GaN

在电子工程世界为您找到如下关于“GaN”的新闻

泰克提升隔离测量标准

需要一种方式,把共模电压与我们关注的差分信号隔开。通过IsoVu,我们现在可以直接观察栅极电压波形,而不会给电路带来负面影响。这是一种真正的颠覆式技术。”Efficient Power Conversion Corp. (EPC)是提供基于GaN的功率管理技术的领导厂商,其一直要在存在共模干扰的情况下直接测量信号。“泰克IsoVu探头的高带宽和高隔离电压功能提供了优异的工具...

类别:综合资讯 2017-05-26 15:37:51 标签: 泰克 测试测量

泰克增强IsoVu产品组合,提供大差分电压范围和高输入阻抗

Power Conversion Corp. (EPC)是提供基于GaN的功率管理技术的领导厂商,其一直要在存在共模干扰的情况下直接测量信号。“泰克IsoVu探头的高带宽和高隔离电压功能提供了优异的工具,有助于我们准确检验EPC各种基于eGaN FET的高侧栅极驱动电源设计。”应用工程副总裁Michael de Rooij说,“泰克项目组深知我们的需求和挑战,在设计IsoVu时采...

类别:半导体生产 2017-05-24 20:19:50 标签: IsoVu

泰克提升隔离测量标准 泰克增强IsoVu产品组合,为产品提供大差分电压范围和高输入阻抗

泰克提升隔离测量标准 泰克增强IsoVu产品组合,为产品提供大差分电压范围和高输入阻抗

IsoVu,我们现在可以直接观察栅极电压波形,而不会给电路带来负面影响。这是一种真正的颠覆式技术。”Efficient Power Conversion Corp. (EPC)是提供基于GaN的功率管理技术的领导厂商,其一直要在存在共模干扰的情况下直接测量信号。“泰克IsoVu探头的高带宽和高隔离电压功能提供了优异的工具,有助于我们准确检验EPC各种基于eGaN FET的高侧栅极...

类别:综合资讯 2017-05-24 15:03:26 标签: 通信技术 电路设计

ADI小型隔离式栅极驱动器提供下一代电源开关技术解决方案

ADI小型隔离式栅极驱动器提供下一代电源开关技术解决方案

Analog Devices, Inc. (ADI)今天宣布推出小型隔离式栅极驱动器,这些产品专门针对SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)等电源开关技术所需的更高开关速度和系统尺寸限制而设计,同时仍然提供对IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)配置的开关特性的可靠控制。ADuM4120和ADuM4121系列利用ADI公司成熟的...

类别:驱动 2017-05-23 16:40:09 标签: ADI 驱动器 电源开关

5G通信的触角: 毫米波MIMO天线开关

5G通信的触角: 毫米波MIMO天线开关

此市场为Monolithic Microwave ICs (MMIC)。目前市场上的产品按照工艺主要分为以下几类:· GaAs 包括AlGaAs· GaN 包括GaN-Si, GaN-SiC· Si/SiGe 包括CMOS,LDMOS等· 其他重要的供应商如下:· MACOM· ON Semiconductor· OMMIC· Qorvo(由TriQuint与RF Micro...

类别:其他技术 2017-05-23 11:48:00 标签: 5G通信 毫米波 MIMO 天线开关 MASW-

通用适配器来了,氮化镓技术做后盾

作者:Tomas Moreno,Dialog公司业务发展与战略总监在过去的半个世纪,硅一直是现代电子工业的基础,原因很显然:到现在为止,硅是大规模应用于最新消费、商业和工业技术最完美的半导体材料。但是现在,面对一种可提供比旧行业标准更高的速度、更强的功率处理能力和更小的尺寸的新型半导体材料,硅的局限性受到了挑战。这种颠覆性材料就是氮化镓(GaN),自上世纪90年代以来主要用于...

类别:综合资讯 2017-05-22 10:13:53 标签: GaN 适配器

SIA重磅报告:半导体未来的机会

SIA重磅报告:半导体未来的机会

,包括给定击穿电压的低导通电阻和最佳切换品质因数。包括用于高电压,大功率器件的宽带隙半导体(例如GaN和SiC)以及用于低压功率转换器的高迁移率半导体(例如GaAs)。  ? 功率转换系统中的无源元件(电容,电阻和电感)的材料和器件。  ? 多芯片模块的材料和封装技术。  (10)可实现高密度,细粒度、单片3D系统的设备,用于减少数据迁移和通信成本:  为逻辑...

类别:市场动态 2017-05-17 11:08:38 标签: SIA 半导体

安谱隆半导体将在IMS会议上展示LDMOS和GaN射频功放产品组合及大功率射频解决方案

举行的国际微波研讨会(IMS)。Ampleon将在914号展台展示其适用于移动宽带、广播、工业、雷达和航空电子以及射频能量应用的最新射频功率器件和模块。移动宽带的产品演示包括多款采用Ampleon最新32V和50V LDMOS和GaN工艺的、面向基站、小基站和大规模MIMO应用的功率放大器,以及一款同时覆盖2.3至2.7GHz(频带40和41)的、采用基于赛灵思公司...

类别:其他技术 2017-05-16 16:12:02 标签: 安谱隆半导体 LDMOS GaN射频功放

安谱隆半导体将在IMS会议上展示LDMOS和GaN射频功放

安谱隆半导体(Ampleon)今天宣布参加即将举行的国际微波研讨会(IMS)。Ampleon将在914号展台展示其适用于移动宽带、广播、工业、雷达和航空电子以及射频能量应用的最新射频功率器件和模块。移动宽带的产品演示包括多款采用Ampleon最新32V和50V LDMOS和GaN工艺的、面向基站、小基站和大规模MIMO应用的功率放大器,以及一款同时覆盖2.3至2.7GHz...

类别:市场动态 2017-05-16 09:57:03 标签: 安谱隆 半导体 IMS会议 LDMOS GaN射频功放

5G将至 射频前端产业链情况梳理

5G将至 射频前端产业链情况梳理

)研发生产微波(功率)放大器及低噪音放大器等微波组件,年产4寸GaAs芯片为1万5千片。  海威华芯(HIWAFER)拥有6寸GaAs代工线,更专注于提供pHEMT集成电路制程技术,技术来源是中电29所。  三安集成(SANAN IC)聚焦于微波集成电路及功率器件两大市场领域的高端技术发展,将建30万片/年6寸的GaAs产线和6万片/年6寸的GaN产线,截止2016年底公司参与...

类别:其他技术 2017-05-10 20:56:16 标签: 5G 射频

查看更多>>

GaN资料下载

硅基GaN蓝光LED外延材料转移前后性能立即下载

利用外延片焊接技术,把Si(111)衬底上生长的GaN蓝光LED外延材料压焊到新的Si衬底上.在去除原Si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光LED.与外延材料未转移的同侧结构相比,转移后的垂直结构GaN蓝光LED的电学性能、发光性能和结构性能明显改善,光输出功率显著提高.垂直结构LED的GaN层受到的张应力比同侧结构LED小....

类别:模拟及混合电路 2013年09月22日 标签: GaN 蓝光LED

GaN的极性特征测量及应用立即下载

GaN的极性特征测量及应用: GaN 在(0001) 方向是一种极性极强的半导体材料,它具有极强的表面特征,是目前发现的最好的压电材料,而GaN 的极性呈现出体材料的特征,它的测量要用一些特殊的方法,它的不同特征也给我们提供了广泛的应用前景。总结了到目前为止国外这一方面的研究结果。关键词:  GaN ; 极性; 测量...

类别:消费电子 2013年09月22日 标签: GaN的极性特征测量及应用

Si衬底GaN基材料及器件的研究立即下载

        GaN作为新型的宽禁带半导体材料,一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料,可与InN,AlN形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金(AlGaN、InGaN、AlInGaN),对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围,而且具有化学稳定性和热稳定性好等优越的特性,因此在光电子领域具有...

类别:科学普及 2013年12月06日 标签: Si衬底GaN基材料及器件的研究

闪锌矿GaN001表面的电子结构立即下载

采用混合基表示的第一原理赝势方法, 计算了闪锌矿结构的GaN (001) (1×1) 干净表面的电子结构. 分析了得到的各原子分态密度、面电荷密度分布以及表面能带结构等性质, 比较了GaN (001) 的Ga 端表面和N 端表面两种情况. 结果显示, 闪锌矿GaN (001) 的Ga 端表面比N 端表面更稳定, 这两种(1×1) 表面都是金属特性. 此外, 还讨论了次表面层原子的性质....

类别: 2013年09月22日 标签: 闪锌矿GaN001表面的电子结构

PECVD沉积SiO_2和SiN_X对p_GaN的影响立即下载

        在等离子增强化学气相沉积法(PECVD)沉积SiO2 和SiNX 掩蔽层过程中, 分解等离子体中浓度较高的H 原子使Mg- 受主钝化, 同时在p!GaN 材料表面发生反应形成浅施主特性的N+V 空位。高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的SiO2 和SiNX 材料, 阻碍了H 原子...

类别:科学普及 2013年12月06日 标签: PECVD沉积SiO_2和SiN_X对p_GaN的影响

GaN材料研究与应用立即下载

GaN材料研究与应用...

类别:电源技术 2013年12月09日 标签: GaN材料研究与应用

GaN基发光二极管合成照明光源的开发立即下载

  GaN基发光二极管合成照明光源的流明效率与世界公认的200lm/W的目标相比还有较大的差距。详述了材料外延、管芯制作、器件封装以及系统开发应用、照明光源的关键技术的最新进展。...

类别:LED及照明电源 2013年09月22日 标签: 发光二极管 GaN基

GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究立即下载

GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究...

类别:IC设计及制造 2013年09月22日 标签: GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究

期刊论文:64×64元GaN基紫外图像传感器的设计立即下载

期刊论文:64×64元GaN基紫外图像传感器的设计...

类别: 2013年08月28日 标签: 期刊论文:64×64元GaN基紫外图像传感器的设计

LED芯片制造流程入门资料立即下载

LED制作流程分为两大部分。首先在衬低上制作氮化镓(GaN)基的外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后,按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,还有GaAs、AlN、ZnO等材料。MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉...

类别:模拟及混合电路 2013年09月20日 标签: LED芯片制造流程入门资料

查看更多>>

GaN相关帖子

0

0

大功率无桥PFC研究系列

GaN和SiC高性能开关管, 开关速度极快, 没有体二极管反向恢复问题, 这些技术尚在研发中, 现在是在市场上见不到这些产品的. 如果未来这些高性能器件能大规模普及,  图腾柱PFC将有机会成为最流行最高效的PFC拓扑 假图腾柱PFC 在图腾柱PFC基础上演化而来 D2和D4代替了原来S1和S2内部的体二极管的续流作用 控制方式和图腾柱PFC完全相同 这种...

0次浏览 2017-05-26 【跟TI学电源】

0

0

厦门金相总结半导体专业方向以免被诈骗

,Multi-Patterning,GaN等新技术/器件的研发无论在学术界还是在业界也都处于非常热门的阶段,因此半导体工艺器件方向是一个不错的发展方向。然而,我们也必须看到,半导体工艺器件方向的研发需要大量资本,一般只有大公司能做这件事,因此在这一领域初创公司很少,在就业时个人相对于大公司的议价能力也相对较弱,因此其收入往往较半导体电路设计领域要差一些。另外,半导体制造业的大量基础性工作目前都在亚洲...

0次浏览 2017-05-11 信息发布

0

0

大真空晶体原材料制造工艺的真相还原

.        大真空为促进氧化锌单晶的发展.它是一种宽带隙半导体与直接过渡.自激子结合能是异常高(60 meV),研究其作为材料进行高效紫外发光二极管和紫外线传感器.此外,氧化锌是有前途的衬底外延生长氮化镓(GaN)电影由于其甘相似的晶格常数,这是一个材料用于制造蓝色led和电力半导体.因为exition发射的荧光寿命短,氧化锌也作为一个快速闪烁体来研究.为其排放...

101次浏览 2017-04-28 信息发布 标签: 发光二极管 电子设备 原材料 氧化锌 半导体

0

0

本周精彩博文分享

) 问题。在先前的一篇博文中,我仔细研究了满足与超快速功率晶体管(比如:LMG5200 半桥 GaN 开关)的电磁兼容性的难题。在这篇博文中,我们将察看能够在制造之前帮助确定 PCB 问题区域的高度精细复杂的软件工具。〉〉〉点击查看详情 对于紧急呼叫系统,磷酸铁锂和锂离子电池哪个效果更佳? 欧洲议会的eCall监管法律于2015年通过,并于2018年4月生效,要求在欧洲...

101次浏览 2017-04-14 【跟TI学电源】 标签: 变流器

200

0

阅读TI Think.lnnovate 神级DIY系列博文,你来畅想我送礼!

,轻松应对电源挑战 [url]http://www.deyisupport.com/blog/b/thinkinnovative/archive/2016/07/21/52459.aspx[/url] 如今笔记本电脑越来越轻薄,但电源适配器依旧那么大个头,若能用LMG3410 (GaN TECHNOLOGY PREVIEW LMG3410 600-V 12-A Single Channel...

6795次浏览 2017-03-01 TI技术论坛 标签: 送礼 活动礼品 驱动器 晶体管 电池

0

0

芯言新语 | 从技术成熟度曲线看新型半导体材料

主要是以砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的化合物半导体材料和以石墨烯为代表的碳基材料。了解每种新型材料及其应用在技术成熟度曲线的位置,对我们研发、投资切入有着极其重要的意义。作为第二代半导体材料的代表,GaAs和传统Si相比,有直接带隙、光电特性优越的特点,是良好的光电器件和射频器件的材料。GaAs器件也曾被认为是计算机CPU芯片的理想材料,上世纪末一些公司曾有深入的...

101次浏览 2017-02-22 综合技术交流 标签: 半导体 成熟度 化合物 砷化镓 碳化硅

0

0

本周精彩博文分享

和非电力推进系统的电气化(使用电动机来替换液压或皮带驱动系统)。这种电气化通常导致需要其他电力转换子系统;电池管理,电池充电(车载或车外站),再生/再生充电,DC-DC转换和DC-AC逆变。〉〉〉点击查看详情 用GaN重新考虑你的太阳能逆变器   在德克萨斯和加利福尼亚都曾生活过,我已经习惯了炎热充满阳光的夏天。我...

101次浏览 2017-01-20 TI技术论坛 标签: 控制器 工程师 产品 成本 程序

1

0

本周精彩博文分享

争论:ENOB还是有效分辨率? 您可能知道,ENOB(“有效位数”)和有效分辨率都是与ADC分辨率相关的参数。了解它们之间的差异,确定哪一个更相关,是ADC用户和应用工程师经常感到困惑和争论的主题。〉〉〉点击查看详情 用GaN重新考虑你的太阳能逆变器   在德克萨斯和加利福尼亚都曾生活过,我已经习惯了炎热充满...

347次浏览 2016-12-30 【TI模拟技术体验】 标签: 加利福尼亚 温度传感器 德克萨斯 公用事业 数据采集

0

0

模拟电磁干扰是否可能?

仔细研究了满足与超快速功率晶体管(比如:LMG5200 半桥 GaN 开关)的电磁兼容性的难题。在这篇博文中,我们将察看能够在制造之前帮助确定 PCB 问题区域的高度精细复杂的软件工具。       设计高速、混合信号 PCB 需要经验丰富的工程人员和设备资源 - 因此,开发成本会非常高,特别是在需要对一块电路板实施多次迭代以实现电磁兼容性的时候...

303次浏览 2016-12-27 【跟TI学电源】 标签: 电磁干扰

0

0

Driver Consideration PART-3

Part 3, Layout与测量 下图是一个考虑到寄生参数的PFC示意图,这些寄生参数在高dv/dt, di/dt下会引入一些寄生振荡,这些振荡轻则影响EMC,效率,重则造成功率器件失效,特别是SIC MOSFET,GaN MOSFET的AMR范围相对较低,在因此在布板时要特别留意寄生参数的控制,特别是寄生电感(关于寄生参数对振荡的影响,具体参考之前做的一份CCM PFC仿真报告)。 1...

505次浏览 2016-12-02 综合技术交流

查看更多>>

GaN视频

2015电源设计研讨会: 基于氮化镓的图腾柱无桥 PFC (CCM)

2015电源设计研讨会: 基于氮化镓的图腾柱无桥 PFC (CCM)

由于其出色的开关特性和经改进的性能指标,氮化镓 (GaN) 技术最近在电源转换应用中备受关注。具有低寄生电容和零反向恢复的非共源共栅 (cascoded) GaN可实现更高的开关频率和效率,从而提供了全新的应用和拓扑选择。连续传导模式 (CCM) 图腾柱PFC就是从GaN优点中受益的一种拓扑。与...

2015-10-29

查看更多>>

GaN创意

查看更多>>

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved