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GaAs

是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物,黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下,能在空气中稳定存在,并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料,其电子迁移率高、介电常数小,能引入深能级杂质、电子有效质量小,能带结构特殊,可作外延片。

在电子工程世界为您找到如下关于“GaAs”的新闻

在经历2016年相对平稳的一年之后,2017年RF GaAs设备市场收益增长了超过7%。尽管GaAs设备被应用在各种商业和国防应用中,但无线市场仍然是该技术的主要用户。 移动手机将继续定义收益轨迹,但新兴的5G网络部署将有助于未来的增长。 Strategy Analytics高级半导体应用(ASA)服务最新发布的研究报告《RF GaAs设备行业预测:2017年 - 2022年...
类别:综合资讯 2018-10-30 标签: 蜂窝应用
 2018年1月11日 – 实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布,Qorvo 前端功率放大器(PA)将用于高通子公司 Qualcomm Technologies, Inc. 的高通® 蜂窝车联网(C-V2X)参考设计。Qorvo 新型 GaAs HBT PA 是唯一一款支持C-V2X 的功率放大器,旨在增强...
类别:其他技术 2018-01-12 标签: Qorvo
美高森美推出新系列宽带塑封和裸片GaAs MMIC器件
封装中,是尺寸受限应用的理想选择。另外两个宽带LNA(MMA043PP4和MMA044PP3)可提供从0.5至18GHz的极低噪声系数(NF),典型NF低于2dB,且带缘不超过2.5dB。与竞争器件相比,两个新的宽带GaAs开关(MMS006PP3和MMS008PPS)改善了从DC至20GHz较宽频率范围的插入损耗和隔离特性。这些器件采用3mm塑料QFN封装,是满足尺寸受限应用...
类别:其他技术 2017-07-05 标签: 美高森美 MMIC
中国,北京 — Analog Devices, Inc. (NASDAQ:ADI)今日宣布收购位于美国加利福尼亚州Santa Rosa的OneTree Microdevices公司。ADI公司是业界领先的混合信号解决方案供应商,提供从数据转换器、时钟到控制/电源调节等电缆接入解决方案。OneTree Microdevices的GaAs和GaN放大器具有业内最佳的线性度...
类别:数模混合 2017-03-31 标签: ADI 混合信号 放大器 信号链
ADI收购宽带GaAs和GaN放大器专业公司OneTree Microdevices
Analog Devices, Inc. (NASDAQ:ADI)今日宣布收购位于美国加利福尼亚州Santa Rosa的OneTree Microdevices公司。ADI公司是业界领先的混合信号解决方案供应商,提供从数据转换器、时钟到控制/电源调节等电缆接入解决方案。OneTree Microdevices的GaAs和GaN放大器具有业内最佳的线性度、输出功率...
类别:放大器 2017-03-31 标签: ADI GaAs GaN
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)日前宣布推出氮化镓(GaN)/砷化镓(GaAs)混合功率放大器系列,用以扩展范围并满足点对点无线电链路市场数据吞吐速率爆炸式提高的需求。 Qorvo传输业务部总经理Gorden Gook表示:“无线基础设施客户越来越多地需要更高功率放大器来提高数据...
类别:综合资讯 2015-08-19 标签: Qorvo
基于GaAs工艺的可变增益功率放大器的应用设计
,其性能直接影响发射机的作用半径、线性特性以及整个系统的效率,它通常是系统中成本最高的元器件。当代微波无线信息传输系统小型化的趋势越来越明显,这就要求元器件的集成度越来越高。国外开展商用单片功率放大器研究较早,其中日本Eudyna公司的产品性能较佳,占领的市场份额最大,美国Hittite公司和Triquint公司也在近两年推出了相应的产品。中国在GaAs材料生长和器件研制方面...
类别:电源设计 2014-07-12 标签: GaAs工艺 可变增益功率 放大器
    互补式金属氧化物半导体功率放大器(CMOS PA)与砷化镓(GaAs)PA方案战火愈演愈烈。CMOS PA正挟尺寸及成本优势于中低价手机市场攻城掠地,市占可望提升至15%~20%,而GaAs PA厂商为进一步防堵对手攻势,将全面启动轻晶圆代工(Fab-lite)策略,以同时巩固高阶手机及中低价手机市占。  拓墣产业研究所...
类别:便携/移动产品 2013-10-08 标签: 中低价 手机风潮
设计一款超低噪声的S频段放大器
工程师们一般都把RF低噪声放大器设计视为畏途。要在稳定高增益情况下获得低噪声系数可能极具挑战性,甚至使人畏惧。不过,采用最新的GaAs(砷化镓)异质结FET,可以设计出有高稳定增益和低于1dB噪声系数的放大器(参考文献1)。本设计就讲述了一个有0.77dB噪声系数的低噪声放大器。  制造商们一般会给出低噪声放大器的输入/输出匹配、噪声系数、增益、稳定性、1dB...
类别:其他技术 2013-07-29 标签: FET GaAs S频段放大器
利用GaAs PHEMT设计MMIC LNA
在通信接收器中低噪声放大器(LNA)对于从噪声中析出信号十分关键。控制系统内噪声还有其他技术,包括过滤和低温冷却,但低噪声放大器的良好性能,提供了一种被实践所验证的可靠的管理通信系统噪声的方法。随之而来的是对工作于X频段(8GHz)的低功率(电池供电)LNA设计的探索。设计比较了在目标是工作于的几毫瓦DC电源的单片微波集成电路(MMIC)中,GaAs PHEMT增强型(E...
类别:电源设计 2013-07-27 标签: GaAs PHEMT MMIC LNA 控制系统

GaAs资料下载

A 25-W 5-GHz GaAs FET Amplifier for a Microwave Landing SystemIEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, VOL. MTT-29, NO. 6, JUNE 1981579A 25-W 5-GHz GaAs FET Amplifier...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 5GHz Amplifier Microwave Landing System
2005ads论文标题2005 EEsof 1. ADS TD-SCDMA 2. ADS2003C MMIC 3. Ku 4. 5. ADS 6. ADS 7. ADS 8. EEsof/ADS 9. ADS 10. ADS 11. GaAs MMIC ADS 12. GaAs HFET/PHEMT 13....
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 2005ads 论文 标题
方面起了显著的作用[3]。 70 年代,GaAs 材料制造工艺的成熟,对微波半导体技术的发展 有着极为重要的影响。 GaAs 材料的电子迁移率比 Si 高七倍,而且漂 移速度也比 Si 高的多,这种高频高速性能是由其材料特性决定的。又 由于 GaAs 材料的半绝缘性 (其电阻率可达 105Ω /cm)可以不需要采用 特殊的隔离技术而将平面传输线,所以无源元件和有源元件集可以成 在同一块芯片上,更进...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 微波 集成 电路 及其 概念 综述
有重大意义2、MMIC应用领域军用 民用MMIC应用领域 军事相控阵雷达 电子对抗系统 导弹 干扰系统 通信系统 身份鉴别商业化通讯 -无线电话 -蜂窝电话 -无线局域网 汽车装置 -障碍识别 -防撞装置 -交通控制 远程无线 卫星通信 -卫星 -地面终端 -电视接收 GPSMMIC应用领域3、GaAs和Si MMIC◆ GaAs和Si MMIC广泛应用于无线终端接收和发射机上 ◆ GaAs性能好...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 波段 低噪 放设 计与 制作
一简化的VBIC模型和InGaPGaAs HBT宽带放大器设计一简化的VBIC模型和InGaP/GaAs HBT宽带放大器设计 孙玲玲 刘军 (杭州电子科技大学微电子CAD所,杭州 310018)摘要:采用一新的简化VBIC模型对单、多指InGaP/GaAs...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 一简 化的 模型 InGaPGaAs 宽带 放大 器设
Simulating a GaAs FET PA_GenesysEagleware PN 14 Simulating a GaAs FET Power Amplifier with GENESYSAbstractLinear Microwave power amplifier design and analysis with circuit...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: Simulating Genesys
GaAs pHEMT Switches for GSM HandsetsCOVER FEATURE2.5 V GAAS PHEMT SWITCHES FOR GSM HANDSETSAnew line of robust GaAs pHEMT switches for operation in 2.5 V GSM handsets has been...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: pHEMT Switches Handsets
叙述GaAs MESFET、GaAs HEMT和GaAs耿氏器件等新一代GaAs毫米波器件的发展现状。...
类别:射频 2014年03月05日 标签: 砷化镓毫米波器件
叙述GaAs MESFET、GaAs HEMT和GaAs耿氏器件等新一代GaAs毫米波器件的发展现状。...
类别:射频 2013年09月22日 标签: 砷化镓 毫米波
”, “Silicon Microwave Monolithic ICs” and “Microwave GaAs Devices”.CautionGaAs Products This product uses gallium arsenide (GaAs). GaAs vapor and powder are hazardous to human health if inhaled or...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: Microwave Devices Selection Guide Application System

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;     很多现有4G用户设备及基站采用LDMOS、GaAs及SiGe功率放大器,而GaN功率放大器于最近进入基站功率放大器市场。随着频率扩展至6GHz以下,最大工作频率为3GHz 的LDMOS不太可能满足5G规范的要求,与此相对,GaN功率放大器(且可能为低噪声放大器)则可有能用于5G基础设施。在6GHz以下5G应用的放大和切换功能方面,GaA和SiGe这两种放大器将形成...
32次浏览 2019-03-14 RF/无线

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:“RFaxis已经打破了所有的技术障碍,这些障碍一度使得纯CMOS无法超越GaAs和SiGe等现有技术的性能。我们不仅将开始大批量生产这七种新的RFeIC—从sub-GHz ZigBee到5GHz 11n/ac MIMO—还将在不久提供RFX8825 RFeIC的试样以支持智能手机和平板电脑的Wi-Fi设计向双频/双模的过渡、以及我们的RFX240大功率线性功率放大器以进军Wi-Fi AP/路由器和户外热点...
0次浏览 2019-03-08 信息发布

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长度(延时)的对应关系。      PCB 板上每单位英寸的延时为 0.167ns.。但是,如果过孔多,器件管脚多,网线上设置的约束多,延时将增大。通常高速逻辑器件的信号上升时间大约为0.2ns。如果板上有GaAs芯片,则最大布线长度为7.62mm。     设Tr 为信号上升时间, Tpd 为信号线传播延时。如果Tr≥4Tpd,信号落在安全区域。如果...
101次浏览 2019-02-20 信息发布

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供应器或调制器整合入FEM,可有效地减少移动设备内部的整体空间需求。为了支持更大的操作频率范围而大量增加滤波器/双工器插槽,会使得移动设备的复杂度和测试项目的数量节节攀升。 半导体材料的变迁: Ge(锗)、Si(硅)→→→GaAs(砷化镓)、InP(磷化铟)→→→SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)、SiGe(锗化硅)、SOI(绝缘层上覆硅) →→→碳纳米管(CNT) →→→石墨烯...
2626次浏览 2018-03-14 RF/无线

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研究院集成电路研究所朱邵歆博士表示,以半导体材料来看,目前化合物半导体材料的话语权掌握在欧美企业手中,并已建立了市场和技术壁垒,形成了产业链合作惯性,中国企业进入市场晚,很难有足够的话语权。4G智能手机使用的GaAs射频放大器市场中,美国Skyworks、Qorvo和Broadcom三家市场占有率接近90%,GaN基站市场集中于日本住友电工、美国Gree、Qorvo三家企业手中。国际对中国实行...
3131次浏览 2018-03-07 信息发布

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中国知名微波测试设备供应商Sample(盛铂科技)于2016年8月宣布其之前用于自身微波测试仪器的超宽带低噪声放大器模块通用版本正式对用户开放销售,其型号为:SWLNA0012031。         SWLNA0012031低噪放模块具有仪器级别的性能指标,采用GaAs PHEMT MMIC工艺,具有超低功耗(单电源+5V工作,电流...
970次浏览 2016-10-21 信息发布

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概述        盛铂科技SWLNA0012031型号0.1至20GHz超宽带低噪声放大器模块是基于GaAs PHEMT MMIC工艺为基础并结合盛铂科技在设计开发宽带微波测试产品中积累的丰富经验为广大用户单独研发的一款通用高增益低噪声放大器,它具有超低功耗(单电源+5V工作,电流140mA),可覆盖0.1-20GHz超宽...
939次浏览 2016-10-18 信息发布 标签: 放大器

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布线长度应在1英寸。对于GaAs芯片最大的布线长度应为0.3英寸。如果超过这个标准,就要通过软件仿真来定位走线.走线的精确长度需物理软件(如:PADS等)控制.   2 合理规划走线的拓扑结构解决传输线效应的另一个方法是选择正确的布线路径和终端拓扑结构。当使用高速逻辑器件时,除非走线分支长度保持很短,否则边沿快速变化的信号将被信号主干走线上的分支走线所扭曲。通常情形下,PCB走...
1255次浏览 2015-10-24 PCB设计 标签: 电磁辐射 设计软件 errors 设计师 电子

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就主要掌握在日本企业) 终于真正量产了。估计这玩意要普及还得几个时辰。 新东西还要经市场考验呢 GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SIC、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好...
3933次浏览 2013-01-24 电源技术 标签: 氮化镓 半导体 电源

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技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司,推出四款采用新封装的砷化镓(GaAs) pHEMT 射频功率放大器模块,提供高输出功率、增益及效率,覆盖频率范围为6-38 GHz。 其中每款新放大器的封装都更方便进行组装,包括支持多层印刷电路板布局的设计。TriQuint新的放大器是用于点对点微波无线电和极小口径终端 (VSAT) 等商业应用的理想选择。这四款新放大器包括...
2034次浏览 2012-12-21 信息发布 标签: 放大器 点对点 color style

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