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650V

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在高频直流—直流转换器内使用650V碳化硅MOSFET的好处

在高频直流—直流转换器内使用650V碳化硅MOSFET的好处

摘要本文评测了主开关采用意法半导体新产品650V SiC MOSFET的直流-直流升压转换器的电热特性,并将SiC碳化硅器件与新一代硅器件做了全面的比较。测试结果证明,新SiC碳化硅开关管提升了开关性能标杆,让系统具更高的能效,对市场上现有系统设计影响较大。前言市场对开关速度、功率、机械应力和热应力耐受度的要求日益提高,而硅器件理论上正在接近性能上限。宽带隙半导体器件因电、热...

类别:半导体生产 2017-10-15 17:05:06 标签: 意法半导体 650V SiC MOSFET 直流升压转换

高频直流—直流转换器用650V碳化硅MOSFET的好处

高频直流—直流转换器用650V碳化硅MOSFET的好处

摘要本文评测了主开关采用意法半导体新产品650V SiC MOSFET的直流-直流升压转换器的电热特性,并将SiC碳化硅器件与新一代硅器件做了全面的比较。测试结果证明,新SiC碳化硅开关管提升了开关性能标杆,让系统具更高的能效,对市场上现有系统设计影响较大。前言市场对开关速度、功率、机械应力和热应力耐受度的要求日益提高,而硅器件理论上正在接近性能上限。宽带隙半导体器件因电、热...

类别:综合资讯 2017-10-14 20:18:56 标签: 碳化硅 MOSFET 意法半导体

GaN功率IC为笔电打造最小USB-PD电源转换器

GaN的快速优势,甚至在电路板造成延迟。Navitas目前利用AllGaN技术打造出两款晶片,包括整合1组GaN FET (110-560mΩ)+驱动器+逻辑元件的650V单晶片GaN功率IC——NV6115,以及整合2组GaN FET (110-560mΩ)+驱动器以及1颗GaN逻辑元件的半桥GaN功率IC——NV6250,分别针对需要1种开关模式的功因校正(PFC)以及2组...

类别:半导体生产 2017-10-13 21:11:27 标签: GaN 电源转换器

Vishay在2013中国电子展成都站将展出其最新的业界领先技术

MOSFET、功率IC和光电子产品。 在2013中国电子展上,Vishay Siliconix将展出在4.5V栅极电压下最大导通电阻低至0.00135Ω的TrenchFET® Gen IV MOSFET,提高效率的600V650V E系列器件,以及采用PowerPAK® SO-8L和8x8L封装的50W前大灯照明LED驱动。重点展示的电源IC包括3mm x 3mm DFN10封装...

类别:分立器件 2013-06-18 12:16:43 标签: Vishay

一种基于三电平的单级PFC电路设计

一种基于三电平的单级PFC电路设计

,这样,当boost电感充电时,电感电流将从零开始线性增加,其电流峰值为:   因此,在一个周期内,其平均电流为:   由于直流母线电压的大小可根据不同的交流输入电压峰值而变化,其可表示为:   因此,当输入交流电压的范围是90Vms~265Vms时,其直流母线电压的大小为350~650V。   3 仿真结果   仿真时,假设经过上...

类别:综合资讯 2013-03-09 22:43:16 标签: 三电平 PFC 电路设计

讨论基于三电平的单级PFC电路设计

讨论基于三电平的单级PFC电路设计

,其电流峰值为:      因此,在一个周期内,其平均电流为:      由于直流母线电压的大小可根据不同的交流输入电压峰值而变化,其可表示为:      因此,当输入交流电压的范围是90Vms~265Vms时,其直流母线电压的大小为350~650V。   3 仿真结果   仿真时,假设经过上述分析所设计的一个单级PFC电路的具体电路参数为:输出电压48 V,功率...

类别:电源设计 2013-02-26 22:26:31 标签: 三电平 PFC 电路设计

最高能效,最低成本: BC²

最高能效,最低成本: BC²

(STTH10BC065CT和STTH16BC065CT),新产品的额定反向电压值达到650V,散热器用二极管与标准功率因数校正器用二极管完全相同。 为保持这个散热器配置,意法半导体开发出续流二极管D1(STTH3BCF060 and STTH5BCF060),该产品采用贴装或直插式封装,以便将其焊接在印刷电路板上。 针对大功率转换器,意法半导体开发出独立的采用通孔封装的DB...

类别:其他技术 2012-04-13 19:04:51 标签: 能效 低成本

现实版进化论 三代普锐斯混动技术革新解析

现实版进化论 三代普锐斯混动技术革新解析

。 第三代普锐斯将减速齿轮整合于电动机内部   第三代普锐斯在电池上有了更多的选择,这也要得益于更丰富的车型设计,普通版普锐斯依旧搭载改进后的镍氢电池组,电压达到了650V,容量提升至1.4kWh;插电版普锐斯由于要适合频繁的高压充放电,因此配备了可用容量4.4kWh的锂离子电池组。 普锐斯插电版混合动力   就电力控制系统方面,新一代Prius的转换器,输出...

类别:行业动态 2012-02-29 20:55:10 标签: 现实 三代 普锐斯

现实版进化论 三代普锐斯混动技术革新解析

现实版进化论 三代普锐斯混动技术革新解析

。 第三代普锐斯将减速齿轮整合于电动机内部   第三代普锐斯在电池上有了更多的选择,这也要得益于更丰富的车型设计,普通版普锐斯依旧搭载改进后的镍氢电池组,电压达到了650V,容量提升至1.4kWh;插电版普锐斯由于要适合频繁的高压充放电,因此配备了可用容量4.4kWh的锂离子电池组。 普锐斯插电版混合动力   就电力控制系统方面,新一代Prius的转换器,输出...

类别:行业动态 2012-02-19 21:03:32 标签: 现实 三代 普锐斯

三电平IGBT功率模块

三电平IGBT功率模块

设计更加容易并且确保器件在应用中具有更高的裕量,这些模块采用了增强型IGBT和二极管芯片,耐压达到650V。这些新的芯片与众所周知的600V IGBT3器件一样,具有相同的导通特性和开关特性;而且可靠性也没有发生改变(如SOA、RBSOA、SCSOA)。这些通过最新的IGBT和二极管终端结构的开发得以实现,并确保了超薄的70?m芯片厚度不发生改变。因此,650V IGBT...

类别:其他技术 2011-12-03 19:42:00 标签: 三电平 IGBT功能模块

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650V资料下载

Infineon - Product Brief - IGBT4 - 650V, 1200V, 1700V Modules - 2013立即下载

Infineon - Product Brief - IGBT4 - 650V, 1200V, 1700V Modules - 2013...

类别:电源技术 2013年12月26日 标签: infineon product brief modules 2013

领先的汽车级超结MOSFET_搭载快速体二极管,650V CoolMOS™ CFDA闪亮登场立即下载

领先的汽车级超结MOSFET_搭载快速体二极管,650V CoolMOS™ CFDA闪亮登场 (本文转自电子工程世界:http://www.eeworld.com.cn/whitepaper/show.php?itemid=535)...

类别:汽车电子 2013年01月15日 标签: MOSFET 快速体二极管

ICE2A0565 pdf datasheet立即下载

CoolSET™-F2ICE2A0565/165/265/365ICE2B0565/165/265/365ICE2A0565GICE2A0565ZICE2A180Z/280ZICE2A765I/2B765IICE2A765P2/2B765P2Off-Line SMPS Current ModeController with integrated 650V/800V...

类别:IC设计及制造 2013年09月22日 标签: ICE2A0565 datasheet

SM7022中文资料立即下载

SM7022是采用电流模式PWM 控制方式的功率开关芯片,集成高压启动电路和650V高压功率管,为低成本开关电源系统提供高性价比。...

类别:IC设计及制造 2013年09月22日 标签: SM7022

推荐一款PI小功率LED驱动芯片立即下载

1,内置650V MOS管,可做全电压输入;2,输出电流精度5%以内,外围线路简单;3,EMI特性好,可以轻松过UL认证;...

类别:LED及照明电源 2013年09月07日 标签: 推荐一款PI小功率LED驱动芯片

离线式开关电源电流模式控制器集成650V启动细胞消耗的CoolMOS立即下载

The information herein is given to describe certain components and shall not be considered as warranted characteristics.Terms of delivery and rights to technical change reserved.We her...

类别:开关电源 2013年09月20日 标签: 离线 开关 开关电源 电源 电流

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650V相关帖子

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如果把开关电源的频率无限提升,会发生这样的情况.....

管的开关损耗功率就为Psw=Esw*fs,显然,开关频率越高,开关损耗越大。5M开关频率下开关损耗比500K要大10倍,这对于重视效率的开关电源来说,显然是不可接受的。所以,开关损耗是限制开关频率的第二因素。开关损耗确实是限制因素之一,但是氮化镓器件的推出已经让开关损耗在1-3Mhz这个范围内变得可以接受,我下面附一张图片,这是三家公司推出的650V的GaN device,可以看出最好的管子开通损耗已经...

107次浏览 2017-10-19 电源技术

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Powerint LNK6766E 30W单输出反激电源解决方案

Powerint公司的LinkSwitchTM-HP系列是集成了控制器和高压(650V/725V)功率MOSFET的单片器件,采用连续导通模式(CCM),初级调整(PSR),功率达90W,没有DCM的效率限制或可听见的噪音. 在230VAC时无负载时的功耗小于30mW,主要用在LCD监视器和TV,适配器,家用电器,嵌入式电源(DVD,STB)和工业电源.本文介绍了LinkSwitch-HP...

3060次浏览 2012-09-13 综合技术交流 标签: color 电路图 单片 电源

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