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InGaAs

在电子工程世界为您找到如下关于“InGaAs”的新闻

  0 引言   在红外通信的1 310~1 550 nm波段,高灵敏度探测材料主要有Ge—APD和InGaAs/InP APD,两者相比较,InGaAs/InP APD具有更高的量子效率和更低的暗电流噪声。In0.53Ga0.47As/InP APD采用在n+-InP衬底上依次匹配外延InP缓冲层、InGaAs吸收层、InGaAsP能隙渐变层、InP电荷层与InP顶层...
  0 引言   在红外通信的1 310~1 550 nm波段,高灵敏度探测材料主要有Ge—APD和InGaAs/InP APD,两者相比较,InGaAs/InP APD具有更高的量子效率和更低的暗电流噪声。In0.53Ga0.47As/InP APD采用在n+-InP衬底上依次匹配外延InP缓冲层、InGaAs吸收层、InGaAsP能隙渐变层、InP电荷层与InP顶层...
砷化镓(InGaAs),电子在InGaAs中的传输速度是硅的数倍。MIT的MTL(微系统实验室)最近演示了用InGaAs制作的晶体管,传输电流是最先进的硅晶体管的2.5倍。而InGaAs晶体管的尺寸仅仅为60纳米。InGaAs晶体管的优点是能够减少芯片尺寸,提高信息处理的速度。 ??? 据MTL的电子学和计算机科学教授阿拉莫表示,我们每天都在使用手机、笔记本电脑以及iPod等产品...
类别:半导体 2006-12-12 08:50:23 标签: InGaAs 电流 芯片

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建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500 μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明,该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151 nA,在直径500 μm的光敏面上其光响应均匀性良好。提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法,只需利用普通的测量电流-电压的测试仪器,就可以获得开始倍增时的光电流,从而得到APD的倍增因子...
类别:其他 2013年09月18日 标签: InGaAs InP APD探测器光电特性检测
InGaAs 雪崩光电二极管特点:平面正照型光纤耦合或TO-Can封装响应度高暗电流低最大可用增益 20应用:光通讯接收设备CATV接收机OTDR...
类别:IC设计及制造 2013年09月20日 标签: InGaAs 雪崩光电二极管
InGaAs_PIN光电二极管_(AP0917TP)...
类别:模拟及混合电路 2014年04月27日 标签: InGaAs_PIN光电二极管
sfp-光模块接口介绍ESFP7313-53-DDM1250M 单模 15 公里 SFP 光模块1. 特点: 1310 波长 FP 激光器发射 InGaAs 光电二极管接收 工作速率达到 1250M 兼容 SFP MSA and SFF-8472 工业级标准的小封装 双 LC 接口 单 3.3V 供电 差分的 LVPECL 电平输入和输出 TTL 信号检测...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 光模 块接 口介
  Ge-APD及InGaAs/InGaAsP/InPSAGM-APD都可以用来探测1.1~1.6 m的红外光。在长波长光纤通信系统中, 需要波长为1.3~I.5Spm的红外光探测器。在该光通信系统中,通过光纤入射到探测器光敏面的平均光功率一般在0.1 W~1O W范围。要探测这样馓弱的光信号,不仅要求光探测器本身的噪声信号要小,而且要求性能稳定。就是说,外界温度和湿度的变化对光...
类别:射频 2013年09月22日 标签: APD 暗电流
        Ge-APD及InGaAs/InGaAsP/InPS AGM-APD都可以用来探测 1.1 ~1.6m的红外光。在长波长光纤通信系统中,需要波长 为1.3 ~1.5 Spm的红外光探测器。在该光通信系统中,通过光纤入射到探测器光敏面的平均 光功率一般在0.1W~1OW范围。要探测这 样馓弱的光信号...
类别:科学普及 2013年12月06日 标签: 各种APD暗电流的比较
之成为军方的“宠儿”。特别是冷战军备竞赛,军方投入巨资使红外探测技术发展突破了前进道路上一个又一个的障碍,使红外探测器技术从30 年代单一的PbS 器件发展到现在的多个品种,包括InSb、HgCdTe、PtSi、InGaAsGaAlAs、非本征硅等量子探测器、 Vox、PZT、多晶硅和非晶硅等热探测器;从单元器件发展到目前焦平面信号处理的大型红外焦平面阵列。其阵列集成规模已高达2048´...
类别:电机 2013年09月22日 标签: 红外焦平面阵列技术的未来二十年
Nios Ⅱ处理器灵活性和 FPGA 处理速度快的优点,构建出结构灵活、处理速度高以及功能完善的图像处理系统。该系统能同时实时实现两点校正算法、加权滤波算法、对比度增强算法以及疵点补偿等多项功能。 本系统成功应用于国内某研究所研制的目前国内最大型面阵 (PtSi 512×512) CCD 焦平面探测器成像组件中,得到了良好的成像效果;同时,由该处理系统构成的 InGaAs 成像组件也处于国内领先水平...
类别:Altera 2014年03月05日 标签: 基于FPGA的红外图像处理技术研究
        PD芯片基本工作原理;PD芯片设计说明;PD芯片工艺流程;PD芯片参数及测试;PD芯片实例。...
类别:科学普及 2013年12月06日 标签: InGaAs_InP PD芯片知识
一种常用于光电转换的光电二级管技术资料。...
类别:消费电子 2014年09月10日 标签: 一种光电二极管资料

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Agilent/安捷伦 81624A/B  InGaAs 光学探头 描述    Keysight (原安捷伦)81624A/81624B 光功率探头专为探测低 PDL、低频谱波动以及高回波损耗而设计,适用于光元器件测试。 该探头配有磁性 D 型适配器,并支持安全操作。 光探头必须与单(Keysight 81618A)或双(Keysight...
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       中科大教授潘建伟及其同事张军等近日在国际上首次实现1.25GHz InGaAs/InP单光子探测器单片集成读出电路,该技术突破可使高速量子通信终端设备中体积占比最大的探测器模块尺寸减小一个数量级以上,为未来研制小型化量子通信系统奠定了重要的器件基础。经测算,最终集成的微型高速单光子探测器模块,与现有同功能高速单光子探测器相比,模块体积可减小...
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中证通合肥公司讯 中科大教授潘建伟及其同事张军等近日在国际上首次实现1.25GHz InGaAs/InP单光子探测器单片集成读出电路,该技术突破可使高速量子通信终端设备中体积占比最大的探测器模块尺寸减小一个数量级以上,为未来研制小型化量子通信系统奠定了重要的器件基础。经测算,最终集成的微型高速单光子探测器模块,与现有同功能高速单光子探测器相比,模块体积可减小20倍。   机构认为,量子通信...
101次浏览 2017-12-12 信息发布

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◆ RFID标签 ◆ 网络分析 ◆ 线路测试 ◆ 寻线器 ◆ 设置帮助 ◆ 问题处理 技术参数: 功能参数光功率计波长范围(nm)800~1600探头类型InGaAs功率测量范围(dBm)-70~+5(-50~+25广电)测量精度5%显示分辨率(dBm)0.1光纤类别单模光纤接口SC红光源工作波长(nm)650发光器件FP-LD输出功率(mw)5调制0HZ、1HZ、2HZ光纤...
202次浏览 2017-10-19 信息发布

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技术资料 特定的校准选件 ·使用特定校准时,不确定度为 ±1.5% ·使用 PTB 校准时,不确定度为 ±0.8% 波长范围:800 - 1700 nm的 光功率范围:10 dBm至-90 dBm的 传感元件: InGaAs 选用二手测量仪器的优势是: 1、与新购仪器几个月的供货期相比,购买二手仪器的供货期要短的多。在 时间就是市场的今天,优 势无疑是最为明显...
202次浏览 2017-05-15 信息发布 标签: 电子技术 东莞市 经营部 通用 便宜

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元件错位,需要厂家重新进行对准和校准。如果拆除了狭缝,将需要把InGaAs探测器和DLP2010NIR返厂进行系统对准与校准。我们先来快速浏览一下。如下图所示,基于DLP的分光计利用数字微镜器件 (DMD)和单点探测器取代了传统线性阵列探测器。通过按顺序打开与特定波长光相对应的一组镜列,对应光线被指向探测器,并被捕获。通过扫描DMD上的一组镜列,可以计算出吸收光谱。要获得与DLP分光计实现方式相关...
1733次浏览 2016-04-13 【DSP】 标签: 评估

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、红外)、PSD(位置传感器)、CCD、四象限探测器、InGaAs四象限探测器、光电倍增管、接收头、APD(雪崩二极管)、InGaAs APD、发射管(紫外、可见光、红外)、光敏二极管、光敏三极管、PIN管、光电二极管、光电开关、颜色传感器、振动传感器、电源模块、InGaAs探测器、紫外LED(240nm、245nm、250nm、255nm、260nm、265nm、270nm、275nm...
1256次浏览 2011-10-24 信息发布 标签: 传感器 探测器 分辨率 光电池 光电子

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  上海欧光电子科技有限公司专业提供国外全系列四象限探测器(包括PIN四象限,InGaAs四象限和APD四象限探测器件),有不同受光面积,内置放大电路和分辨率可选,高响应(动态范围),可靠性好,宽温度范围。响应波长有紫外光,可见光(太阳光,自然光),650nm激光,红外光,YAG 1064nm及1310nm, 1550nm等,并配有处理电路板(集成化,抗干挠,非线性误差小,GAP精度...
1373次浏览 2011-10-24 信息发布 标签: 探测器 分辨率 光电子 红外光

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~-50dBm  @1550nm 分辨率(dB) 0.01 标定波长(nm) 850/1300/1310/1550/1490/1625 探头类型 InGaAs 精度 ±5%±1nW ±5%±10nW 频率识别范围 ≥-40dBm@1550nm ≥-20dBm@1550nm 工作波长(nm...
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