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GaN

GaN,中文名:氮化镓,常温常压下是纤锌矿结构。是现今半导体照明中蓝光发光二极管的核心材料。工业上采用MOCVD和HVPE设备来外延生长。GaN 半导体材料有二种基本结构:纤锌矿(Wurtzite, WZ)和闪锌矿(Zinc blende, ZB)。常温常压下惟有纤锌矿结构为稳定相。纤锌矿结构由两套六角密堆积子格子沿c 轴方向平移3c/8 套构而形成,所属空间群为或P63mc。

在电子工程世界为您找到如下关于“GaN”的新闻

为高功率密度而生,TI 全新一代电源产品登场
以及通信设备。据悉,该TPS62827电源模块评估板已经开始供货,购买价格为 49美金。[page]GaN 所带来的变革近年来, GaN(氮化镓)作为高频词,依然频繁出现在人们的视野,并正在为电力工程行业带来变革。它实现了以往硅 MOSFET 从未达到的高速、效率提升水平和更高功率密度。TI 高压电源应用产品业务部氮化镓(GaN)功率器件产品线经理 Steve Tom介绍,频率...
类别:电源设计 2018-11-06 标签: 高功率密度 GaN LMZM33606 TPS62827 LMG341x
贸泽开售TI LMG1020低侧GaN驱动器
专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货 Texas Instruments的LMG1020氮化镓 (GaN) 驱动器。此款单通道低侧驱动器可为要求速度的应用提供高效率、高性能的设计,适用于LiDAR、飞行时间激光驱动器、脸部识别、扩增实境和E类无线充电器等应用。    ...
类别:市场动态 2018-11-01 标签: 贸泽 GaN驱动器
Anker宣布充用上GaN元件 消费级氮化镓充电器开卖
   关于消费级氮化镓GaN充电器的话题从来不曾停止。先是初创品牌Dart-C日渐式微,台达Innergie 60W USB PD与GaN绝缘,就连德州仪器提供的DEMO也并不建议用做量产参考,小体积大功率的消费级氮化镓充电器在哪里成了谜团。但等待的时间似乎没有用上太久,Anker2018新品发布会上,正式发布了基于氮化镓GaN元件的An...
类别:便携/移动产品 2018-10-26 标签: 氮化镓充电器
纳微半导体:作为GaN技术领域的后来者如何赶超
作为第三代半导体的代表技术之一,GaN功率器件一直被业界寄予厚望,被认为是中、低功率市场上Si功率器件的革命者。研究机构Yole Dévelopement的数据显示,2016年全球氮化镓(GaN)功率元件产业规模约为1200万美元,预计到2022年该市场将成长到4.6亿美元,年复合成长率高达79%。 基于GaN功率器件的前景可期,已吸引许多公司进入这个市场...
类别:市场动态 2018-07-05 标签: 纳微半导体 GaN
氮化镓(GaN)技术推动电源管理不断革新
能源并占用更小空间,所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年,电力电子领域将管理大约80%的能源,而2005年这一比例仅为30%1。这相当于30亿千瓦时以上的节能。这些电力足以为30多万个家庭提供一年的电量。任何可以直接从电网获得电力的设备(从智能手机充电器到数据中心),或任何可以处理高达数百伏高电压...
类别:材料技术 2018-06-28 标签: GaN
深度剖析CMOS、FinFET、SOI和GaN工艺技术
的FinFET Tri-Gate三栅极设计,将重新设计晶体管底层结构,克服当前技术的物理、性能极限,增强栅极控制,性能大大提升。三星的GAA技术叫做MBCFET(多桥通道场效应管),正在使用纳米层设备开发之中。GaN等新工艺未来,硅将继续主宰半导体制造,然而,越来越多的设计师正在转向替代半导体,材料和制造工艺价格变得越来越实惠。这些材料主要包括化合物半导体碳化硅(SiC),铟镓...
类别:工业电子 2018-06-10 标签: CMOS FinFET SOI GaN工艺技术
GaN(氮化镓)功率器件的全球领军企业GaN Systems Inc.(以下简称“GaN Systems公司”)和功率半导体的领军企业ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)为促进电力电子市场的创新与发展,开始就GaN功率器件事业展开合作。 此次合作将充分发挥GaN Systems公司GaN功率晶体管的业界顶级性能与罗姆的GaN功率器件技术优势及丰富...
类别:电子设计 2018-06-07 标签: GaN功率器件
GaN(氮化镓)功率器件企业GaN Systems和功率半导体企业ROHM为促进电力电子市场的创新与发展,开始就GaN功率器件事业展开合作。此次合作将充分发挥GaN Systems公司GaN功率晶体管的业界顶级性能与罗姆的GaN功率器件技术优势及丰富的电子元器件设计/制造综合实力。双方将利用GaN Systems公司的GaNPXTM封装技术和罗姆的功率元器件传统封装技术...
类别:半导体生产 2018-06-05 标签: GaN Systems
,是氮化镓(GaN)材料产品,相对于目前的硅质功率半导体,氮化镓功率半导体可以在更高的温度与电压下正常运作,有助于高频元件加速运作,同时降低耗电,对于资料传输速度达4G无线通信技术10~100倍的5G,是相当具有吸引力的选择。 三菱电机开发氮化镓功率半导体已有一段时间,由于2017年大陆积极投资光纤网络建设,减轻三菱电机的光通信元件库存压力,让三菱电机注意到大陆市场需求...
类别:半导体生产 2018-05-18 标签: 5G 三菱电机
贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始供货GaN Systems的GSP65RxxHB-EVB绝缘金属基板 (IMS) 评估平台。IMS评估平台价格亲民,对于汽车、消费电子、工业和服务器或数据中心应用中的功率系统而言,能够改善热传导性能、提高功率密度并降低系统成本。贸泽电子备货的这款GaN Systems GSP65RxxHB-EVB IMS...
类别:综合资讯 2018-05-14 标签: 贸泽电子 dcdc转换器 IMS

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利用外延片焊接技术,把Si(111)衬底上生长的GaN蓝光LED外延材料压焊到新的Si衬底上.在去除原Si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光LED.与外延材料未转移的同侧结构相比,转移后的垂直结构GaN蓝光LED的电学性能、发光性能和结构性能明显改善,光输出功率显著提高.垂直结构LED的GaN层受到的张应力比同侧结构LED小....
类别:模拟及混合电路 2013年09月22日 标签: GaN 蓝光LED
GaN的极性特征测量及应用: GaN 在(0001) 方向是一种极性极强的半导体材料,它具有极强的表面特征,是目前发现的最好的压电材料,而GaN 的极性呈现出体材料的特征,它的测量要用一些特殊的方法,它的不同特征也给我们提供了广泛的应用前景。总结了到目前为止国外这一方面的研究结果。关键词:  GaN ; 极性; 测量...
类别:消费电子 2013年09月22日 标签: GaN的极性特征测量及应用
        在等离子增强化学气相沉积法(PECVD)沉积SiO2 和SiNX 掩蔽层过程中, 分解等离子体中浓度较高的H 原子使Mg- 受主钝化, 同时在p!GaN 材料表面发生反应形成浅施主特性的N+V 空位。高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的SiO2 和SiNX 材料, 阻碍了H 原子...
类别:科学普及 2013年12月06日 标签: PECVD沉积SiO_2和SiN_X对p_GaN的影响
采用混合基表示的第一原理赝势方法, 计算了闪锌矿结构的GaN (001) (1×1) 干净表面的电子结构. 分析了得到的各原子分态密度、面电荷密度分布以及表面能带结构等性质, 比较了GaN (001) 的Ga 端表面和N 端表面两种情况. 结果显示, 闪锌矿GaN (001) 的Ga 端表面比N 端表面更稳定, 这两种(1×1) 表面都是金属特性. 此外, 还讨论了次表面层原子的性质....
类别:其他 2013年09月22日 标签: 闪锌矿GaN001表面的电子结构
, much of the impetus came from experimentalwork devoted to, e.g., GaN-like group-III nitrides, in which internal electric fields of both pyro- and piezoelectric origin are large, determining the...
类别:射频 2013年09月22日 标签: 极化效应在半导体表格从头理论器件应用
        GaN作为新型的宽禁带半导体材料,一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料,可与InN,AlN形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金(AlGaN、InGaN、AlInGaN),对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围,而且具有化学稳定性和热稳定性好等优越的特性,因此在光电子领域具有...
类别:科学普及 2013年12月06日 标签: Si衬底GaN基材料及器件的研究
AlGaN_GaN HEMT E类功率放大器设计,AlGaN_GaN HEMT E类功率放大器设计 ……...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: AlGaN 类功 率放 大器 设计
国产高效GaN微波功率模块,HEG001D、HEG205B等。针对宽带、高功率微波系统及有源相控阵雷达应用需求,最新推出小型化高功率GaN功率模块,采用先进的平面内匹配合成技术,基于成熟的薄膜混合集成工艺制备,通用型金属陶瓷外壳封装,频率覆盖L~X波段,适应各种脉宽占空比及连续波工作条件,满足电子对抗、卫星通信、遥测遥控等高性能射频/微波系统的宽带、高功率、高效率...
类别:电源技术 2018年06月02日 标签: 功率模块
suanfa de shiyan xw dui gan xingqu de pengyou you bangzhu...
类别:科学普及 2014年03月05日 标签: suanfa de shiyan xw dui gan xingqu pengyou you bangzhu
LED制作流程分为两大部分。首先在衬低上制作氮化镓(GaN)基的外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后,按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,还有GaAs、AlN、ZnO等材料。MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉积...
类别:模拟及混合电路 2013年09月20日 标签: LED芯片制造流程入门资料

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250次浏览 2018-11-13 【PIC单片机】

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TI公司的UCC28780是高频有源钳位反激控制器,具有自适应控制的全部和部分零电压开关(ZVS)的初级FET,外接Si或GaN FET的可编时序,开关频率高达1MHz,可编程自适应突发控制和待机模式可提高轻负载效率,具有低输出波纹和减轻可听见噪音.主要用在笔记本电脑,平板电脑,TV,机顶盒和打印机的高密度AC/DC适配器,USB供电,直接和快速移动充电器,AC/DC或DC/DC辅助电源...
101次浏览 2018-11-05 【跟TI学电源】

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作者: TI 工程师 Aki Li, Rayna Wang高频临界模式 (CrM) 图腾柱功率因数校正 (PFC) 是一种使用 GaN 设计高密度功率解决方案的简便方法。TIDA-00961 参考设计使用 TI 的 600V GaN 功率级 LMG3410 和 TI 的 Piccolo™F280049 控制器。功率级尺寸 65 x 40 x 40mm,功率密度大于 250W...
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外部元件数量并降低偏置功率。演示视频:www.analog.com/.../5804450423001.html RF放大器产品(包括GaN)演示RF放大器近距离查看业界最高性能和最完整的RF/MW产品系列,并了解这些放大器如何简化用于仪器仪表、航空航天和防务应用的解决方案。演示视频:http://www.analog.com/en/education/education-library...
101次浏览 2018-10-23 ADI参考电路

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数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。 与LDMOS相比,硅基氮化镓的性能优势已牢固确立——它可提供超过70%的功率效率,将每单位面积的功率提高4到6倍,并且可扩展至高频率。同时,综合测试数据已证实,硅基氮化镓符合严格的可靠性...
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的bq25910 6A三级降压电池充电器可在智能手机、平板电脑和电子销售终端(EPOS)中将解决方案尺寸减小60%。 TI高压电源解决方案副总裁Steve Lambouses表示:“消费者希望以更小的尺寸实现更快速的充电,这些新解决方案不仅能够实现这一目标,而且还能使设计人员以更低的功耗实现比之前更多的功能。” 有源钳位反激式芯片组符合现代效率标准 UCC28780同时支持氮化镓(GaN)和硅(Si...
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瑞典的研究人员在碳化硅(SiC)上生长出更薄的IIIA族氮化物结构,以期实现高功率和高频薄层高电子迁移率晶体管(T-HEMT)和其他器件。 新结构采用高质量的60nm无晶界氮化铝(AlN)成核层,而不是大约1-2μm厚的氮化镓(GaN)缓冲层,以避免大面积扩展缺陷。 成核层允许高质量的GaN在0.2μm的厚度内生长。 用于高频和功率电子器件的GaN-SiC混合材料 (a)常规和(b)低...
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日本SCIOCS有限公司和法政大学曾报导了在氮化镓(GaN)中利用光电化学(PEC)蚀刻深层高纵横比沟槽的进展[Fumimasa Horikiri et  al, Appl. Phys. Express, vol11, p091001, 2018]。 该团队希望该技术能够在高场中能够利用GaN的高击穿场和高电子迁移速度为电力电子技术开辟新的器件结构。 具有p型和n型材料列...
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,因此,各放大器的功耗要求降低      为了便于说明,我们在曲线上叠加了技术图,指示哪种技术对不 同范围的天线元件数量最佳。注意:不同技术之间存在重叠,这 是因为每种技术都有一个适用的值范围。另外,根据工艺和电路设计实践,具体技术可以实现的性能也有   一个范围。元件非常少时,各链需要高功率PA(GaN 和 GaAs),但当元件数量超过200时, P1dB降到20dBm 以下,处于硅工艺...
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2015电源设计研讨会: 基于氮化镓的图腾柱无桥 PFC (CCM)
由于其出色的开关特性和经改进的性能指标,氮化镓 (GaN) 技术最近在电源转换应用中备受关注。具有低寄生电容和零反向恢复的非共源共栅 (cascoded) GaN可实现更高的开关频率和效率,从而提供了全新的应用和拓扑选择。连续传导模式 (CCM) 图腾柱PFC就是从GaN优点中受益的一种拓扑。与...

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