首页 > 关键词 > 650V

650V

在电子工程世界为您找到如下关于“650V”的新闻

本田i-MMD混动系统关键技术分析

本田i-MMD混动系统关键技术分析

)。因为在低转矩工况下,磁通量波动(magnetic flux fluctuation)产生的铁损不可忽视。改造磁钢位置,提升的磁阻转矩将整个电机的输出转矩最高增高了82%。 手段2:高电压为了实现驱动电机的小型化,同时保证驱动电机的功率,最大电压达到700V(对比第三代普锐斯采用了同样的手段,最大驱动电压是650V)...

类别:行业动态 2017-11-25 19:53:58 标签: 本田i-MMD 混合动力汽车

本田i-MMD混动系统关键技术分析

本田i-MMD混动系统关键技术分析

)。因为在低转矩工况下,磁通量波动(magnetic flux fluctuation)产生的铁损不可忽视。改造磁钢位置,提升的磁阻转矩将整个电机的输出转矩最高增高了82%。 手段2:高电压为了实现驱动电机的小型化,同时保证驱动电机的功率,最大电压达到700V(对比第三代普锐斯采用了同样的手段,最大驱动电压是650V) 手段3:提高电机转速增速降扭是普锐斯和雅阁...

类别:汽车电子 2017-11-23 08:45:20 标签: 本田i-MMD 混合动力汽车

解析本田i-MMD混动系统关键技术

解析本田i-MMD混动系统关键技术

)产生的铁损不可忽视。改造磁钢位置,提升的磁阻转矩将整个电机的输出转矩最高增高了82%。手段2:高电压为了实现驱动电机的小型化,同时保证驱动电机的功率,最大电压达到700V(对比第三代普锐斯采用了同样的手段,最大驱动电压是650V)手段3:提高电机转速增速降扭是普锐斯和雅阁的通用手段,更小的转矩意味着更小的电机尺寸,进而使得电机的功率密度有所上升,所带来的代价是必须要设计更高的转子...

类别:动力系统 2017-11-21 18:23:59 标签: 本田 i-MMD混动 技术

第三代半导体:“虚拟生长”引发充电革命

,将实现材料—芯片—模块—充电设备—示范应用的全产业链创新。也就是说,高品质的SiC材料和芯片将成为充电设备的核心部件,经过封装、设计等工艺,为电动汽车高效、高能地充满电力。“项目组由SiC领域内各环节多个实力较强的单位组成。截至目前,课题二开发了650V和1200V SiC MOSFET芯片,课题三开展了前沿的高K栅极介质的技术研究,研制出了1700V SiC MOSFET芯片...

类别:综合资讯 2017-11-20 10:13:34 标签: 虚拟生长 充电

第三代半导体前景广阔 多家上市公司积极布局

第三代半导体业务。扬杰科技在近期接受机构调研时表示,其碳化硅芯片技术已达到国内领先水平。早在2015年7月,扬杰科技即锚定第三代半导体,定增募资不超过10亿元,用于SiC芯片、器件研发及产业化建设等项目。公司在半年报中表示,持续推进第三代半导体项目的研发及产业化,针对650V/1200V碳化硅JBS产品,开发并改进可与硅线相互兼容的生产工艺,以增强产能结构实时调整的能动性。国民技术...

类别:市场动态 2017-10-27 10:03:36 标签: 第三代半导体

在高频直流—直流转换器内使用650V碳化硅MOSFET的好处

在高频直流—直流转换器内使用650V碳化硅MOSFET的好处

摘要本文评测了主开关采用意法半导体新产品650V SiC MOSFET的直流-直流升压转换器的电热特性,并将SiC碳化硅器件与新一代硅器件做了全面的比较。测试结果证明,新SiC碳化硅开关管提升了开关性能标杆,让系统具更高的能效,对市场上现有系统设计影响较大。前言市场对开关速度、功率、机械应力和热应力耐受度的要求日益提高,而硅器件理论上正在接近性能上限。宽带隙半导体器件因电、热...

类别:半导体生产 2017-10-15 17:05:06 标签: 意法半导体 650V SiC MOSFET 直流升压转换

高频直流—直流转换器用650V碳化硅MOSFET的好处

高频直流—直流转换器用650V碳化硅MOSFET的好处

摘要本文评测了主开关采用意法半导体新产品650V SiC MOSFET的直流-直流升压转换器的电热特性,并将SiC碳化硅器件与新一代硅器件做了全面的比较。测试结果证明,新SiC碳化硅开关管提升了开关性能标杆,让系统具更高的能效,对市场上现有系统设计影响较大。前言市场对开关速度、功率、机械应力和热应力耐受度的要求日益提高,而硅器件理论上正在接近性能上限。宽带隙半导体器件因电、热...

类别:综合资讯 2017-10-14 20:18:56 标签: 碳化硅 MOSFET 意法半导体

GaN功率IC为笔电打造最小USB-PD电源转换器

GaN的快速优势,甚至在电路板造成延迟。Navitas目前利用AllGaN技术打造出两款晶片,包括整合1组GaN FET (110-560mΩ)+驱动器+逻辑元件的650V单晶片GaN功率IC——NV6115,以及整合2组GaN FET (110-560mΩ)+驱动器以及1颗GaN逻辑元件的半桥GaN功率IC——NV6250,分别针对需要1种开关模式的功因校正(PFC)以及2组...

类别:半导体生产 2017-10-13 21:11:27 标签: GaN 电源转换器

Vishay在2013中国电子展成都站将展出其最新的业界领先技术

MOSFET、功率IC和光电子产品。 在2013中国电子展上,Vishay Siliconix将展出在4.5V栅极电压下最大导通电阻低至0.00135Ω的TrenchFET® Gen IV MOSFET,提高效率的600V650V E系列器件,以及采用PowerPAK® SO-8L和8x8L封装的50W前大灯照明LED驱动。重点展示的电源IC包括3mm x 3mm DFN10封装...

类别:分立器件 2013-06-18 12:16:43 标签: Vishay

一种基于三电平的单级PFC电路设计

一种基于三电平的单级PFC电路设计

,这样,当boost电感充电时,电感电流将从零开始线性增加,其电流峰值为:   因此,在一个周期内,其平均电流为:   由于直流母线电压的大小可根据不同的交流输入电压峰值而变化,其可表示为:   因此,当输入交流电压的范围是90Vms~265Vms时,其直流母线电压的大小为350~650V。   3 仿真结果   仿真时,假设经过上...

类别:综合资讯 2013-03-09 22:43:16 标签: 三电平 PFC 电路设计

查看更多>>

650V资料下载

Infineon - Product Brief - IGBT4 - 650V, 1200V, 1700V Modules - 2013立即下载

Infineon - Product Brief - IGBT4 - 650V, 1200V, 1700V Modules - 2013...

类别:电源技术 2013年12月26日 标签: infineon product brief modules 2013

领先的汽车级超结MOSFET_搭载快速体二极管,650V CoolMOS™ CFDA闪亮登场立即下载

领先的汽车级超结MOSFET_搭载快速体二极管,650V CoolMOS™ CFDA闪亮登场 (本文转自电子工程世界:http://www.eeworld.com.cn/whitepaper/show.php?itemid=535)...

类别:汽车电子 2013年01月15日 标签: MOSFET 快速体二极管

ICE2A0565 pdf datasheet立即下载

CoolSET™-F2ICE2A0565/165/265/365ICE2B0565/165/265/365ICE2A0565GICE2A0565ZICE2A180Z/280ZICE2A765I/2B765IICE2A765P2/2B765P2Off-Line SMPS Current ModeController with integrated 650V/800V...

类别:IC设计及制造 2013年09月22日 标签: ICE2A0565 datasheet

SM7022中文资料立即下载

SM7022是采用电流模式PWM 控制方式的功率开关芯片,集成高压启动电路和650V高压功率管,为低成本开关电源系统提供高性价比。...

类别:IC设计及制造 2013年09月22日 标签: SM7022

推荐一款PI小功率LED驱动芯片立即下载

1,内置650V MOS管,可做全电压输入;2,输出电流精度5%以内,外围线路简单;3,EMI特性好,可以轻松过UL认证;...

类别:LED及照明电源 2013年09月07日 标签: 推荐一款PI小功率LED驱动芯片

离线式开关电源电流模式控制器集成650V启动细胞消耗的CoolMOS立即下载

The information herein is given to describe certain components and shall not be considered as warranted characteristics.Terms of delivery and rights to technical change reserved.We her...

类别:开关电源 2013年09月20日 标签: 离线 开关 开关电源 电源 电流

查看更多>>

650V相关帖子

0

0

开关电源经典回答,太有用了!

也要跟着变化。例如当输入电压为AC260V时,如果电源开关管的耐压为650V,则占空比大为0.306;当输入电压为AC170V时,占空比大约为0.5;当输入电压低于AC170V时,占空比大于0.5。但不管输入电压这样变化,开关电源都会通过改变占空比来大到稳定(或改变)输出电压的数值。 5、正激和反激的区别主要在哪? 专家解答:正激式开关电源是电源开关管导通的时候,电源向负责提供功率输出,而关断...

101次浏览 2017-11-30 【跟TI学电源】

1

0

高压系列、升压、降压恒流驱动IC欧创芯一系列产品介绍

EXT100%-50%-25% OC9320SOP875V/260MA22WBJT/600V100%-12% 非隔离     高PF系列OC9501SOP8100V/400MA40WMOS EXT/ OC9500SOP875V/250MA25WMOS/650V/ OC9508SOP875V/220MA16WMOS/650V/   LED...

204次浏览 2017-11-29 信息发布

5

0

如果把开关电源的频率无限提升,会发生这样的情况.....

管的开关损耗功率就为Psw=Esw*fs,显然,开关频率越高,开关损耗越大。5M开关频率下开关损耗比500K要大10倍,这对于重视效率的开关电源来说,显然是不可接受的。所以,开关损耗是限制开关频率的第二因素。开关损耗确实是限制因素之一,但是氮化镓器件的推出已经让开关损耗在1-3Mhz这个范围内变得可以接受,我下面附一张图片,这是三家公司推出的650V的GaN device,可以看出最好的管子开通损耗已经...

871次浏览 2017-10-19 电源技术

3

0

陶显芳老师解答关于反激电源设计方面的问题

开关电源在最高输入电压时的最大占空比Dmax。例如,Bvmax为650V的电源开关管,在输入电压为AC260V时,其占空比只能选为0.306左右。     疑问2、反激式电源开关频率如何优化选择? VOR反激电压如何优化设置,在什么情况下最合适?匝比如何最优化计算? 反激式开关电源工作频率的选择主要与开关电源的工作效率有关,而开关电源的工作效率又主要与开关电源管、开关变压器...

2358次浏览 2017-01-25 电源技术 标签: 电源

14

0

介绍一些关于开关电源经典回答

的电流密度,一般漆包线的电流密度不能超过4.5A/平方毫米。 4、反激式开关电源的占空比是如何变化的? 专家解答:反激式开关电源的占空比主要由输入电压和开关电源管的耐压来决定,当输入电压变化时占空比也要跟着变化。例如当输入电压为AC260V时,如果电源开关管的耐压为650V,则占空比大为0.306;当输入电压为AC170V时,占空比大约为0.5;当输入电压低于AC170V时,占空比大于0.5...

2226次浏览 2017-01-24 电源技术 标签: 开关电源 经典

1

0

专家回答开关电源的问题

管的耐压为650V,则占空比大为0.306;当输入电压为AC170V时,占空比大约为0.5;当输入电压低于AC170V时,占空比大于0.5。但不管输入电压这样变化,开关电源都会通过改变占空比来大到稳定(或改变)输出电压的数值。 5、正激和反激的区别主要在哪? 专家解答:正激式开关电源是电源开关管导通的时候,电源向负责提供功率输出,而关断的时候没有功率输出。反激式开关电源正好相反,电源开关管导通时只...

2055次浏览 2017-01-24 电源技术 标签: 开关电源

0

0

ST开发更小更耐用的650V和800V MOSFET

意法半导体将两项新的封装技术应用到三个先进的高压功率MOFET系列产品,让充电器、太阳能微逆变器和计算机电源等注重节能的设备变得更紧凑、更稳健、更可靠。意法半导体先进的PowerFLAT 5x6 HV和PowerFLAT 5x6 VHV封装具有高达650V和800V电压运行所要求的隔离通道长度和间隙,而封装面积与工业标准的100V PowerFLAT 5x6封装的5mm x 6mm相同...

202次浏览 2016-10-28 信息发布 标签: 开发

10

0

关于英飞凌“高效开关电源解决方案”的评论

高效低待机开关电源产品,广泛应用于通信,服务器电源等大功率电源及充电器,电视机等中小功率开关电源中。 英飞凌最新的 CoolSET™ 650V and 800V 集成有雪崩能力强的CoolMOS™ 及启动单元,专门用于高效辅助电源及极低待机功耗的场合。 英飞凌新的MOSFET 驱动芯片 EiceDRIVER™ 及数字控制芯片...

751次浏览 2016-07-04 电源技术 标签: 无人机 解决方案 开关电源

6

0

关于英飞凌“新能源汽车车载能源变换系统”的评论

本课程着重介绍新能源汽车车载能源变换系统概念、市场主流的拓扑结构、解决方案等。 >>课程PPT下载 学习课程 关于英飞凌“新能源汽车车载能源变换系统”的评论 通过视频了解到车载充电器(OBC)和车载直流变换器(DC/DC)的两个系统级解决方案。目前市场主流OBC和DC/DC两解决方案中使用Infineon(英飞凌)的650V高压CoolMOS CFDA、CPA系列产品...

877次浏览 2016-07-04 电源技术 标签: 电源 新能源汽车

0

0

为你的flyback瘦身;甩掉多余的缓冲器

的价格要低于通用输入离线反激式转换器中常见的600V650V MOSFET。优势是显而易见的。由于BJT具有较高的电压额定值,泄露尖峰会高出几百伏特,不过仍然处于所要求的开关降额设计范围内。根据尖峰的幅度不同,常常有可能在不使开关过压的情况下完全移除缓冲器。移除缓冲器优点:减少了物料清单 (BOM) 上的组件数量,从而实现一个更小、成本有效性更高的解决方案。更为重要的一点是,你可以移除缓冲器...

505次浏览 2016-04-22 【TI模拟技术体验】 标签: 缓冲器

查看更多>>

650V视频

查看更多>>

小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved