首页 > 关键词 > FRAM

FRAM

在电子工程世界为您找到如下关于“FRAM”的新闻

成功可以复制,富士通携新一代FRAM进军高端车载应用市场!

成功可以复制,富士通携新一代FRAM进军高端车载应用市场!

数字化座舱高峰论坛演讲中这样表示。作为ICT行业知名的高性能存储器厂商之一,富士通半导体的铁电随机存储器产品(以下简称FRAM)在三表、物流、医疗等市场领域已获得成功拓展。为响应汽车领域的客户需求,在2017年推出适用于车载应用的FRAM产品“MB85RS256TY ”和“MB85RS128TY ”,新产品从内部回路开始重新设计,进一步提高产品可靠性,运行温度范围扩大至零下...

类别:汽车电子 2017-09-17 08:17:04 标签: 富士通 FRAM 车载应用

成功可以复制,富士通携新一代FRAM进军高端车载应用市场!

成功可以复制,富士通携新一代FRAM进军高端车载应用市场!

这样表示。作为ICT行业知名的高性能存储器厂商之一,富士通半导体的铁电随机存储器产品(以下简称FRAM)在三表、物流、医疗等市场领域已获得成功拓展。为响应汽车领域的客户需求,在2017年推出适用于车载应用的FRAM产品“MB85RS256TY”和“MB85RS128TY ”,新产品从内部回路开始重新设计,进一步提高产品可靠性,运行温度范围扩大至零下40度~125℃,并...

类别:行业动态 2017-09-16 18:26:58 标签: 富士通 FRAM 车载应用

成功可以复制,富士通携新一代FRAM进军高端车载应用市场!

存储器厂商之一,富士通半导体的铁电随机存储器产品(以下简称FRAM)在三表、物流、医疗等市场领域已获得成功拓展。为响应汽车领域的客户需求,在2017年推出适用于车载应用的FRAM产品“MB85RS256TY ”和“MB85RS128TY ”,新产品从内部回路开始重新设计,进一步提高产品可靠性,运行温度范围扩大至零下40度~125℃,并通过AEC-Q100标准认证。小试TPMS细分...

类别:半导体生产 2017-09-15 21:32:18 标签: 富士康

成功可以复制,富士通携新一代FRAM进军高端车载应用市场!

成功可以复制,富士通携新一代FRAM进军高端车载应用市场!

高峰论坛演讲中这样表示。作为ICT行业知名的高性能存储器厂商之一,富士通半导体的铁电随机存储器产品(以下简称FRAM)在三表、物流、医疗等市场领域已获得成功拓展。为响应汽车领域的客户需求,在2017年推出适用于车载应用的FRAM产品“MB85RS256TY ”和“MB85RS128TY ”,新产品从内部回路开始重新设计,进一步提高产品可靠性,运行温度范围扩大至零下40度~125...

类别:车身电子 2017-09-13 15:36:12 标签: FRAM

STM32驱动FM24CL16

;:addr:要写入的FRAM的地址,data:要写入的内容  ** 输出   :无  ** 返回   :无  ** 注意   :无 ...

类别:ARM单片机 2017-09-09 23:08:31 标签: STM32 驱动FM24CL16

富士通用创新存储技术串起关键数据存储一揽子解决方案

富士通用创新存储技术串起关键数据存储一揽子解决方案

《华尔街日报》前不久的一篇文章指出,近年来智能手机、PC、平板电脑等设备的进化并没有以往那么快速,不过它们正以新的方式推进创新,硬件厂商更多针对特定任务采用定制芯片。没错,技术的多样性正在为各种应用带来类似 “定制化”的更优化设计选项。而嵌入式系统数据存储领域也是如此,以不同独特性能的各种存储技术正在为许多应用需求提供“定制化”的方案,其中富士通在FRAM、NRAM以及...

类别:存储技术 2017-07-19 15:54:28 标签: 富士通 存储

FRAM、NRAM、ReRAM……富士通用创新存储技术串起关键数据存储一揽子解决方案

FRAM、NRAM、ReRAM……富士通用创新存储技术串起关键数据存储一揽子解决方案

,其中富士通在FRAM、NRAM以及ReRAM技术上正在这样做。“作为系统关键组成部分,存储性能至关重要。”富士通电子元器件(上海)有限公司产品管理部总监冯逸新在最近的一次公开演讲中指出,“各种系统对存储器读写速度、可重复读写次数、读写功耗、安全性以及对供电的要求都各不相同,存储技术正在走向细分。”该公司以读写次数几乎不受限、超低功耗和超高读写速度的FRAM存储器近年来在各种...

类别:综合资讯 2017-07-18 16:59:49 标签: 富士通 FRAM NRAM ReRAM

嵌入式存储器的过去与现在

嵌入式存储器的过去与现在

存储产品的性能有了更高要求,迫切需要在存储材料和技术方面取得突破。在这些需求的驱动下,相继出现了一些新型非易失存储器,如铁电存储器(FRAM)、相变存储器(PRAM)、磁存储器(MRAM)、阻变存储器(RRAM)。虽然说这些是新型存储器,但从某个角度看,这些存储器已经存在有一段日子了。(1)铁电存储器(FRAM)铁电存储器是一种掉电后信息不丢失的非易失存储器,具有高速、高密度...

类别:综合资讯 2017-06-22 13:35:08 标签: 嵌入式存储器 MRAM eRRAM 物联网

车载存储需求增长 中国企业机会几何?

车载存储需求增长 中国企业机会几何?

可能更快实现。”  富士通则计划将FRAM铁电随机存储器推向汽车领域。富士通近日发布两款车用FRAM产品MB85RS128TY和MB85RS256TY,提供128KB和256KB两个容量。富士通认为车载电子控制系统对于存取各类传感器资料的需求持续增加,因此对于高效能非易失性内存技术的需求也越来越高。富士通电子产品管理部总监冯逸新表示:“汽车产业正经历史上最大幅度的转型。通过全新...

类别:综合资讯 2017-06-19 13:33:25 标签: ADAS 车载存储器

查看更多>>

FRAM资料下载

TI培训MSP430 FRAM 培训 第二部分 资料下载立即下载

TI MSP430 FRAM培训 资料下载 FRAM 是指铁电随机存取存储器 (Ferroelectric Random Access Memory)。 这是最新的非易失性存储器技术,它将SRAM 的速度、写入寿命及低功耗与闪存存储能力相结合;将传统器件上的两个存储器替换为一个统一的代码和数据存储空间。 FRAM 的低功耗编程在 1.5V 下进行,而不是像闪存那样需要 10-14V...

类别:MSP430 2013年05月18日 标签: TI培训 FRAM MSP430

TI培训 MSP430 FRAM 培训 第一部分 资料下载立即下载

TI MSP430 FRAM培训 资料下载 FRAM 是指铁电随机存取存储器 (Ferroelectric Random Access Memory)。 这是最新的非易失性存储器技术,它将SRAM 的速度、写入寿命及低功耗与闪存存储能力相结合;将传统器件上的两个存储器替换为一个统一的代码和数据存储空间。 FRAM 的低功耗编程在 1.5V 下进行,而不是像闪存那样需要 10-14V...

类别:MSP430 2013年05月18日 标签: TI MSP430 FRAM 单片机

TI培训 MSP430FR57xx MSP430内置FRAM系列实验立即下载

TI MSP430 FRAM培训 资料下载 FRAM 是指铁电随机存取存储器 (Ferroelectric Random Access Memory)。 这是最新的非易失性存储器技术,它将SRAM 的速度、写入寿命及低功耗与闪存存储能力相结合;将传统器件上的两个存储器替换为一个统一的代码和数据存储空间。 FRAM 的低功耗编程在 1.5V 下进行,而不是像闪存那样需要 10-14V...

类别:MSP430 2013年05月18日 标签: TI培训 MSP430 FRAM 单片机

FM18L08 pdf datasheet (256Kb Bytewide FRAM Memory)立即下载

The FM18L08 is a 256-kilobit nonvolatile memoryemploying an advanced ferroelectric process. Aferroelectric random access memory or FRAM isnonvolatile and reads and writes like a RAM. Itprovides data...

类别:IC设计及制造 2013年09月19日 标签: FM18L08 datasheet 256Kb Bytewide FRAM Memory

FM1808 pdf datasheet (256Kb Bytewide FRAM Memory)立即下载

The FM1808 is a 256-kilobit nonvolatile memoryemploying an advanced ferroelectric process. Aferroelectric random access memory or FRAM isnonvolatile but operates in other respects as a RAM.It...

类别:IC设计及制造 2013年09月19日 标签: FM1808 datasheet 256Kb Bytewide FRAM Memory

FM25L04 pdf datasheet (4Kb FRAM Serial 3V Memory)立即下载

The FM25L04 is a 4-kilobit nonvolatile memoryemploying an advanced ferroelectric process. Aferroelectric random access memory or FRAM isnonvolatile and performs reads and writes like aRAM. It...

类别:IC设计及制造 2013年09月19日 标签: FM25L04 datasheet 4Kb FRAM Serial 3V Memory

FM25CL64 pdf datasheet (64Kb FRAM Serial 3V Memory)立即下载

The FM25CL64 is a 64-kilobit nonvolatile memoryemploying an advanced ferroelectric process. Aferroelectric random access memory or FRAM isnonvolatile and performs reads and writes like aRAM. It...

类别:IC设计及制造 2013年09月20日 标签: FM25CL64 datasheet 64Kb FRAM Serial 3V Memory

无 源 RFID 基础立即下载

天线有电磁场通过时,线圈中就有交流电压产生,交流电压经整流后,成为直流,为芯片供给能量.当直流电压达到一定高度时,芯片就正常工作,存于其中的信息传会给阅读器,这个过程叫后向散射.依靠后向散射的信号,芯片中信息就会被完全识别. [pic] 据存储器分有两类RFID芯片:只读芯片和读写芯片.存储器由EEPROM或FRAM制成,EEPROM基于CMOS工艺,FRAM基于铁电体存储器工艺.由于...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 基础

瑞创 铁电FRAM Ramtron FRAM 产品应用立即下载

瑞创 铁电FRAM Ramtron FRAM 产品应用...

类别:数字电路 2013年04月02日 标签: 铁电 FRAM Ramtron

TI FRAM产品常见问题解答(FAQ)集锦立即下载

TI 官方推出的FAQ文档系列,该系列为TI FRAM产品常见问题解答(FAQ)集锦,帮助你更清晰地了解FRAM。...

类别:其它 2014年09月04日 标签: FRAM EEPROM FAQ

查看更多>>

FRAM相关帖子

1

0

HTS221和其它几款数字温湿度传感器数据对比

;    // Configure one FRAM waitstate as required by the device datasheet for MCLK   // operation beyond 8MHz _before_ configuring the clock system.   FRCTL0 = FRCTLPW...

28次浏览 2017-09-23 ST MEMS 传感器技术论坛

1

0

CCS7.2 driverlib使用FRAM的问题

我使用resource explorer 导入了一个driverlib 的 emptyProject, 修改了.cmd文件,在里面添加了//FRAM : origin = 0x4400, length = 0xBB80 FRAM_VARS : origin = 0x4400, length = 0x0080 FRAM : origin = 0x4480, length = 0xBB00...

149次浏览 2017-08-30 【MSP430 LaunchPad部落】

43

0

颁奖:非凡富士通FRAM,仅需微小电源即可高速写入数据!看视频答题有礼!

活动详情:>>非凡富士通FRAM,仅需微小电源即可高速写入数据!看视频答题有礼! 请获奖网友在 2017年9月22日前 确认论坛个人资料中的相关信息>>点击查看并确认个人信息,并跟帖说明:确认个人信息无误,我们才会安排发奖,发奖以确认后的个人信息为准。 注意:我们会通过站短、邮件通知1次或2次,尽可能让获奖者按时领奖。如因邮箱错误、网络或其他不可抗力造成的未收到获奖...

382次浏览 2017-08-21 EEWORLD颁奖专区

2

0

三款大容量、高速非易失性SRAM的对比

数据时缓冲电源供电。此外,在国内市场不易买的。 2、FRAM,即“铁电存储器”。其核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存储器同时拥有RAM和ROM的特性。晶阵中的每个自由浮动的原子只有两个稳定状态,一个用来记忆逻辑“0”,另一个用来记忆逻辑“1”。数据状态可保持100年以上。FRAM产品具备一系列超级特性。比如,高速随机读写(存取时间只有55ns)、 超低功耗(只有EEPROM的1...

313次浏览 2017-08-11 工控电子

0

0

单片机常用名词概念解析(不记得赶紧背)

。 ①快擦写存储器(FLASH) 这种存储器是在EPROM和EEPROM的制造基础上产生的一种非易失性存储器。其集成度高,制造成本低于DRAM,既具有SRAM读写的灵活性和较快的访问速度,又具有ROM在断电后可不丢失信息的特点,所以发展迅速。 ②铁电存储器FRAM 它是利用铁电材料极化方向来存储数据的。它的特点是集成度高,读写速度快,成本低,读写周期短。 时钟周期:计算机在时钟信号的作用...

101次浏览 2017-08-06 信息发布

7

0

非凡富士通FRAM,仅需微小电源即可高速写入数据!看视频答题有礼

富士通 FRAM 仅需微小电源即可高速写入数据! 如此非凡特性,看看是咋回事儿! 活动详情:>>非凡富士通FRAM,仅需微小电源即可高速写入数据!看视频答题有礼 活动日期:即日起-7月31日 参与方式: Step1:  观看>>富士通FRAM视频; Step2:  点击 “开始答题”,参与答题; Step3...

306次浏览 2017-07-03 嵌入式系统编程

9

0

使用lis3dsh加速度传感器计算倾角

) {     // Configure one FRAM waitstate as required by the device datasheet for MCLK   // operation beyond 8MHz _before_ configuring the clock system.   ...

346次浏览 2017-06-25 ST MEMS 传感器技术论坛 标签: 加速度 传感器

5

0

一帧数据怎么按字节从低位到高位发送?

数据经过组帧之后,一帧包含8个字节,一共64位,fram[63 0], 本来从高到底,按照顺序从fram[63]发送到fram[0],只需要一个计数器就行了。 现在如果每个字节都从低到高发送,得先从fram[56]发到fram[63],再依次类推,就没办法计数了? 要是再定义一个8位的数据,每次8位置数还要一个周期,就不连续了。 有什么办法呢? 一帧数据怎么按字节从低位到高位发送? 不懂...

387次浏览 2017-06-24 FPGA/CPLD

0

0

TI 最新CapTIvate™ 触控微控制器技术直播即将开始!参与提问赢好礼啦!

:         TI三位资深微控制器领域工程师,将带你领略TI最新一代采用 FRAM 和 CapTIvate™ 技术的触控微控制器,介绍基于CapTIvate™ 的电容触摸方案的软硬件设计流程,分享产品调试和测试过程中的关键问题和解决方案。以下为直播内容提要: 1. TI CapTIvate™ 触...

202次浏览 2017-06-20 TI技术论坛

0

0

【15 款板卡 9 折优惠 + 包邮】——2017. 6.12 - 2017.6.18 仅限 7 天!

) 相关 IC:  CC2640R2FYFVR 具有 256 KB FRAM, 8 KB SRAM的超低功耗 MCU -  MSP430FR5994 LaunchPad™ 开发套件 现在购买 -  $15.30美金(原价 16.99 美金) 相关 IC:  MSP430FR5994 适用于液位测量...

303次浏览 2017-06-13 TI技术论坛

查看更多>>

FRAM视频

MSP430 FRAM技术详解

MSP430 FRAM技术详解

      FRAM 是指铁电随机存取存储器 (Ferroelectric Random Access Memory)。  这是最新的非易失性存储器技术,它将SRAM 的速度、写入寿命及低功耗与闪存存储能力相结合;将传统器件上的两个存储器替换为一个统一的代码和数据存储空间。  FRAM 的低功耗编程...

2013-03-07 标签: MSP430 TI FRAM MCU

MSP430 FRAM技术介绍

MSP430 FRAM技术介绍

...

2013-06-15 标签: MSP430 FRAM MCU 铁电 FR59

配合Launchpad教您使用MSP430FR59xx

配合Launchpad教您使用MSP430FR59xx

    FRAM是指铁电随机存取存储器 (Ferroelectric Random Access Memory)。  这是最新的非易失性存储器技术,它将 SRAM 的速度、写入寿命及低功耗与闪存存储能力相结合;将传统器件上的两个存储器替换为一个统一的代码和数据存储空间。  FRAM 的低功耗编程 在...

2014-06-16 标签: MSP430 TI FRAM MSP430FR59xx Launchpad MCU

查看更多>>

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved