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DRAM

在电子工程世界为您找到如下关于“DRAM”的新闻

紫光国芯第四代DRAM存储器成功通过科技成果评价

2017年3月22日,受工业和信息化部电子科学技术情报研究所委托,北京中企慧联科技发展中心在北京主持召开由紫光国芯股份有限公司/西安紫光国芯半导体有限公司自主研发的“高性能第四代DRAM存储器”科技成果评价会。北京中企慧联评价机构严格按照《科技成果评价试点暂行办法》的有关规定和要求,秉承客观、公正、独立的原则,聘请同行专家对该项科技成果进行了评价。评价委员会听取了项目完成单位...

类别:其他 2017-03-25 13:17:37 标签: 芯片 dram

紫光南茂完成上海宏茂股权交割

1.紫光、南茂完成上海宏茂股权交割,合作迈大步;2.中星微获评2016十大IC设计企业:神经网络处理器获重要突破;3.手机“颜战”开打,集创北方四大方向加速布局指纹识别;4.跨入智能电表领域,中芯国际积极打造物联网芯片利基平台;5.中兴微电子「M战略」,5G芯片2019年测试;6.紫光国芯第四代DRAM存储器成功通过科技成果评价1.紫光、南茂完成上海宏茂股权交割,合作迈大步...

类别:综合资讯 2017-03-25 13:11:20 标签: 上海宏茂

美光业绩远超分析师预期:得益于存储芯片涨价

美光业绩远超分析师预期:得益于存储芯片涨价

正在经历分析师所谓的“超级周期”。  美光科技周四表示,该公司的DRAM芯片第二季度涨价21%,此前一个季度已经涨价5%。  DRAM芯片大约占到美光科技上季度营收的64%。  与此同时,该公司的NAND芯片业务也表现不俗,把握了智能手机的存储容量的爆发趋势。在截至3月2日的第二财季内,美光科技的NAND销量增长18%。美光科技CEO马克·邓肯  美光科技CEO马克·邓肯...

类别:综合资讯 2017-03-24 17:17:34 标签: 美光

紫光国芯第四代DRAM存储器成功通过科技成果评价

紫光国芯第四代DRAM存储器成功通过科技成果评价

  2017年3月22日,受工业和信息化部电子科学技术情报研究所委托,北京中企慧联科技发展中心在北京主持召开由紫光国芯股份有限公司/西安紫光国芯半导体有限公司自主研发的“高性能第四代DRAM存储器”科技成果评价会。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。  北京中企慧联评价机构严格按照《科技成果评价试点暂行办法》的有关规定和要求,秉承客观、公正、独立的原则,聘请同行专家对...

类别:综合资讯 2017-03-24 16:17:38 标签: 紫光国芯 DRAM

全球晶圆厂设备支出持续攀升,明年大陆支出将超台湾

%。2017年全球支出将达462亿美元,2018年则会成长到498亿美元。此外,预计将在2017年进行安装的282处晶圆设备中,有11处设备支出会超过10亿美元,而在2018年计划安装的270处设备中,也有12处设备支出会超过10亿美元。资料显示,各地晶圆设备支出主要是用在于制造3D NAND与DRAM存储器、微处理器(MPU),以及晶圆代工等设备上。其他如LED和功率元件等离散...

类别:其他 2017-03-24 11:57:38 标签: 晶圆 存储器 半导体

全球晶圆厂设备支出持续攀升,明年大陆支出将超台湾

%、15%与8%。2017年全球支出将达462亿美元,2018年则会成长到498亿美元。  此外,预计将在2017年进行安装的282处晶圆设备中,有11处设备支出会超过10亿美元,而在2018年计划安装的270处设备中,也有12处设备支出会超过10亿美元。  资料显示,各地晶圆设备支出主要是用在于制造3D NAND与DRAM存储器、微处理器(MPU),以及晶圆代工等设备上。其他如...

类别:市场动态 2017-03-24 10:38:23 标签: 晶圆

国产手机进入大内存时代 钱却进了三星的口袋

国产手机进入大内存时代 钱却进了三星的口袋

,纷纷强烈表示愿意加价购买硅晶圆,造成货源价格水涨船高。目前供货商目前最头痛的是如何分配产能。  与此同时全球内存龙头三星电子也传出将对DRAM扩产的计划,三星决定斥资87亿美元,扩充南韩华城厂DRAM产能。 三星表示,新产线约需两年时间建造,将视研发进度和制程转换良率,决定生产18nm或更先进制程的DRAM。  业内人士认为,今年DRAM由于主要供应大厂将产能挪移生产储存型闪存...

类别:便携/移动产品 2017-03-24 10:13:21 标签: 华为 小米

全球晶圆厂设备支出持续攀升 2018年大陆支出将超台湾地区

462亿美元,2018年则会成长到498亿美元。 此外,预计将在2017年进行安装的282处晶圆设备中,有11处设备支出会超过10亿美元,而在2018年计划安装的270处设备中,也有12处设备支出会超过10亿美元。 资料显示,各地晶圆设备支出主要是用在于制造3D NAND与DRAM存储器、微处理器(MPU),以及晶圆代工等设备上。其他如LED和功率元件等离散...

类别:半导体 2017-03-24 09:29:17 标签: 晶圆 微处理器 存储器

全球晶圆厂设备支出持续攀升,明年大陆支出将超台湾

462亿美元,2018年则会成长到498亿美元。此外,预计将在2017年进行安装的282处晶圆设备中,有11处设备支出会超过10亿美元,而在2018年计划安装的270处设备中,也有12处设备支出会超过10亿美元。资料显示,各地晶圆设备支出主要是用在于制造3D NAND与DRAM存储器、微处理器(MPU),以及晶圆代工等设备上。其他如LED和功率元件等离散(Discrete)半导体...

类别:综合资讯 2017-03-24 08:47:50 标签: 晶圆

手机大内存时代 国产手机厂商显然都陷入了三星的“套路”

手机大内存时代 国产手机厂商显然都陷入了三星的“套路”

圆供货商指出,大客户签硅晶圆合约都是半年或者一年,供货也优先考虑,但因货源供不应求,中小型或新客户抢货如潮水般涌来,深怕旺季到来,无货可测试或量产,纷纷强烈表示愿意加价购买硅晶圆,造成货源价格水涨船高。目前供货商目前最头痛的是如何分配产能。与此同时全球内存龙头三星电子也传出将对DRAM扩产的计划,三星决定斥资87亿美元,扩充南韩华城厂DRAM产能。 三星表示,新产线约需两年时间...

类别:综合资讯 2017-03-23 19:06:05 标签: 国产手机

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DRAM资料下载

Hyperlynx仿真应用:阻抗匹配立即下载

Hyperlynx仿真应用:阻抗匹配.下面以一个电路设计为例,简单介绍一下PCB仿真软件在设计中的使用。下面是一个DSP硬件电路部分元件位置关系(原理图和PCB使用PROTEL99SE设计),其中DRAM作为DSP的扩展Memory(64位宽度,低8bit还经过3245接到FLASH和其它芯片),DRAM时钟频率133M。因为频率较高,设计过程中我们需要考虑DRAM的数据、地址和控制线是否需加串...

类别:嵌入式系统 2013年09月22日 标签: HyperLynx

基于SRAM和DRAM结构的大容量FIFO的设计与实现立即下载

基于SRAM 和DRAM 结构的大容量FIFO 的设计与实现作者:杨奇 杨莹摘要:本文分别针对Hynix 公司的两款SRAM 和DRAM 器件,介绍了使用CPLD 进行接口连接和编程控制,来构成低成本、大容量、高速度FIFO 的方法。该方法具有通用性,可以方便地移植到与其他RAM 器件相连的应用中去。关键词:CPLD,SRAM,DRAM,FIFO1 引言FIFO(First In First...

类别:模拟及混合电路 2013年09月17日 标签: 基于SRAM和DRAM结构的大容量FIFO的设计与实现

PSRAM伪静态随机存取内存立即下载

所谓的 PSRAM(Pseudo SRAM;PSRAM),在技术本质上即是用DRAM 来乔装SRAM,所以才叫Pseudo(伪),那为何要用乔装呢?此其实与近年来手持式应用设计的兴起息息相关。关键词:PSRAM,伪静态随机存取内存所谓的 PSRAM(Pseudo SRAM;PSRAM),在技术本质上即是用DRAM 来乔装SRAM,所以才叫Pseudo(伪),那为何要用乔装呢?此其实与近年来手持式...

类别:其他 2013年09月22日 标签: PSRAM伪静态随机存取内存

嵌入式DDR接口原理及设计立即下载

嵌入式DDR接口原理及设计有助于SoC设计取得成功的十条建议DDR3等DRAM标准是由JEDEC开发的。这个组织已经为许多半导体器件制定过标准,而大多数DRAM标准偏重于特定系统或少数系统。例如,DDR3 SDRAM标准最初就是针对笔记本、台式机和服务器应用中无缓存和带寄存器的DIMM开发的。DRAM的嵌入式应用,如视频处理芯片,一般只使用成品DRAM中的很少部分,剩下部分需要做“妥善处理...

类别:嵌入式系统 2013年09月21日 标签: 嵌入式DDR接口原理及设计

ML671000用户手册立即下载

)........12-1312.2.6. DRAM Bank 2 Control Register (DR2CON)12-1412.2.7. DRAM Bank 3 Control Register (DR3CON)12-1512.2.8. DRAM Bank 2 Access Timing Control Register (AT2CON)....12-1612.2.9. DRAM Bank 3 Access...

类别:IC设计及制造 2013年09月20日 标签: ML671000用户手册

东芝对手机存储的未来预测立即下载

进行数据存储,而 PSRAM 则用作工作存储器。另一个基于 NAND 的 NCP 方案则是以 DRAM + NAND 完全取代 NOR(此时 DRAM 是低功率 SDRAM)。在这种方案中,代码和数据都被存储在 NAND 闪存中。当手机被开 启时,代码被从 NAND 拷贝到 DRAM,并被执行到 DRAM 之外。这样做增加了额外 的启动时间。而另一方面,这样的方案降低了成本,并实现了简化,而...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: cunchuan

技术对决 NOR闪存Vs NAND闪立即下载

“个性”化特征始于两者的内在设计的区别。从架构上看,NOR闪存的设计明显与传统的DRAM相似,地址线与数据线是独立的。而NAND则是共用的,这也是其与NOR型闪存的最大不同之处。 [pic] NOR闪存的架构图,地址线与数据线是独立的(点击放大...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 技术 对决 闪存

DRAM protocol立即下载

DRAM system analysis...

类别:IC设计及制造 2014年07月24日 标签: DRAM

DRAM tutorial立即下载

DRAM technology fundamentals...

类别:IC设计及制造 2014年07月24日 标签: DRAM

DRAM signal timing立即下载

DRAM signal timing...

类别:IC设计及制造 2014年07月24日 标签: DRAM

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