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GaAs

是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物,黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下,能在空气中稳定存在,并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料,其电子迁移率高、介电常数小,能引入深能级杂质、电子有效质量小,能带结构特殊,可作外延片。

在电子工程世界为您找到如下关于“GaAs”的新闻

在经历2016年相对平稳的一年之后,2017年RF GaAs设备市场收益增长了超过7%。尽管GaAs设备被应用在各种商业和国防应用中,但无线市场仍然是该技术的主要用户。 移动手机将继续定义收益轨迹,但新兴的5G网络部署将有助于未来的增长。 Strategy Analytics高级半导体应用(ASA)服务最新发布的研究报告《RF GaAs设备行业预测:2017年 - 2022年...
类别:综合资讯 2018-10-30 标签: 蜂窝应用
Analog Devices GaAs ADMV10x转换器在贸泽开售
2018年6月5日 – 专注于新产品引入 (NPI) 并提供极丰富产品类型的业界顶级半导体和电子元件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Analog Devices的ADMV10x转换器。这些单片微波集成电路 (MMIC) 属于ADI 最新的RF升/降频转换器系列,用砷化镓 (GaAs) 制成,是高性能、高品质且封装尺寸小巧方便的产品,适用于...
类别:其他 2018-06-06 标签: 转换器
中国,北京 – 2018年1月11日 – 实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布,Qorvo 前端功率放大器(PA)将用于高通子公司 Qualcomm Technologies, Inc. 的高通® 蜂窝车联网(C-V2X)参考设计。Qorvo 新型 GaAs HBT PA 是唯一一款支持C-V2X 的功率放大器,旨在增强...
类别:半导体生产 2018-01-12 标签: GaAs HBT PA
 2018年1月11日 – 实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布,Qorvo 前端功率放大器(PA)将用于高通子公司 Qualcomm Technologies, Inc. 的高通® 蜂窝车联网(C-V2X)参考设计。Qorvo 新型 GaAs HBT PA 是唯一一款支持C-V2X 的功率放大器,旨在增强...
类别:其他技术 2018-01-12 标签: Qorvo
美高森美推出新系列宽带塑封和裸片GaAs MMIC器件
封装中,是尺寸受限应用的理想选择。另外两个宽带LNA(MMA043PP4和MMA044PP3)可提供从0.5至18GHz的极低噪声系数(NF),典型NF低于2dB,且带缘不超过2.5dB。与竞争器件相比,两个新的宽带GaAs开关(MMS006PP3和MMS008PPS)改善了从DC至20GHz较宽频率范围的插入损耗和隔离特性。这些器件采用3mm塑料QFN封装,是满足尺寸受限应用...
类别:其他技术 2017-07-05 标签: 美高森美 MMIC
,从而降低电路与下层晶圆的成本。该技术能有助于制造商以较简单且低成本的方式,结合硅(Si)以及诸如用于晶体管管信道的砷化镓(GaAs)等昂贵材料。麻省理工学院教授Jeehwan Kim表示,「我们利用了石墨烯的强度及其润滑的特质,而非其电气性能,因而可制造昂贵材料的极薄电路,从而大幅降低使用特殊材料的总成本。 」例如,目前,英特尔(Intel)、IBM等许多制造商正致力于硅晶圆...
类别:半导体生产 2017-04-21 标签: GaAs电路
,从而降低电路与下层晶圆的成本。该技术能有助于制造商以较简单且低成本的方式,结合硅(Si)以及诸如用于晶体管管信道的砷化镓(GaAs)等昂贵材料。麻省理工学院教授Jeehwan Kim表示,「我们利用了石墨烯的强度及其润滑的特质,而非其电气性能,因而可制造昂贵材料的极薄电路,从而大幅降低使用特殊材料的总成本。 」例如,目前,英特尔(Intel)、IBM等许多制造商正致力于硅晶圆...
类别:材料技术 2017-04-21 标签: GaAs 石墨烯 晶圆
亚德诺半导体(ADI)近日宣布收购OneTree Microdevices。 亚德诺为混合讯号解决方案供货商,提供从数据转换器、频率到控制/电源调节等电缆接入解决方案。OneTree Microdevices的GaAs(砷化镓)和GaN(氮化镓)放大器具有业界最佳的线性度、输出功率和效率,亚德诺收购该公司及产品组合后,其能够支持下一代电缆接入网络的完整讯号链。 该笔交易的财务...
类别:半导体生产 2017-04-06 标签: ADI GaAs/GaN
中国,北京 — Analog Devices, Inc. (NASDAQ:ADI)今日宣布收购位于美国加利福尼亚州Santa Rosa的OneTree Microdevices公司。ADI公司是业界领先的混合信号解决方案供应商,提供从数据转换器、时钟到控制/电源调节等电缆接入解决方案。OneTree Microdevices的GaAs和GaN放大器具有业内最佳的线性度...
类别:数模混合 2017-03-31 标签: ADI 混合信号 放大器 信号链
ADI收购宽带GaAs和GaN放大器专业公司OneTree Microdevices
Analog Devices, Inc. (NASDAQ:ADI)今日宣布收购位于美国加利福尼亚州Santa Rosa的OneTree Microdevices公司。ADI公司是业界领先的混合信号解决方案供应商,提供从数据转换器、时钟到控制/电源调节等电缆接入解决方案。OneTree Microdevices的GaAs和GaN放大器具有业内最佳的线性度、输出功率...
类别:放大器 2017-03-31 标签: ADI GaAs GaN

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的主要产地,年产LED 约40 亿只,产品品种规格齐全,性能达到或接近世界先进水平,所生产的管芯也大量出口日本等国。2 超高亮度LED 的基本性能2.1 各色超高亮度LED 的基本特性超高亮度红A1GaAs LED 具有更高的发光效率,透明衬底(TS)A1GaAs LED(640nm)的流明效率已接近10lm/w,比红色GaAsP-GaP LED 大10 倍。超高亮度InGaAlP LED 提供...
利用透射电子显微镜对压痕诱发GaAs中的塑性变形结构进行了研究。结果表明,压痕周围产生了由长臂位错和短臂位错组成的非均匀分布的玫瑰型位错组态和二次对称分布的孪晶结构。利用电子衍射技术对位错类型进行了分析。结果表明位错形态与Fran-Read位错的形核、运动和相互作用有关,而孪生过程与形变过程中扩展位错的产生与运动密切相关。关 键 词 GaAs单晶; 压痕; 位错与孪晶; 电子显微镜...
类别:单片机 2013年09月22日 标签: 压痕诱发GaAs单晶的塑性变形
A 25-W 5-GHz GaAs FET Amplifier for a Microwave Landing SystemIEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, VOL. MTT-29, NO. 6, JUNE 1981579A 25-W 5-GHz GaAs FET Amplifier...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 5GHz Amplifier Microwave Landing System
2005ads论文标题2005 EEsof 1. ADS TD-SCDMA 2. ADS2003C MMIC 3. Ku 4. 5. ADS 6. ADS 7. ADS 8. EEsof/ADS 9. ADS 10. ADS 11. GaAs MMIC ADS 12. GaAs HFET/PHEMT 13....
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 2005ads 论文 标题
有重大意义2、MMIC应用领域军用 民用MMIC应用领域 军事相控阵雷达 电子对抗系统 导弹 干扰系统 通信系统 身份鉴别商业化通讯 -无线电话 -蜂窝电话 -无线局域网 汽车装置 -障碍识别 -防撞装置 -交通控制 远程无线 卫星通信 -卫星 -地面终端 -电视接收 GPSMMIC应用领域3、GaAs和Si MMIC◆ GaAs和Si MMIC广泛应用于无线终端接收和发射机上 ◆ GaAs性能好...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 波段 低噪 放设 计与 制作
一简化的VBIC模型和InGaPGaAs HBT宽带放大器设计一简化的VBIC模型和InGaP/GaAs HBT宽带放大器设计 孙玲玲 刘军 (杭州电子科技大学微电子CAD所,杭州 310018)摘要:采用一新的简化VBIC模型对单、多指InGaP/GaAs...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 一简 化的 模型 InGaPGaAs 宽带 放大 器设
Simulating a GaAs FET PA_GenesysEagleware PN 14 Simulating a GaAs FET Power Amplifier with GENESYSAbstractLinear Microwave power amplifier design and analysis with circuit...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: Simulating Genesys
GaAs pHEMT Switches for GSM HandsetsCOVER FEATURE2.5 V GAAS PHEMT SWITCHES FOR GSM HANDSETSAnew line of robust GaAs pHEMT switches for operation in 2.5 V GSM handsets has been...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: pHEMT Switches Handsets
叙述GaAs MESFET、GaAs HEMT和GaAs耿氏器件等新一代GaAs毫米波器件的发展现状。...
类别:射频 2014年03月05日 标签: 砷化镓毫米波器件
叙述GaAs MESFET、GaAs HEMT和GaAs耿氏器件等新一代GaAs毫米波器件的发展现状。...
类别:射频 2013年09月22日 标签: 砷化镓 毫米波

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上。随着敷铜层压板的出现,带状线发展成为一项性能可以预先计算的精密工艺。带状线传输结构最重要的特点,是其特性阻抗受中心条带导体的宽度控制。带状线电路结构的二位特性使得它能实现许多元件的互连而不破坏外导体的屏蔽层,这也给输入输出位置带来很大的灵活性。由于两根条带导体紧靠时,存在固有的耦合特性,因此带状线在平行线耦合器中应用非常方便 。自1974年,美国的Plessey公司用GaAs FET作为有源器件...
176次浏览 2018-12-12 RF/无线

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增益(33dB)、高效率(低电流模式下,+17dBm时的电流为170mA)、极低的本底EVM(<1.5%)、一流的热稳定性和配备简单CMOS逻辑的多模式控制,RFX5000和RFX5000B的性能优于当今市面上采用包括砷化镓(GaAs)或锗硅(SiGe)在内的任何现有技术的所有5GHz前端解决方案。此外,RFX5000和RFX5000B解决方案与市面上现有的5GHz技术引脚兼容。 RFX8420...
0次浏览 2018-12-03 TI技术论坛

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增益(33dB)、高效率(低电流模式下,+17dBm时的电流为170mA)、极低的本底EVM(<1.5%)、一流的热稳定性和配备简单CMOS逻辑的多模式控制,RFX5000和RFX5000B的性能优于当今市面上采用包括砷化镓(GaAs)或锗硅(SiGe)在内的任何现有技术的所有5GHz前端解决方案。此外,RFX5000和RFX5000B解决方案与市面上现有的5GHz技术引脚兼容。 RFX8420...
0次浏览 2018-12-03 信息发布

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CMOS工艺制作光器件。与传统方案相比,硅光子技术具有更高的集成度及更多的嵌入式功能,有利于提升芯片的集成度。 (2)成本下降潜力大。在光器件和光模块中,光芯片的成本占比较高。传统的GaAs/InP衬底因晶圆材料生长受限,生产成本较高。近年来,随着传输速率的进一步提升,需要更大的三五族晶圆,芯片的成本支出将进一步提升。与三五族半导体相比,硅基材料成本较低且可以大尺寸制造,芯片成本得以大幅降低...
0次浏览 2018-11-07 信息发布

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。硅分立式PIN二极管?硅混合微波集成电路(HMICTM) PIN二极管集成电路?砷化镓(GaAs)分立式PIN二极管?砷化铝镓(AlGaAs) IC?对于复合物质,有几种可行的电路拓扑,例如仅串联二极管、串并联二极管和仅并联二极管等。设计人员如何确定如何进行? 图1:并联PIN二极管SPDT 图2:高隔离通用PIN SPDT 分立设计与集成电路 将集成电路开关实现到系统中通常比设计...
101次浏览 2018-10-09 信息发布 标签: PIN二极管 HMIC AlGaAs

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、SiGe BiCMOS 和 GaAs 等技术,使每个器件都能得到较优的性能。例如,数据转换器现在采用 CMOS 工艺开发,使采样速率达到 GHz 范围。上下变频和波   束赋形功能可以在 SiGe BiCMOS 中有效实现。根据系统指标要求,可能需要基于GaAs 功率放大器和低噪声放大器,但如果 SiGe BiCMOS 能够满足要求,利用它将能实现较高的集成度。   对于 5G 毫米波系统...
310次浏览 2018-09-26 RF/无线

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(InP) 材料是这些年国际和国内比较热门的材料。相对于传统的 SiGe 材料或GaAs材料来说,磷化铟(InP)材料有更好的电性能,可以提供更高的饱和电子速度,更低的表面复合速度以及更高的电绝缘强度。在采用新型材料的过程中,还需要解决一系列的工艺问题。比InP材料的高频特性非常好,但果采用传统的铝基底时会存在热膨胀系数不一致以及散热效率的问题。氮化铝(AIN)是一种新型的陶瓷基底材料,其热性能...
447次浏览 2018-09-19 【测试/测量】

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,+17dBm时的电流为170mA)、极低的本底EVM(<1.5%)、一流的热稳定性和配备简单CMOS逻辑的多模式控制,RFX5000和RFX5000B的性能优于当今市面上采用包括砷化镓(GaAs)或锗硅(SiGe)在内的任何现有技术的所有5GHz前端解决方案。此外,RFX5000和RFX5000B解决方案与市面上现有的5GHz技术引脚兼容。 RFX8420和RFX8421针对如今已经成为...
283次浏览 2018-09-01 信息发布

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你了解氮化镓(GaN)器件的市场地位吗?你知道GaN优势是什么吗?你清楚GaN的实施挑战是什么吗? 点击https://ezchina.analog.com/thread/18784  观看ADI 最新的在线研讨会,我们会介绍GaN相较于砷化镓(GaAs) IC技术的一些优势,并探讨在裸片、表贴和机械连接方面从GaAs转向GaN功率放大器实施中存在的一些挑战——组装、热管...
202次浏览 2018-08-27 模拟电子

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AP1286S(RFIC)是一款完全集成的单芯片2.4 GHz至2.5 GHz RF前端模块(FEM),集成了功率放大器(PA),低噪声放大器(LNA),相关的输入和输出匹配网络以及两个单极双掷(SPDT)开关。 GaAs PHEMT工艺实现了卓越的射频性能,外形小巧,材料清单少,成本低,是2.4GHz ISM频段应用的理想选择,如需要高性能,低成本前端的嵌入式模块和物联网系统解决方案。深圳市颢...
184次浏览 2018-08-16 信息发布

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