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在电子工程世界为您找到如下关于“Flash”的新闻

STM32开发笔记38: 单片机内部Flash的读写
单片机型号:STM32F070F6P6本文介绍应用C语言进行单片机内部Flash的读写技巧,将从查看文档开始,到最终完成完整的程序。单片机型号:STM32F070F6P6步骤如下:1、查看文档《STM32F030x4/x6/x8/xC and STM32F070x6/xB advanced ARM®-based 32-bit MCUs》确认其Flash的内部结构。2、查看文档...
类别:STM32 2019-07-16 标签: STM32 单片机 内部Flash 读写
STM32——SPI通信协议(W25Q128Flash的通信)
“数据寄存器 DR”中的数据。W25Q128 FLASH芯片介绍W25Q128是一款SPI通信的FLASH芯片,其FLASH的大小为16M,分为 256 个块(Block),每个块大小为 64K 字节,每个块又分为 16个扇区(Sector),每个扇区 4K 个字节。通过SPI通信协议即可实现MCU(STM32)和 W25Q128 之间的通信。实现W25Q128的控制需要通过SPI协议...
类别:STM32 2019-07-11 标签: STM32 SPI通信协议 W25Q128FLASH
stm32f4_flash.c/************************************************************************************************************* * 文件名: stm32f4_flash.c * 功能: STM32F4 内部FLASH...
类别:STM32 2019-07-11 标签: STM32F4 内部flash驱动 寄存器操作
据新浪科技报道,三星电子否认了媒体关于公司计划最早在本月削减NAND Flash产量的报道,并称相关报道毫无根据。 近日,随着NAND Flash供应商陆续紧缩供给,加上日本对韩国禁运光刻胶等3项关键半导体材料,市场掀起一波NAND Flash抢货潮, NAND Flash价格开始反弹。 此前,据《韩国经济日报》报道,三星电子和SK海力士正计划削减NAND...
类别:消费电子 2019-07-11 标签: 三星 NAND Flash 价格回升
STM32小白入门(第14天)-------Flash
一、Flash概述    闪存(Flash Memory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器。用途:SD卡、固态硬盘、芯片内存存储单元存储代码。二、内部FLASH特征1、以分区形式进行规划,配置数据最好从最后扇区进行操作,防止覆盖扇区0的代码。2、写入数据之前得先擦除数据,类似与读书时的黑板原理。思考题1:擦除完之后...
类别:STM32 2019-07-10 标签: STM32 Flash
分析师顾文军指出,相对而言,DRAM更加成熟、高度集中和更加“标准”的产业特性,做DRAM的难度要远超NAND Flash。任何新进入者都面临着技术来源、团队、专业化运营和成本的几大难题。目前来看,中国大陆做DRAM的几家都没有全面解决上述问题;晋华去年的被禁,就是一个警示。 国内存储产业原为三大阵营,分别是紫光集团旗下长江存储,以及合肥长鑫与晋华集成。但是去年10月...
类别:工业电子 2019-07-09 标签: 3D NAND Flash 半导体设备 紫光集团 DRAM
东芝受停电影响,三星NAND Flash乘势喊涨
存储器芯片与智能手机市况低迷影响,三星电子预估,第2季营业利益将比去年同期下滑逾50%。不过,因为存储器大厂东芝旗下厂区发生停电影响,加上相关存储器厂商亏损已久,手机品牌厂下半年推出新手机等因素,包括三星在内的NAND Flash原厂反而乘势喊涨。  三星电子5日发布初估财报指出,上季营业利益将年减56.3%至6.5兆韩元(56亿美元),营收下滑4.2...
类别:消费电子 2019-07-08 标签: 三星 东芝 DRAM NAND Flash
STM32F103CB 芯片Flash DOWNLOAD编程地址范围设置相关问题记录
程序模式:IAP+APP地址分配:IAP:8000000H-8003FFFH,APP:8004000H-801FFFFHFLASH DOWNLOAD地址设置:IAP:8000000H-801FFFFH APP:8004000H-801FFFFH刚开始分2个步骤通过jlink把程序下载进去,可以调试APP。后来用IAP方式烧了一个错误的APP程序进去,然后就发现APP部分...
类别:STM32 2019-07-01 标签: STM32F103CB FLASH 编程地址范围 设置
STM32F103 SPI Flash操作注意事项
之前一直使用的W25Q16 spi flash都没问题,换了一款W25Q80后发现工作不正常,经过测试,初步定位到问题在于初始化SPI后是否将CS拉高。于是又去查看了一下原厂代码:发现原厂的代码初始化SPI接口时是专门拉高CS的。结论:网上很多代码初始化SPI接口时没有专门拉高CS,对某些型号可能确实是没问题,但兼容性不好,最好是加上。...
类别:STM32 2019-07-01 标签: STM32F103 SPI flash操作 注意事项
STM32 FSMC机制Flash拓展
(Flexihie Static Memory Controller,可变静态存储控制器)是STM32系列中内部集成256 KB以上FlaSh,后缀为xC、xD和xE的高存储密度微控制器特有的存储控制机制。之所以称为“可变”,是由于通过对特殊功能寄存器的设置,FSMC能够根据不同的外部存储器类型,发出相应的数据/地址/控制信号类型以匹配信号的速度,从而使得STM32系列微控制器...
类别:STM32 2019-06-29 标签: STM32 FSMC机制 flash拓展

Flash资料下载

following window will pop-up. Step2: Now click on the “Load Hex file” button. Please browse to the hex file, which needs to be downloaded into Flash. In this case, Blinky.hex would be loaded....
类别:单片机 2013年06月04日 标签: ARM LPC2000 FLASH烧录
文件列表 Bootstrap-v1.15\board\at91cap9adk\at91cap9adk.c ...............\.....\...........\dataflash\at91cap9adk.h ...............\.....\...........\.........\dataflash...
类别:嵌入式系统 2013年08月22日 标签: ATMEL AT91SAM9260的BootStrap
这个文档简单介绍了如何在 H-FLASHER 中添加NAND FLASH 驱动。基于这个文档,用户可以根据 自己的实际需求修改已有的NAND FLASH 驱动程序,或添加新的NAND FLASH 驱动程序。 1. 基本介绍 NAND FLASH 和NOR FLASH 有很大的差别,NOR FLASH 可以通过地址和数据总线直接访问,而 NAND FLASH 的访问需要通过NAND FLASH...
类别:其他 2013年09月22日 标签: NandFlash
in the database, the beta release * used \"LPC214x\" for debugger and flash utility. * (3) Added I2S example....
类别:单片机 2013年08月23日 标签: LPC2368
Flash单片机自编程技术的探讨Flash单片机自编程技术的探讨 Flash的可自编程性(Self-Programmability)是指,用Flash存储器中的驻留软件或程序对Flash存储器进行擦除/编程,但是,要求运行程序代码的存储区与待编程的存储区不在同一模块中。因此,只有一个片上Flash存储器模块的微处理器,是不能在进行擦除/编程Flash...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: Flash 单片 机自 编程 技术 的探
..........\.......\Release\STBLLIB.lib ..........\.......\STBLLIB.h ..........\..MFlashLoader\Debug\BuildLog.htm ..........\..............\.....\Files.dll ..........\..............\.....\mt.dep...
类别:嵌入式系统 2013年08月22日 标签: 经过修改的STM32软件烧录器
NAND和NOR flash的区别FLASH:主要分为两块:NAND FLASH和NOR FLASH主要差别:NAND FLASH一般是用来存储数据,而NORFLASH是用来执行程序,在断电情况下,NAND FLASH的数据仍然存在,NORFLASH则断电,数据就消失,所以,一般,NORFLASH会搭配一个SDRAM,用以存储程序,通电情况下,转入NOR...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: flash 的区
基于FLASH介质的嵌入存储方案和实现摘要:作为一种新型的存储介质,FLASH以其优良的特性,在嵌入式领域中得到了广泛的应用。本文通过分析FLASH介质的自身特性,并结合嵌入式系统的特点,设计实现于兼容性、可靠性以及开销等方面都得到充分优化的FLASH存储系统。     关键词:嵌入式系统;文件系统;FLASH     引言     FLASH...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 基于 FLASH 介质 的嵌 入存 储方 案和 实现
关于Flash的知识Flash RAM:在过去的20年里,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备。然而近年来Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位。因为相较ROM而言,Flash有成本低,可*,容易改写等优点。 目前Flash主要有两种 NOR Flash 和 NADN Flash它们在应用...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 关于 Flash 的知
注:感谢ADI产品及技术服务提供商安诺电子提供 网址:http://www.analogcn.com详细说明:ADI公司的DSP ADSP21369 EZ-KIT LITE开发板的全部源代码,具体原理图请到ADI网站下载文件列表: ADSP-21369 EZ-KIT Lite .......\\AMD Flash Programmer (AS...
类别:DSP 2013年07月01日 标签: ADSP21369 EZKIT LITE 源代码

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本帖最后由 lising 于 2019-7-16 17:28 编辑        本次实验对CH549内部的Data Flash指定地址写入指定数据,读出后送P2端口并通过P22、P23、P24、P25连接的LED进行显示。同时读出的数据利用串口UART0向PC端发送数据,使用串口调试助手进行显示。 一、实验资源 1、CH549EVT学习...
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flash,即使是工业化开发也没有问题。 2.2 再完成了arduino平台的开发后,其实同样的开发板移植到mbed平台也是非常迅速的,可以发现,很多代码都可以直接使用,适当调整一下格式就可以了。但是因为本次活动的先发先评的积分规则,如果同时进行评测mbed的平台会影响其他评测的计分,毕竟还有没有收到快递的。 2.3 使用Arduino-uno和使用Nucleo-Arduino开发的最大...

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Hart出错的解决方法-RE-FLASH操作 如果罗斯蒙特Rosemount HART475手操器经常出现死机或进入Hart Application出错的话,进行Re-Flash操作可以解决大部分的这种问题。具体的操作步骤如下: a. 进入罗斯蒙特Rosemount HART475手操器 Main Menu; b. 选择进入Settings; c. 选择进入About 475; d. 选择...
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。   1、JTAG是利用边界扫描技术,在430内部有逻辑接口给JTAG使用,内部有若干个寄存器连接到了430内部数据地址总线上,所以可以访问到430的所有资源,包括全地址FLASH、RAM及各种寄存器。可以用于对430的仿真和编程,主要连接线有TMS、TCK、TDI、TDO,430还需要另两条线路RST、TEST来启动JTAG命令序列。    2、SBW...
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         最近在搞430的FLASH的自定义法(利用串口)程序烧写,烧写完成后断电复位,reset按键就可以运行新的程序。但是和学长交流了一下,这种方法不够好,希望有一种软复位的方式。于是百度了一下,都是些对看门狗进行写入特殊值使得430的cpu复位。反正个人是没有采用。      因为在搞程序的烧写下载,所以看了一下...
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上,就可以连接板子然后运行,可以 debug 跟踪执行。而且,这个过程并不需要 CCS 参与。   我把板子再拔下来,发现原来 flash 里面的程序并没有受影响。这说明程序是直接被调试器写到 AUX domain 的 SRAM 里面的。那么,编译过程生成了什么?     在输出的目录下只有一些源文件,没有二进制文件。检查了一番,我发现这些文件是给主 CPU 的开发...
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