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MDmesh���

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马达驱动应用求小巧/稳定/高效能 MOSFET新技术富潜力

MOSFET(图3中)则采用了UltraFASTmesh制程,其主要特性包括降低的RDS(on)通态电阻、齐纳栅极保护、极高的dv/dt耐受度,以及改善的快速恢复体漏二极管。超接面MOSFET则采最新MDMesh DM2快速二极管技术(图3右)。 改善的生命周期控制方法使内部体硅二极管的反向恢复速度更快,软度和稳健性更佳,具极低的反向恢复电荷(Qrr)和极缩的反向恢复时间(trr...

类别:半导体生产 2017-11-03 20:12:45 标签: MOSFET

意法半导体(ST)拥有丰富的普通LED照明元器件和开发工具: 架构、产品、评测工具

意法半导体(ST)拥有丰富的普通LED照明元器件和开发工具: 架构、产品、评测工具

(2016年第四季度上市)是一款离线反激式LED驱动控制器,一次侧恒流稳压(PSR-CC)模式,内置调光功能(0-10, PWM和可控硅),可直接驱动单灯带,无需光耦和二次侧控制器。主要开关管推荐MDmesh™ K5功率MOSFET系列,我们发现 800-900-950Vbr产品(ST*N80K5、ST*N90K5和ST*N95K5 pn)特别适合这种拓扑。MDmesh™ K5系列...

类别:综合资讯 2017-07-28 16:15:20 标签: 照明 LED元器件开发 半导体

ST LED照明元器件和开发工具大全

ST LED照明元器件和开发工具大全

以上的功率,以及高功率因数,高能效,节省成本,有时需要多条灯带,有远程监控功能。在只有一条灯带时,通常使用反激式拓扑。意法半导体的新产品HVLED003D (2016年第四季度上市)是一款离线反激式LED驱动控制器,一次侧恒流稳压(PSR-CC)模式,内置调光功能(0-10, PWM和可控硅),可直接驱动单灯带,无需光耦和二次侧控制器。主要开关管推荐MDmesh™ K5...

类别:驱动IC 2017-07-28 15:49:02 标签: ST 意法半导体

意法半导体推出最新的MDmesh™ Dk5功率MOSFET管

意法半导体推出最新的MDmesh™ Dk5功率MOSFET管

2017年5月22日,意法半导体推出最新的MDmesh™ Dk5功率MOSFET管,内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管,这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效,包括零压开关(ZVS)LLC谐振转换器。作为超结MOSFET管,新产品额定电压范围950V至1050V,开关性能、导通电阻(RDS(ON))和硅单位面积流过的额定电流等技术参数...

类别:分立器件 2017-05-23 16:32:18 标签: 意法半导体 MDmesh™ Dk5 MOSFET管

ST推出新款MDmesh MOSFET内置快速恢复二极管 提升高能效转换器的功率密度

ST推出新款MDmesh MOSFET内置快速恢复二极管 提升高能效转换器的功率密度

意法半导体推出最新的MDmesh Dk5功率MOSFET管,内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管,这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效,包括零压开关(ZVS)LLC谐振转换器。下面就随电源管理小编一起来了解一下相关内容吧。ST推出新款MDmesh MOSFET内置快速恢复二极管 提升高能效转换器的功率密度作为超结MOSFET管,新产品...

类别:综合资讯 2017-05-23 12:47:02 标签: MDmesh MOSFET

意法半导体新款的MDmesh™ MOSFET内置快速恢复二极管

eeworld网消息,中国,2017年5月22日 —— 意法半导体推出最新的MDmesh™ Dk5功率MOSFET管,内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管,这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效,包括零压开关(ZVS)LLC谐振转换器。作为超结MOSFET管,新产品额定电压范围950V至1050V,开关性能、导通电阻(RDS(ON))和硅...

类别:半导体生产 2017-05-22 21:19:33 标签: 意法半导体

ST同级领先的900V MOSFET管提升反激式转换器的输出功率和能效

ST同级领先的900V MOSFET管提升反激式转换器的输出功率和能效

中国,2017年3月23日 —— 意法半导体最新的900V MDmesh™ K5超结MOSFET管让电源设计人员能够满足更高功率和更高能效的系统需求,具有同级最好的导通电阻(RDS(ON))和动态特性。900V击穿电压确保高总线电压系统具有更高的安全系数。新系列产品含有首个RDS(ON)导通电阻低于100mΩ的900V MOSFET管,是RDS(ON) 电阻最低的DPAK产品...

类别:转换器 2017-03-23 17:11:59 标签: 电压 充电器

ST推出新款超结MOSFET和1500V TO-220FP 宽爬电间距封装功率晶体管

ST推出新款超结MOSFET和1500V TO-220FP 宽爬电间距封装功率晶体管

; 意法半导体TO-220FP宽爬电功率晶体管目前进入量产准备阶段,支持一家全球主导电视厂商开发新产品。新系列产品包括四款完全达标的600V低导通电阻RDS(ON) MDmesh™ M2 MOSFET晶体管,额定电流8A至34A。1500V STFH12N150K5和1200V STFH12N120K5 MDmesh K5产品预计将于2016年第三季度前参加相关...

类别:半导体生产 2016-08-17 10:09:00 标签: 意法半导体 ST 超结MOSFET 1500V TO-220FP 宽爬电间距 封装 功率 晶体管

ST新的MOSFET晶体管技术/封装解决方案重新定义功率能效

ST新的MOSFET晶体管技术/封装解决方案重新定义功率能效

中国,2016年5月11日 —— 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)最新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET为低压电源设计人员提高计算机、电信网络、工业、消费电子产品的能效创造新的机会。     全世界的人都在...

类别:分立器件 2016-05-12 11:49:58 标签: 功率 能耗 二极管

半导体厂商重兵集结汽车电子,深挖智能汽车

半导体厂商重兵集结汽车电子,深挖智能汽车

快速恢复二极管的MDmeshTMDM2超结制造工艺,击穿电压范围为400V至650V,可提供D2PAK、TO-220及TO-247三种封装。     400V和500V两款新产品是市场上同级产品中首个获得AEC-Q101认证的功率MOSFET,而600V和650V产品性能则高于现有竞争产品。全系列产品专为汽车应用设计,内部集成快速恢复体二极管...

类别:行业动态 2016-01-26 20:39:20 标签: 半导体厂商 汽车电子 智能汽车

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MDmesh���资料下载

The right technology for solar converters立即下载

This solar inverter has been equipped with STMicroelectronics’ MDmesh™ and silicon carbide (SiC) devices to allow evaluation of these products in “green” technologies....

类别:电源技术 2013年09月07日 标签: The right technology for solar converters

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EEWORLD大学堂----600 V MDmesh II Plus低 Qg MOSFET 系列

600 V MDmesh II Plus低 Qg MOSFET 系列:http://training.eeworld.com.cn/course/2267600 V MDmesh II Plus低 Qg MOSFET 系列 EEWORLD大学堂----600 V MDmesh II Plus低 Qg MOSFET 系列...

101次浏览 2013-09-29 模拟电子

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600 V MDmesh II Plus低 Qg MOSFET 系列

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2013-08-07 标签: MOSFET

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