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FD-SOI

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FD-SOI助力新兴技术崛起
,由于未能解决功耗、延迟/稳定性和成本等问题,正处于向边缘化的方向发展。同样IOT基于电池供电设备的应用也存在芯片能耗瓶颈。 图1、芯片技术瓶颈正推AI向边缘化方向发展 从而需要一种全新的芯片技术来支持AIOT的发展, FD-SOI能利用衬底偏压(body bias)提供广泛的性能以及功耗选项,兼具低功耗、近二维平面、高性能、低成本的特点,特别适用于电池供电的消费性...
类别:创新应用 2018-12-28 标签: FD-SOI
格罗方德Mark Granger:格芯将是FD-SOI的关键Foundry
,共同探讨智慧汽车电子产业的未来发展。会上,格罗方德汽车电子、物联网、网络业务开发部门副总裁Mark Granger表达了对于FD-SOI市场快速增长的信心,其强调:“目前格罗方德可以覆盖全汽车领域SOI的所有需求。”针对格芯成都工厂,Mark进一步确认道:“格罗方德的核心技术已在成都格芯第十一代Foundry中布局,这也将是FD-SOI技术的关键Foundry。”谈到汽车电子...
类别:行业动态 2018-07-30 标签: 格罗方德 格芯
从东方奋起 FD-SOI准备大赚IoT商机
、LPP、LPH... 等等,都是适合广泛物联网应用市场需求特性的解决方案。其中GlobalFoundries的FDX系列制程与Samsung的FD-SOI制程,与其他竞争方案之间的最大差异,就在于采用了无论是英文或中文读来都十分拗口的「全空乏绝缘上覆硅」(Fully Depleted Silicon On Insulator,FD-SOI)技术;该技术早在2011年就由...
类别:综合资讯 2018-02-06 标签: FD-SOI
  GlobalFoundries开拓主流摩尔定律(Moore’s Law)之外的FD-SOI技术路线成效已日益浮现,除了陆厂上海复旦微电子、瑞芯微电子、国科微电子采用其22纳米FD-SOI(22FDX)技术应用于物联网(IoT)相关芯片外,日前再获意法半导体(ST)大单进补,取代三星电子(Samsung Electronics)的28FDX技术,成为意法在第二代FD-SOI...
类别:综合资讯 2018-01-15 标签: GlobalFoundries 三星
格芯CEO:FD-SOI是中国需要的技术
  5G时代将对半导体的移动性与对物联网时代的适应性有着越来越高的要求。此时,FD-SOI与RF-SOI技术的优势日渐凸显,人们对SOI技术的关注也与日俱增。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。  9月26日,第五届上海FD-SOI论坛成功举办。格芯CEO 桑杰·贾(Sanjay Jha)亲临现场,发表主题为「以SOI技术制胜...
类别:综合资讯 2017-09-30 标签: 格芯 FD-SOI
格芯CEO:FD-SOI是中国需要的技术
  5G时代将对半导体的移动性与对物联网时代的适应性有着越来越高的要求。此时,FD-SOI与RF-SOI技术的优势日渐凸显,人们对SOI技术的关注也与日俱增。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。  9月26日,第五届上海FD-SOI论坛成功举办。格芯CEO 桑杰·贾(Sanjay Jha)亲临现场,发表主题为「以SOI技术制胜...
类别:综合资讯 2017-09-29 标签: 格芯 FD-SOI
    集微网消息,据海外媒体报道,全球半导体业界朝物联网(IoT)等新兴领域开拓商机,惟这些新领域对芯片的需求是希望可达低成本及高功耗水准,为此业界目前发现透过全空乏绝缘上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI)制程新技术,可生产出具上述优势的芯片,是否借此有助半导体产业找到新成长契机...
类别:综合资讯 2016-07-20 标签: FD-SOI
     集微网消息,对半导体制造商和设备供应商来说,智能手机和PC市场饱和,无法带动业绩成长,以往生产功能更强芯片的传统做法,预料也难扭转颓势,如今业界采用新技术,像是全耗尽型绝缘上覆矽(FD-SOI)和3D NAND。 华尔街日报报导,半导体业面临的业绩压力已经引发整并风潮,最新数据也指出,今年全球半导体设备厂商营收恐怕仅成长...
类别:综合资讯 2016-07-14 标签: SONY GPS FD-SOI
GlobalFoundries全球首发22nm FD-SOI工艺
    GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工艺平台,全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅),专为超低功耗芯片打造。FD-SOI技术仍然采用平面型晶体管, 目前并不为业内看好,因为无论Intel还是三星、台积电,22n时代起就纷纷转入了立体晶体管,也就是FinFET...
类别:综合资讯 2015-07-14 标签: GlobalFoundries
4,500~5,000美元)相较是很大的增加;如果台积电对20奈米制程的预测准确,该公司在整体20奈米制程代工市场上的占有率,将会在 2014年第四季达到95%。 不过对应用处理器与数据机晶片等对低漏电需求殷切的产品来说,控制制程的漏电与提升良率是一大挑战,如果20奈米制程不能在成本增加的同时提供比28奈米节点更好的低漏电性能,28奈米全空乏绝缘上覆矽(FD-SOI)制程是一个替代...
类别:工艺/制造/封装 2014-05-21 标签: 28纳米 FD-SOI 处理器

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    今日,格芯与eVaderis共同宣布,将共同开发超低功耗MCU参考设计方案,该方案基于格芯22nm FD-SOI(22FDX?)平台的嵌入式磁性随机存储器(eMRAM)技术。双方合作所提供的技术解决方案将格芯22FDX eMRAM优异的可靠性与多样性与eVaderis的超低耗电IP结合,适合包括电池供电的物联网产品、消费及工业用微处理器、车用控制器等各种应用...
404次浏览 2018-03-05 信息发布

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北京博星安徽分公司了解到格芯与 eVaderis将共同开发超低功耗MCU参考设计方案,该方案基于格芯22nm FD-SOI(22FDX)平台的嵌入式磁性随机存储器(eMRAM)技术。双方合作所提供的技术解决方案将格芯22FDX eMRAM优异的可靠性与多样性与 eVaderis的超低耗电IP结合,适合包括电池供电的物联网产品、消费及工业用微处理器、车用控制器等各种应用。 eVaderis...
404次浏览 2018-03-02 信息发布

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