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GaN

GaN,中文名:氮化镓,常温常压下是纤锌矿结构。是现今半导体照明中蓝光发光二极管的核心材料。工业上采用MOCVD和HVPE设备来外延生长。GaN 半导体材料有二种基本结构:纤锌矿(Wurtzite, WZ)和闪锌矿(Zinc blende, ZB)。常温常压下惟有纤锌矿结构为稳定相。纤锌矿结构由两套六角密堆积子格子沿c 轴方向平移3c/8 套构而形成,所属空间群为或P63mc。

在电子工程世界为您找到如下关于“GaN”的新闻

欧司朗联手GaN Systems推出多通道极速激光驱动
作为一家领先的光电公司和稳居汽车照明领域全球第一的企业,欧司朗光电半导体宣布推出一款极速激光驱动,它配备高功率、多通道表面贴装(SMT)激光器,应用于LiDAR(激光雷达)系统。欧司朗作为LiDAR激光领域的领导者,携手GaN(氮化镓) 功率半导体领域的领导者GaN Systems,合作开发出突破性的激光驱动技术,能够实现更长距离和更高分辨率的LiDAR结构。 ...
类别:驱动 2019-01-18 标签: 欧司朗 GaN Systems
再逼真的假脸都能被识破,英伟达最新GaN也逃不过
你可能还记得,不久前英伟达发布了一只鬼斧神工的GAN,它生成的假脸几乎可以乱真。众人皆呼,以后照片也不能相信了。那么,GAN生成的人脸真的天衣无缝了?不急,还是有人不肯轻易承认AI的胜利:Kyle McDonald是一位用算法创作的艺术家,为瑟瑟发抖的人类提供了一份识破假脸的攻略。从头发到衣服,再逼真的图像都有穿帮的机会。只看你有没有一颗维护人类尊严的心了 (误) 。五步攻略...
类别:综合资讯 2019-01-07 标签: 假脸 识破 英伟达 GAN
欧司朗光电半导体和GaN System公司日前宣布共同开发了激光驱动技术,可实现更长距离和更高分辨率的LiDAR。LiDAR技术目前最主要的一个问题是它无法传输短脉冲激光的同时保持高峰值功率,只有这样LiDAR才可以具有更远距离和更高分辨率。为了满足这一需求,欧司朗与GaN Systems合作开发了一个脉冲上升时间为1纳秒的激光驱动器,同时以40 A驱动四个通道,提供480...
类别:行业动态 2019-01-07 标签: 欧司朗 GaN System LiDAR
AI假脸王生成!新一代GaN攻破几乎所有人脸识别系统
SVM方法评估了 DeepFake 的几种检测方法,包括嘴唇动作同步法和图像质量指标检测等。结果令人遗憾——无论是基于VGG还是基于Facenet的系统,都不能有效区分GAN生成假脸与原始人脸。而且,越先进的Facenet系统越容易受到攻击。VGG模型是2014年ILSVRC竞赛的第二名,第一名是GoogLeNet。但是VGG模型在多个迁移学习任务中的表现要优于googLeNet...
类别:综合资讯 2018-12-29 标签: AI GAN 人脸识别
支持更高密度需求——TI LMG3410R070 GaN功率级产品
专注于引入新品的全球电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Texas Instruments (TI)的LMG3410R070 600 V 70 mΩ氮化镓 (GaN) 功率级产品。LMG3410R070具有超低的输入和输出电容,支持高功率密度电动机应用的新要求,适合的应用包括工业级和消费级电源。此款高性能GaN功率级产品支持的电流...
类别:稳压稳流 2018-12-24 标签: TI 栅极驱动器
英伟达GaN生成的假脸技术有什么用
在过去两年里,利用GAN(生成式对抗网络)新型算法实现AI创建人脸在国外非常的受人关注,英伟达在这方面也深有研究,不仅开发了系统进行生成式对抗网络创建最逼真的人像,而且目前已经支持1024*1024高清大图生成,并且数据集也即将开源。具体成果如下:如果这里不说明以上图片均属于“假脸”的话,你是否能分辨出来呢?那么英伟达是如何实现的呢?简单地说,便是通过两张真人图片,图一决定...
类别:综合资讯 2018-12-17 标签: 假脸技术 英伟达GAN
基于GaN的验证码识别工具,0.5秒宣告验证码死刑!
在网上如何区别机器人和真人?目前基本还是要靠验证码, 目前已经用了近20年,但这招以后可能不管用了!中英两国研究人员联合开发了一套基于GAN的验证码AI识别系统,能在0.5秒之内识别出验证码,从 实际测试结果看,可以说宣布了对验证码的“死刑判决”。在互联网上进行交流时,你如何证明自己是活生生的真人?这是一个比较棘手的问题,多年来,这个问题的解决方案一直就是“验证码”,就是看看...
类别:综合资讯 2018-12-14 标签: GAN 验证码 识别
国产5G通信基站GaN芯片计划2019年正式推出
随着国内外电信运营5G服务纷纷铺开,5G的角逐正在不断加速。在10日揭幕的2018中国国际应用科技交易博览会上,国产5G通信基站GaN(氮化镓)功率放大器芯片,在中国发明成果转化研究院展区对外亮相。该研究院有关负责人透露,GaN芯片已完成多款产品设计,并已获得中电集团客户认证成功,计划2019年正式推出,将可全面满足中国5G通信基站对射频功率放大器的需求,未来可望实现人与人...
类别:下一代网络 2018-12-12 标签: 5G GaN
GaN功率器件市场趋热 英飞凌新方案细节曝光
CoolGaN是英飞凌GaN增强模式高电子迁移率晶体管(E-HEMT)系列产品。最近该公司推出了两款进入量产的产品——CoolGaN 600 V增强型HEMT和GaN开关管专用驱动IC GaN EiceDRIVER。籍此我们梳理了一下GaN功率器件在全球市场、产品应用和技术特性方面的信息,以及英飞凌相关业务和此次量产产品的细节。 英飞凌的业务面 根据英飞凌...
类别:行业动态 2018-12-07 标签: CoolGaN 600 GaN 功率器件 英飞凌
TI用超过2000万小时进行氮化镓可靠性测试
过程中,我们盘点了一系列在高压环境中失败的设备。在那个雪花漫天飞舞的日子里,我们聚焦于选择新方法和拓扑,以寻求获得更高的效率和密度,当然也要找到改进健全性的途径。一位高级研究员帮助总结了我们面前的挑战:“我们能实现所有这些设想。但首先,请给我完美的电源开关。”这句话里蕴含着的半是沮丧,半是希望。而在数年后,堪称完美的电源开关终于问世。2018年,我们发布了600-V 氮化镓(GaN...
类别:材料技术 2018-11-26 标签: GaN

GaN资料下载

利用外延片焊接技术,把Si(111)衬底上生长的GaN蓝光LED外延材料压焊到新的Si衬底上.在去除原Si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光LED.与外延材料未转移的同侧结构相比,转移后的垂直结构GaN蓝光LED的电学性能、发光性能和结构性能明显改善,光输出功率显著提高.垂直结构LED的GaN层受到的张应力比同侧结构LED小....
类别:模拟及混合电路 2013年09月22日 标签: GaN 蓝光LED
GaN的极性特征测量及应用: GaN 在(0001) 方向是一种极性极强的半导体材料,它具有极强的表面特征,是目前发现的最好的压电材料,而GaN 的极性呈现出体材料的特征,它的测量要用一些特殊的方法,它的不同特征也给我们提供了广泛的应用前景。总结了到目前为止国外这一方面的研究结果。关键词:  GaN ; 极性; 测量...
类别:消费电子 2013年09月22日 标签: GaN的极性特征测量及应用
, much of the impetus came from experimentalwork devoted to, e.g., GaN-like group-III nitrides, in which internal electric fields of both pyro- and piezoelectric origin are large, determining the...
类别:射频 2013年09月22日 标签: 极化效应在半导体表格从头理论器件应用
        在等离子增强化学气相沉积法(PECVD)沉积SiO2 和SiNX 掩蔽层过程中, 分解等离子体中浓度较高的H 原子使Mg- 受主钝化, 同时在p!GaN 材料表面发生反应形成浅施主特性的N+V 空位。高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的SiO2 和SiNX 材料, 阻碍了H 原子...
类别:科学普及 2013年12月06日 标签: PECVD沉积SiO_2和SiN_X对p_GaN的影响
采用混合基表示的第一原理赝势方法, 计算了闪锌矿结构的GaN (001) (1×1) 干净表面的电子结构. 分析了得到的各原子分态密度、面电荷密度分布以及表面能带结构等性质, 比较了GaN (001) 的Ga 端表面和N 端表面两种情况. 结果显示, 闪锌矿GaN (001) 的Ga 端表面比N 端表面更稳定, 这两种(1×1) 表面都是金属特性. 此外, 还讨论了次表面层原子的性质....
类别:其他 2013年09月22日 标签: 闪锌矿GaN001表面的电子结构
        GaN作为新型的宽禁带半导体材料,一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料,可与InN,AlN形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金(AlGaN、InGaN、AlInGaN),对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围,而且具有化学稳定性和热稳定性好等优越的特性,因此在光电子领域具有...
类别:科学普及 2013年12月06日 标签: Si衬底GaN基材料及器件的研究
AlGaN_GaN HEMT E类功率放大器设计,AlGaN_GaN HEMT E类功率放大器设计 ……...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: AlGaN 类功 率放 大器 设计
国产高效GaN微波功率模块,HEG001D、HEG205B等。针对宽带、高功率微波系统及有源相控阵雷达应用需求,最新推出小型化高功率GaN功率模块,采用先进的平面内匹配合成技术,基于成熟的薄膜混合集成工艺制备,通用型金属陶瓷外壳封装,频率覆盖L~X波段,适应各种脉宽占空比及连续波工作条件,满足电子对抗、卫星通信、遥测遥控等高性能射频/微波系统的宽带、高功率、高效率...
类别:电源技术 2018年06月02日 标签: 功率模块
2~11GHz GaN HEMT功率MMIC...
类别:IC设计及制造 2018年12月10日 标签: 2~11GHz GaN HEMT功率MMIC
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类别:IC设计及制造 2018年12月10日 标签: Fabrication and characterization GaN FETs

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直播详情:有奖直播:TI 基于GaN 的高频(1.2MHz)高效率 1.6kW 高密度临界模式 (CrM) 图腾柱功率因数校正 (PFC)转换器的应用介绍 获奖通知方式:电子邮件通知 如何领奖:我们将发送获奖邮件至您的邮箱,请您务必通过填写通知邮件中的领奖表单确认领奖。 领奖时间:即日起-2019年2月10日(2月10日后仍未确认的朋友,视为自动放弃领奖权力。) 温馨提示: 本次...
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的电流强度,类似离子在神经元之间的流动,这给人们设计像人脑一样工作的芯片大有帮助。据相关工作人员介绍,该团队已经制造了一个由硅锗制成的人造突触小芯片,该芯片的突触可以识别手写样本,准确率非常高,这个研究成果被认为是迈向用于模式识别和其它学习任务的便携式低功耗神经形态芯片的关键技术突破。 九、实现两英寸GaN自支撑衬底的规模化生产 如今,我们正处在第二代半导体材料(硅)和第三代半导体材料发展的节点...
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在2018中国国际应用科技交易博览会上,我国5G芯片交出了一份喜人的成绩:国产5G通信基站GaN(氮化镓)功率放大器芯片对外亮相。 据悉,5G GaN芯片已完成多款产品设计,并已获得中电集团客户认证成功,计划2019年正式推出,将可全面满足中国5G通信基站对射频功率放大器的需求,未来可望实现人与人乃至物联网、生产机器人、无人驾驶“实时无线电通信”。 如今在3.5GHz以上基站部署方面,GaN...
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