IDM

在电子工程世界为您找到如下关于“IDM”的新闻

兆芯华力携手打造国内首个通用CPU专用工艺平台

企业掌握了设计技术,但一颗高质量、高效能的CPU,其设计平台与制造工艺平台需要紧密结合。目前国内通行的fabless+foundry模式与英特尔采取的IDM模式是有区别的。英特尔的IDM模式将设计与工艺平台整合在一起,工艺平台几乎就是为通用CPU的生产进行服务,可以及时调试工艺技术实现CPU效能的最大化;AMD尽管其制造平台已经独立为格罗方德,但其为AMD CPU制造的14nm...

类别:半导体生产 2017-05-24 20:54:02 标签: 华为 CPU

Qualtera Silicondash开始进行全球供应链管理

产品质量。Qualtera通过ISO 9001和ISO 27001认证,客户包含全球IC设计、整合组件厂(IDM)、晶圆代工和封装测试公司。 近日Qualtera成为展讯通信(以下简称展讯)合作伙伴,将Silicondash方案导入展讯全球供应链管理中,进一步提高IC质量控制、供应链可视性、IC可追溯性和良率管理的总体效率。展讯作为紫光集团旗下的芯片设计企业,致力于智能手机...

类别:半导体生产 2017-05-23 20:45:57 标签: Qualtera Silicondash

从落后到超越 中国先进封装占比稳步提升

从落后到超越 中国先进封装占比稳步提升

。几乎全球主要的IDM和封测厂商都在中国设有封装工厂,以获得成本优势。在中国进行封装和组装的IC芯片中,有很多产品的出货量来自于小厂商,他们主要从事低引脚数的芯片封装,且专注于中国市场。大多数公司都集成在长三角地区,包括江苏、上海、浙江等省市,还有一些分布于珠三角地区,如广东省。中国具备先进封装技术的企业分布情况中国半导体2.0研究还认为,中国半导体大致会经历三个阶段。从...

类别:封装测试 2017-05-23 09:14:27 标签: 封测 球栅阵列 倒装芯片

长川科技受大基金青睐 半导体测试设备国产化空间巨大

在DRAM产业实现快速赶超。NEC在1985年成为全球最大半导体公司,日本更是在1986年超过美国成为世界最大半导体生产国。1989年世界半导体TOP10中有六家日本公司,TOP20日本公司占据10席,半导体第一次大规模转移到此达到巅峰。在IDM模式主导下,日本通过DRAM一举实现了从制造到设备、材料等支柱产业的全产业链领导格局。日本半导体制造行业营收在1989年占全球51...

类别:半导体生产 2017-05-19 20:37:16 标签: 长川科技 半导体

我国集成电路产业全景扫描

、控制电路、霍尔传感器、加速度传感器等为主。收购AMD苏州、槟城两厂股权后,两厂先进的倒装芯片封测技术和通富微电原有技术互补,将提升先进封装销售收入占比。  华天科技在昆山、西安、天水三地布局,其中昆山厂,主攻高端技术,在并购FCI后,将主营晶圆级高端封装,营收能力也可实现较大提升。  商业模式:是否发展IDM有争议  在对产业状况进行大致梳理之后,中国IC应采取何种模式方能...

类别:综合资讯 2017-05-19 15:52:01 标签: 集成电路 存储器

中国集成电路产业全景扫描

晶圆级高端封装,营收能力也可实现较大提升。商业模式:是否发展IDM有争议在对产业状况进行大致梳理之后,中国IC应采取何种模式方能更好地发展呢?中国业界常有对于是否应该发展IDM模式的争论。从对中国集成电路产业上下游的带动来看,制造环节是最明显的。从本轮“国家集成电路产业投资基金”重点投资制造业,以及大量投资涌入中国集成电路制造业的情况来看,整个业界也是相当看好以Foundry为...

类别:市场动态 2017-05-19 09:04:44 标签: 集成电路 封装测试 IC设计 产能

智能传感器产业三年行动指南

产业发展情况,彭红兵表示,当前,我国一批企业具备了一定的规模和技术实力。自主研发能力提升,设计、制造、封装等环节产生了一批创新成果,部分技术领域打破了国际垄断。此外,随着传统半导体代工和封测厂商进入智能传感器领域,国内产业组织模式以专业化分工明确的虚拟IDM模式为主。与此同时,我国的智能传感器还存在一些共性问题,例如,核心制造技术滞后于发达国家,创新产品少、结构不合理。产业链...

类别:传感器 2017-05-16 20:43:36 标签: 智能传感器

对手or朋友 三个词说清楚处理器厂商间关系

对手or朋友 三个词说清楚处理器厂商间关系

就为大家把这些问题捋清楚。  Fabless、Foundry和IDM三个词就能说清楚  其实他们之间的关系挺简单的,所有和处理器扯得上关系的厂商,都能够简单地分为三类:Fabless和Foundry、IDM。  Fabless指的是没有芯片生产能力,但是有芯片设计能力的厂商,手机厂商中的华为、苹果和小米,还有高通和联发科,都属于Fabless,高通核联发科这两家卖处理器的没有...

类别:综合资讯 2017-05-16 14:40:54 标签: 处理器 MTK

台RF芯片厂接单大跃进 晶圆代工厂力挺 产能、价格弹性支持

意外之喜,因为目前全球RF芯片市场仍有不少比重由国际IDM厂所掌握,相关晶圆代工厂有意趁势突围,台系RF芯片供应商在晶圆厂的助阵氛围下,2017年出货纷纷喊冲。 立积结算4月营收冲上新台币逾2.11亿元的历史新高纪录;宏观微结算4月营收为9,500万元,年增率约12%;笙科则已公告4月营收为7,600万元,年增率在5%以上。...

类别:半导体生产 2017-05-13 17:01:54 标签: 台积电 晶圆 台RF芯片

合肥晶合产业链对接会在合肥新站区召开

,合肥着力发展集成电路产业,计划到2020年,培养发展设计企业50家以上,形成数个特定行业的IDM公司,设计产业进入国内前五名;建设3-5条特色8寸或12寸晶圆生产线,综合产能超10-15万片/月,成为国内最大的面板驱动,汽车电子,功率集成电路,特色存储器等特定芯片的生产基地。为此,合肥市设立了总规模100亿元的集成电路产业投资基金,并设立了总规模10亿元的集成电路产业投资基金及...

类别:半导体生产 2017-05-11 23:00:45 标签: 晶圆

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IDM资料下载

打造IDM注重设计属性-建言我国IC产业发展立即下载

打造IDM注重设计属性-建言我国IC产业发展在最近关于IC 产业发展趋势的讨论中,有些文章把IDM 和Foundry 看作是芯片制造业的两种不同运作模式。这种看法有一定道理,但不够全面,实际上IDM 和Foundry 在芯片设计方面的差别可能更大。单就IDM 的设计水平而言,特别是结合工艺的设计优化水平,已是Foundry+Fabless 难以达到。因此有必要注重IDM 的设计属性,以利于对...

类别:射频与通信技术 2013年09月19日 标签: 打造IDM注重设计属性建言我国IC产业发展

CMOS基本放大器设计立即下载

CMOS基本放大器设计°òMOSFET¤j1. 2. 3.°q]-pP¤R °òMOSFET¤j IC MOSFET¤j8-22¤¤z ]¤Z°q]-pP¤RDiscrete MOSFET amplifiers°]-p1. 2. 3.]° IG=0A qe ]-pC IDM VGSA¤p¤]-pCRGq±`¤jb Mδ ≥∫Χβ ICs{í AG°]-p...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 基本 放大 器设

传导式EMI的测量技术立即下载

ElectrotechnicalCommission;IEC)」所定义的「有保护的接地(Protective Earth)」之符号(在接地线的四周有一个圆形),而且有时会以「PE」来注明。DM 噪声源是透过L 和N 对偶线,来推挽(push and pull)电流Idm。因为有DM 噪声源的存在,所以没有电流通过接地线路。噪声的电流方向是根据交流电的周期而变化的。...

类别:嵌入式系统 2013年09月20日 标签: 传导式EMI的测量技术

切換式電源供應器的EMI 濾波器設計方法立即下载

Neutral ¤W A@°TqyMt°Tqy¤qhOHVqtYX A¨ YHíp¤U G ρ ρ ρ IL = ICM + IDM (1) ρ ρ ρ ¨¤¤AIL °yg Line ¤§`°TqyAIN °yg Neutral ¤§`°TqyC °¤F§í¨°T A§-°w°T¤¨X |i¤R C @°TD-nOq¤W¤§ Power MOSFET(Cq) B ……...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: EMIFilter

专家解读手机芯片市场立即下载

、Freescale等IDM厂家早在手机芯片市场攻城略地外,近年来随前几大IC设计公司Broadcom、Marvell以及MediaTek持续深化在手机芯片市场布局,使得手机芯片市场版图产业竞争版图也出现微妙变化。低价手机成市场主力,芯片设计面临新挑战根据IEK-ITIS计划预计,2007年至2011年间,全球手机市场出货量约维持在10.5亿至13亿支规模,尽管经历过2000年以前快速成长期后,手机...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 专家 解读 手机 芯片 市场

切换式电源供应器的EMI滤波器设计方法立即下载

電流分量,而差模雜訊電流IDM 指的是直接流經Line 和Neutral兩線之間而不流經過地線之雜訊電流分量。...

类别:其他 2013年09月19日 标签: 切换式电源供应器的EMI滤波器设计方法

MOSFET datasheet参数特性立即下载

MOSFET datasheet参数特性 下文主要介绍 mosfet 的主要参数,通过此参数来理解设计时候的考量 一、场效应管的参数很多,一般 datasheet 都包含如下关键参数: 1 极限参数: ID :最大漏源电流。是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。 场效应管的工作电流不应超过 ID 。此参数会随结温度的上升而有所减额。 IDM :最大脉冲漏源电流。此参数会随...

类别:模拟及混合电路 2013年06月18日 标签: MOSFET

NTHD4P02F_ONSEMI_79870.pdf立即下载

TJ = 85°C TJ = 25°C ID IDM PD Symb……...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: NTHD4P02F ONSEMI 79870

IBOC Files.立即下载

Filter Selection in HD Radio™ Receivers Rev. 1.0 February25, 20036. IDM_Description04172003.pdf HD Radio Commercial Receiver IDM Description Rev. A. April 17, 20037. FrequencyAccuracy_Rx042003.pdf...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: Files

MOSFET datasheet参数理解及其主要特性立即下载

。此参数会随结温度的上升而有所减额。IDM :最大脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额。PD:最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于 PDSM并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升而有所减额。VGS :最大栅源电压。Tj :最大工作结温。通常为 150 ℃ 或 175 ℃,器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度,并留有一定...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: MOSFET datasheet 参数 理解 及其 主要 特性

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