GaN

在电子工程世界为您找到如下关于“GaN”的新闻

国家大基金第二期IC设计投资比重将增加至20%-25%

中国半导体产业产值从2015年开始呈现爆发性成长,2018年产值预估将突破6,200亿元人民币,政府的政策支持成为主要驱动力。集邦咨询在最新的“中国半导体产业深度分析”报告中指出,政府从中央到地方对半导体产业支持力道将持续扩大,大基金除持续支持较薄弱但又很重要的产业链环节外,存储器相关、SiC/GaN等化合物半导体、围绕IoT/5G/AI/智能汽车等应用趋势的IC设计领域...

类别:半导体生产 2017-11-21 20:51:13 标签: IC设计

中兴通讯:在5G上早已领先对手一步

中兴通讯:在5G上早已领先对手一步

发展到了第二代,在中国移动、日本软银等60多个网络里面进行了规模商用。  如今中兴5G已经发展进入到第三阶段,进行高密度的实验以及预商用网络测试,加速5G生态系统的建设,为5G技术的正是商用化进行预演。  正是由于这几年来,在Pre5G上的出色表现,使中兴通讯在这个领域上占得先机,在自研芯片、阵列天线工艺、高效率功放管GaN等新技术上也有深厚的积累,并取得了丰富的实践经验...

类别:综合资讯 2017-11-21 11:32:53 标签: 中兴通讯 5G

泰克为嵌入式系统、航空和汽车工程设计提供分析解决方案

包括:功率分析 – 通过最新的5-PWR功率测量和分析解决方案,设计人员可以全面利用5系列混合信号示波器(MSO)的高通道数和12位ADC分辨率,轻松执行各种自动功率测量和分析,包括功率质量、谐波、开关损耗、安全工作区(SOA)和各种其他测量。开发最新GaN和SiC功率半导体的设计人员可以结合使用5系列混合信号示波器(MSO)、5-PWR测量解决方案和光电隔离IsoVu探头...

类别:嵌入式系统 2017-11-18 17:38:49 标签: 泰克 嵌入式 汽车

泰克为嵌入式系统和汽车工程设计提供深入分析解决方案

)提供的最新选项解决方案包括:功率分析 – 通过最新的5-PWR功率测量和分析解决方案,设计人员可以全面利用5系列混合信号示波器(MSO)的高通道数和12位ADC分辨率,轻松执行各种自动功率测量和分析,包括功率质量、谐波、开关损耗、安全工作区(SOA)和各种其他测量。开发最新GaN和SiC功率半导体的设计人员可以结合使用5系列混合信号示波器(MSO)、5-PWR测量解决方案和光电...

类别:半导体生产 2017-11-16 19:40:06 标签: 嵌入式系统

中国首条8英寸硅基氮化镓生产线实现量产

中国首条8英寸硅基氮化镓生产线实现量产

、100V-650V氮化镓功率器件、氮化镓集成电路。硅氮化镓技术能够提高功率密度和能效,同时缩小器件尺寸,因此,非常适合用于电视机电源和D类音频放大器等消费电子产品,服务器和电信设备中使用的SMPS。有报告称,面向功率半导体的硅基板GaN技术市场,将以高达50%以上的年均复合增长率(CAGR)成长。到2023年,其市场容量将从2014年的1,500万美元,增至8亿美元。...

类别:工业电子 2017-11-13 20:03:04 标签: 硅基氮化镓 生产线 量产

中国首条8英寸硅基氮化镓生产线实现量产

中国首条8英寸硅基氮化镓生产线实现量产

,打造集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试于一体的生产平台,主要产品包括100V-650V8英寸硅基氮化镓外延片、100V-650V氮化镓功率器件、氮化镓集成电路。  硅氮化镓技术能够提高功率密度和能效,同时缩小器件尺寸,因此,非常适合用于电视机电源和D类音频放大器等消费电子产品,服务器和电信设备中使用的SMPS。有报告称,面向功率半导体的硅基板GaN技术市场,将以高达50...

类别:综合资讯 2017-11-13 15:35:33 标签: 硅基氮化镓

中兴备战5G全球布局,确立三步走策略

、工业4.0等5G应用案例进行充分研究开发,测试和验证。据悉,意大利运营商非常看好中兴在Pre5G上的领先优势,以及在自研芯片、阵列天线工艺、高效率功放管GaN等新技术上的积累,包括丰富的应用和实践经验。  按照计划,此次5G预商用网络建设分为三个阶段:从目前到明年第二节度,在中兴意大利的5G创新实验室,与运营商联合完成对5G独立组网、非独立组网以及5G设备的测试;第二阶段...

类别:综合资讯 2017-11-12 18:56:55 标签: 5G 中国联通 中国电信 中国移动 中兴

MicroLED开启显示技术新页

一直对此保持缄默,但该公司其实已经累积令人印象深刻的MicoLED专利产品组合了,而且有人猜测它正在其于矽谷的晶圆厂(2015年从Maxim购入)开发这项技术。不过,Apple并不是唯一一家致力于MicroLED的业界巨擘。MicroLED显示器是由形成个别画素的微型LED阵列组成。相较于OLED,MicroLED采用传统的氮化镓(GaN) LED技术,可支援更高亮度、高动态范围...

类别:面板/显示 2017-11-07 16:57:52 标签: MicroLED

Veeco获针对SGL初步禁令,中微半导体将受影响

MOCVD系统,从而在现有的硅生产线上实现生产micro-LED。“使用Propel反应腔,我们就拥有了一项MOCVD技术,这项技术能够实现高产量的GaN外延,满足在200毫米硅生产线上生产micro-LED器件的所有要求,” ALLOS Semiconductor的首席执行官Burkhard Slischka 这样说。“不到一个月时间我们就已经在Propel上对我们的技术...

类别:综合资讯 2017-11-06 18:19:57 标签: Veeco

Veeco获针对SGL初步禁令,中微半导体将受影响

科和ALLOS合作将其专有外延技术转移到 Propel单晶圆MOCVD系统,从而在现有的硅生产线上实现生产micro-LED。  “使用Propel反应腔,我们就拥有了一项MOCVD技术,这项技术能够实现高产量的GaN外延,满足在200毫米硅生产线上生产micro-LED器件的所有要求,” ALLOS Semiconductor的首席执行官Burkhard Slischka...

类别:综合资讯 2017-11-06 11:17:49 标签: Veeco SGL

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GaN资料下载

GaN的极性特征测量及应用立即下载

GaN的极性特征测量及应用: GaN 在(0001) 方向是一种极性极强的半导体材料,它具有极强的表面特征,是目前发现的最好的压电材料,而GaN 的极性呈现出体材料的特征,它的测量要用一些特殊的方法,它的不同特征也给我们提供了广泛的应用前景。总结了到目前为止国外这一方面的研究结果。关键词:  GaN ; 极性; 测量...

类别:消费电子 2013年09月22日 标签: GaN的极性特征测量及应用

硅基GaN蓝光LED外延材料转移前后性能立即下载

利用外延片焊接技术,把Si(111)衬底上生长的GaN蓝光LED外延材料压焊到新的Si衬底上.在去除原Si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光LED.与外延材料未转移的同侧结构相比,转移后的垂直结构GaN蓝光LED的电学性能、发光性能和结构性能明显改善,光输出功率显著提高.垂直结构LED的GaN层受到的张应力比同侧结构LED小....

类别:模拟及混合电路 2013年09月22日 标签: GaN 蓝光LED

闪锌矿GaN001表面的电子结构立即下载

采用混合基表示的第一原理赝势方法, 计算了闪锌矿结构的GaN (001) (1×1) 干净表面的电子结构. 分析了得到的各原子分态密度、面电荷密度分布以及表面能带结构等性质, 比较了GaN (001) 的Ga 端表面和N 端表面两种情况. 结果显示, 闪锌矿GaN (001) 的Ga 端表面比N 端表面更稳定, 这两种(1×1) 表面都是金属特性. 此外, 还讨论了次表面层原子的性质....

类别: 2013年09月22日 标签: 闪锌矿GaN001表面的电子结构

PECVD沉积SiO_2和SiN_X对p_GaN的影响立即下载

        在等离子增强化学气相沉积法(PECVD)沉积SiO2 和SiNX 掩蔽层过程中, 分解等离子体中浓度较高的H 原子使Mg- 受主钝化, 同时在p!GaN 材料表面发生反应形成浅施主特性的N+V 空位。高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的SiO2 和SiNX 材料, 阻碍了H 原子...

类别:科学普及 2013年12月06日 标签: PECVD沉积SiO_2和SiN_X对p_GaN的影响

Si衬底GaN基材料及器件的研究立即下载

        GaN作为新型的宽禁带半导体材料,一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料,可与InN,AlN形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金(AlGaN、InGaN、AlInGaN),对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围,而且具有化学稳定性和热稳定性好等优越的特性,因此在光电子领域具有...

类别:科学普及 2013年12月06日 标签: Si衬底GaN基材料及器件的研究

GaN材料研究与应用立即下载

GaN材料研究与应用...

类别:电源技术 2013年12月09日 标签: GaN材料研究与应用

AlGaN_GaN HEMT E类功率放大器设计立即下载

AlGaN_GaN HEMT E类功率放大器设计,AlGaN_GaN HEMT E类功率放大器设计 ……...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: AlGaN 类功 率放 大器 设计

GaN基发光二极管合成照明光源的开发立即下载

  GaN基发光二极管合成照明光源的流明效率与世界公认的200lm/W的目标相比还有较大的差距。详述了材料外延、管芯制作、器件封装以及系统开发应用、照明光源的关键技术的最新进展。...

类别:LED及照明电源 2013年09月22日 标签: 发光二极管 GaN基

注入电流对GaN基LED发光特性的影响分析.pdf立即下载

注入电流对GaN基LED发光特性的影响分析.pdf...

类别:LED及照明电源 2013年11月22日 标签: 注入电流对GaN基LED发光特性的影响分析

极化效应在半导体表格从头理论器件应用立即下载

, much of the impetus came from experimentalwork devoted to, e.g., GaN-like group-III nitrides, in which internal electric fields of both pyro- and piezoelectric origin are large, determining the...

类别:射频与通信技术 2013年09月22日 标签: 极化效应在半导体表格从头理论器件应用

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论坛RF版主刘海石和氮化镓:氮化镓管1200/只,花1个月工资买4只,烧了……

的工资,买了4只管子,就买管子花了4000多,不含税。咱们就先不谈价格了。设计短波功放,我也刚刚接触,也不是太了解,所以想了解就要付出代价,纸上谈兵永远都做不出产品。 @anning865(23楼,点此阅读全部分享,以下为摘录) 除了微波领域的应用,GaN还有一个潜在的应用领域就是无线充电,这个也是本人的研究领域,我最先了解到GaN技术其实就是源自这里。因为GaN器件拥有更高的功率密度,所以在...

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微波的发展:从磁控管到固态能量

一直未曾改进。如今,在射频能量联盟(RFEA)和MACOM硅基氮化镓(GaN-on-Si)研究人员的努力下,微波技术取得了新发展,最新微波技术对传统微波技术发起了挑战—由固态射频能量驱动的现代化微波炉,能够更精确和准确地加热和烹饪。射频能量使用精密控制的电磁能量来加热物品,拥有“前所未有的控制范围、均匀的能量分布和快速适应变化的负载条件”等特性(射频能量联盟),可轻松为各种不同过程提供能量,最典型...

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《氮化镓 For Dummies》打卡专用帖( Qorvo 读书系列活动)

,未免实在让人有些遗憾。为什么这个东西不能量产呢?个人不认为单单是成本问题 请问氮化镓的劣势在哪里? 熟悉射频的工程师都知道,现在各个芯片厂家,都在推GaN功放,一些开关和低噪放之类的产品竞争力没有功放的大,Qorvo的产品性能看着还不错,但是其他厂家的产品已经快商用了,或者正在商用,我没有见到q的产品在哪家在用,也可能我了解的比较片面,产品虽好,销售更重要 参加工作之后也有射频方面一些设计...

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2017 EEWORLD爆款直播回放云集,写评论抢楼赢礼!

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管的开关损耗功率就为Psw=Esw*fs,显然,开关频率越高,开关损耗越大。5M开关频率下开关损耗比500K要大10倍,这对于重视效率的开关电源来说,显然是不可接受的。所以,开关损耗是限制开关频率的第二因素。开关损耗确实是限制因素之一,但是氮化镓器件的推出已经让开关损耗在1-3Mhz这个范围内变得可以接受,我下面附一张图片,这是三家公司推出的650V的GaN device,可以看出最好的管子开通损耗已经...

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电源设计10个阶段测试全攻略(泰克好资源分享)

白皮书简介: 本指南将根据电源设计的工作流程,结合泰克多年电源行业测试经验,提供电源设计10个阶段的最佳实践以及各个测试阶段的详细攻略。 点击前往下载 电源设计10个阶段测试全攻略(泰克好资源分享) (顶~)-深圳冠荣电子有限公司专业生产二极管 免费为您送样 网址:[url]WWW.TVS-GR.COM[/url] QQ:1815215507 [img]http://ho...

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2015-10-29 标签: PFC 电源设计研讨会 AC_DC 氮化镓 无桥 CCM 研讨会

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