首页 > 关键词 > 650V

650V

在电子工程世界为您找到如下关于“650V”的新闻

三菱电机携多款碳化硅功率器件亮相PCIM Asia 2017展

RFC二极管硅片,降低损耗;具有650V、1200V和1700V三种电压等级;涵盖模块电流35A至1000A;兼容现有市场主流产品封装;提高产品热循环寿命和功率循环寿命;采用预涂热界面材料(PC-TIM),与传统硅脂相比,模块与散热器的接触热阻降低50%;NX封装具有焊接方式和压接方式两种控制端子可供选择。        ...

类别:展览/会议 2017-06-21 18:19:35 标签: 电压 电力传输 电流

Imec开发首个8英寸无色散常闭式/增强型硅基GaN功率器件

[据固态技术网站2017年6月13日报道] 比利时微电子研究中心(Imec)在200毫米/8英寸硅基上成功开发出200V和650V无色散常闭式/增强型氮化镓功率器件。它具有超低动态导通电阻(20%以下)、最先进的性能和再现性。此外,压力测试也展示了良好的器件可靠性。该技术正在准备进行原型设计、定制化小批量生产与技术转移。<?xml:namespace prefix...

类别:半导体生产 2017-06-16 22:11:58 标签: Imec

提升IGBT自给率 给工业与汽车电子领域一颗“中国芯”

共同推出了多款应用于电动汽车的IGBT。这也让中国的高铁采用自己“中国芯”的核心芯片。  中车电动母公司——中车株洲目前拥有国内首条、全球第二条8吋IGBT芯片及模块生产线,并且已掌握IGBT的专业研发制造技术,具备年产12万片芯片、并配套形成年产100万只IGBT模块的自动化封装测试能力,芯片与模块电压范围实现从650V到6500V的全覆盖,打破了国外公司在高端功率半导体芯片...

类别:行业动态 2017-04-13 11:24:20 标签: IGBT 芯片

大变局下本土电子分销商的机会

:在MCU上,世强元件电商展出来自瑞萨针对工业控制系统解决方案RZ/T1系列产品;在功率模块上Vincotech H5系列,该系列产品采用650V组件的NPC(中点箝位式)拓扑;在隔离上,世强元件电商带来了Silicon Labs 一众数字隔离产品,SI86XX系列产品通道数最多可达6通道,正反通道随意搭配,速度在1M~100M间可选择。这些覆盖了世强元件电商目前线上的如...

类别:其他 2017-03-27 12:12:52 标签: 2017慕尼黑电子展 智能汽车 电子元器件

东芝推出EMI性能更佳的600V/650V超结N沟道功率MOSFET

东芝推出EMI性能更佳的600V/650V超结N沟道功率MOSFET

东芝公司(TOKYO:6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V/650V超结N沟道功率MOSFET,该产品适用于工业和办公设备。该新“DTMOS V系列”最初将提供12款产品。样品发货即日启动,批量生产发货计划于3月中旬启动。该新系列拥有与东芝当前的“DTMOS IV系列”相同水平的低导通电阻、高速开关性能,同时,其优化的设计流程使EMI...

类别:其它技术 2017-03-20 10:34:36 标签: 东芝 EMI 600V/650V 超结N沟道 功率 MOSFET

“我觉得这汽车要升级” 结果他们这样做

“我觉得这汽车要升级” 结果他们这样做

、IGBT和二极管技术,并集成了所有硅和碳化硅(SiC)技术,高度灵活。此外,优化的布板,集成高压电容以降低电磁干扰,而电子绝缘基板则具有低热阻的特性。整体来看,产品设计紧凑,具有较高的可靠性。三相IGBT 智能功率模块(IPM) FAM65V05DF1 FAM65V05DF1是650V, 50A 先进的汽车SPM® ...

类别:行业动态 2017-03-18 12:46:23 标签: 博世 Rohm 瑞萨电子 TE 汽车电子

一文参透“2017慕尼黑上海电子展”汽车电子新风向

一文参透“2017慕尼黑上海电子展”汽车电子新风向

提供新的技术支持。OBC和DC-DC模块FAM65XXXXX该模块化方案主要用于混合动力和电动汽车(HEV-EV)的电源模块,设计上采用了16 引脚汽车认证的单列直插式(SIP)封装,650V MOSFET、IGBT 和二极管技术,并集成了所有硅和碳化硅(SiC)技术,高度灵活。此外,优化的布板,集成高压电容以降低电磁干扰,而电子绝缘基板则具有低热阻的特性。整体来看,产品设计紧凑...

类别:行业动态 2017-03-17 17:35:28 标签: 慕尼黑上海电子展 汽车电子

世强元件电商携汽车、IOT、工业4.0最新方案 强势登陆2017慕展

世强元件电商携汽车、IOT、工业4.0最新方案 强势登陆2017慕展

驱动控制和上层网络通信集成于单芯片中,成本的降低、数据链路时间的减少以及实时响应速度的提高因此得以实现。该产品内置工业网络功能,适用于多种工业应用,比如AC伺服驱动、运动控制器、变频器控制和需要高速、高响应性、卓越实时性能的通用工业设备。  在功率模块上,世强元件电商带来了Vincotech H5系列,该系列产品采用650V组件的NPC(中点箝位式)拓扑,与同类型的I...

类别:行业动态 2017-03-15 18:25:44 标签: IOT 工业4.0

世强元件电商携汽车、IOT、工业4.0最新方案强势登陆2017慕展

世强元件电商携汽车、IOT、工业4.0最新方案强势登陆2017慕展

上层网络通信集成于单芯片中,成本的降低、数据链路时间的减少以及实时响应速度的提高因此得以实现。该产品内置工业网络功能,适用于多种工业应用,比如AC伺服驱动、运动控制器、变频器控制和需要高速、高响应性、卓越实时性能的通用工业设备。在功率模块上,世强元件电商带来了Vincotech H5系列,该系列产品采用650V组件的NPC(中点箝位式)拓扑,与同类型的I品牌IGBT模块相比...

类别:行业动态 2017-03-14 17:02:14 标签: 世强元件电商 汽车 IOT 工业4.0 2017慕展

2017慕尼黑上海电子展:针对汽车领域 安森美将展示多项新技术

2017慕尼黑上海电子展:针对汽车领域 安森美将展示多项新技术

汽车OBC和DC-DC模块FAM65XXXXX应用:混合动力和电动汽车(HEV-EV)高压DC-DC;HEV-EV车载充电器优势:紧凑的设计 ;简化的 PCB 布局和低电磁干扰(EMI);简化的装配,集成达4 KV的绝缘层;高可靠性特性:16 引脚汽车认证的单列直插式(SIP)封装;650V MOSFET、IGBT 和二极管技术;集成所有硅和碳化硅(SiC)技术,高度灵活;优化...

类别:行业动态 2017-03-10 18:31:47 标签: 2017慕尼黑上海电子展 汽车电子 安森美

查看更多>>

650V资料下载

Infineon - Product Brief - IGBT4 - 650V, 1200V, 1700V Modules - 2013立即下载

Infineon - Product Brief - IGBT4 - 650V, 1200V, 1700V Modules - 2013...

类别:电源技术 2013年12月26日 标签: infineon product brief modules 2013

领先的汽车级超结MOSFET_搭载快速体二极管,650V CoolMOS™ CFDA闪亮登场立即下载

领先的汽车级超结MOSFET_搭载快速体二极管,650V CoolMOS™ CFDA闪亮登场 (本文转自电子工程世界:http://www.eeworld.com.cn/whitepaper/show.php?itemid=535)...

类别:汽车电子 2013年01月15日 标签: MOSFET 快速体二极管

ICE2A0565 pdf datasheet立即下载

CoolSET™-F2ICE2A0565/165/265/365ICE2B0565/165/265/365ICE2A0565GICE2A0565ZICE2A180Z/280ZICE2A765I/2B765IICE2A765P2/2B765P2Off-Line SMPS Current ModeController with integrated 650V/800V...

类别:IC设计及制造 2013年09月22日 标签: ICE2A0565 datasheet

SM7022中文资料立即下载

SM7022是采用电流模式PWM 控制方式的功率开关芯片,集成高压启动电路和650V高压功率管,为低成本开关电源系统提供高性价比。...

类别:IC设计及制造 2013年09月22日 标签: SM7022

推荐一款PI小功率LED驱动芯片立即下载

1,内置650V MOS管,可做全电压输入;2,输出电流精度5%以内,外围线路简单;3,EMI特性好,可以轻松过UL认证;...

类别:LED及照明电源 2013年09月07日 标签: 推荐一款PI小功率LED驱动芯片

离线式开关电源电流模式控制器集成650V启动细胞消耗的CoolMOS立即下载

The information herein is given to describe certain components and shall not be considered as warranted characteristics.Terms of delivery and rights to technical change reserved.We her...

类别:开关电源 2013年09月20日 标签: 离线 开关 开关电源 电源 电流

查看更多>>

650V相关帖子

3

0

开关电源经典问题(可能对需要面试的同学有帮助)

?   专家解答:反激式开关电源的占空比主要由输入电压和开关电源管的耐压来决定,当输入电压变化时占空比也要跟着变化。例如当输入电压为AC260V时,如果电源开关管的耐压为650V,则占空比大为0.306;当输入电压为AC170V时,占空比大约为0.5;当输入电压低于AC170V时,占空比大于0.5。但不管输入电压这样变化,开关电源都会通过改变占空比来大到稳定(或改变)输出电压的数值。   5、正激和...

38次浏览 2017-06-27 电源技术 标签: 开关电源 直流电源 电子技术 电子信息 电子设备

155

0

关于变压器整流滤波稳压后给运放供电时的选型参数

这个94楼电路 应用得当的话, 96楼的电路并不比全波或全桥差, 高压输出更加适合, 我在380V, 3000W的逆变器中, 为了降低匝比, 48-->650V就是用这个电路, 业内为了达到这个目的, 一般是用2个以上40-50变压器, 初级并, 次级串, 我一个大号55变压器搞定. 而且, 两个电流稍大的超快恢复高压整流管也要比4个电流稍小的要便宜. 另外, 高频整流没有桥堆可用, 受...

1361次浏览 2017-06-14 电源技术 标签: 变压器 稳压

0

0

硬件高手的开关电源设计心得

原理》找出来仔细的消化一下,并结合实际的开关电源电路,按工作状态进行分 析。一定会有所收获,论坛有一个帖子《拜师求学反馈环路设计、调式》其中CMG回答得很好,我觉得可以参考。   今天接着谈关于反激电源的占空比(本人关注反射电压,与占空比一致),占空比还与选择开关管的耐压有关,有一些早期的反激电源使用比较低耐压开关管,如 600V或650V作为交流220V 输入电源的开关管,也许与当时生产工艺有关...

101次浏览 2017-05-20 【跟TI学电源】 标签: 开关电源 硬件

0

0

转换效率高达91%的60W USB PD 电源方案

高压超级结功率MOSFET,可以视作英飞凌不断创新的工匠精神和数年沉淀的行业经验的集大成之作。作为业内领先的超结(Superjunction,SJ)MOSFET供应商,英飞凌的CoolMOS™ E6在不牺牲易用性的前提下,兼具快速开关超结MOSFET的所有优势,极低的开关和导通损耗使得开关应用更加高效、紧凑。 IPL65R190E6 ——作为650V CoolMOS™ E6...

101次浏览 2017-04-12 信息发布 标签: 电源

0

0

BP9116A/BP9116B宽输入电压晶丰3-5W功率

1.  内部集成650V功率管 2.   集成高压供电功能 3.   原边反馈恒流控制,无需次级反馈电路 4.   无需辅助绕组检测和供电 5.   宽输入电压 6.   ±6% LED输出电流精度 7.   LED开路/短路保护...

0次浏览 2017-03-25 PCB设计

3

0

陶显芳老师解答关于反激电源设计方面的问题

开关电源在最高输入电压时的最大占空比Dmax。例如,Bvmax为650V的电源开关管,在输入电压为AC260V时,其占空比只能选为0.306左右。     疑问2、反激式电源开关频率如何优化选择? VOR反激电压如何优化设置,在什么情况下最合适?匝比如何最优化计算? 反激式开关电源工作频率的选择主要与开关电源的工作效率有关,而开关电源的工作效率又主要与开关电源管、开关变压器...

1954次浏览 2017-01-25 电源技术 标签: 电源

14

0

介绍一些关于开关电源经典回答

的电流密度,一般漆包线的电流密度不能超过4.5A/平方毫米。 4、反激式开关电源的占空比是如何变化的? 专家解答:反激式开关电源的占空比主要由输入电压和开关电源管的耐压来决定,当输入电压变化时占空比也要跟着变化。例如当输入电压为AC260V时,如果电源开关管的耐压为650V,则占空比大为0.306;当输入电压为AC170V时,占空比大约为0.5;当输入电压低于AC170V时,占空比大于0.5...

1721次浏览 2017-01-24 电源技术 标签: 开关电源 经典

1

0

专家回答开关电源的问题

耐压为650V,则占空比大为0.306;当输入电压为AC170V时,占空比大约为0.5;当输入电压低于AC170V时,占空比大于0.5。但不管输入电压这样变化,开关电源都会通过改变占空比来大到稳定(或改变)输出电压的数值。 5、正激和反激的区别主要在哪? 专家解答:正激式开关电源是电源开关管导通的时候,电源向负责提供功率输出,而关断的时候没有功率输出。反激式开关电源正好相反,电源开关管导通时只向...

1853次浏览 2017-01-24 电源技术 标签: 开关电源

0

0

ST开发更小更耐用的650V和800V MOSFET

意法半导体将两项新的封装技术应用到三个先进的高压功率MOFET系列产品,让充电器、太阳能微逆变器和计算机电源等注重节能的设备变得更紧凑、更稳健、更可靠。意法半导体先进的PowerFLAT 5x6 HV和PowerFLAT 5x6 VHV封装具有高达650V和800V电压运行所要求的隔离通道长度和间隙,而封装面积与工业标准的100V PowerFLAT 5x6封装的5mm x 6mm相同,比...

202次浏览 2016-10-28 信息发布 标签: 开发

2

0

浅析基于碳化硅MOSFET的谐振LLC和移相电路在新能源汽车的应用

20KW谐振LLC和移相电路方案对比 利用1000V/65毫欧碳化硅MOSFET对谐振LLC和移相全桥进行了方案对比。下图给出了采用碳化硅MOSFET的20KW谐振LLC和移相全桥的结构图以及实验样机。谐振LLC样机尺寸为275mmX220mmX65mm,而移相全桥尺寸为315mmX230mmX65mm。它们原边每个开关管都采用两颗碳化硅MOSFET并联,输出侧谐振LLC采用650V碳化硅二极管,移相...

1186次浏览 2016-08-25 电源技术 标签: 新能源汽车 碳化硅 优缺点 英文 成本

查看更多>>

650V视频

查看更多>>

650V创意

查看更多>>

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved