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FinFET

FinFET全称Fin Field-Effect Transistor,中文名叫鳍式场效应晶体管,是一种新的互补式金氧半导体晶体管。FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。这种设计可以改善电路控制并减少漏电流,缩短晶体管的闸长。

在电子工程世界为您找到如下关于“FinFET”的新闻

中兴拒绝令激活 或成为国产半导体加速发展催化剂

中兴拒绝令激活 或成为国产半导体加速发展催化剂

北方华创:俗话说,兵马未动,粮草先行。半导体设备是整个产业发展的根基。北方华创是国内产品体系最丰富、综合实力最强的半导体设备供应商,主要产品有等离子刻蚀设备、PVD、CVD、氧化扩散装备及清洗装备等,其中公司刻蚀机、PVD、立式氧化炉、清洗机等核心集成电路制造设备处于28nm 技术阶段,16/14nm FinFET 设备处于客户验证阶段。随着新建晶圆厂陆续落地中国,公司...

类别:市场动态 2018-04-20 10:57:37 标签: 中兴

中日韩半导体产业故事:中国从中能吸取什么?

前的梁孟松,是台积电研发部门的负责人。2006年,台积电研发副总蒋尚义退休,原以为会顺利成为双技术长之一的梁,被同僚孙元成取代,反而成为另一位来自Intel的技术长罗唯仁的下属。瑜亮情结深重的梁孟松自此对东家产生心结,并在法庭上声泪俱下,控诉老东家对他的种种掣肘。而台积电在诉状中说他“负责或参与台积电每一世代制程的最先进技术。”“梁孟松深入参与台积电公司FinFET的制程研发...

类别:市场动态 2018-04-20 10:52:23 标签: 半导体

IC厂商纷纷冲刺7纳米,第一阵营格局已定?

现“一哄而上”的局面,但一线IC厂商已先后宣布7nm制程计划。高性能计算是先进工艺的追随者。目前,FGPA阵营的赛灵思宣布在自适应计算加速平台采用台积电7nm工艺,首款产品预计2018年流片,2019年交付市场,最新公布的112G PAM4 收发器技术同样采用台积电的7nm工艺。联发科的ASIC产品线计划在本月推出业界首款通过7nm FinFET硅验证的56G PAM4...

类别:半导体生产 2018-04-19 19:57:18 标签: IC厂商

Qualcomm发布专门面向物联网终端的视觉智能平台

Qualcomm发布专门面向物联网终端的视觉智能平台

2018年4月11日,圣迭戈——Qualcomm Incorporated(NASDAQ: QCOM)今日通过其子公司Qualcomm Technologies, Inc.宣布推出Qualcomm®视觉智能平台(Qualcomm® Vision Intelligence Platform),其中搭载了公司首个采用先进的10纳米FinFET制程工艺打造、专门面向物联网(IoT...

类别:综合资讯 2018-04-19 16:45:05 标签: Qualcomm 视觉智能平台

联发科技推出业内首个7nm 56G PAM4 SerDes IP

2018年4月10日,北京 — 今天,联发科技推出业界第一个通过7nm FinFET硅验证(Silicon-Proven)的56G PAM4 SerDes IP,进一步扩充其ASIC产品阵线。该56G SerDes解决方案基于数字信号处理(DSP)技术,采用高速传输信号PAM4,具有一流的性能、功耗及晶粒尺寸(Die-area)。联发科技56G SerDes IP  ...

类别:电子设计 2018-04-19 14:00:03 标签: 联发科

三星A6/Plus、J8/Plus完整曝光:区别可能只是改个名

三星A6/Plus、J8/Plus完整曝光:区别可能只是改个名

的开孔似乎意味着同样采用双摄设计。  从目前已知的情况来看,三星Galaxy A6将采用Exynos 7870 SoC,该SoC基于14nm FinFET制造工艺,集成了主频为1.6 GHz的Cortex-A53内核。Galaxy A6采用3GB的RAM。搭载5.6英寸显示屏长宽比为18.5:9。  至于Galaxy A6 Plus,目前的报道显示这款手机将使用Qualcomm...

类别:综合资讯 2018-04-19 08:53:01 标签: 三星A6 Plus

英特尔新制程落后,2021年或被台积电超车

集微网消息,研究机构Linley Group发布芯片产业报告指出,英特尔(Intel)开发新制程落后,原有的芯片制造技术优势也几乎荡然无存。首席分析师Linley Gwennap写说,英特尔的10纳米制程一再延误,导致冲刺下一代制程进度现不仅落后给台积电,三星与其伙伴GlobalFoundries也准备超车。据悉,台积电计划于今年6月份开始量产7nm FinFET芯片...

类别:综合资讯 2018-04-18 19:51:48 标签: 英特尔

英特尔新制程落后,2021年或被台积电超车

研究机构Linley Group发布芯片产业报告指出,英特尔(Intel)开发新制程落后,原有的芯片制造技术优势也几乎荡然无存。首席分析师Linley Gwennap写说,英特尔的10纳米制程一再延误,导致冲刺下一代制程进度现不仅落后给台积电,三星与其伙伴GlobalFoundries也准备超车。据悉,台积电计划于今年6月份开始量产7nm FinFET芯片,届时台积电将实现...

类别:半导体生产 2018-04-17 20:35:47 标签: 英特尔 台积电

“生为竞技”——骁龙845支持黑鲨游戏手机带来畅快体验

“生为竞技”——骁龙845支持黑鲨游戏手机带来畅快体验

一款怎样的智能手机才能满足玩家们对手游体验的严苛要求?“生为竞技”的黑鲨游戏手机或许是个不错的答案。近日,被称为“国内首款高端游戏手机”的黑鲨游戏手机正式发布。得益于Qualcomm骁龙845移动平台的强力支持,黑鲨游戏手机将为玩家提供更轻松、流畅的“电竞级”游戏体验。骁龙845移动平台采用10纳米LPP FinFET制程工艺打造,通过异构计算,其全新Qualcomm...

类别:基带/AP/平台 2018-04-17 15:18:04 标签: 骁龙 高通

台积电曾因代工受台当局歧视 两老战探讨半导体未来

台积电曾因代工受台当局歧视 两老战探讨半导体未来

,年成长仍维持4.5%,对此,蔡力行也附和,世界上要找到一个复合年增率(CAGR)维持4.5%—5%的产业不多了。  胡正明举出当年自己突破摩尔定律经验,1999年时摩尔定律就不被看好,业界担心把晶体管做小就没办法关闭,但2010年就做出来,也就是FinFET-鳍型晶体管。  胡正明发明了鳍型晶体管(FinFET)以及“完全空乏型晶体管”(FD-SOI),两大革命性创新为半导体...

类别:市场动态 2018-04-17 11:10:47 标签: 台积电 半导体

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FinFET资料下载

FinFETs和其他多栅极晶体管立即下载

betweensource and drain. Multigate FETs are commonly referred to as “multi(ple)-gate transistors”, “wrapped-gate transistors”, “double-gate transistors”,“FinFETs”, “tri(ple)-gate transistors...

类别:射频与通信技术 2013年09月22日 标签: FinFETs和其他多栅极晶体管

Finfet技术(3D晶体管)详解立即下载

        本周三Intel举办了一次新闻发布会,会上Intel高管Mark Bohr宣布Intel在22nm制程处理器中全面启用三栅晶体管技术(也称3D晶体管技术),他并表示三栅晶体管技术的启用可以极大地减小晶体管的工作电压,其实三栅晶体管技术与人们通常所说的Finfet类似,本PPT介绍了Finfet...

类别:科学普及 2013年12月06日 标签: Finfet技术 3D晶体管 详解

赛灵思UltraScale架构(英文白皮书)立即下载

All Programmable architecture that scales from 20 nm planar through 16 nm FinFET technologies and beyond, in addition to scaling from monolithic through 3D ICs. Through analytical co-optimization with...

类别:FPGA/CPLD 2013年07月10日 标签: UltraScale架构 赛灵思 ASIC FPGA

NITRO-SOC 数字实现:适用于先进工艺的下一代布局和布线系统立即下载

,完全重写了所有核心引擎,布局和布线全流程实现了并行化,可提供最佳运行时间和 QoR。Nitro-SoC 的架构可处理先进工艺技术的复杂多重曝光和 FinFET 要求,提供行业最高的容量,其数据库则非常紧凑且可扩展。...

类别:其他 2017年12月27日 标签: Mentor 布局和布线系统 电路

FinFET的由来立即下载

For a ideal square-law device, Id is reduced by a, but gm and intrinsic gain Gm* ro remain the same. As scaling into submicron region, Short Channel effects prevent further scaling....

类别:DSP 2014年10月06日 标签: FinFET

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大陆IC投片需求逐步扩大北京股商安徽分公司看正规台积电南京厂产能将翻4倍

16纳米FinFET制程。业界预期,若16纳米制程生产顺利,两年后将进入14纳米制程,未来不排除向更先进制程推进,不过台积电会按照原先计划落后至少一个世代制程。 Gartner认为,大陆积极扶植半导体产业,目前又以IC设计产业成长最为迅速,因此中国大陆半导体芯片投片需求量势必将逐步扩大。 事实上,中国大陆除了推动半导体自制化,也提倡外商本地化生产,因此台积电南京厂自然成为中国大陆IC设计业者投片...

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预计7000亿台币(约合人民币亿1520元),其中Fab 18的投资将超过5000亿台币(约合人民币1080亿元)。”     台积电目前在STSP有超过1万名员工,Fab 18全部完工后可提供超过1.4万个工作岗位。     台积电5nm FinFET工艺同时针对高性能计算和移动应用优化,首次引入EUV极紫外光刻,减少多重曝光的复杂性,并能更好地缩小...

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全球首座5nm芯片工厂开工中证通合肥公司服务好2020年初量产

1080亿元)。”   台积电目前在STSP有超过1万名员工,Fab 18全部完工后可提供超过1.4万个工作岗位。   台积电5nm FinFET工艺同时针对高性能计算和移动应用优化,首次引入EUV极紫外光刻,减少多重曝光的复杂性,并能更好地缩小芯片面积。   台积电还重申,3nm工厂未来不会前往美国。   按照张忠谋此前说法,台积电将在2020年开工建设3nm工厂。 全球首座5nm芯片...

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三星雄心安徽勃勃发展大时代AP业务可靠 瞄准中国手机市场

  据报道三星欲扩张AP业务,发布了第二代10纳米制程的APExynos9810处理器。将会紧抓中国手机市场大饼,魅族更是三星中国地区主要合作伙伴。     外媒消息指出,魅族在最近发布的M6s手机中搭载载了三星Exinos7872AP。该AP由14纳米FinFet制程,下载速率达300Mbps,上传速率为150Mbps。    ...

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