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LMG341x

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为高功率密度而生,TI 全新一代电源产品登场
6倍。TI 高压电源应用产品业务部氮化镓(GaN)功率器件产品线经理 Steve TomTI 本次发布的GaN高压产品LMG341x,其输入电压高达600V,其功率级的优势如下:更高的功率密度和效率:GaN功率级功率密度是硅 MOSFET的两倍,而功率损耗降低了 80%,具有高达 MHz级的切换频率。用于各种功率等级的设备:充分集成的驱动器、FET和 50 mΩ、 70 mΩ保护...
类别:电源设计 2018-11-06 标签: 高功率密度 GaN LMZM33606 TPS62827 LMG341x

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