GaN

在电子工程世界为您找到如下关于“GaN”的新闻

合肥芯谷微研发的国防电子微波芯片获得大型军工企业订单

以海外领军人物为核心,吸收国内军工院所的优秀技术人员加盟的30多人研发团队,主要致力于射频、微波、毫米波集成电路芯片的研发和生产。公司设计开发基于GaAs(砷化镓)和GaN(氮化镓)微波半导体低噪声、功率管芯、IMFETs(高功率内匹配管芯)和MMICs(单片微波集成电路)产品,例如功率放大器、低噪声放大器、开关、移相器、倍频器、混频器、衰减器、 T/R组件套片及其他多功能芯片...

类别:半导体生产 2017-09-19 20:49:00 标签: 芯片

纳微半导体 GaN功率IC实现 世界最小65W USB-PD 笔记本电源适配

单芯片GaN功率IC可同时达到高速运作及高效率,其设计的方案满足所有这些挑战;与旧式慢速基于硅的半导体设计相比,成本相近甚至更低。”用GaN 功率IC设计的65W参考设计NVE028A 采用有源钳位反激 (ACF) 拓扑结构的,开关速度比典型的转换器设计快了3至4倍,损耗降低40%,从而实现更小的尺寸和更低的成本。该设计完全符合欧盟CoC Tier 2及美国能源部6级 (DoE...

类别:电源模块 2017-09-18 11:22:43 标签: 纳微半导体

如何让电源适配器配得上你越来越小的便携电脑

如何让电源适配器配得上你越来越小的便携电脑

,器件的尺寸并没有提升很多,效率虽然有10%的提升,但是器件尺寸缩小还不到10%;直到包括GaN在内的新材料出现后,不到3年的时间,功率器件的效率及尺寸的提升又继续加速。在未来的十年,预计将在2025年再次提升3~5倍,另外,效率也会达到95%~99%。由此看来,新材料的发展会是功率器件发展的重要促进因素之一。图1 功率器件的发展  作为世界上第一家也是唯一的氮化镓(GaN)功率...

类别:综合资讯 2017-09-15 21:08:51 标签: 电源适配器

安森美半导体针对混合电动汽车/电动汽车的功能电子化方案

安森美半导体针对混合电动汽车/电动汽车的功能电子化方案

日益严格的能效及环保法规推动汽车功能电子化趋势的不断增强和混合电动汽车/电动汽车(HEV/EV)的日渐普及,这加大了对高能效和高性能的电源和功率半导体器件的需求。安森美半导体作为汽车功能电子化的领袖之一和全球第二大功率分立器件和模块半导体供应商,提供广泛的高能效和高可靠性的系统方案,并采用新型的宽禁带材料如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等进行新产品开发,用于汽车功能电子化...

类别:行业动态 2017-09-04 20:40:37 标签: 汽车电源 HEV/E 安森美半导体

安森美半导体针对混合电动汽车/电动汽车的功能电子化方案

安森美半导体针对混合电动汽车/电动汽车的功能电子化方案

日益严格的能效及环保法规推动汽车功能电子化趋势的不断增强和混合电动汽车/电动汽车(HEV/EV)的日渐普及,这加大了对高能效和高性能的电源和功率半导体器件的需求。安森美半导体作为汽车功能电子化的领袖之一和全球第二大功率分立器件和模块半导体供应商,提供广泛的高能效和高可靠性的系统方案,并采用新型的宽禁带材料如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等进行新产品开发,用于汽车功能电子化...

类别:汽车电子 2017-09-01 20:06:14 标签: 安森美半导体针对混合电动汽车/电动汽车的功能电子化方案

安森美半导体针对混合电动汽车/电动汽车的功能电子化方案

安森美半导体针对混合电动汽车/电动汽车的功能电子化方案

日益严格的能效及环保法规推动汽车功能电子化趋势的不断增强和混合电动汽车/电动汽车(HEV/EV)的日渐普及,这加大了对高能效和高性能的电源和功率半导体器件的需求。安森美半导体作为汽车功能电子化的领袖之一和全球第二大功率分立器件和模块半导体供应商,提供广泛的高能效和高可靠性的系统方案,并采用新型的宽禁带材料如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等进行新产品开发,用于汽车功能电子化...

类别:行业动态 2017-08-29 14:56:11 标签: 安森美 混合电动汽车

手机与PDA应用LED照明驱动电路的设计方案

手机与PDA应用LED照明驱动电路的设计方案

淡黄色萤光物质涂布在氮化镓(GaN)与铟氮化镓(InGaN)材质的蓝光LED上来达成白光的效果。另外,蓝光与绿光LED的发展则扩展了LED色彩输出的丰富度。然而,在上世纪90年代末期,日本、美国与欧洲等地主要LED制造商间的多重专利侵权问题阻碍了新制造商进入这个市场的可能性。但幸运地是,这些法律诉讼逐渐透过相互授权协商获得解决,部分制造商如Nichia、ToyodaGosei...

类别:消费电子 2017-08-27 10:49:00 标签: LED照明 手机 PDA

化合物半导体技术升级 打造次世代通讯愿景

)、氮化镓 (GaN) 无疑是市场上高温、高频及高功率组件材料的最佳解答,根据Yole Development的研究指出,2013年至 2022年,SiC功率半导体市场年均复合将达 38%,而 2016 年至 2020 年 GaN 射频组件市场复合年增长率将达到4%,因此,如何积极因应此一趋势,善用本身优势布局市场,将是台湾半导体产业这几年的重要课题。持续精进的化合物半导体技术络...

类别:半导体生产 2017-08-25 20:22:41 标签: 半导体

化合物半导体技术升级 打造次世代通讯愿景

化合物半导体技术升级 打造次世代通讯愿景

(SiC)、氮化镓 (GaN) 无疑是市场上高温、高频及高功率组件材料的最佳解答,根据Yole Development的研究指出,2013年至 2022年,SiC功率半导体市场年均复合将达 38%,而 2016 年至 2020 年 GaN 射频组件市场复合年增长率将达到4%,因此,如何积极因应此一趋势, 善用本身优势布局市场,将是台湾半导体产业这几年的重要课题。持续精进的...

类别:综合资讯 2017-08-25 10:05:22 标签: 宽带通讯

化合物半导体技术升级 打造次世代通讯愿景

化合物半导体技术升级 打造次世代通讯愿景

)、氮化镓 (GaN) 无疑是市场上高温、高频及高功率组件材料的最佳解答,根据Yole Development的研究指出,2013年至 2022年,SiC功率半导体市场年均复合将达 38%,而 2016 年至 2020 年 GaN 射频组件市场复合年增长率将达到4%,因此,如何积极因应此一趋势, 善用本身优势布局市场,将是台湾半导体产业这几年的重要课题。持续精进的化合物半导体技术...

类别:综合资讯 2017-08-25 08:56:11 标签: 半导体

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GaN资料下载

硅基GaN蓝光LED外延材料转移前后性能立即下载

利用外延片焊接技术,把Si(111)衬底上生长的GaN蓝光LED外延材料压焊到新的Si衬底上.在去除原Si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光LED.与外延材料未转移的同侧结构相比,转移后的垂直结构GaN蓝光LED的电学性能、发光性能和结构性能明显改善,光输出功率显著提高.垂直结构LED的GaN层受到的张应力比同侧结构LED小....

类别:模拟及混合电路 2013年09月22日 标签: GaN 蓝光LED

GaN的极性特征测量及应用立即下载

GaN的极性特征测量及应用: GaN 在(0001) 方向是一种极性极强的半导体材料,它具有极强的表面特征,是目前发现的最好的压电材料,而GaN 的极性呈现出体材料的特征,它的测量要用一些特殊的方法,它的不同特征也给我们提供了广泛的应用前景。总结了到目前为止国外这一方面的研究结果。关键词:  GaN ; 极性; 测量...

类别:消费电子 2013年09月22日 标签: GaN的极性特征测量及应用

Si衬底GaN基材料及器件的研究立即下载

        GaN作为新型的宽禁带半导体材料,一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料,可与InN,AlN形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金(AlGaN、InGaN、AlInGaN),对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围,而且具有化学稳定性和热稳定性好等优越的特性,因此在光电子领域具有...

类别:科学普及 2013年12月06日 标签: Si衬底GaN基材料及器件的研究

闪锌矿GaN001表面的电子结构立即下载

采用混合基表示的第一原理赝势方法, 计算了闪锌矿结构的GaN (001) (1×1) 干净表面的电子结构. 分析了得到的各原子分态密度、面电荷密度分布以及表面能带结构等性质, 比较了GaN (001) 的Ga 端表面和N 端表面两种情况. 结果显示, 闪锌矿GaN (001) 的Ga 端表面比N 端表面更稳定, 这两种(1×1) 表面都是金属特性. 此外, 还讨论了次表面层原子的性质....

类别: 2013年09月22日 标签: 闪锌矿GaN001表面的电子结构

GaN材料研究与应用立即下载

GaN材料研究与应用...

类别:电源技术 2013年12月09日 标签: GaN材料研究与应用

GaN基发光二极管合成照明光源的开发立即下载

  GaN基发光二极管合成照明光源的流明效率与世界公认的200lm/W的目标相比还有较大的差距。详述了材料外延、管芯制作、器件封装以及系统开发应用、照明光源的关键技术的最新进展。...

类别:LED及照明电源 2013年09月22日 标签: 发光二极管 GaN基

期刊论文:64×64元GaN基紫外图像传感器的设计立即下载

期刊论文:64×64元GaN基紫外图像传感器的设计...

类别: 2013年08月28日 标签: 期刊论文:64×64元GaN基紫外图像传感器的设计

GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究立即下载

GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究...

类别:IC设计及制造 2013年09月22日 标签: GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究

LED芯片制造流程入门资料立即下载

LED制作流程分为两大部分。首先在衬低上制作氮化镓(GaN)基的外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后,按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,还有GaAs、AlN、ZnO等材料。MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉...

类别:模拟及混合电路 2013年09月20日 标签: LED芯片制造流程入门资料

suanfa de shiyan xw dui gan xingqu de pengyou you bangzhu立即下载

suanfa de shiyan xw dui gan xingqu de pengyou you bangzhu...

类别:科学普及 2014年03月05日 标签: suanfa de shiyan xw dui gan xingqu pengyou you bangzhu

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