但过压或过流就会导致功耗大增,晶圆结温急剧上升,如果散热不及时,就会导致器件损坏,甚至可能会伴随爆炸,非常危险。这里就衍生一个概念,安全工作区。一、什么是安全工作区?安全工作区:SOA(Safe operating area)是由一系列(电压,电流...
类别:分立器件 2019-02-18 标签: MOSFET
Vishay新款2.5 A IGBT和MOSFET驱动器,让工作效率更上一层楼
器件最高输出电流2.5 A,适用于电机驱动、可替代能源和其他高工作电压的应用 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驱动器---VOD3120A,扩展其光电产品组合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装,低压降输出电流损耗仅为3.5 mA...
类别:驱动 2019-02-15 标签: MOSFET Vishay
IDM厂看好MOSFET市况
虽然美中贸易战引发的总体经济不确定性,对第一季半导体市场造成冲击,但包括英飞凌(Infineon)、安森美(ON Semi)、威世(Vishay)等国际IDM大厂,在近期召开的法人说明会中不约而同表示,受惠于5G及电动车等新需求明显成长,对今年金氧半场效晶体管(MOSFET)等功率半导体市况抱持乐观看法,下半年仍有可能持续供不应求。 此外,晶圆代工厂持续受惠于IDM...
类别:市场动态 2019-02-12 标签: MOSFET
Vishay最新第四代600V E系列MOSFET器件问市
超级结器件降低传导和开关损耗,提高通信、工业和企业级应用能效日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %,为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案,同时,栅极电荷下降60...
类别:分立器件 2019-01-28 标签: Vishay MOSFET
ST超结MOSFET帮助电桥和ZVS相移转换器实现更高效能
意法半导体的MDmesh™ DM6 600V MOSFET含有一个快速恢复体二极管,将该公司最新的超结(super-junction)技术的性能优势引入到全桥和半桥拓扑、零电压开关(ZVS)相移转换器等通常需要一个稳定可靠的二极管来处理动态dV/dt的应用和拓扑结构里。 MDmesh DM6 MOSFET利用意法半导体先进的载流子寿命控制技术减少反向恢复...
类别:转换器 2019-01-22 标签: 意法半导体 MOSFET 电桥
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可显著提高汽车安全性
摘要意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范,具体而言,低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。1. 前言EPS和EPB系统均由两个主要部件组成:电动伺服单元和机械齿轮单元。电动伺服单元...
类别:行业动态 2019-01-21 标签: 意法半导体 MOSFET EPS EPB
ST40V功率MOSFET让汽车更安全
摘要意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范,具体而言,低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。 1. 前言 EPS和EPB系统均由两个主要部件组成:电动伺服单元和机械齿轮单元。电动伺服单元将电机...
类别:动力系统 2019-01-21 标签: ST
Allegro Microsystems推出全新BLDC MOSFET驱动器
新产品针对外部微处理器应用可提供完整的模拟系统解决方案  功率器件和传感器技术的全球领导厂商Allegro MicroSystems(以下简称Allegro)宣布推出符合ISO-26262标准的全新N沟道功率MOSFET驱动器AMT49105,新产品能够简化电机系统设计,并通过集成所需的功率模拟系统而减少了PCB面积。 AMT49105得益于强大...
类别:驱动 2018-12-24 标签: Allegro Microsystems
探讨1200 V 碳化硅 MOSFET的稳固性
碳化硅MOSFET是功率转换器效率最大化的最佳解决方案吗? 本文探讨了最近在1200 V,80mΩ碳化硅MOSFET上进行的研究,突出了其短路能力。 碳化硅(SiC)MOSFET具有极高的开关损耗,可最大限度地提高功率转换器的效率。 然而,在确定这些器件是否是用于实际功率转换应用的实际解决方案时,它们的短路鲁棒性一直是讨论的主题。 由于相对较小的芯片尺寸...
类别:转换器 2018-12-21 标签: MOSFET
集微网消息,晶圆代工厂茂硅现金增资案顺利完成,成功募得8.61亿元新台币,主要用于扩产以及偿还银行借款。茂硅大股东朋程也公布认购茂硅现金增资8925张,斥资近1.83亿元新台币。受惠金氧半场效电晶体(MOSFET)供不应求,茂硅今年持续接单满载,公司办理现金增资案,以因应购置机器设备以进行扩产,预计新产能自2020年开出,将贡献当年2.85亿元新台币营收。茂硅此次现增发行新股...
类别:综合资讯 2018-12-15 标签: MOSFET 茂硅

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MOSFET驱动AN799MOSFET 驱动器与 MOSFET 的匹配设计作者:Jamie Dunn Microchip Technology Inc. 2. 由于 MOSFET 驱动器吸收静态电流而产生的功 耗。简介当今多种 MOSFET 技术和硅片制程并存,而且技术进 步日新月异。要根据 MOSFET 的电压 / 电流或管芯尺 寸, 对如何将 MOSFET...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: MOSFET 驱动
MOSFET的基础知识:2.功率MOSFET 的结构和工作原理:功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P 沟道和N 沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET 主要是N沟道增强型。2.1 功率MOSFET 的结构功率 MOSFET 的内部结构和电气符号如图1 所示;其导通时...
类别:电机 2013年09月20日 标签: 功率MOSFET
MOSFET的工作原理MOSFET的工作原理MOSFET的原意是:MOS(Metal OxideSemiconductor金属氧化物半导体),FET(Field EffectTransistor场效应晶体管),即以金属层...
类别:电机 2013年09月29日 标签: MOSFET 的工 作原
选择正确的MOSFET:工程师所需要知道的选择正确的MOSFET:工程师所需要知道的作者:飞兆半导体公司 Jonathan Harper 和Enrique Rodriguez随着制造技术的发展和进步,系统设计人员必须跟上技术的发展步伐,才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件,工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 选择 正确 MOSFET 工程 师所 需要 知道
功率MOSFET的基本知识功率MOSFET的基本知识自 1976 年开发出功率 MOSFET 以来,由于半导体工艺技术的发展,它的性能不断提高:如高压功率 MOSFET 其工 作电压可达 1000V;低导通电阻 MOSFET 其阻值仅 lOm;工作频率范围从直流到达数兆赫;保护措施越来越完善;并开 发出各种贴片式功率 MOSFET(如 Siliconix 最近...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 功率 MOSFET 的基 本知
功率场效 应晶体管MOSFET 功率场效应晶体管MOSFET 摘要:文中阐述了MOSFET的结构、工作原理、静态、动态特性,并对动态特性的改进进行了论述,简介了MOSFET的驱动电路及其发展动态。 关键词:MOSFET 结构 特性 驱动电路 发展 Abstract:This paper elaborate MOSFET frame、work elements、static state...
类别:模拟及混合电路 2013年06月18日 标签: MOSFET
能同时满足高、低b值的晶体管工作要求的设计方案8.2.6驱动效率8.3贝克(baker)钳位8.3.1baker钳位的工作原理8.3.2使用变压器耦合的baker钳位电路8.3.3变压器型baker钳位[5]8.3.4达林顿管(darlington)内部的baker钳位电路8.3.5比例基极驱动[2~4]8.3.6其他类型的基极驱动电路参考文献第9章大功率场效应管(mosfet)及其驱动电路9.1...
类别:开关电源 2013年06月18日 标签: 开关电源设计
MOSFET开关过程理解 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程。开关过程中,功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程。在跨越恒流区时,功率MOSFET漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列,线性增加。米勒平台区对应着最大的负载...
类别:电机 2013年06月08日 标签: MOSFET开关过程理解
P-MOSFET的开关实例在上电过程中,I/O供电电源经过MOSFET管连接到外部电源上,外部电源通过DC/DC模块变换后作为内核电源。只有当内核电源的稳定状态输出引脚输出低电平时,才会接通外部I/O电源,保证了内核先于I/O供电。  在掉电过程中,由于外部供电线路中某些容性器件的存在,外部电源电压由正常值到0状态会有一个过程。因此,当外部电源降低到DC/DC...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: PMOSFET 的开 关实
0922MOSFETMOSFET驱动电路总结在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。   下面是我对MOSFETMOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: MOSFET及MOSFET驱动电路总结

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FET是电压控制器件. 按结构场效应管分为:结型场效应(简称JFET)、绝缘栅场效应(简称MOSFET)两大类 按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种. 按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。 总的来说场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型...
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推挽输出:可以输出高、低电平,连接数字器件;推挽结构一般是指两个三极管分别受两个互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止。高低电平由IC的电源决定。 推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小、效率高。输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流。推拉式输出级...
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本帖最后由 littleshrimp 于 2019-1-24 21:46 编辑 Q1\Q3\Q4\Q5是OnSemi的BSS138LT3G,N−Channel MOSFET,200 mA, 50 V,SOT-23封装 主要用来驱动开发板上的LED Q2是Vishay的SI2323DS-T1-GE3,P-Channel MOSFET,20V,4A左右,SOT-23封装...
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电源工程师最怕什么?炸机!用着用着就坏了,莫名其妙MOS管就炸了,真是又怕又恨,可到底是哪里出问题了呢?这一切都和SOA相关。我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态,承受着很大的功耗,一但过压或过流就会导致功耗大增,晶圆结温急剧上升,如果散热不及时,就会导致器件损坏,甚至可能会伴随爆炸,非常危险。这里就衍生一个概念,安全工作区...
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,PMOS也画的不对。实际上防反接电路就像第二张图一样就可以了,甚 ...[/quote] 罗姆的MOSFET就是类似于第一张图那种画法,没画体二极管的...
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、LED恒流驱动IC、锂电充电管理IC、锂电保护IC、MOSFET、功放IC、运放IC、 存储IC、等系列产品。 AP9195升压IC的优点 ?@ AP9195宽输入电压范围:7V~24V,可升压到90V,输出功率稳定 ?@AP9195 高效率可高达 95%,AP9195 内置高精度误差放大器,固 定关断时间控制电路,恒流驱动电路等,特别适合大功率、多个高亮度 LED 灯串的恒流驱动...
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FP6296 是一顆电流模式DC-DC升压转换器,脉波宽度调变(PWM),內置0.015Ω,10A,14VMOSFET,能做大功率高转换效率,周边元件少节省空间,适合用在便携式产品,宽电压(2.7V~12V),单节与双节电池都能用,精准反馈电压1.2V(±2%),过流保护点通过外部电阻调整,电流模式可让瞬态响应系统稳定性高,轻载可进入省电模式(Skip Mode),达到轻载高效率...
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