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EUV

极紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography),常称作EUV光刻,它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm 的软x 射线。 EUV光刻采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源,可使曝光波长一下子降到13.5nm,它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸。 光刻技术是现代集成电路设计上一个最大的瓶颈。现cpu使用的45nm、32nm工艺都是由193nm液浸式光刻系统来实现的,但是因受到波长的影响还在这个技术上有所突破是十分困难的,但是如采用 EUV光刻技术就会很好的解决此问题,很可能会使该领域带来一次飞跃。 但是涉及到生产成本问题,由于193纳米光刻是目前能力最强且最成熟的技术,能够满足精确度和成本要求,所以其工艺的延伸性非常强,很难被取代。因而在2011年国际固态电路会议 (ISSCC2011)上也提到,在光刻技术方面,22/20nm节点主要几家芯片厂商也将继续使用基于193nm液浸式光刻系统的双重成像(double patterning)技术。

在电子工程世界为您找到如下关于“EUV”的新闻

精益求精,ASML正在开发下一代EUV光刻机
引人注目的是机器数值孔径(numerical aperture)从现在的0.33增加到0.55 。数值孔径是无量纲(dimensionless quantity)的数量,与光的聚焦程度有关。数值孔径越大意味着分辨率越高。改变EUV机器中的数值孔径将需要更大,更完美抛光的成像镜组。 EUV光是通过使用来自高功率二氧化碳激光器的双脉冲瞄准微小锡滴而产生的。第一个脉冲将锡滴...
类别:半导体生产 2018-12-07 标签: ASML
三星电子为夺取台积电客户,正极力发展EUV(极紫外线)的7纳米制程,但台积电也将导入EUV技术,让业界普遍认为,三星要在短时间内达到此目标不太可能。三星电子比台积电抢先应用EUV曝光设备,但基于验证工程稳定化需要时间,三星电子今年10月表示,已完成适用EUV曝光技术的7纳米LPP(Low Power Plus)开发,并已着手生产,但正式量产时间到明年。根据韩媒《DDaily...
类别:综合资讯 2018-11-30 标签: 三星电子 EUV
台积电(TSMC)宣布投片采用部分极紫外光刻(EUV)技术的首款N7+工艺节点芯片,并将于明年4月开始风险试产(risk production)采用完整EUV的5nm工艺。 根据台积电更新的数据显示,其先进工艺节点持续在面积和功率方面提升,但芯片速度无法再以其历史速度推进。为了弥补这一点,台积电更新其开发中用于加速芯片间互连的六种封装技术。 此外,台积电...
类别:工业电子 2018-11-23 标签: TSMC 台积电 EUV 芯片
三星跻身晶圆代工亚军、EUV将用于DRAM量产,然而产能扩充恐
预测,从明年开始,三星的代工业务将通过赢得许多虚拟货币开发商的ASIC合同并向高通和苹果制造应用处理器而快速增长。        尤其值得注意的是,三星电子已全球首次将EUV技术应用于7nm工艺。目前,业界领先的台积电是唯一拥有7nm工艺的代工厂,并计划明年推出EUV版本的升级版7nm工艺。众所周知,EUV设备每台成本高达上亿美元,但它...
类别:便携/移动产品 2018-11-01 标签: 三星 晶圆
突破5nm进军3nm,ASML、IMEC联合研发第二代EUV光刻机
随着三星宣布7nm EUV工艺的量产,2018年EUV光刻工艺终于商业化了,这是EUV工艺研发三十年来的一个里程碑。不过EUV工艺要想大规模量产还有很多技术挑战,目前的光源功率以及晶圆产能输出还没有达到理想状态,EUV工艺还有很长的路要走。在现有的EUV之外,ASML与IMEC比利时微电子中心还达成了新的合作协议,双方将共同研发新一代EUV光刻机,NA数值孔径从现有的0.33...
类别:半导体生产 2018-10-31 标签: 3nm ASML
和FinFET器件模型。 新思科技(Synopsys, Inc.,纳斯达克股票市场代码: SNPS)宣布,新思科技数字和定制设计平台通过了TSMC最先进的5nm EUV工艺技术认证。该认证是多年广泛合作的结果,旨在提供更优化的设计解决方案,加快下一代设计的发展进程。 Design Compiler® Graphical综合工具经过了严格的5nm启用验证,并证明了...
类别:半导体生产 2018-10-24 标签: 新思科技
ASML新款EUV光刻机将于明年出货,产能提升24%?
ASML公司日前发布2018年Q3季度财报,当季营收27.8亿欧元,净利润6.8亿欧元,出货了5台EUV光刻机,全年预计出货18台,明年将增长到30台,而且明年下半年会推出新一代的NXE:3400C型光刻机,生产能力从现在的每小时125晶圆提升到155片晶圆以上,意味着产能提升24%。 台积电前不久试产了7nm EUV工艺,预计明年大规模量产,三星今天宣布量产7nm...
类别:工业电子 2018-10-21 标签: ASML EUV光刻机 晶圆
5nm技术指日可待,EUV技术有重磅突破
 全球一号代工厂台积电宣布了有关极紫外光刻(EUV)技术的两项重磅突破,一是首次使用7nm EUV工艺完成了客户芯片的流片工作,二是5nm工艺将在2019年4月开始试产。今年4月开始,台积电第一代7nm工艺(CLN7FF/N7)投入量产,苹果A12、华为麒麟980、高通“骁龙855”、AMD下代锐龙/霄龙等处理器都正在或将会使用它制造,但仍在使用传统的深紫外光刻...
类别:半导体生产 2018-10-10 标签: 5nm 台积电
台积电7nm+工艺升级,采用极紫外光(EUV)微影技术
晶圆代工龙头台积电持续冲刺先进制程,采用极紫外光(EUV)微影技术的首款7+纳米芯片已经完成设计定案(tape-out),支援最多4层EUV光罩。台积电亦加速5纳米制程推进,预计明年4月可开始进行风险试产,支援的EUV光罩层将上看14层,5纳米可望如期在2020年上半年进入量产。设备业者认为,台积电在晶圆先进制程持续推进,也推出可整合多种异质芯片的先进封装技术,最大竞争对手...
类别:半导体生产 2018-10-08 标签: 台积电 EUV
什么是EUV?为何如此昂贵
为什么三星、台积电、英特尔,这三家直接竞争对手企业争相投资ASML?EUV堪称半导体设备发展以来最昂贵的设备,一台售价高达9,000 万欧元。中芯国际也向阿斯麦下单了一台价值高达1.2亿美元的EUV(极紫外线)光刻机。看看如何修炼这台设备的。...
类别:半导体生产 2018-09-30 标签: EUV 光刻

EUV相关帖子

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像环形振荡器这样的基本设备,我们声称它是真正的产品,”Mark Papermaster在当天接受采访时表示7纳米芯片已经曝光。“摩尔定律正在放缓,半导体节点更加昂贵,而且我们没有得到我们过去常常得到的频率提升,”他在发布会上的一次谈话中说,称7-nm迁移“是一个粗略的提升,增加了掩模,更多的抵抗和寄生。“展望未来,使用极紫外光刻(EUV)的7纳米节点将“主要利用效率和一些适度的设备性能机会...
101次浏览 2018-12-10 嵌入式系统编程

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223次浏览 2018-11-11 TI技术论坛

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得外界对于英特尔的10nm工艺充满了质疑。 前不久英特尔将旗下的技术和制造业务拆分成三个不同的部门,而负责技术与制造业务部门的Sohail Ahmed也将于下个月离职。拆分后,三个部门分别是技术研发、制造与运营和供应链,之后的三个部门将会更加明确自己责任。有媒体表示,之所以英特尔这样做是因为10nm工艺一直难产,已经落后竞争对手太多了。 目前三星、台积电的7nm工艺已经量产,并且进军7nm EUV...
0次浏览 2018-10-24 信息发布

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释放,国内DRAM产能再大,也难以满足全球庞大的市场需求。因此,应该是技术层面的原因。 技术才是高科技产业的核心竞争力。3D Flash目前技术在96层,但是技术路标的能见度已至512层-3D Flash做为高科技产业的技术、产品还可长可久,投资于此,理所当然。 DRAM制程推进已很缓慢,目前的制程是1y,有EUV的助力,也许可以推进到1z,但是1a呢?很多人持疑。即使可以,也是事倍功半的努力...
101次浏览 2018-10-12 信息发布 标签: 华强旗舰 闪存 三星

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全球一号代工厂台积电宣布了有关极紫外光刻(EUV)技术的两项重磅突破,一是首次使用7nm EUV工艺完成了客户芯片的流片工作,二是5nm工艺将在2019年4月开始试产。 今年4月开始,台积电第一代7nm工艺(CLN7FF/N7)投入量产,苹果A12、华为麒麟980、高通“骁龙855”、AMD下代锐龙/霄龙等处理器都正在或将会使用它制造,但仍在使用传统的深紫外光刻(DUV)技术。 而接下...
102次浏览 2018-10-10 信息发布

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,N7+节点可在多达4个叠层上使用EUV(极紫外光刻),而能在多达14个叠层使用EUV的5nm工艺将于明年4月开始风险性试产,采用EUV的目的是通过减少先进芯片设计所需的掩膜(mask)数量来节约成本。 台积电表示,基于对5nm工艺生产的Arm A72芯片测试,其速度提升14.7%到17.7%,而面积缩小1.8到1.86倍。同时,N7+节点的闸极密度增加 20%,功耗减少6%到12%,而对速度上的变化...
101次浏览 2018-10-09 信息发布

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预估未来10到20年,半导体产业成长幅度会比全球GDP成长率高出200到300基点,整体半导体业产值年成长率将达到5-6%;虽然各项技术仍会面临盛衰,但未来创新的空间还是很大。 未来半导体业的创新技术,包含2.5D与3D IC封装技术、极紫外光(EUV)微影制程技术、人工智慧(AI)、机器学习芯片(GPU、TPU)、芯片架构、C-tube和石墨烯等新材料等。 过去半导体产业发展,业界共有十大...
101次浏览 2018-09-18 信息发布

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在设备更高的单价上,如中芯国际向ASML购买的最新EUV光刻机一台就需要1.2亿美元;另一方面,随着工艺升级,多次曝光逐步取代单次曝光,另外在刻蚀机、清洗机等设备的数量和使用频率也将越来越高,这将反映在设备订单数量的提高。根据SEMI测算,2018年晶圆处理设备的份额将从17年的80.5%上升到81.8%。 半导体市场回暖,单晶圆清洗机占据市场主流...
202次浏览 2018-08-31 信息发布

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式存储器eRRAM技术等。 台积电昨天董事会也决议核准约新台币1,364亿元资本支出,内容包括兴建厂房,建置、扩充及升级先进制程产能等,以及第四季研发资本预算与经常性资本预算。 台积电明年超大电子元器件采购网投资案,就是在南科兴建的5nm12英寸晶圆厂Fab 18,该厂总投资额达250亿美元。台积电7nm已全面量产,支援极紫外光(EUV)技术的7+nm已完成研发,将在明年量产。至于再下一个世代...
202次浏览 2018-08-15 信息发布

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7059次浏览 2018-08-01 【stm32/stm8】

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IBM世界首款7nm芯片展示
这款测试芯片首度在7nm晶体管内加入一种叫做“硅锗”(silicon germanium,简称 SiGe)的材料,替代原有的纯硅,并采用了极紫外光(Extreme Ultraviolet,EUV)微影技术。据悉,相较10nm,使用7nm制程后的面积将所缩小近一半,但同时因为能容纳更多的晶体管(200...
2015-09-10 标签: 7nm IBM 硅锗 SiGe EUV

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