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7nm

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7nm帮助台积电在第三季度达成创纪录的收入
据业内人士透露,7nm将帮助台积电在第三季度达成创纪录的收入之后,第四季度继续创造新高。同时,尽管传闻苹果砍掉了一部分A12处理器订单,台积电仍然预计到明年会有100多款基于7nm7nm EUV极紫外光刻工艺的芯片完成流片,在今年50款的基础上翻一番还多,其中不乏华为麒麟、高通、AMD、NVIDIA、Xillinx这样得到大客户。因此,台积电对于7nm工艺未来几年的前景...
类别:消费电子 2018-12-17 标签: 台积电 7nm 营收
英特尔的10nm工艺技术最初计划在2016年下半年进入量产阶段,至今仍却迟未被公司使用,目前,该制程仅用于生产少量CPU,毫无疑问地,英特尔在其10nm工艺上遭遇了数年的延迟,严重影响了公司的产品阵容及其业务,更造成全球CPU供货吃紧。而随着早先高通宣布推出首款适用于Windows的7nm处理器Snapdragon 8cx,英特尔技术部执行长Murthy...
类别:市场动态 2018-12-11 标签: 英特尔
  出自:台湾工商时报  科技业前景低迷,连最上游的晶圆代工也感受寒意?业界传出,苹果明年上半年依惯例降低7纳米投片,原本预期高通、海思的投片量可望补上缺口,但高通及海思近期再度下调展望及投片预估,导致台积电明年上半年7纳米产能利用率无法达到满载预期,甚至可能仅有八、九成左右,淡季效应恐会相当明显。  晶圆代工龙头台积电对于明年市况仍然三缄其口,要等到明年1月中旬的法人说明会才...
类别:市场动态 2018-12-11 标签: 7nm
看好5G和AI发展,台积电5nm明年试产
工艺 摩尔定律问世50年多来一直指导着半导体行业的发展,但在10nm节点之后普遍认为摩尔定律将会失效,制程工艺升级越来越难。今年台积电、三星及Globalfoundries将把制程工艺推进到7nm。下一个节点是5nm,台积电在今年六月的半导体技术论坛上宣布将投资250亿美元研发、生产5nm工艺,预计2020年问世。 据之前的资料,与初代7nm工艺相比,台积电...
类别:半导体生产 2018-12-07 标签: 台积电5nm
EUVL技术是英特尔突破7nm技术的关键所在
Murthy Renduchintala在纳斯达克第39届投资者大会上透露了公司的7nm计划,他表示:“我们有一个相对独立的团队在进行7纳米产品的研发。我们对7 nm的进展也感到非常满意。我认为我们已经从10 nm的推进中吸取了大量的经验,因为我们对此进行了定义,并在晶体管密度,功率和性能以及进度可预测性之间定义了不同的优化点。根据我们最初的内部计划,我们非常非常专注于7纳米,并寄望...
类别:半导体生产 2018-12-07 标签: 英特尔 7nm
目前为止最快的骁龙,7nm制程骁龙8cx 联想有望首发
——64位Kryo 495,使用的也是7nm制程,4大核心+4小核心。每个核心都有自己的二级缓存,所有核心共享三级缓存、系统缓存,共计10MB。除了以上优化,骁龙8cx移动平台的内存接口也从64位加宽到了128位。还有更多关键词:快充、4K、影音功能优化、支持Windows10骁龙8cx支持Quick charge 4+快速充电,支持两台4K HDR显示器输出,而在音频的部分,骁龙...
类别:嵌入式处理器 2018-12-07 标签: 骁龙8cx
高通骁龙855芯片泄密:7nm工艺还支持5G网络
      高通将在北京时间12月5日-7日举办第三届骁龙技术峰会,会带来新的骁龙平台、5G和Windows 10 ARM芯片。现在外媒winfuture从内部流出的文件确认,下一代芯片叫做骁龙855,而不是骁龙8150。SM8150是骁龙855的内部芯片代号。  据爆料,骁龙855将是面向市场发布的芯片名称,内置NPU等,采用了7nm制造工艺...
类别:便携/移动产品 2018-12-05 标签: 高通 骁龙 5G网络 855芯片
集微网消息,最近业界传出苹果明年上半年依惯例降低7nm投片,原本预期高通、海思的投片量可望补上缺口,但高通及海思近期再度下修展望及投片预估,台积电明年上半年7nm产能利用率,将无法达到满载预期。晶圆代工龙头台积电对于明年市况仍然三缄其口,要等到明年1月中旬的法人说明会才正式对外说明,但有关台积电明年上半年先进制程接单不如预期消息却持续不断。消息指出,台积电明年首季7nm利用率...
类别:便携/移动产品 2018-12-05 标签: 台积电
高通骁龙8150芯片将发布,这款7nm芯片性能如何?
外媒报道骁龙8150已经通过了蓝牙技术联盟的认证,代号为SM8150,这个处理器采用7nm FinFET工艺制造,,搭载独立的NPU单元,提高AI运算能力,由台积电代工。继华为麒麟980、苹果A12之后,高通将正式带来新一代7nm旗舰芯片骁龙8150。骁龙8150的性能如何?骁龙8150将采用一大、三中、四小的CPU架构设计,其中一个高性能的大核心是Kryo Gold,最大...
类别:消费电子 2018-11-27 标签: 高通骁龙 8150芯片 7nm
英特尔再次优化14nm—双环形总线技术
,而是放到了两条环形总线上。10个核心具体如何分布尚不得而知,但是否会因此造成核心通信延迟增大有待观察。AMD明年将全面推出7nm工艺的Zen2架构,包括服务器级的EPYC霄龙和消费级的Ryzen锐龙,后者应该也会超过目前8核心16线程的水平。...
类别:嵌入式处理器 2018-11-26 标签: 14nm 英特尔

7nm资料下载

4,可见光的产生:工作气体在电场的作用下发生辉光放电(glow discharge);在放 电过程中,电子与原子发生碰撞使其跃迁至激发态;激发态的原 子发射147nm真空紫外光(VUV)回到基态;同时147nm的紫外线激 发荧光粉,使其发射出可见光。一,等离子显示屏的显示原理5,灰度的控制:目前多采用分离子场(Sub-field)技术来实现灰度控制,就是将 一帧图像的显示时间分成若干段来……...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 等离 子电 视维 修经
实验,实现了在7NM范围内的波长纯属解调,测量波长分辨率为0.01NM。 关键词:光纤光栅;解调;F-P腔...
类别:嵌入式开发 2018年08月03日 标签: 调解技术 光纤光栅 滤波器
了32nm , 调谐速率为19.47nmöW.关键词: 马赫—曾德尔干涉仪; 电流传感; 相位调制; 热效应...
类别:其他 2013年09月18日 标签: 光纤 马赫 干涉仪 传感 研究
computed distribution of the magnetic field Hzwithin an wvolving 2D dielectric mircopille with initial r=667nmrun in COMSOL with Matlab...
类别:matlab 2014年03月05日 标签: distribution the magnetic field with
可以保存 10 年以上。 发光原理:当高压加在灯管两端后,灯管内少数电子高速撞击电极后产生二次电子发射,开始放电, 管内的水银受电子撞击后,激发辐射出 253.7nm 的紫外光,产生的紫外光激发涂在管内壁上的荧光粉 而产生可见光。 特征:白光高亮度、高功效、高寿命、低功耗,低温时快速启动,亮度易调节,色温控制准确,体积 小,易安装,发热小。1 of 14CCFL & CCFL INVERTER影响...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 背光 及其 逆变
CCFL燈管工作原理一 CCFL燈管工作原理冷陰极燈管(圖一所示)在一玻璃管內封入隋性气体Ne+Ar混合气体,其中含有微量水銀蒸气(數mg),并于玻璃內壁涂布螢光体,于二電极間加上一高壓高頻電場,則水銀蒸气在此電場內被激發即產生釋能發光效應,放出波長253.7nm的紫外線光,而內壁的螢光体原子則因紫外線激發而提升其能階,當原子反回原低能階時放射出可見...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 燈管 工作 原理
压电场(高频率),使其产生气体放电现象;自由电子从阴极发射,经过一长串的能量搬运(与惰性气体碰撞),蓄积了相当程度的动能,最後和低压的活性金属原子相撞,电子将动能传给原子使其激发。这受激原子返回基态时,所吸收的能量被以紫外线(253.7nm)的形式释放,而萤光体吸收此光能後,再转变成可见光放射出来。自由电子不断地被外电场加速,上述的过程也就不断地在灯管中进行。此外,由於本过程是属不同能量的转换,故必须考虑...
类别:消费电子 2013年09月22日 标签: 冷阴极灯管CCFL原理
)晶面2e右移了1.12度,面问距缩小0.257nm。   ...
类别:其他 2013年09月17日 标签: 辉钼 聚乙烯
摘 要:描述了一种基于DSP和CPLD控制的多路并行激光驱动模块的设计。这种激光驱动模块可以对多路激光管进行驱动和调制,并可兼容不同类型激光管的工作电压和工作电流。激光驱动模块已用于多波长多阶光存储实验系统,可对780m、650m和407nm激光器进行驱动和调制。实验结果表明,这种激光驱动模块能够实现对半导体激光器的长时间稳定驱动,并具有灵敏的高频调制能力。它对在光存储中实现波长复用存储技术具有...
类别:FPGA/CPLD 2013年07月01日 标签: DSP CPLD 多路并行激光驱动

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Rodgers、Nvidia的Jeff Larkin与其他OpenMP工作组在这方面投入许多努力以实现目标。” 7nm的优势不如最初期在硬件方面,AMD的Epyc和Vega是7-nm节点上的首批现实检查。台积电在2017年3月表示,与其16FF +节点相比,其工艺可提供高达35%的速度提升或60%的低功耗。然而,AMD仅声称其芯片的速度将比其14纳米产品提高25%或功耗降低50%。“台积电可能一直在测量...
101次浏览 2018-12-10 嵌入式系统编程

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那么作为高通一年一颗的旗舰级芯片,高通855究竟表现如何呢? 骁龙855在高通内部代号的是SM8150,骁龙855选择了苹果A12/麒麟980同款的7nm工艺制程,同时搭配1.78GHz节能核心x4+2.42GHz高端核心x3的组合和采用3个CPU集群的设计。 值得一提的是,这其中4个高端核心中有一个将达到2.84 GHz的频率。并且骁龙855芯片支持了Multi-Gigabi 5G连接...
12次浏览 2018-12-06 信息发布

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高通骁龙8150芯片将发布,这款7nm芯片性能如何? 骁龙8150芯片采用一大、三中、四小的CPU架构设计,其中一个高性能的大核心是Kryo Gold,最大频率2.842GHz,搭配512KB二级缓存,三个中核心是Kryo God,最大频率2.419GHz,每核心256KB二级缓存,四个低功耗的小核心则是Kryo Silver,每核心128KB二级缓存,最大频率1.786GHz。骁龙815...
0次浏览 2018-11-28 信息发布

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LPDDR4,到2019年年底,产能将达到2万片一个月。从2020年开始,公司则开始规划二厂,2021年则完成17nm的研发。据公开消息,国内存储芯片也即将投产。 本次中国敢于对国际存储巨头亮剑,是中国本土企业在技术上取得突破的最好体现。更多国产芯片就上全球IC采购网:qic.com.cn 我国存储芯片发展现状...
0次浏览 2018-11-27 信息发布

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534次浏览 2018-11-24 【微控制器 MCU】

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12nm制程。只不过NVIDIA选择了台积电代工,使用的是12nm的FFN制程。而AMD在14nm时代,找格芯帮忙代工。 但是,在格芯放弃7nm及其以下先进制程的研发之后,AMD也宣布将7nm制程的产品全部交由台积电代工。 出乎意料的是,AMD在Polaris 30核心架构的产品上,代工上找来了三星来协助生产。因为依照三星制程线路来分析,14nm节点以后就是10nm节点,紧接着就是7nm节点。更多...
101次浏览 2018-11-23 信息发布

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,其动能来自于能让这些加速器处理更多工作负载类型的高效能运算单元,如各种HPC与深度学习应用。新款AMD Radeon Instinct MI60与MI50加速器专为有效处理众多类型的工作负载而设计。其应用范围涵盖训练复杂的神经网络,及为资料中心与部门部署提供更高的浮点运算效能、效率以及各种新功能。 AMD迎头猛追Intel 全球首发7nm GPU很威风!...
0次浏览 2018-11-20 信息发布 标签: 华强旗舰 AMD

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有消息显示,魅族的下一代旗舰魅族16s,或将成为首批搭载骁龙8150芯片的机型。 骁龙8150是被认为是骁龙845的继任者,但命名规则的改变意味着在骁龙8150将成为开启下一里程碑的重要产品,根据资料显示,骁龙8150将采用台积电7nm工艺打造,并首次加入了NPU单元,在AI运算能力上将会有很大的提升,另外在Geekbench上搭载骁龙8150的原型机单核跑分达到了3200+,而疑似安兔兔跑分...
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三星宣布将推出新一代Exynos芯片,这颗芯片或将就是传闻中的旗舰处理器Exynos 9820。 据悉,这颗芯片将会采用三星自家的7nm制程工艺,核心架构方面采取“2+2+4”的三丛式设计,即两颗Mongoose M4内核、两颗高性能Cortex-A76内核以及4颗注重高效低耗的Cortex-A55内核。 其中,尤为值得关注的是,据三星前员工在简历中的披露,Exynos 9820将会配备独立...
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250次浏览 2018-11-13 【PIC单片机】

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IBM世界首款7nm芯片展示
这款测试芯片首度在7nm晶体管内加入一种叫做“硅锗”(silicon germanium,简称 SiGe)的材料,替代原有的纯硅,并采用了极紫外光(Extreme Ultraviolet,EUV)微影技术。据悉,相较10nm,使用7nm制程后的面积将所缩小近一半,但同时因为能容纳更多的晶体管(200...
2015-09-10 标签: 7nm IBM 硅锗 SiGe EUV

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