GaN

在电子工程世界为您找到如下关于“GaN”的新闻

LED芯片龙头地位稳固 加速布局化合物半导体领域

LED芯片龙头地位稳固 加速布局化合物半导体领域

,扶持的力度将进一步加大,在国家产业政策的支持以及自身战略规划发展的需要下,三安光电于2014年成立了厦门市三安集成电路有限公司(简称三安集成)。  目前,厦门市三安集成电路有限公司主要从事化合物半导体集成电路业务,涵盖PA射频、电力电子、光通讯和滤波器等领域的芯片,已布局完成6寸的GaAs(砷化镓)和GaN(氮化镓)部分产线,产品应用包括2G、3G、4G手机应用的功率放大器...

类别:综合资讯 2018-04-25 17:51:59 标签: 三安光电

纳微扩大在中国市场的投资

纳微扩大在中国市场的投资

上市时间的关键。从赞助去年11月在上海举行的2017年中国电源学会第二十二届学术年会(CPSSC’17) 到今年11月4日- 7日在深圳举办的2018年电力电子技术及应用国际会议暨展示会(PEAC’18),加上日益扩大的现场和应用工程师团队,彰显了纳微致力于推动氮化镓 (GaN)在中国增长的承诺。 此外,纳微还与文晔科技签署了新的中国分销合作协议,支持其在中国业务的快速...

类别:材料技术 2018-04-25 10:02:57 标签: 纳微

纳微中国拓展业务和伙伴关系以支持GaNFast增长

海举行的2017年中国电源学会第二十二届学术年会(CPSSC’17) 到今年11月4日- 7日在深圳举办的2018年电力电子技术及应用国际会议暨展示会(PEAC’18),加上日益扩大的现场和应用工程师团队,彰显了纳微致力于推动氮化镓 (GaN)在中国增长的承诺。此外,纳微还与文晔科技签署了新的中国分销合作协议,支持其在中国业务的快速扩张。文晔科技中国总经理文兴康表示:“文晔科技...

类别:综合资讯 2018-04-18 12:21:41 标签: 纳微

2018年半导体分立器件行业产业链分析 上游供应不稳定下游需

2018年半导体分立器件行业产业链分析 上游供应不稳定下游需

分立器件制造行业产业链结构  上游金属硅产能扩张放缓 价格趋于上升  根据分立器件使用材料的不同,半导体分立器件可以分为三代,第一代半导体材料为硅单质(Si),第二代半导体材料为砷化镓(GaAs),第三代半导体材料是以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、金刚石、氧化锌(ZnO)为代表的的宽禁带半导体材料。因硅单质较为常见,且具有规模经济,制造成本低,技术门槛极低,目前市场...

类别:综合资讯 2018-04-17 09:47:58 标签: 分立器件

科锐与Nexperia签署GaN功率器件专利授权协议

集微网消息,科锐今日宣布与荷兰Nexperia公司签署非排他性、全球性的付费专利许可协议。通过这一协议,Nexperia将有权使用科锐GaN氮化镓功率器件专利组合,包括了超过300项已授权美国和国外专利,涵盖了HEMT(高电子迁移率场效晶体管)和GaN氮化镓肖特基二极管的诸多创新。这一专利组合针对新型器件结构、材料和工艺提升,以及封装技术,不包括技术转让。科锐联合创始人兼...

类别:综合资讯 2018-04-17 08:12:08 标签: 科锐

环球晶圆投资约7950万美元扩充12英寸硅晶圆产能 增设SOI产线

,Inc.)指出,2020年作为半导体材料的晶圆(包含硅晶圆、SiC基板/氧化镓基板、GaN基板/钻石基板)全球市场规模预估为9,919亿日圆、将较2015年(8,841亿日圆)成长12.2%。亚系外资指出,环球晶圆的客户对于先进及传统技术需求稳定,应用面涵盖工业用IC、电源管理IC、车用电子等,预期毛利率将从去年的25.6%提升到今年的36.3%、明年的40.8%。展望未来...

类别:综合资讯 2018-04-13 12:52:36 标签: 晶圆

环球晶订单看到2020年,产能已被预订逾半

作为半导体材料的晶圆(包含硅晶圆、SiC基板/氧化镓基板、GaN基板/钻石基板)全球市场规模预估为9,919亿日圆、将较2015年(8,841亿日圆)成长12.2%。亚系外资指出,环球晶圆的客户对于先进及传统技术需求稳定,应用面涵盖工业用IC、电源管理IC、车用电子等,预期毛利率将从去年的25.6%提升到今年的36.3%、明年的40.8%。展望未来,依照目前市场景气动向推估,半导体产业...

类别:市场动态 2018-04-13 10:56:11 标签: 环球晶

纳微在中国市场大举扩张,拓宽业务和伙伴关系以支持GaNFast

纳微在中国市场大举扩张,拓宽业务和伙伴关系以支持GaNFast

在上海举行的2017年中国电源学会第二十二届学术年会(CPSSC’17)到今年11月18日在深圳举办的2018年电力电子技术及应用国际会议暨展示会(PEAC’18),加上日益扩大的现场和工厂应用工程师团队,彰显了纳微致力于推动氮化镓 (GaN)在中国增长的承诺。此外,纳微还与文晔科技签署了新的中国分销合作协议,支持其在中国业务的快速扩张。文晔科技中国总经理文兴康表示:“文晔科技...

类别:综合资讯 2018-04-12 20:39:52 标签: 纳微 中国市场 GaNFast 半导体

环球晶圆投资约7950万美元扩充12英寸硅晶圆产能 增设SOI产线

,2020年作为半导体材料的晶圆(包含硅晶圆、SiC基板/氧化镓基板、GaN基板/钻石基板)全球市场规模预估为9,919亿日圆、将较2015年(8,841亿日圆)成长12.2%。亚系外资指出,环球晶圆的客户对于先进及传统技术需求稳定,应用面涵盖工业用IC、电源管理IC、车用电子等,预期毛利率将从去年的25.6%提升到今年的36.3%、明年的40.8%。展望未来,依照目前市场...

类别:半导体生产 2018-04-12 20:08:38 标签: 环球晶圆 硅晶圆

半导体当下时代版本——GaN

半导体当下时代版本——GaN

就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。半导体材料发展到现在,大致可以分为三代,代表材料为:硅(Si)——砷化镓(GaAs)——氮化镓(GaN),而每一代的迭代,都相应解决了当时瓶颈性能或问题。其中,Si主要解决数据运算、存储的问题; GaAs主要应用于光纤通信,解决数据传输的问题;而当下新兴材料GaN,由于其光电转换方面性能突出微波信号传输效率很高,因而对于照明、显示、通讯及电源...

类别:消费电子 2018-04-11 14:37:50 标签: GaN 汽车 消费

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GaN资料下载

硅基GaN蓝光LED外延材料转移前后性能立即下载

利用外延片焊接技术,把Si(111)衬底上生长的GaN蓝光LED外延材料压焊到新的Si衬底上.在去除原Si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光LED.与外延材料未转移的同侧结构相比,转移后的垂直结构GaN蓝光LED的电学性能、发光性能和结构性能明显改善,光输出功率显著提高.垂直结构LED的GaN层受到的张应力比同侧结构LED小....

类别:模拟及混合电路 2013年09月22日 标签: GaN 蓝光LED

GaN的极性特征测量及应用立即下载

GaN的极性特征测量及应用: GaN 在(0001) 方向是一种极性极强的半导体材料,它具有极强的表面特征,是目前发现的最好的压电材料,而GaN 的极性呈现出体材料的特征,它的测量要用一些特殊的方法,它的不同特征也给我们提供了广泛的应用前景。总结了到目前为止国外这一方面的研究结果。关键词:  GaN ; 极性; 测量...

类别:消费电子 2013年09月22日 标签: GaN的极性特征测量及应用

闪锌矿GaN001表面的电子结构立即下载

采用混合基表示的第一原理赝势方法, 计算了闪锌矿结构的GaN (001) (1×1) 干净表面的电子结构. 分析了得到的各原子分态密度、面电荷密度分布以及表面能带结构等性质, 比较了GaN (001) 的Ga 端表面和N 端表面两种情况. 结果显示, 闪锌矿GaN (001) 的Ga 端表面比N 端表面更稳定, 这两种(1×1) 表面都是金属特性. 此外, 还讨论了次表面层原子的性质....

类别:其他 2013年09月22日 标签: 闪锌矿GaN001表面的电子结构

PECVD沉积SiO_2和SiN_X对p_GaN的影响立即下载

        在等离子增强化学气相沉积法(PECVD)沉积SiO2 和SiNX 掩蔽层过程中, 分解等离子体中浓度较高的H 原子使Mg- 受主钝化, 同时在p!GaN 材料表面发生反应形成浅施主特性的N+V 空位。高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的SiO2 和SiNX 材料, 阻碍了H 原子...

类别:科学普及 2013年12月06日 标签: PECVD沉积SiO_2和SiN_X对p_GaN的影响

Si衬底GaN基材料及器件的研究立即下载

        GaN作为新型的宽禁带半导体材料,一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料,可与InN,AlN形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金(AlGaN、InGaN、AlInGaN),对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围,而且具有化学稳定性和热稳定性好等优越的特性,因此在光电子领域具有...

类别:科学普及 2013年12月06日 标签: Si衬底GaN基材料及器件的研究

极化效应在半导体表格从头理论器件应用立即下载

, much of the impetus came from experimentalwork devoted to, e.g., GaN-like group-III nitrides, in which internal electric fields of both pyro- and piezoelectric origin are large, determining the...

类别:射频与通信技术 2013年09月22日 标签: 极化效应在半导体表格从头理论器件应用

GaN材料研究与应用立即下载

GaN材料研究与应用...

类别:电源技术 2013年12月09日 标签: GaN材料研究与应用

AlGaN_GaN HEMT E类功率放大器设计立即下载

AlGaN_GaN HEMT E类功率放大器设计,AlGaN_GaN HEMT E类功率放大器设计 ……...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: AlGaN 类功 率放 大器 设计

GaN基发光二极管合成照明光源的开发立即下载

  GaN基发光二极管合成照明光源的流明效率与世界公认的200lm/W的目标相比还有较大的差距。详述了材料外延、管芯制作、器件封装以及系统开发应用、照明光源的关键技术的最新进展。...

类别:LED及照明电源 2013年09月22日 标签: 发光二极管 GaN基

LED芯片制造流程入门资料立即下载

LED制作流程分为两大部分。首先在衬低上制作氮化镓(GaN)基的外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后,按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,还有GaAs、AlN、ZnO等材料。MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉积...

类别:模拟及混合电路 2013年09月20日 标签: LED芯片制造流程入门资料

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跟帖赢好礼:创新驱动变革—R&S示波器助力功率电子测试!

    摘要            功率电子应用范围广泛,涵盖纳瓦至千瓦,中国是目前最重要的功率电子应用市场。随着新型宽禁带半导体器件的应用,特别是SiC碳化硅和GaN氮化镓新半导体材料的发展,其具有更好导热性、更高开关速度、更紧凑体积。功率电子技术继续朝着提升效率发展,并在未来五年带来重大变化...

34次浏览 2018-04-24 【测试/测量】

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纳微扩大在安徽中国市场的投资大时代下

去年11月在上海举行的2017年中国电源学会第二十二届学术年会(CPSSC’17) 到今年11月4日- 7日在深圳举办的2018年电力电子技术及应用国际会议暨展示会(PEAC’18),加上日益扩大的现场和应用工程师团队,彰显了纳微致力于推动氮化镓 (GaN)在中国增长的承诺。   此外,纳微还与文晔科技签署了新的中国分销合作协议,支持其在中国业务的快速扩张。   文晔科技中国总经理文兴康表示...

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纳微扩大在武汉中证通可靠市场的投资

电力电子技术及应用国际会议暨展示会(PEAC’18),加上日益扩大的现场和应用工程师团队,彰显了纳微致力于推动氮化镓 (GaN)在中国增长的承诺。   纳微(Navitas)半导体公司是世界上第一家也是唯一的 GaN 功率IC 公司, 于 2014 年在美国加利福尼亚州 El Segundo 成立。纳微拥有强大且不断增长的功率半导体行业专家团队,在材料、器件、 应用程序、系统和营销及创新成功记录...

0次浏览 2018-04-18 信息发布

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跟帖提问赢好礼咯:【创新驱动变革—R&S示波器助力功率电子测试】

      摘要             功率电子应用范围广泛,涵盖纳瓦至千瓦,中国是目前最重要的功率电子应用市场。随着新型宽禁带半导体器件的应用,特别是SiC碳化硅和GaN氮化镓新半导体材料的发展,其具有更好导热性、更高开关速度、更紧凑体积。功率电子技术继续朝着提升效率发展...

0次浏览 2018-04-17 【测试/测量】

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专业浅谈新型传感器的八大类型

的温湿度传感器一般是测量温度量和相对湿度量。 五、紫外线传感器: 紫外线传感器是传感器的一种,可以利用光敏元件通过光伏模式和光导模式将紫外线信号转换为可测量的电信号。最早的紫外线传感器是基于单纯的硅,但是根据美国国家标准与技术研究院的指示,单纯的硅二极管也响应可见光,形成本来不需要的电信号,导致精度不高。Gan的紫外线传感器,其精度远远高于单晶硅的精度,成为最常用的紫外线传感器材料。 紫外线传感器是利用...

0次浏览 2018-04-16 信息发布

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电源尺寸和充电时间减少一半?原来是靠它们实现的!

使设计人员以更低的功耗实现比之前更多的功能。” 有源钳位反激式芯片组符合现代效率标准      UCC28780同时支持氮化镓(GaN)和硅(Si)FET,先进的自适应功能使有源钳位反激式拓扑结构满足现代效率标准要求。采用基于输入和输出条件改变操作的多模态控制,将UCC28780与UCC24612搭配后,可以在满负载和轻负载条件下实现并保持高效率。 想...

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智能控制有源钳位反激

。智能控制钳位还提供零电压开关。这样消除了两大主要损耗来源,使得尺寸大大减小。如果要使用氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)——其输出电容和导通电阻较低,则适配器的尺寸可以减半!但细节是关键,因为如果有源钳位得不到智能控制,它实际上会使效率变差。有源钳位反激在过去仅仅是一个幻想,因为没有足够的智能控制器来实现这种拓扑结构。但这一现象在UCC28780中已经发生了改变。这种有源钳位反激式控制器专门...

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Qorvo正规推出业内最强大的博星GaN-on-SiC晶体管

北京博星安徽分公司获悉关键型IFF和航空电子应用的信号完整性和范围得到大幅提升 Qorvo推出全球功率最高的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)RF晶体管--- QPD1025。QPD1025在65 V下运行1.8KW,提供出色的信号完整性和更大的范围,这对L频段航空电子应用来说至关重要。 Strategy Analytics公司的战略技术实践执行总监Asif Anwar表示,“Qorvo...

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射频功率放大器(RF PA)概述

供应器或调制器整合入FEM,可有效地减少移动设备内部的整体空间需求。为了支持更大的操作频率范围而大量增加滤波器/双工器插槽,会使得移动设备的复杂度和测试项目的数量节节攀升。 半导体材料的变迁: Ge(锗)、Si(硅)→→→GaAs(砷化镓)、InP(磷化铟)→→→SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)、SiGe(锗化硅)、SOI(绝缘层上覆硅) →→→碳纳米管(CNT) →→→石墨烯...

1818次浏览 2018-03-14 RF/无线

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电源设计工程师

的团队合作精神; 10.熟悉电源行业相关标准,有EMC设计及整改经验者优先。 公司简介: 甘特科技(北京)有限公司是专注于第三代半导体电源,以氮化镓(GaN)半导体集成电路、先进开关电源方案、产品研发和生产销售为主要业务的创新型高新技术企业。公司核心创始团队成员均来自于国际知名院校,且在研发设计、生产、销售领域具备长期丰富的经验。 公司位于北京市海淀区上地五街,办公环境优美,管理规范...

101次浏览 2018-03-14 求职招聘

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2015电源设计研讨会: 基于氮化镓的图腾柱无桥 PFC (CCM)

2015电源设计研讨会: 基于氮化镓的图腾柱无桥 PFC (CCM)

由于其出色的开关特性和经改进的性能指标,氮化镓 (GaN) 技术最近在电源转换应用中备受关注。具有低寄生电容和零反向恢复的非共源共栅 (cascoded) GaN可实现更高的开关频率和效率,从而提供了全新的应用和拓扑选择。连续传导模式 (CCM) 图腾柱PFC就是从GaN优点中受益的一种拓扑。与...

2015-10-29 标签: PFC 电源设计研讨会 AC_DC 氮化镓 无桥 CCM 研讨会

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