IDM

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士兰微前三季度净利预增130%,8英寸芯片产出单月已达10000片

芯片产出已达到10000片。士兰微是国内最大的IDM厂商正保持良性快速发展,国家大基金也非常支持士兰微电子做大IDM规模,同时国家大基金也是士兰微生产线的重要投资股东之一,在8英寸产线上投资了士兰微6亿元。士兰微五英寸和六英寸产线,目前产能为21万片/月,在2017年全球芯片制造6英寸及6英寸以下的产能中,士兰微产能排名占到全球第五位。士兰微董事长陈向东在接受集微网采访时表示...

类别:半导体生产 2017-10-20 20:39:25 标签: 8英寸芯片

扬杰科技提升国产替代化,今年前三季度净利润预计增长45%

电子网消息(文/邓文标)扬杰科技日前发布三季度业绩预告,预计2017年前三季度归属于上市公司股东的净利润为1.98-2.13亿元,同比增长35-45%,2017年第三季度归属上市公司股东的净利润为0.62-0.77亿元,同比增长28.56%-58.65%。作为国内第二大半导体分立器件IDM厂商——扬杰科技是立足国内功率二极管行业龙头地位,整合多方研发力量,成功研制放电管...

类别:半导体生产 2017-10-20 20:20:53 标签: 扬杰科技

士兰微前三季度净利预增130%,8英寸芯片产出单月已达10000片

,产出逐月增加,9月份芯片产出已达到10000片。  士兰微是国内最大的IDM厂商正保持良性快速发展,国家大基金也非常支持士兰微电子做大IDM规模,同时国家大基金也是士兰微生产线的重要投资股东之一,在8英寸产线上投资了士兰微6亿元。士兰微五英寸和六英寸产线,目前产能为21万片/月,在2017年全球芯片制造6英寸及6英寸以下的产能中,士兰微产能排名占到全球第五位。  士兰微董事长陈...

类别:综合资讯 2017-10-20 15:31:36 标签: 士兰微 芯片

士兰微前三季度净利预增130%,8英寸芯片产出单月已达10000片

芯片产出已达到10000片。士兰微是国内最大的IDM厂商正保持良性快速发展,国家大基金也非常支持士兰微电子做大IDM规模,同时国家大基金也是士兰微生产线的重要投资股东之一,在8英寸产线上投资了士兰微6亿元。士兰微五英寸和六英寸产线,目前产能为21万片/月,在2017年全球芯片制造6英寸及6英寸以下的产能中,士兰微产能排名占到全球第五位。士兰微董事长陈向东在接受集微网采访时表示...

类别:综合资讯 2017-10-20 08:48:49 标签: 士兰微

中芯国际双CEO 1+1>2 为大陆半导体事业愿景携手

于国外起步较晚,相比于许多国际IDM与世界第一梯队半导体公司,中芯国际仍处于较早的“成长期”与“积累期”,而梁孟松过去数十年专注于研发与团队管理,有了这位世界级领导加入,预期“孟松+海军”双首长领导会发挥1+1>2的综效,也对中芯国际持续朝向国际级企业带来有帮助的成长。 至于外界关注的两人未来如何分管不同部门与职掌?李智表示,目前两人仍将携手,共同管理公司,双方...

类别:半导体生产 2017-10-19 20:30:54 标签: 中芯国际

扬杰科技提升国产替代化,今年前三季度净利润预计增长45%

集微网消息(文/邓文标)扬杰科技日前发布三季度业绩预告,预计2017年前三季度归属于上市公司股东的净利润为1.98-2.13亿元,同比增长35-45%,2017年第三季度归属上市公司股东的净利润为0.62-0.77亿元,同比增长28.56%-58.65%。作为国内第二大半导体分立器件IDM厂商——扬杰科技是立足国内功率二极管行业龙头地位,整合多方研发力量,成功研制放电管...

类别:市场动态 2017-10-18 10:08:37 标签: 扬杰科技

扬杰科技提升国产替代化,今年前三季度净利润预计增长45%

集微网消息(文/邓文标)扬杰科技日前发布三季度业绩预告,预计2017年前三季度归属于上市公司股东的净利润为1.98-2.13亿元,同比增长35-45%,2017年第三季度归属上市公司股东的净利润为0.62-0.77亿元,同比增长28.56%-58.65%。作为国内第二大半导体分立器件IDM厂商——扬杰科技是立足国内功率二极管行业龙头地位,整合多方研发力量,成功研制放电管...

类别:便携/移动产品 2017-10-18 08:49:38 标签: 扬杰科技

中国集成电路产业规模首破千亿 背后隐忧仍存

技术落后世界领先水平2代,且缺乏有规模的集成器件制造(IDM)企业。  随着建厂数量越来越多,国内集成电路制造企业面临的竞争将日益激烈,但工艺技术往前发展却越来越难;同时,设备、材料价格波动也越来越大。到2020年,产业需要30万专业技术人员,目前存在巨大的人才缺口。另外,还时常面临海外的技术壁垒。  工信部电子信息司集成电路处处长任爱光表示,国产芯片制造业近年来有所进步,但两个...

类别:市场动态 2017-10-11 10:07:00 标签: 集成电路

集成电路制造业产值突破千亿元 投资活跃短板犹存

面临的挑战仍不容忽视。国内晶圆制造技术落后于世界领先水平达2代,缺乏有规模的集成器件制造(IDM)企业。即使在目前芯片制造业快速增长的同时,其中很大一部分是在华外资公司的增长。在目前中国前十大芯片制造公司中,外资公司数量占据一半,营收比重占到56%。  “中国集成电路产品的全球市场份额仍然很小,与需求相比有很大的差距。”清华大学微电子所所长魏少军表示,我国集成电路制造业长期...

类别:综合资讯 2017-10-10 15:46:51 标签: 集成电路

集成电路制造业产值突破千亿元 投资活跃短板犹存

面临的挑战仍不容忽视。国内晶圆制造技术落后于世界领先水平达2代,缺乏有规模的集成器件制造(IDM)企业。即使在目前芯片制造业快速增长的同时,其中很大一部分是在华外资公司的增长。在目前中国前十大芯片制造公司中,外资公司数量占据一半,营收比重占到56%。  “中国集成电路产品的全球市场份额仍然很小,与需求相比有很大的差距。”清华大学微电子所所长魏少军表示,我国集成电路制造业长期...

类别:半导体生产 2017-10-07 20:07:07 标签: 集成电路

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打造IDM注重设计属性-建言我国IC产业发展立即下载

打造IDM注重设计属性-建言我国IC产业发展在最近关于IC 产业发展趋势的讨论中,有些文章把IDM 和Foundry 看作是芯片制造业的两种不同运作模式。这种看法有一定道理,但不够全面,实际上IDM 和Foundry 在芯片设计方面的差别可能更大。单就IDM 的设计水平而言,特别是结合工艺的设计优化水平,已是Foundry+Fabless 难以达到。因此有必要注重IDM 的设计属性,以利于...

类别:射频与通信技术 2013年09月19日 标签: 打造IDM注重设计属性建言我国IC产业发展

IBOC Files.立即下载

Filter Selection in HD Radio™ Receivers Rev. 1.0 February25, 20036. IDM_Description04172003.pdf HD Radio Commercial Receiver IDM Description Rev. A. April 17, 20037. FrequencyAccuracy_Rx042003.pdf...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: Files

CMOS基本放大器设计立即下载

CMOS基本放大器设计°òMOSFET¤j1. 2. 3.°q]-pP¤R °òMOSFET¤j IC MOSFET¤j8-22¤¤z ]¤Z°q]-pP¤RDiscrete MOSFET amplifiers°]-p1. 2. 3.]° IG=0A qe ]-pC IDM VGSA¤p¤]-pCRGq±`¤jb Mδ ≥∫Χβ ICs{í AG°]-p...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 基本 放大 器设

切換式電源供應器的EMI 濾波器設計方法立即下载

Neutral ¤W A@°TqyMt°Tqy¤qhOHVqtYX A¨ YHíp¤U G ρ ρ ρ IL = ICM + IDM (1) ρ ρ ρ ¨¤¤AIL °yg Line ¤§`°TqyAIN °yg Neutral ¤§`°TqyC °¤F§í¨°T A§-°w°T¤¨X |i¤R C @°TD-nOq¤W¤§ Power MOSFET(Cq) B ……...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: EMIFilter

专家解读手机芯片市场立即下载

、Freescale等IDM厂家早在手机芯片市场攻城略地外,近年来随前几大IC设计公司Broadcom、Marvell以及MediaTek持续深化在手机芯片市场布局,使得手机芯片市场版图产业竞争版图也出现微妙变化。低价手机成市场主力,芯片设计面临新挑战根据IEK-ITIS计划预计,2007年至2011年间,全球手机市场出货量约维持在10.5亿至13亿支规模,尽管经历过2000年以前快速成长期后,手机...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 专家 解读 手机 芯片 市场

MOSFET的参数立即下载

MOS的参数Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流上升率(外电路参数)dv/dt---电压上升率(外电路参数)ID---漏极电流(直流)IDM---漏...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 的参

NTHD4P02F_ONSEMI_79870.pdf立即下载

TJ = 85°C TJ = 25°C ID IDM PD Symb……...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: NTHD4P02F ONSEMI 79870

切换式电源供应器的EMI滤波器设计方法立即下载

電流分量,而差模雜訊電流IDM 指的是直接流經Line 和Neutral兩線之間而不流經過地線之雜訊電流分量。...

类别:其他 2013年09月19日 标签: 切换式电源供应器的EMI滤波器设计方法

MOSFET datasheet参数理解及其主要特性立即下载

。此参数会随结温度的上升而有所减额。IDM :最大脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额。PD:最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于 PDSM并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升而有所减额。VGS :最大栅源电压。Tj :最大工作结温。通常为 150 ℃ 或 175 ℃,器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度,并留有一定...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: MOSFET datasheet 参数 理解 及其 主要 特性

传导式EMI的测量技术立即下载

ElectrotechnicalCommission;IEC)」所定义的「有保护的接地(Protective Earth)」之符号(在接地线的四周有一个圆形),而且有时会以「PE」来注明。DM 噪声源是透过L 和N 对偶线,来推挽(push and pull)电流Idm。因为有DM 噪声源的存在,所以没有电流通过接地线路。噪声的电流方向是根据交流电的周期而变化的。...

类别:嵌入式系统 2013年09月20日 标签: 传导式EMI的测量技术

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