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800V

在电子工程世界为您找到如下关于“800V”的新闻

意法半导体推出最新的MDmesh™ Dk5功率MOSFET管

意法半导体推出最新的MDmesh™ Dk5功率MOSFET管

升压DC/DC转换器也将受益于新产品的低损耗和高动态性能。与市面现有的内置快速恢复二极管的甚高压MOSFET相比,意法半导体DK5产品兼备最短的反向恢复时间(trr)、最低的MOSFET栅电荷量(Qg)和导通电阻RDS(ON),以及超结产品中良好的输出输入电容(Coss, Ciss)。DK5系列产品扩大了意法半导体的甚高压超结晶体管产品阵容,覆盖800V至1500V电压范围...

类别:分立器件 2017-05-23 16:32:18 标签: 意法半导体 MDmesh™ Dk5 MOSFET管

ST推出新款MDmesh MOSFET内置快速恢复二极管 提升高能效转换器的功率密度

ST推出新款MDmesh MOSFET内置快速恢复二极管 提升高能效转换器的功率密度

, Ciss)。DK5系列产品扩大了意法半导体的甚高压超结晶体管产品阵容,覆盖800V至1500V电压范围,新增六款TO-247、TO-247长脚、Max247和ISOTOP功率封装产品。STWA40N95DK5、STY50N105DK5和STW40N95DK5已经开始量产。以上是关于电源管理中-ST推出新款MDmesh MOSFET内置快速恢复二极管 提升高能效转换器的功率密度的...

类别:综合资讯 2017-05-23 12:47:02 标签: MDmesh MOSFET

意法半导体新款的MDmesh™ MOSFET内置快速恢复二极管

,覆盖800V至1500V电压范围,新增六款TO-247、TO-247长脚、Max247和ISOTOP功率封装产品。STWA40N95DK5、STY50N105DK5和STW40N95DK5已经开始量产。...

类别:半导体生产 2017-05-22 21:19:33 标签: 意法半导体

德州仪器CTO:电源和数据的交融与创新

德州仪器CTO:电源和数据的交融与创新

。从更大规模的角度出发,我们看到数据中心也在不断成长,而其所消耗的电能总量也始终保持在70兆瓦以上。这是一个不容忽视的能量消耗,因为即使在它们闲置或准备处理网络搜索信息时也是如此。在汽车领域,电动车辆可以由一个800V的电池电源供电运行,同时支持12V和18V电压轨。要实现诸如此类的应用,就需要全新的功率器件以及不同电压域间高效的电力转换。电力不再只由大型发电厂和长达数英里的AC...

类别:数字电源 2017-05-22 14:50:27 标签: 德州仪器CTO:电源和数据的交融与创新

德州仪器CTO:电源和数据的交融与创新

德州仪器CTO:电源和数据的交融与创新

要求。目前,移动设备的电池储能容量已经十分可观,并且仍在努力满足人们的使用需求和预期。从更大规模的角度出发,我们看到数据中心也在不断成长,而其所消耗的电能总量也始终保持在70兆瓦以上。这是一个不容忽视的能量消耗,因为即使在它们闲置或准备处理网络搜索信息时也是如此。在汽车领域,电动车辆可以由一个800V的电池电源供电运行,同时支持12V和18V电压轨。要实现诸如此类的应用,就需要...

类别:其他技术 2017-05-22 11:07:10 标签: 德州仪器 电源 数据

汽车电子设计的第三次发展浪潮

汽车电子设计的第三次发展浪潮

其它仿真工具仿真时间的对比  对于高压动力系统的仿真也是难点之一,如需要实现0V至800V的最大电压波动,Mentor和ST共同推进了三个主要的仿真能力,一是电热模型和仿真;二是老化仿真;三是对安全工作区的仿真和分析,帮助客户解决对于高压动力系统的仿真难题。此外,Mentor还提供能保证DFT质量的工具,近期独立合规公司 SGS-TÜV Saar ...

类别:行业动态 2017-03-27 18:27:44 标签: Mentor ADAS

SEMICON智能汽车电子论坛:汽车电子第三次发展浪潮

快速、准确地进行仿真(图1)。目前,CMOS图像传感器排名前三的供应商都已采用AFS,排名前十中的八家供应商也已采用AFS。对于高压动力系统的仿真也是难点之一,如需要实现0V至800V的最大电压波动,Mentor和ST共同推进了三个主要的仿真能力,一是电热模型和仿真;二是老化仿真;三是对安全工作区的仿真和分析,帮助客户解决对于高压动力系统的仿真难题。此外,Mentor还提供能保证...

类别:行业动态 2017-03-27 11:46:57 标签: 汽车电子 SemiCon 驱动

ST同级领先的900V MOSFET管提升反激式转换器的输出功率和能效

ST同级领先的900V MOSFET管提升反激式转换器的输出功率和能效

,例如服务器电源、三相开关式电源(SMPS)、LED照明电源、电动汽车(EV)充电器、太阳能板、焊接机、工业设备驱动系统和工厂自动化。意法半导体MDmesh K5系列超结晶体管产品种类繁多,包括800V、850V、900V、950V、1050V、1200V和1500V额定电压的产品。再加上灵活的封装选择,包括TO-220AB、TO-220FP、TO-247、TO-247长引脚...

类别:转换器 2017-03-23 17:11:59 标签: 电压 充电器

东芝面向高效电源推出800V超级结N沟道功率MOSFET

东芝面向高效电源推出800V超级结N沟道功率MOSFET

东芝公司(TOKYO:6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布面向高效电源推出具备改进的低导通电阻、高速开关的800V超级结N沟道功率MOSFET。“DTMOS IV系列”的八款新MOSFET利用超结结构,与东芝之前的“π-MOSVIII系列”相比,其可将其单位面积导通电阻(RON x A)降低近79%。 该系列产品改进的高速开关还有助于提高使用该系列产品的芯片组的...

类别:电源模块 2017-03-20 10:18:58 标签: 东芝 高效电源 800V MOSFET

为汽车注入电力 还世界一片绿洲

为汽车注入电力 还世界一片绿洲

一个额外的针对高耗电应用的48V导轨,从而实现更好的燃油、电池和成本效率。由于较低的续航里程范围和较长的充电时间,城市区域以外消费类EV的普及受到了限制。其中一个解决方案是将电池电压增加至800V,这样就可以将充电时间减少到20分钟(电量达到80%),续航距离也能达到300英里以上。自动驾驶通过监视路况、转换信号和车辆之间的通信,集成电路可以使汽车的自主性能更高。TI的传感器...

类别:汽车电子 2017-03-11 23:40:05 标签: 汽车 电动 自动驾驶

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800V资料下载

ICE2A0565 pdf datasheet立即下载

CoolSET™-F2ICE2A0565/165/265/365ICE2B0565/165/265/365ICE2A0565GICE2A0565ZICE2A180Z/280ZICE2A765I/2B765IICE2A765P2/2B765P2Off-Line SMPS Current ModeController with integrated 650V/800V...

类别:IC设计及制造 2013年09月22日 标签: ICE2A0565 datasheet

BT151系列芯片数据资料立即下载

Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the thyristor may switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/ms....

类别:IC设计及制造 2013年09月22日 标签: BT151

HVLED805驱动IC原文资料立即下载

        意法合资的意法半导体(STMicroelectronics)上市了小型LED灯泡用驱动IC“HVLED805”。该IC用在反激型绝缘AC-DC转换器的一次侧,在一个芯片上集成了PWM控制IC和+800V耐压的功率MOSFET。无需使用电流检测电阻便可检测出在一次侧流动的电流,使供应给LED的电流实现...

类别:科学普及 2013年12月06日 标签: HVLED805驱动IC原文资料

手机锅底介绍立即下载

:最小为ø3 mm,一般为ø4 mm,ø5 mm5 表面覆盖层:塑料薄膜,价格:1.9RMB(含税) 印刷银膜(可以防静电800V)1.6RMB(含税)6 图面上需标注的技术要求:1 尺寸公差(+-0.05) 2 手感值(综合评判值,一般为45%,越大越好) 3 使用寿命。7...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 手机 锅底 介绍

经典三极管资料大全立即下载

2SC4297 54 2SC4288 55 2SC4242 56 2SC4231 57 2SC4119Vbeo 50V 1000V 900V 200V 100V 500V 500V 500V 350V 400V 400V 200V 200V 100V 100V 60V 400V 400V 100V 80V 100V 60V 800V 600V 600V 600V 200V 200V 200V 60V...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 07512

场发射显示器技术现况与发展立即下载

则为5000 小时。双叶电子有推出对角线18.2cm,阳极低电压驱动方式﹙驱动电压200V﹚的单色FED,解析度为VGA,另外还有开发800V,表现300 cd/m2 亮度的18cm、WIDE 全彩FED。高电压驱动的全彩FED则以Sony/Candescent 颇受瞩目,利用数千伏驱动电压,可以得到高亮度表现,2001 年的SID 中,Candescent Tech 与SONY 发表了13.2 寸...

类别:消费电子 2013年09月22日 标签: 场发射显示器技术现况与发展

液晶显示器高压板电路基本工作原理立即下载

高压板电路是一种DC/AC(直流/交流)变换器,它的工作过程就是开关电源工作的逆变过程。开关电源是将市电电网的交流电压转变为稳定的12V直流电压,而高压板电路正好相反,将开关电源输出的12V直流电压转变为高频(40~80kHz)的高压(600~800V)交流电。   电路主要由驱动电路(振荡电路、调制电路)、直流变换电路、Royer结构的驱动电路、保护检测电路、谐振电容、输出电流取样、CCFL等...

类别:消费电子 2013年09月22日 标签: 液晶显示器 高压板

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反激式开关电源问题,请有经验的朋友指点

大的话,那我去找变压器厂家问问去。 如果还不行的话,我是不是得把Mosfet管换成800V耐压的 ? [quote][size=2][url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=2159988&ptid=528804][color=#999999]oldcat8999 发表于 2017-4-23 17:34[/color][/url][/size...

722次浏览 2017-04-23 电源技术 标签: 开关电源 朋友

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可控硅反向耐压值

本帖最后由 benny512 于 2017-3-23 00:48 编辑 最近收到几颗可控硅ACR25U08LG,然后去朋友借台XJ4928玩测下耐压,有2个问题请这方面大神帮我确认下的:1.  从规格上看:VDRM(断态重复峰值电压)=800V ,     VRRM(反向重复峰值电压)=10V ,但是实际我测到的反向耐压值是200V...

295次浏览 2017-03-23 模拟电子 标签: 可控硅

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2017年东芝慕尼黑电子展互动专用帖

1200V.至于电流发热的厉害程度,这个要看你如何应用,如果你做开关管应用,就是调速的时候,PWM应用的时候,这个跟你的开关频率有关系,如果你开关频率非常高,那么它发热就会非常厉害,那如果你知识纯粹做一个导通,东芝的MOS管现在的导通电阻有非常低的,比如低压的也可以做到1mΩ以下,东芝的高压MOS管导通电阻可能都在几十毫欧啦,像800V的那些管子,导通电阻大部分都在几十毫欧。小型封装有,像SO8的这种...

6141次浏览 2017-03-10 综合技术交流 标签: 电子展 慕尼黑 东芝

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1.4mm811JPX202-FA9-81B气体放电管保安单元产品特点与应用   适用于局用交换设备、接入网设备的一级防护;   具备告警信号输出和大电流开路功能;   过压防护采用气体放电管:   直流击穿电压:190-260V   脉冲击穿电压:<800V(1kV/μs)   过流防护采用高速高分子热敏电阻,当电流为1A   时,动作时间<0.4S;   符合YD/T...

4848次浏览 2017-02-28 信息发布 标签: 光缆

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海飞乐技术(HighSemi)FASTMOS™完全替换美高森美(Microsemi) SOT-227封装MOSFET

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LS250运用了直插式技术的弹片联接PCB端子,它是联接技术里的一个里程碑。

紧凑的弹片联接使操作更简单。   弹片自锁功能确保有效的导线保持力。   最高额定承载电流和额定电压:17.5A / 800V (IEC)   间距从3.50到7.62mm (0.138 - 0.300 inch)   3种导线进线方向(90° / 135° / 180°)   极耐高温的塑料材料LCP (支持回流焊)   包装方式为管装或卷装,焊针长度为1.5mm或3.5mm...

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意法半导体将两项新的封装技术应用到三个先进的高压功率MOFET系列产品,让充电器、太阳能微逆变器和计算机电源等注重节能的设备变得更紧凑、更稳健、更可靠。意法半导体先进的PowerFLAT 5x6 HV和PowerFLAT 5x6 VHV封装具有高达650V和800V电压运行所要求的隔离通道长度和间隙,而封装面积与工业标准的100V PowerFLAT 5x6封装的5mm x 6mm相同,比...

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解决智能电表电源设计面临的最大挑战

730V(交流300V *√3 *√2)加上直流220V钳位电压以及由于缓冲器二极管传导延迟造成的直流50V过冲。在假设降低定额值为15%的情况下,开关组件的额定电压应当为1200V。开关转换器(带内置700V/800V MOSFET)在共源共栅配置中使用另一个500V MOSFET,以满足1200V的要求。另一项低成本技术使用配有开关控制器的单1200V BJT提供高压保护。电压和电流等级相同的...

707次浏览 2016-10-24 【跟TI学电源】 标签: 智能电表 电源

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碳化硅相对于传统器件的优势

样品。 第二才是是高频化,针对应用当然是首先在硬开关电路上,比如BOOST MPPT。它确实可以把电感做小,用铁硅铝可实现高压800V以上输出,开关频率在45khz-100khz 20kw-50KW。 第三是软开关电路,这个主要是LLC 桥式电路,由于高耐压,所以可以把三电平LLC变为传统两电平LLC。另外,软开关电路LLC, 关断是硬关断,碳化硅可以减小关断损耗,再来就是减小死区时间和超快体...

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浅析基于碳化硅MOSFET的谐振LLC和移相电路在新能源汽车的应用

都超过550V,所以隔离车载DC/DC变换器需要MOSFET的阻断电压均超过900V。对于路面直流快充,三相交流输入需要经过三相PFC整流输出电压为800V,因此后级隔离采用如图6左所示复杂三电平硅方案,碳化硅MOSFET可以使电路从复杂三电平变为两电平全桥电路[2],减小开关器件数量;(2) 碳化硅MOSFET具有极低的体二极管反向恢复时间(trr)及反向恢复电荷(Qrr)从而降低二极管开关损耗...

883次浏览 2016-08-25 电源技术 标签: 新能源汽车 碳化硅 优缺点 英文 成本

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