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FinFET

FinFET全称Fin Field-Effect Transistor,中文名叫鳍式场效应晶体管,是一种新的互补式金氧半导体晶体管。FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。这种设计可以改善电路控制并减少漏电流,缩短晶体管的闸长。

在电子工程世界为您找到如下关于“FinFET”的新闻

据彭博报导,美国德州联邦法院陪审团认定,三星电子侵害韩国科学技术研究院(KAIST)所持有FinFet专利权,要求三星为此赔偿4亿美元。 报导指出,高通和GLOBALFOUNDRIES也被认定有相同侵权行为,但未被要求支付任何费用。 三星已表示将上诉。 KAIST是韩国顶尖研究型大学之一,此次引发侵权纠纷的专利是被称为FinFet,是在如今芯片体积愈设计...
类别:市场动态 2018-06-19 10:37:43 标签: 三星侵犯FinFet专利
深度剖析CMOS、FinFET、SOI和GaN工艺技术
CMOS技术、SOI和FinFET,以及相关的解决方案。我们还讨论晶体管材料的物理尺寸限制,以及高级技术节点中使用的新材料。MOSFET概述在这里,我们首先讨论CMOS的核心单元,即MOSFET或简单MOS的基本结构和重要的术语。MOS结构根据通道类型,MOS主要分为两种结构:n沟道和p沟道MOS。在这里,我们将仅概述NMOS晶体管。MOS晶体管是具有漏极、源极、栅极和衬底...
类别:工业电子 2018-06-10 10:13:28 标签: CMOS FinFET SOI GaN工艺技术
掌控芯片制造的“火候”,看懂小处用心的美好
则可用于获取与电池使用时间和健康状况有关的实时信息。  Autopro服务包解决方案的重要性,在于它使得格芯在全球的每一个代工厂,无论是德国德累斯顿、纽约马耳他,还是新加坡,甚至包括中国成都工厂,也无论他们采用何种制程工艺(新加坡的180nm、130nm、55nm、40nm成熟工艺,或是纽约马耳他厂的14LPP/12LP/7LP FinFET,或是德累斯顿工厂...
类别:综合资讯 2018-06-06 11:38:51 标签: 芯片 FinFET
2018年三星、台积电将量产7nm工艺,未来的5nm甚至3nm工艺也露出了曙光,预计在2020年之后开始量产。多年来业界一直在追求半导体工艺不断降低线宽,不过在FinFET晶体管技术发明人胡正明教授看来,线宽微缩总有极限,可以从其他方面推进集成电路发展,比如能耗方面依然有1000倍的降低空间。胡正明是美国加州大学伯克利分校教授,IEEE院士、美国工程院院士、中科院外籍院士...
类别:市场动态 2018-05-31 10:33:50 标签: FinFET 胡正明
胡正明:技术创新可能让半导体晶体管密度再增加1000倍
的微型化似乎便会遭遇到可能终止的危机。  胡正明发明了鳍型晶体管(FinFET)以及「全耗尽型绝缘层上硅晶体管」(FD-SOI),两大革命性创新为半导体带来新契机。 2011年5月英特尔宣布使用FinFET技术,包括台积电、三星、苹果也都陆续采用FinFET,开创了摩尔定律被唱衰后的新契机。  目前,台积电宣布7纳米进入量产,预计在2019上半年展开5纳米制程风险试产,对于产业走到...
类别:综合资讯 2018-05-21 15:00:17 标签: FinFET 7纳米
  麒麟970是华为自研的一款芯片,这款芯片采用的是台积电的10纳米制造工艺,目前麒麟970已经被装备在华为刚发布不久的P20和P20 Pro上。此前有传闻指出,三星将负责代工华为下一代麒麟980芯片,不过今天有报告指出,麒麟980的大部分订单将继续由台积电生产。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。  报告称,台积电将使用7纳米FinFet生产麒麟980芯片,这些...
类别:综合资讯 2018-05-10 11:10:03 标签: 麒麟980 华为
原标题:Mentor 强化支持台积电5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工艺以及晶圆堆叠技术的工具组合Mentor, a Siemens business 宣布,该公司 Calibre® nmPlatform 和 Analog FastSPICE (AFS™) Platform 中的多项工具已通过TSMC最新版5nm FinFET 和 7nm...
类别:半导体生产 2018-05-08 16:16:35 标签: Mentor 台积电 5nm
Mentor, a Siemens business 宣布,该公司 Calibre® nmPlatform 和 Analog FastSPICE (AFS™) Platform 中的多项工具已通过TSMC最新版5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工艺的认证。Mentor 同时宣布,已更新了 Calibre nmPlatform 工具,可支持TSMC的晶圆...
类别:工艺设备 2018-05-08 09:34:35 标签: Mentor
FinFET发明人胡正明:即使摩尔定律终止,半导体仍是好的产业
4月11日,FinFET发明人胡正明在台湾交大所举办的智能半导体产学联盟论坛中,从学术界及实务界探讨了半导体未来。胡正明除了中研院院士,陆续接受中外五个学术单位院士头衔,且曾在张忠谋邀请下,于2001年自美返台任台积电首任技术长,协助台积电打下包括把鳍式晶体管制程基础,突破摩尔定律极限。胡正明回忆,在台积电担任CTO时,就从政府分配替代役方案中知道台积电很受「歧视」,认为...
类别:半导体生产 2018-04-16 20:16:33 标签: FinFET 半导体
FinFET发明人胡正明:即使摩尔定律终止,半导体仍是好的产业
4月11日,FinFET发明人胡正明在台湾交大所举办的智能半导体产学联盟论坛中,从学术界及实务界探讨了半导体未来。胡正明除了中研院院士,陆续接受中外五个学术单位院士头衔,且曾在张忠谋邀请下,于2001年自美返台任台积电首任技术长,协助台积电打下包括把鳍式晶体管制程基础,突破摩尔定律极限。胡正明回忆,在台积电担任CTO时,就从政府分配替代役方案中知道台积电很受「歧视」,认为...
类别:市场动态 2018-04-16 11:01:38 标签: 摩尔定律 胡正明

FinFET资料下载

        本周三Intel举办了一次新闻发布会,会上Intel高管Mark Bohr宣布Intel在22nm制程处理器中全面启用三栅晶体管技术(也称3D晶体管技术),他并表示三栅晶体管技术的启用可以极大地减小晶体管的工作电压,其实三栅晶体管技术与人们通常所说的Finfet类似,本PPT介绍了Finfet...
类别:科学普及 2013年12月06日 标签: Finfet技术 3D晶体管 详解
betweensource and drain. Multigate FETs are commonly referred to as “multi(ple)-gate transistors”, “wrapped-gate transistors”, “double-gate transistors”,“FinFETs”, “tri(ple)-gate transistors...
类别:射频 2013年09月22日 标签: FinFETs和其他多栅极晶体管
16 nm FinFET and beyond, the UltraScale architecture combines a successful architectural platform with numerous innovative architectural developments and second-generation 3D IC technology....
类别:其他 2018年05月19日 标签: UltraScale Xilinx公司 FPGA
All Programmable architecture that scales from 20 nm planar through 16 nm FinFET technologies and beyond, in addition to scaling from monolithic through 3D ICs. Through analytical co-optimization with...
类别:FPGA/CPLD 2013年07月10日 标签: UltraScale架构 赛灵思 ASIC FPGA
,完全重写了所有核心引擎,布局和布线全流程实现了并行化,可提供最佳运行时间和 QoR。Nitro-SoC 的架构可处理先进工艺技术的复杂多重曝光和 FinFET 要求,提供行业最高的容量,其数据库则非常紧凑且可扩展。...
类别:其他 2017年12月27日 标签: Mentor 布局和布线系统 电路
For a ideal square-law device, Id is reduced by a, but gm and intrinsic gain Gm* ro remain the same. As scaling into submicron region, Short Channel effects prevent further scaling....
类别:DSP 2014年10月06日 标签: FinFET

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:基于FinFET、单元感知和基于时序裕量的转换测试以获得更高的测试质量。Formality®形式验证:基于UPF、带状态转换验证的等价性检查。 目前可通过SAFE™计划获得与新思科技Lynx Design System兼容并经认证的可扩展参考流程。Lynx Design System是一个全芯片设计环境,包含创新的自动化和报告功能,可帮助设计人员实施和监控其设计。它包括一个...
707次浏览 2018-07-05 PCB设计

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。理解了这一点,就知道为什么同样是4颗A57+4颗A53的big.LITTLE大小核架构,20nm工艺的骁龙810发热、功耗备受诟病,而14nm的三星Exynos 7420却表现优异的原因。   如果再讲细一点,半导体的制程工艺还可分2D结构的MOSFET(金氧半场效晶体管)和3D结构的FinFET(鳍式场效晶体管),FinFET架构主要是改动了控制电流的闸门,能大幅改善电路控制并减少漏电流...
909次浏览 2018-07-04 信息发布

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在推出了全新的ryzen CPU所拥有的强大性价比优势,凭借着这种性价比优势AMD已在美国市场取得超过四成的市场份额,上升势头明显。 ryzen系列CPU的强大性能体现了AMD全新研发的Zen架构所拥有的巨大潜力,普遍认为AMD新推出的Zen+架构的性能将进一步提升10%~15%;而当前ryzen5采用的工艺是台积电的12nmFinFET工艺,如果Zen+架构的CPU采用台积电的7nm工艺生产...
0次浏览 2018-06-20 信息发布

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吃香。今年3月,联发科中端芯片Helio P60发布,抢先搭载AI功能,采用台积电12nm工艺制造,可对标高通骁龙660。可靠消息称,Helio P60芯片订单强劲,在极短的时间便拿到了很多客户的订单。联发科高层曾表示,2018年处理器出货量及市占率有望回到高位。 昨天,Helio P22处理器发布,无疑为中端手机市场注入一针兴奋剂,其采用台积电12nm FinFET工艺打造,8核A53 CPU...
2424次浏览 2018-05-29 信息发布

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台积电能贵为全球最大的芯片代工厂与它在制造工艺上的领先有很大关系,然而如今它已连续三代工艺落后于三星,而三星已制定计划抢夺更多市场份额,这很可能导致三星在芯片代工市场分走台积电的部分市场份额。 台积电连续数代制造工艺落后很可能导致它失去客户 台积电工艺领先优势被削弱 台积电一直以来坚持投入巨资研发芯片制造工艺以保持领先优势,这是它取得成功的秘诀,不过自16nmFinFET工艺以来它一直都...
202次浏览 2018-05-25 信息发布

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和N12 FinFet的平台技术覆盖广泛,涉及HPC、移动、消费者和汽车。16FFC和12FFC都表现出强大的采用数据,超过220个带。 12FFC相较于16FFC,通过双螺距BEOL、设备boost、6道stdcell库和0.5V VCCmin实现10%的速度增益、20%的功率减少和20%的逻辑密度增加。 武汉中证通可靠消息台积电公开透露7纳米及以下工艺规划,帮你划重点...
202次浏览 2018-05-14 信息发布

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全球第一大芯片自动化设计解决方案提供商及全球第一大芯片接口IP供应商、信息安全和软件质量的全球领导者Synopsys(NASDAQ: SNPS)近日宣布,Synopsys 设计平台获得TSMC最新工艺认证,符合TSMC最新版设计规则手册(DRM)规定的7-nm FinFET Plus先进工艺技术的相关规范。目前,基于Synopsys 设计平台完成的数款测试芯片已成功流片,多位客户也正在基于该平台...
0次浏览 2018-05-11 信息发布

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,这导致了AMD的衰败。 AMD在出售了芯片制造业务之后,除了将部分处理器制造业务交给格罗方德之外,近几年也开始将处理器交给台积电和三星等代工,而从14/16nmFinFET工艺之后台积电和三星已先后迭代了10nm和当前刚投产的7nm工艺,Intel则在2014年投产14nmFinFET之后至今未能投产10nm工艺,Intel的10nm工艺本来预计在2016年投产如今预计要到明年才能投产,在工艺...
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武汉中证通合肥分公司表示眼看新一代iPhone就要跟大家见面,苹果也是为了它们的量产工作疯狂忙碌,毕竟这是一个需要个供应商都整齐配合的生产过程,任何一环出现问题,都会导致手机跳票。 据台湾媒体的报道称,新一代iPhone X将使用A12处理器,而台积电又独家获得了这个处理器的订单,将基于自家7nm工艺制程生产。 对于自家的7nm工艺,台积电则表示,与之前的10nm FinFET过程相比...
404次浏览 2018-04-26 信息发布

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生产制造厂商,那就是晶圆代工厂(Foundry),如台积电、格罗方德、中芯国际、台联电,华虹宏力等. 台积电,三星,英特尔目前工艺已达7nm量产水平,处于第一阵营;而台积电和三星正进入更先进的5nm工艺研发。中芯国际28nm工艺实现量产,台联电28nm工艺也规模量产,14nm是否量产,要看其公司决心;格罗方德14nm FinFET量产了,10nm初步量产,7nm在研发;FD-SOI 22nm 接近量产...
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2015-09-07 标签: ARM FinFET

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