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DRAM

在电子工程世界为您找到如下关于“DRAM”的新闻

南亚科:DRAM上半年还会涨

  南亚科总经理李培瑛16日表示,今年上半年DRAM价格持续看涨,但涨幅会收敛些,下半年则仍待观察三星、 SK海力士二大韩厂实际增产内容才能做明确分析。 目前来看,韩国二大厂都表明将依市场需求增产,分析DRAM产业到明年都可维持健康稳定。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。  李培瑛表示,服务器和标准型DRAM今年市场需求持续强劲,南亚科内部预估,今年DRAM位...

类别:综合资讯 2018-01-19 20:11:42 标签: 南亚科 DRAM

2018年半导体景气乐观 未来2年趋缓

”的眼光看待2018年,部份原因在于目前约有70%的半导体产品用于消费产品领域。它们可能随着宏观经济影响消费者购买力的趋势而起落。IHS和Gartner都预计,今年NAND快闪存储器(flash)的价格将下滑18%左右,不过NAND和DRAM的单位销售量将继续上涨。今年半导体设备支出将与2017年的高水准持平。据Gartner研究公司副总裁Samuel Wang表示,这要归功于...

类别:半导体生产 2018-01-19 19:57:19 标签: 半导体

武汉存储产业承载国家集成电路产业“弯道超越”期望

锡、上海一带则有908、902工程作依托,成都有封测产业,西安还有三星的制造业基地,武汉则凭借着武汉新芯成为多强之一。在国际竞争格局上,无论是内存还是闪存产品,基本均被韩国、日本、美国等国垄断。其中在DRAM领域,三星、海力士及美光(它于2012年兼并日本的尔必达)为行业龙头,在NAND领域,也由三星、东芝、新帝,海力士以及美光、英特尔共同掌握全球产品的话语权。反观中国,企业...

类别:市场动态 2018-01-19 11:35:42 标签: 存储

上演第二梯队大逆袭 武汉存储产业隐现“国家队效应”

上,无论是内存还是闪存产品,基本均被韩国、日本、美国等国垄断。其中在DRAM领域,三星、海力士及美光(它于2012年兼并日本的尔必达)为行业龙头,在NAND领域,也由三星、东芝、新帝,海力士以及美光、英特尔共同掌握全球产品的话语权。    反观中国,企业在存储领域既没有技术优势,也没有生产规模,每年进口的芯片金额高达2500亿美元,在主流与DRAM...

类别:半导体生产 2018-01-18 21:01:24 标签: 存储产业

台积电、华邦电接连进驻 南科园区营业额破万亿指日可待

,可创造千名就业机会,华邦电新厂未来将用于生产利基型动态随机存取存储器(DRAM)和快闪存储器(Flash Memory)等产品。 台湾科学园区2016年营业额创下历史新高纪录,达新台币2.3764兆元,较2015年成长2.94%,其中,竹科约达1.395兆元、衰退5.61%,中科约达5,074亿元、成长3.1%,南科则为8,296亿元、成长16%最多,主因是南科园区...

类别:半导体生产 2018-01-18 20:33:01 标签: 台积电 华邦电

中国存储及半导体新势力,必须正视即将到来的专利问题

  DRAM和3D NAND疯狂涨价的2017年,存储器变得炙手可热。随着中国存储器三大阵营布局逐渐开始有成绩单交出,中国企业毫无疑问将在不久之后成为半导体存储市场的一股新势力。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。  然而,中国企业开始生产出存储产品时,意味着将面临市场的检视,以及随之而来的专利纠纷。  福建晋华和合肥睿力两大阵营的DRAM计划从默默进行到逐渐浮出...

类别:综合资讯 2018-01-18 20:18:31 标签: 存储器 南亚科

上演第二梯队大逆袭 武汉存储产业隐现“国家队效应”

”,苏州、无锡、成都、西安、武汉为“多强”。上述人士回忆,当时北上深依托“中芯国际”和“海思”成为三强。而无锡、上海一带则有908、902工程作依托,成都有封测产业,西安还有三星的制造业基地,武汉则凭借着武汉新芯成为多强之一。  在国际竞争格局上,无论是内存还是闪存产品,基本均被韩国、日本、美国等国垄断。其中在DRAM领域,三星、海力士及美光(它于2012年兼并日本的尔必达...

类别:综合资讯 2018-01-18 20:14:21 标签: 集成电路 DRAM

南亚科:DRAM上半年还会涨

  南亚科总经理李培瑛16日表示,今年上半年DRAM价格持续看涨,但涨幅会收敛些,下半年则仍待观察三星、 SK海力士二大韩厂实际增产内容才能做明确分析。 目前来看,韩国二大厂都表明将依市场需求增产,分析DRAM产业到明年都可维持健康稳定。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。  李培瑛表示,服务器和标准型DRAM今年市场需求持续强劲,南亚科内部预估,今年DRAM位...

类别:综合资讯 2018-01-18 20:06:10 标签: 南亚科 DRAM

内存突然降价5%:三星和海力士股价狂跌

内存突然降价5%:三星和海力士股价狂跌

  这两年内存价格的一路飙升让人感到刻骨铭心,而就在2017年第四季度,内存价格开始稳定并有所回落,DRAM内存芯片的行业价格也下跌了5%。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。  别看5%这个数字并不大,但已经足以让整个内存与投资行业感到惊慌失措,特别是对2018年的盈利状况忧心忡忡。   内存突然降价5%:三星和海力士股价狂跌  根据最新预计,2018年...

类别:综合资讯 2018-01-17 19:33:25 标签: 三星 内存

Gartner上调2018年全球芯片销售预估至4510亿美元

Gartner首席研究分析师Ben Lee 15日以存储器市况优异为由,将2018年全球半导体销售额预估值再增加236亿美元,调高至4,510亿美元,相当于较2017年成长7.5%。在此之前,Gartner预估今年增幅为4%。这236亿美元的上调金额中,有195亿美元来自存储器芯片市场。他认为,DRAM、NAND Flash存储器涨价拉高了整体半导体市场的展望。与此...

类别:半导体生产 2018-01-17 19:23:39 标签: Gartner

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DRAM资料下载

Hyperlynx仿真应用:阻抗匹配立即下载

Hyperlynx仿真应用:阻抗匹配.下面以一个电路设计为例,简单介绍一下PCB仿真软件在设计中的使用。下面是一个DSP硬件电路部分元件位置关系(原理图和PCB使用PROTEL99SE设计),其中DRAM作为DSP的扩展Memory(64位宽度,低8bit还经过3245接到FLASH和其它芯片),DRAM时钟频率133M。因为频率较高,设计过程中我们需要考虑DRAM的数据、地址和控制线是否需加串...

类别:嵌入式系统 2013年09月22日 标签: HyperLynx

ML671000用户手册立即下载

)........12-1312.2.6. DRAM Bank 2 Control Register (DR2CON)12-1412.2.7. DRAM Bank 3 Control Register (DR3CON)12-1512.2.8. DRAM Bank 2 Access Timing Control Register (AT2CON)....12-1612.2.9. DRAM Bank 3 Access...

类别:IC设计及制造 2013年09月20日 标签: ML671000用户手册

基于SRAM和DRAM结构的大容量FIFO的设计与实现立即下载

基于SRAM 和DRAM 结构的大容量FIFO 的设计与实现作者:杨奇 杨莹摘要:本文分别针对Hynix 公司的两款SRAM 和DRAM 器件,介绍了使用CPLD 进行接口连接和编程控制,来构成低成本、大容量、高速度FIFO 的方法。该方法具有通用性,可以方便地移植到与其他RAM 器件相连的应用中去。关键词:CPLD,SRAM,DRAM,FIFO1 引言FIFO(First In First...

类别:模拟及混合电路 2013年09月17日 标签: 基于SRAM和DRAM结构的大容量FIFO的设计与实现

东芝对手机存储的未来预测立即下载

进行数据存储,而 PSRAM 则用作工作存储器。另一个基于 NAND 的 NCP 方案则是以 DRAM + NAND 完全取代 NOR(此时 DRAM 是低功率 SDRAM)。在这种方案中,代码和数据都被存储在 NAND 闪存中。当手机被开 启时,代码被从 NAND 拷贝到 DRAM,并被执行到 DRAM 之外。这样做增加了额外 的启动时间。而另一方面,这样的方案降低了成本,并实现了简化...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: cunchuan

技术对决 NOR闪存Vs NAND闪立即下载

的“个性”化特征始于两者的内在设计的区别。从架构上看,NOR闪存的设计明显与传统的DRAM相似,地址线与数据线是独立的。而NAND则是共用的,这也是其与NOR型闪存的最大不同之处。 [pic] NOR闪存的架构图,地址线与数据线是独立的(点击放大...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 技术 对决 闪存

存储器部件的组成与设计立即下载

内存基本知识New Page 10 0 计算机内存基本知识 0 0ge°vRAMb术词汇 CDRAM-Cached DRAM――缓存存储器 CVRAM-Cached VRAM――缓存视频存储器 DRAM-Dynamic RAM――R¨态存储器 EDRAM-Enhanced DRAM――X_:WR¨态存储器 EDO RAM-Extended Date Out...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 内存 基本 知识

嵌入式DDR接口原理及设计立即下载

嵌入式DDR接口原理及设计有助于SoC设计取得成功的十条建议DDR3等DRAM标准是由JEDEC开发的。这个组织已经为许多半导体器件制定过标准,而大多数DRAM标准偏重于特定系统或少数系统。例如,DDR3 SDRAM标准最初就是针对笔记本、台式机和服务器应用中无缓存和带寄存器的DIMM开发的。DRAM的嵌入式应用,如视频处理芯片,一般只使用成品DRAM中的很少部分,剩下部分需要做“妥善处理...

类别:嵌入式系统 2013年09月21日 标签: 嵌入式DDR接口原理及设计

PSRAM伪静态随机存取内存立即下载

所谓的 PSRAM(Pseudo SRAM;PSRAM),在技术本质上即是用DRAM 来乔装SRAM,所以才叫Pseudo(伪),那为何要用乔装呢?此其实与近年来手持式应用设计的兴起息息相关。关键词:PSRAM,伪静态随机存取内存所谓的 PSRAM(Pseudo SRAM;PSRAM),在技术本质上即是用DRAM 来乔装SRAM,所以才叫Pseudo(伪),那为何要用乔装呢?此其实与近年来手持式...

类别:其他 2013年09月22日 标签: PSRAM伪静态随机存取内存

Architecting Phase Change Memory as a Scalable DRAM Alternative PCM立即下载

Memory scaling is in jeopardy as charge storage and sensing mechanisms become less reliable for prevalent memory tech- nologies, such as DRAM. In contrast, phase change memory (PCM) storage...

类别:FPGA/CPLD 2013年06月10日 标签: contrast long technology address current

DRAM protocol立即下载

DRAM system analysis...

类别:IC设计及制造 2014年07月24日 标签: DRAM

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DRAM 2018上半年安徽还会涨大时代 具体看三星、 SK海力士增产实况可靠

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