GaN

在电子工程世界为您找到如下关于“GaN”的新闻

人工智能在中国爆发,这五点值得人们期待

人工智能在中国爆发,这五点值得人们期待

发明的。生成对抗网络(GAN)由一个经过训练生成新数据的网络和另一个用于区分准确数据和错误数据的网络组成。当这两个网络同时工作,能产生非常逼真的合成数据。这种方法能用来生成计算机游戏的物理场景,让被像素化的视频更清晰,或者让设计更具时尚感。Yoshua Bengio 是机器学习领域的世界级专家,是 Goodfellow 在蒙特利尔大学的博士生导师。他在此学术会议上发言说,生成...

类别:综合资讯 2017-07-28 13:20:49 标签: 人工智能 中国 语言识别

GaN将成PA主流技术 Qorvo成最大赢家

GaN将成PA主流技术 Qorvo成最大赢家

将近二位数的年复合成长率(GAGR)迅速成长;同时,氮化镓(GaN)将逐渐取代横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS),成为市场主流技术。拜电信基站升级、小型基地台逐渐普及所赐,RF功率市场可望脱离2015年以来的低潮,开始蓬勃发展--报告指出,整体市场营收到2022年底则有望暴增75%之多,2016~2022年间CAGR将达9.8%;其中,占电信基础设施近一半比重的基站、无线...

类别:射频技术 2017-07-28 10:38:36 标签: Qorvo PA

X波段GaN PA MMIC实现相位阵列雷达应用

主动式相位阵列雷达需要大量的功率放大器(PA),它必须小巧、高效和低成本。本文介绍涵盖9~11.5GHz频段且能满足这些需求的X波段PA MMIC。主动式相位阵列雷达需要大量的功率放大器(PA),它必须小巧、高效和低成本。本文介绍涵盖9~11.5GHz频段且能满足这些需求的X波段PA单芯片微波积体电路(MMIC)。X波段GaN PA MMIC能以42%的功率附加效率(PAE...

类别:半导体生产 2017-07-27 21:55:53 标签: GaN PA MMIC

2017年上半年IQE公司整体晶圆销量将增长16%

推动力。其中包括VCSEL、RF和功率用的氮化镓(GaN)、全服务分布反馈激光器(DFB)晶片、红外以及cREO(结晶稀土氧化物)。  IQE表示,VCSEL晶圆大规模市场激增的开始标志着该技术商业化的转折点。该公司已经为该VCSEL激增赢得了多项多年期合同,反映了其将晶圆投入大众消费市场的业绩记录。  因此,公司董事会现在已经批准了一项产能扩张计划,以满足2018年下半年更高...

类别:市场动态 2017-07-25 16:04:51 标签: 晶圆

5G推动RF PA技术改朝换代 GaN逐渐取代LDMOS

研究机构Yole Developpement指出,随着5G技术日益成熟,未来射频功率放大器(RF PA)市场将出现显著成长,但传统的LDMOS制程将逐渐被新兴的氮化镓(GaN)取代,砷化镓(GaAs)的市场占比则相对稳定。据Yole预估,电信基地台设备升级与小型基地台的广泛布建,将是推动RF PA市场规模成长最主要的动力来源。 2016年全球RF PA市场规模约为15亿美元...

类别:半导体生产 2017-07-24 20:14:08 标签: 5G PA技术

5G推动RF PA技术改朝换代 GaN逐渐取代LDMOS

5G推动RF PA技术改朝换代 GaN逐渐取代LDMOS

  研究机构Yole Developpement指出,随着5G技术日益成熟,未来射频功率放大器(RF PA)市场将出现显著成长,但传统的LDMOS制程将逐渐被新兴的氮化镓(GaN)取代,砷化镓(GaAs)的市场占比则相对稳定。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。  据Yole预估,电信基地台设备升级与小型基地台的广泛布建,将是推动RF PA市场规模成长最主要的动力...

类别:综合资讯 2017-07-24 10:48:19 标签: 5G GaN

5G推动RF PA技术改朝换代 GaN逐渐取代LDMOS

5G推动RF PA技术改朝换代 GaN逐渐取代LDMOS

研究机构Yole Developpement指出,随着5G技术日益成熟,未来射频功率放大器(RF PA)市场将出现显著成长,但传统的LDMOS制程将逐渐被新兴的氮化镓(GaN)取代,砷化镓(GaAs)的市场占比则相对稳定。据Yole预估,电信基地台设备升级与小型基地台的广泛布建,将是推动RF PA市场规模成长最主要的动力来源。 2016年全球RF PA市场规模约为15亿美元...

类别:综合资讯 2017-07-24 08:38:59 标签: 5G

2017年上半年IQE公司整体晶圆销量将增长16%

增长趋势。因此,预计2017年上半年整体晶圆销量将增长16%。此外,授权收入也为整体收入带来了约100万英镑的资金(2016年上半年为350万英镑)。IQE预计将于9月5日公布其2017年上半年业绩。IQE表示,其广泛的终端市场导向正在增加其晶圆销售的多样性。该公司目前正在进行一系列计划,为其近期和中期增长预期提供显著的推动力。其中包括VCSEL、RF和功率用的氮化镓(GaN...

类别:半导体生产 2017-07-23 17:18:05 标签: IQE 晶圆

这些汽车半导体器件正侵占晶圆代工厂的产能?

这些汽车半导体器件正侵占晶圆代工厂的产能?

视图中处理所有传感器数据,以使汽车能够做出最佳决策。”Granger说。 LiDAR和雷达的研究工作也在进行中。雷达可以检测到一个对象,但它不能将它与另一个对象分辨出来。LiDAR能够以更精确的方式测量与目标的距离。在某些情况下,LiDAR器件可以使用氮化镓(GaN)、III-V工艺。 雷达设备可以集成MCU、DSP以及基于硅锗(SiGe)的77GHz RF...

类别:汽车电子 2017-07-23 09:37:41 标签: FD-SOI 芯片制造 晶圆厂 芯片世界观 代工厂

Qorvo 在 5G 演进道路上的“杀手锏”

Qorvo 在 5G 演进道路上的“杀手锏”

电子网7月21日消息5G 的发展,离不开基础设施的建设。一直以来,Qorvo 全力支持 5G 的发展,目前已和全球领先的通信基础设施提供商和运营商共同研发和进行 5G 相关实验,在全球 5G 推进的道路上,Qorvo 的高性能 GaN 产品、高性能 BAW 产品以及领先的封装集成技术对于推动全球 5G 发展起到了不可忽视的作用。近日,在成都举办的2017中国西部微波射频技术...

类别:半导体生产 2017-07-21 20:38:03 标签: Qorvo 5G

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GaN资料下载

硅基GaN蓝光LED外延材料转移前后性能立即下载

利用外延片焊接技术,把Si(111)衬底上生长的GaN蓝光LED外延材料压焊到新的Si衬底上.在去除原Si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光LED.与外延材料未转移的同侧结构相比,转移后的垂直结构GaN蓝光LED的电学性能、发光性能和结构性能明显改善,光输出功率显著提高.垂直结构LED的GaN层受到的张应力比同侧结构LED小....

类别:模拟及混合电路 2013年09月22日 标签: GaN 蓝光LED

GaN的极性特征测量及应用立即下载

GaN的极性特征测量及应用: GaN 在(0001) 方向是一种极性极强的半导体材料,它具有极强的表面特征,是目前发现的最好的压电材料,而GaN 的极性呈现出体材料的特征,它的测量要用一些特殊的方法,它的不同特征也给我们提供了广泛的应用前景。总结了到目前为止国外这一方面的研究结果。关键词:  GaN ; 极性; 测量...

类别:消费电子 2013年09月22日 标签: GaN的极性特征测量及应用

Si衬底GaN基材料及器件的研究立即下载

        GaN作为新型的宽禁带半导体材料,一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料,可与InN,AlN形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金(AlGaN、InGaN、AlInGaN),对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围,而且具有化学稳定性和热稳定性好等优越的特性,因此在光电子领域具有...

类别:科学普及 2013年12月06日 标签: Si衬底GaN基材料及器件的研究

闪锌矿GaN001表面的电子结构立即下载

采用混合基表示的第一原理赝势方法, 计算了闪锌矿结构的GaN (001) (1×1) 干净表面的电子结构. 分析了得到的各原子分态密度、面电荷密度分布以及表面能带结构等性质, 比较了GaN (001) 的Ga 端表面和N 端表面两种情况. 结果显示, 闪锌矿GaN (001) 的Ga 端表面比N 端表面更稳定, 这两种(1×1) 表面都是金属特性. 此外, 还讨论了次表面层原子的性质....

类别: 2013年09月22日 标签: 闪锌矿GaN001表面的电子结构

GaN材料研究与应用立即下载

GaN材料研究与应用...

类别:电源技术 2013年12月09日 标签: GaN材料研究与应用

GaN基发光二极管合成照明光源的开发立即下载

  GaN基发光二极管合成照明光源的流明效率与世界公认的200lm/W的目标相比还有较大的差距。详述了材料外延、管芯制作、器件封装以及系统开发应用、照明光源的关键技术的最新进展。...

类别:LED及照明电源 2013年09月22日 标签: 发光二极管 GaN基

期刊论文:64×64元GaN基紫外图像传感器的设计立即下载

期刊论文:64×64元GaN基紫外图像传感器的设计...

类别: 2013年08月28日 标签: 期刊论文:64×64元GaN基紫外图像传感器的设计

GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究立即下载

GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究...

类别:IC设计及制造 2013年09月22日 标签: GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究

LED芯片制造流程入门资料立即下载

LED制作流程分为两大部分。首先在衬低上制作氮化镓(GaN)基的外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后,按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,还有GaAs、AlN、ZnO等材料。MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉...

类别:模拟及混合电路 2013年09月20日 标签: LED芯片制造流程入门资料

suanfa de shiyan xw dui gan xingqu de pengyou you bangzhu立即下载

suanfa de shiyan xw dui gan xingqu de pengyou you bangzhu...

类别:科学普及 2014年03月05日 标签: suanfa de shiyan xw dui gan xingqu pengyou you bangzhu

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半导体材料的应用

  半导体照明   半导体照明技术及其产品正向着更高光效、更低成本、更可靠、更多元化领域和更广泛应用的方向发展。新型衬底上外延高效率GaN-LED正是突破蓝宝石衬底外延瓶颈的发展趋势。SiC是除了蓝宝石之外,作为GaN外延衬底使用最多的材料。但是,眼下SiC 衬底的市场主要被Cree公司垄断,导致其市场价格远高于蓝宝石,所以SiC 衬底的应用还远...

0次浏览 2017-07-28 信息发布 标签: hr连接器 材料 应用 技术 广泛

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第三代半导体材料

SiCrystal公司,等。其中Cree公司和SiCrystal公司的市场占有率超过85%。在所有的碳化硅制备厂商中以美国Cree公司最强,其碳化硅单晶材料的技术水平可代表了国际水平,专家预测在未来的几年里Cree公司还将在碳化硅衬底市场上独占鳌头。   氮化镓材料   GaN材料是1928年由Johason等人合成的一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体...

0次浏览 2017-07-28 信息发布 标签: hr连接器 半导体 材料 技术 电子器件

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半导体材料的发展历程

。但是GaAs、InP材料资源稀缺,价格昂贵,并且还有毒性,能污染环境,InP甚至被认为是可疑致癌物质,这些缺点使得第二代半导体材料的应用具有很大的局限性。   第三代半导体材料主要包括SiC、GaN、金刚石等,因其禁带宽度(Eg)大于或等于2.3电子伏特(eV),又被称为宽禁带半导体材料。和第一代、第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子...

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5G将改变RF产业 北京股商看GaN技术即将普及 未来产业现状会怎么样

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2015-10-29 标签: PFC 电源设计研讨会 AC_DC 氮化镓 无桥 CCM 研讨会

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