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Cree

在电子工程世界为您找到如下关于“Cree”的新闻

2018全球显示屏与Micro LED显示屏市场展望

。根据LEDinside调查全球显示屏LED厂商营收,前五大厂商为木林森、国星、亿光、晶台、CREE。此外,前五大厂商显示屏LED芯片厂商营收 (仅以外销芯片厂商为主)依次为三安、晶电、华灿、士兰明芯与乾照光电。驱动IC市场趋势显示屏IC市场依然保持较快的成长,2017年达到2.12亿美金。根据LEDinside调查前五大显示屏用驱动IC厂商为聚积、集创北方、苏州日月成、明微、明阳,占有92...

类别:面板/显示 2017-11-17 19:48:35 标签: Micro LED

从iPhone X的AMOLED成本分析MicroLED商业化的可行性

从iPhone X的AMOLED成本分析MicroLED商业化的可行性

的厂商以芯片端最多,主要是晶电、隆达、三安、欧司朗、日亚化、CREE这样的LED厂商,其次才是是苹果、索尼、谷歌等终端显示厂。  在这场MicroLED领域的争锋中,除了这些,还有像从英国University of Strathclyde拆分出来的公司mLED、TexasTech University、CEA-Leti、从University of Illinois分拆出来...

类别:综合资讯 2017-10-10 14:47:57 标签: AMOLED MicroLED

飞思卡尔前任 CEO 加盟 Cree 任 CEO

飞思卡尔前任CEO Gregg Lowe,日期加入LED供应商Cree,担任总裁兼CEO。他将接替前任Chuck Swoboda。Cree早在今年五月就已宣布Swoboda将辞职的消息。Lowe同时被任命为公司董事会成员。Gregg Lowe在2012年至2015年担任飞思卡尔公司总裁兼CEO,直至公司被恩智浦收购,在此之前,Gregg在德州仪器工作了28年,是公司高级副总裁...

类别:综合资讯 2017-09-28 17:36:39 标签: 飞思卡尔 Cree

Mirco LED 面板老将第二春?

第一届Micro LED Display产业高峰论坛,租用可容纳人数最多的会议室,除了吸引有兴趣的产业人士进场聆听, 友达前副董陈炫彬也是其中之一,整场论坛几乎从头听到尾。隆达发言管道则响应,陈炫彬目前的确是担任公司顾问,当天仅是单纯看展,借重其LCD产业经验,提供一些意见。隆达目前以科锐(Cree)、友达为两大主要股东,分别持股16.2%、15.3%,友达掌握两席董事席次,分别...

类别:面板/显示 2017-09-25 19:55:17 标签: Mirco LED 面板

手机与PDA应用LED照明驱动电路的设计方案

手机与PDA应用LED照明驱动电路的设计方案

Cree、PhilipsLumileds与OSRAM等更在当时确立了其领先地位。除此之外,数年前台湾与南韩两地的新进厂商开始崛起,并在过去2年逐渐尝到了营业额高度增长的成果。LED效能大幅提升在大量资金投注LED开发后,白光LED的照明效率比起刚发明时有了大幅度的改善,目前市场上最佳的白光LED照明效率可以达到100lm/W,相当接近日光灯管,而一些领先公司也尝试在蓝光LED...

类别:消费电子 2017-08-27 10:49:00 标签: LED照明 手机 PDA

美国对华启动贸易调查,LED企业将受到何种影响?

美国对华启动贸易调查,LED企业将受到何种影响?

的LUMILEDS和CREE,MOCVD 设备厂商有与德国爱思强齐名的 VEECO 公司;封装厂方面有朗明纳斯 Luminus(2013 年被三安光电收购)和普瑞 Bridgelux(2015 年被开发晶收购);下游应用方面,美国的知名企业更是不胜枚举。 而这些LED产业链相关企业又是专利大户。LUMILEDS拥有600余项LED专利;CREE也是拥有庞大的专利数量,曾...

类别:工业电子 2017-08-25 23:03:10 标签: 301调查 LED 首尔半导体 飞利浦

制造能耗变革从新一代半导体开始

制造能耗变革从新一代半导体开始

2015年报告  图5是来自于国际知名咨询机构IHS对WBG的未来市场预测,可以看到总体会在2025年达到36亿美元的市场规模,从趋势上看在2014-2025年这个十年的时间里,WBG将会有较大的市场成长空间。  图6:SiC市场的主要制造商  由图6可以看到英飞凌、科凌CREE(功率电子部分已经卖给英飞凌)是最为主要的SiC市场器件提供商在大功率领域具有较强的优势,而在SiC...

类别:综合资讯 2017-08-24 18:38:01 标签: SiC GaN

制造能耗变革从新一代半导体开始

制造能耗变革从新一代半导体开始

告  图5是来自于国际知名咨询机构IHS对WBG的未来市场预测,可以看到总体会在2025年达到36亿美元的市场规模,从趋势上看在2014-2025年这个十年的时间里,WBG将会有较大的市场成长空间。图6:SiC市场的主要制造商  由图6可以看到英飞凌、科凌CREE(功率电子部分已经卖给英飞凌)是最为主要的SiC市场器件提供商在大功率领域具有较强的优势,而在SiC应用领域里包括...

类别:节能减排 2017-08-23 10:39:32 标签: 半导体 能耗

性能全面提升Cree新一代XLamp XHP70.2 LED在贸泽开售

性能全面提升Cree新一代XLamp XHP70.2 LED在贸泽开售

专注于新产品引入 (NPI) 并提供极丰富产品类型的业界顶级半导体和电子元件分销商贸泽电子(Mouser Electronics) 即日起备货Cree的XLamp® XHP70.2 LED。与第一代XHP70 LED相比,这些第二代超高功率(XHP) LED的光通量提高了9%,每瓦流明(LPW)增加了18%。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。贸泽电子供应的Cree...

类别:综合资讯 2017-08-16 11:27:11 标签: Cree XLamp XHP70.2 LED 贸泽电子

性能全面提升Cree新一代XLamp XHP70.2 LED在贸泽开售

电子网消息,专注于新产品引入 (NPI) 并提供极丰富产品类型的业界顶级半导体和电子元件分销商贸泽电子(Mouser Electronics) 即日起备货Cree的XLamp® XHP70.2 LED。与第一代XHP70 LED相比,这些第二代超高功率(XHP) LED的光通量提高了9%,每瓦流明(LPW)增加了18%。贸泽电子供应的Cree XLamp XHP70.2...

类别:半导体生产 2017-08-14 20:36:18 标签: Cree

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Cree资料下载

Cree MegaBright II LED应用开发资料立即下载

Cree MegaBright II LED应用开发资料:Cree’s MB™ Generation II series of MegaBright LEDs combine highly efficient InGaN materials with Cree’sproprietary G•SiC® substrate to deliver superior...

类别:IC设计及制造 2013年09月20日 标签: Cree MegaBright II LED应用开发资料

CREE晶片常见问题及解答立即下载

        Q:Cree 公司生产红光LED 芯片吗?A :Cree 公司一直以来都没有生产红光LED 芯片,只有蓝光、绿光和紫外光LED 芯片。Q:Cree 的芯片都是碳化硅(SiC)材料为衬底的吗?A:目前Cree 公司的小功率LED 芯片都是采用碳化硅(SiC)材料为衬底的,而EZBright 系列LED...

类别:科学普及 2013年12月06日 标签: CREE晶片常见问题及解答

Cree XT Rectangular LED应用开发指南立即下载

Cree XT Rectangular LED应用开发指南:Cree’s XT Rectangular LEDs are the next generation of solid-state LEDs that combine highly efficient InGaN materials with Cree’s proprietary G•SiC® substrate...

类别:模拟及混合电路 2013年09月22日 标签: Cree XT Rectangular LED应用开发指南

Cree XThin LED应用开发指立即下载

Cree’s XThin LEDs are the next generation of solid-state LED emitters that combine highly efficient InGaN materials with Cree’s proprietary G•SiC® substrate to deliver superior price...

类别:模拟及混合电路 2013年09月22日 标签: Cree XThin LED应用开发指

Cree EZ400 LED数据手册立即下载

Cree’s EZBright. LEDs are the next generation of solid-state LED emitters that combine highly efficient InGaN materialswith Cree’s proprietary optical design and device technology to...

类别:IC设计及制造 2013年09月22日 标签: 数据手册 Cree EZ400 L

Cree TR260 LED应用开发资料立即下载

Cree TR260 LED应用开发资料:Cree’s TR™ LEDs are the newest generation of solid-state LED emitters that combine highly efficient InGaN materialswith Cree’s proprietary device technology and silicon...

类别:IC设计及制造 2013年09月22日 标签: Cree TR260 LED应用开发资料

Cree TR2436 LED应用开发指南立即下载

Cree’s TR™ LEDs are the newest generation of solid-state LED emitters that combine highly efficient InGaN materialswith Cree’s proprietary device technology and silicon carbide substrates to...

类别:模拟及混合电路 2013年09月20日 标签: Cree TR2436 LED应用开发指南

CREE COB DATA立即下载

CREE COB 内部资料学习应用...

类别:消费电子 2014年08月23日 标签: CREE COB

cree的封装形式介绍立即下载

        本文档主要是针对cree的led封装的详细介绍,对刚刚学习led的学习爱好者来讲,让你对led前沿封装技术的入门了解。...

类别:科学普及 2013年12月06日 标签: cree的封装形式介绍

CREE晶片常见问题及解答立即下载

CREE晶片常见问题及解答...

类别:其他 2013年09月22日 标签: CREE晶片常见问题及解答

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浅谈氮化镓器件之《射频宽带功率放大器设计》

的管子在国内,确实比较贵,而且还不容易购买。但是后拉也找到了一家公司,购买了几只。 当时选的氮化镓的管子是CREE公司的,型号:CGH40025F。大概当时含税价格是1200/只,左右。确实很贵。。。 这个就是当时选得管子。氮化镓的管子好处就是频率做的比较宽,效率比较高。 这个就是当时的产品,由于是公司的,细节我就不展示了, 这个是成品,在某研究所做环境实验。 当时做这个功放...

14次浏览 2017-11-18 RF/无线

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发光二极管的选择之关键参数与设计参考

Hole) [attach]325854[/attach] QTB QBLP631-YG Cree C512A-WNN-CZ0B0151 一般来说,贴片所占的体积会更小一点。 [attach]325852[/attach] 贴片封装也可以通过尺寸来选择,这里的长宽主要是指的是贴片封装的尺寸 [b] 5 LED 设计实例[/b] 下面是一个最简单的LED指示灯...

17次浏览 2017-10-18 【跟TI学电源】

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  半导体照明   半导体照明技术及其产品正向着更高光效、更低成本、更可靠、更多元化领域和更广泛应用的方向发展。新型衬底上外延高效率GaN-LED正是突破蓝宝石衬底外延瓶颈的发展趋势。SiC是除了蓝宝石之外,作为GaN外延衬底使用最多的材料。但是,眼下SiC 衬底的市场主要被Cree公司垄断,导致其市场价格远高于蓝宝石,所以SiC 衬底的应用还远...

101次浏览 2017-07-28 信息发布 标签: hr连接器 材料 应用 技术 广泛

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将直接影响宽禁带技术的发展。   SiC器件和电路具有超强的性能和广阔的应用前景,因此一直受业界高度重视,基本形成了美国、欧洲、日本三足鼎立的局面。目前,国际上实现碳化硅单晶抛光片商品化的公司主要有美国的Cree公司、Bandgap公司、DowDcorning公司、II-VI公司、Instrinsic公司;日本的Nippon公司、Sixon公司;芬兰的Okmetic公司;德国...

202次浏览 2017-07-28 信息发布 标签: hr连接器 半导体 材料 技术 电子器件

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101次浏览 2017-06-12 信息发布 标签: 国产 贴片机 博瑞

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;    }     } }   我用一块PCB板将传感器盖住,在室内环境下可以实现读数全为0. 在我的工作桌上(灯头是七年半前制作的,四只Cree XR-E Q3 5C串联),输出结果 而放到被太阳光照射的地方(隔着窗玻璃,空气还有雾霾),可以发现光更强 调整一下板子的角度,让太阳光接近垂直照射到传感器上,数值应该是更大的: 在太阳光...

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第一不是高频化,因为高频化从硅器件也基本可以实现,比如通过拓扑的变化或软开关等。碳化硅第一优势应该是它的高压特性,它可以填补硅器件在1000伏特以上IGBT不足的优势,进而简化拓扑,比如把一些三电平dcdc变化传统H桥,这个在成本和实用性上优势比较明显,像一些高压输入EV的DCDC或充电系统,另外更高电压(6.6kV,35kV等级)的电力系统电力电子应用,现在已经Cree有10kV耐压的SiC...

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CTC集团中国代表处

,E2V,IDT,DEI,TRIQUINT,HITTITE,CREE,MA/COM等。 赵 明 CTC MICRO DEVICES CO.,LIMITED TEL : +86-755-8202 4150 Fax : +86-755-8826 5575 Cell:  (0)136 4561 8282 QQ:2417922599 Email...

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