首页 > 关键词 > 600V/650V

600V/650V

在电子工程世界为您找到如下关于“600V/650V”的新闻

三菱电机投资兴建6英寸晶圆生产线扩大碳化硅功率器件产量

三菱电机投资兴建6英寸晶圆生产线扩大碳化硅功率器件产量

的DIPIPMTM封装相同,可采用同样的电路板,额定电流覆盖15A、25A/600V,配备集成短路保护、欠压保护及温度模拟量输出。  变频家电用的碳化硅功率器件  至于应用在工业上的全碳化硅MOSFET和SBD,它的损耗比单晶硅器件大幅减少70%,更强的高频开关特性,可以使周边器件小型化,减少整体封装尺寸,额定电流覆盖1200V/400A和1200V/800A两个产品。现时正在...

类别:综合资讯 2017-07-06 13:38:24 标签: 三菱电机 晶圆

三菱电机强势出击PCIM亚洲2017展

三菱电机强势出击PCIM亚洲2017展

。  全碳化硅DIPIPMTM特别适合变频家电,它采用碳化硅MOSFET损耗更低,效率更高;其碳化硅MOSFET自身体二极管作为FWDi,降低反向恢复电流和噪声。它与超小型的DIPIPMTM封装相同,可使用相同的电路板,额定电流覆盖15A、25A/600V,集成短路保护和欠压保护,同时有温度模拟量输出。      全碳化硅DIPIPMTM  至于碳化硅SBD则可以...

类别:综合资讯 2017-07-06 13:34:47 标签: 三菱电机 功率器件

三菱电机投资兴建6英寸晶圆生产线扩大碳化硅功率器件产量

三菱电机投资兴建6英寸晶圆生产线扩大碳化硅功率器件产量

应用,并且抗结温能力很高,可以让电子电力系统更安全、更小型化和更轻量化。在今年的PCIM亚洲展中,三菱电机展出一款已经量产,特别适合变频家电的全碳化硅超小型产品DIPIPMTM,其二极管及MOSFET均采用碳化硅,减少损耗及噪声,令效率更高。它与市场上广泛应用的超小型的DIPIPMTM封装相同,可采用同样的电路板,额定电流覆盖15A、25A/600V,配备集成短路保护、欠压保护及...

类别:综合资讯 2017-07-04 15:53:57 标签: 三菱 碳化硅

三菱电机携多款碳化硅功率器件亮相PCIM Asia 2017展

MOSFET自身体二极管作为FWDi,降低反向恢复电流和噪声。它与超小型的DIPIPMTM封装相同,可使用相同的电路板,额定电流覆盖15A、25A/600V,集成短路保护和欠压保护,同时有温度模拟量输出。至于碳化硅SBD则可以应用在PFC及光伏发电上。它的损耗比硅器件减少20%,更高I²t,对抗浪涌电流有更强的能力;更强的高频开关特性,可以使周边器件小型化(电抗器),额定电流覆盖...

类别:展览/会议 2017-06-21 18:19:35 标签: 电压 电力传输 电流

东芝推出EMI性能更佳的600V/650V超结N沟道功率MOSFET

东芝推出EMI性能更佳的600V/650V超结N沟道功率MOSFET

东芝公司(TOKYO:6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V650V超结N沟道功率MOSFET,该产品适用于工业和办公设备。该新“DTMOS V系列”最初将提供12款产品。样品发货即日启动,批量生产发货计划于3月中旬启动。该新系列拥有与东芝当前的“DTMOS IV系列”相同水平的低导通电阻、高速开关性能,同时,其优化的设计流程使EMI...

类别:其它技术 2017-03-20 10:34:36 标签: 东芝 EMI 600V/650V 超结N沟道 功率 MOSFET

三菱电机携八款功率器件在PCIM Asia 2016隆重登场

三菱电机携八款功率器件在PCIM Asia 2016隆重登场

封装(小封装)有300A/650V、600A/650V、400A/900V和300A/1200V;B型封装(大封装)有1000A/650V和600A/1200V,这两种封装可以满足从小型电动汽车到大型电动公交车的应用要求。   针对J1系列新型汽车模块,三菱电机将提供包括驱动电路、冷却水套及薄膜电容的整体解决方案技术支持,以方便客户快速应用该模块实现汽车用逆变器的...

类别:市场动态 2016-06-06 15:04:45 标签: 三菱电机 功率器件 PCIM Asia 2016

高集成度轿车用电机控制技术研究

开关信息并反馈相关信息(保护信号);放大开关信号并驱动IGBT;提供电压隔离和保护功能。控制器驱动电路以隔离型驱动芯片为核心,对控制单元提供的PWM信号进行隔离放大,驱动大功率器件IGBT,实现DC-AC转换。控制器采用英飞凌的FS400R07A1E3(400A/650V,PinFin结构)作为大功率开关器件。直流滤波电容采用国内领先的AAEV42872膜电容,配套与IGBT...

类别:汽车电子 2016-04-01 10:06:58 标签: 电机控制 高集成度轿车

Diodes Triac可调光 LED 驱动器为230/120VAC灯完善调光器兼容性

Diodes Triac可调光 LED 驱动器为230/120VAC灯完善调光器兼容性

。AL1697采用临界导通模式,可提升转换效率,还能降低开关噪声并简化电磁干扰设计。它具有130μA的低启动电流和170μA的低工作电流。   AL1697提供两款MOSFET选择,包括适合高达2A/600V工作的4Ω漏源导通电阻规格,以及可支持4A/650V工作的1.8Ω超结 (super-junction) 导通电阻规格。该器件...

类别:驱动IC 2016-04-01 10:03:46 标签: 调光器 驱动 启动

半导体厂商重兵集结汽车电子,深挖智能汽车

半导体厂商重兵集结汽车电子,深挖智能汽车

恢复二极管的MDmeshTMDM2超结制造工艺,击穿电压范围为400V至650V,可提供D2PAK、TO-220及TO-247三种封装。     400V和500V两款新产品是市场上同级产品中首个获得AEC-Q101认证的功率MOSFET,而600V650V产品性能则高于现有竞争产品。全系列产品专为汽车应用设计,内部集成快速恢复体二极管...

类别:行业动态 2016-01-26 20:39:20 标签: 半导体厂商 汽车电子 智能汽车

智能汽车大战当前,半导体厂商都没闲着

MDmeshTM DM2超结制造工艺,击穿电压范围为400V至650V,可提供D2PAK、TO-220及TO-247三种封装。400V和500V两款新产品是市场上同级产品中首个获得AEC-Q101认证的功率MOSFET,而600V650V产品性能则高于现有竞争产品。全系列产品专为汽车应用设计,内部集成快速恢复体二极管(fast body diode)、恢复软度系数更高的换向行为...

类别:汽车电子 2016-01-21 17:24:09 标签: 智能汽车 半导体 V2X MOSFET 视觉处理器 ADAS 雷达芯片

查看更多>>

600V/650V资料下载

查看更多>>

600V/650V相关帖子

156

0

关于变压器整流滤波稳压后给运放供电时的选型参数

这个94楼电路 应用得当的话, 96楼的电路并不比全波或全桥差, 高压输出更加适合, 我在380V, 3000W的逆变器中, 为了降低匝比, 48-->650V就是用这个电路, 业内为了达到这个目的, 一般是用2个以上40-50变压器, 初级并, 次级串, 我一个大号55变压器搞定. 而且, 两个电流稍大的超快恢复高压整流管也要比4个电流稍小的要便宜. 另外, 高频整流没有桥堆可用, 受...

2173次浏览 2017-06-14 电源技术 标签: 变压器 稳压

0

0

硬件高手的开关电源设计心得

原理》找出来仔细的消化一下,并结合实际的开关电源电路,按工作状态进行分 析。一定会有所收获,论坛有一个帖子《拜师求学反馈环路设计、调式》其中CMG回答得很好,我觉得可以参考。   今天接着谈关于反激电源的占空比(本人关注反射电压,与占空比一致),占空比还与选择开关管的耐压有关,有一些早期的反激电源使用比较低耐压开关管,如 600V650V作为交流220V 输入电源的开关管,也许与当时生产工艺有关...

101次浏览 2017-05-20 【跟TI学电源】 标签: 开关电源 硬件

10

0

有没有谁介绍一款AC转DC的电源芯片

发表于 2017-3-24 11:29[/color][/url][/size] 要求不严,可以电容降压[/quote] 电容降压肯定是不行的:surrender: [color=Blue]XD308H高压降压芯片-18~600V超宽电压输入DC/DC降压电源芯片/500mA[/color] XD308H是一款18-600VDC 超宽电压输入的高压降压型DC/DC电源芯片,可适应...

2211次浏览 2017-03-23 电源技术 标签: 电源

2

0

浅析基于碳化硅MOSFET的谐振LLC和移相电路在新能源汽车的应用

及操声,便于实现LLC谐振宽范围工作。同一额定电流器件,碳化硅MOSFET 寄生二极管反向电荷只有同等电压规格硅基MOSFET的5%。对于桥式电路,特别当LLC变换器工作在高于谐振频率和移相电路硬关断时候,这个指标非常关键,它可以减小死区时间以及体二极管的反向恢复带来的损耗和噪音,便于提高开关工作频率;(3) 由于拓扑简化,采用硅600V MOSFET的方案在每个开通时刻有两颗MOSFET同时导通...

1186次浏览 2016-08-25 电源技术 标签: 新能源汽车 碳化硅 优缺点 英文 成本

6

0

基于碳化硅MOSFET的20KW高效LLC谐振隔离DC/DC变换器方案研究

桥电路,提高可靠性;由于拓扑简化,采用硅基650V MOSFET的方案在每个开通时刻有两颗MOSFET同时导通,所以实际等效导通损耗会比采用全桥拓扑的1000V碳化硅MOSFET要大;低寄生电容如输入电容(Ciss),输出电容(Coss)及反向传输电容(Crss),使得器件快速开关,从而减少关断损耗,开关表现更好并适合用于更高频开关变换器;体二极管具有极低反向恢复时间(trr)及反向恢复电荷...

1292次浏览 2016-08-05 电源技术 标签: 碳化硅 二极管 可靠性 如图所示 隔离

10

0

关于英飞凌“高效开关电源解决方案”的评论

方便了用户。通信电源在PFC方案中核心产品使用英飞凌600V CoolMOS C7效率高达99%,在高压直流直流转换方案的移相全桥拓扑中效率高达98%。该产品适用高频化场合,能耗更低,功率密度更高,和CP系列相比,轻载效率和整个负载效率都有所提升。 [attach]248541[/attach][attach]248542[/attach] 英飞凌产品集成度高易用性兼容、完整性解决方案、产品...

549次浏览 2016-07-04 电源技术 标签: 无人机 解决方案 开关电源

6

0

关于英飞凌“新能源汽车车载能源变换系统”的评论

。 Infineon的650V CoolMOS CFDA适用于软开关拓扑,故在移相全桥、LLC的解决方案中采用该CoolMOS CFDA器件,它具有较高的系统转换效率和更高的可靠性,从而有较高的性价比。CoolMOS CFDA器件还具有更低的开关损耗、能改善EMI性能及较多的电压安全裕量。Infineon另外的600V CoolMOS CPA适用于硬开关拓扑,比如在有源嵌位反激、PFC中使用,CPA...

473次浏览 2016-07-04 电源技术 标签: 电源 新能源汽车

0

0

为你的flyback瘦身;甩掉多余的缓冲器

的价格要低于通用输入离线反激式转换器中常见的600V650V MOSFET。优势是显而易见的。由于BJT具有较高的电压额定值,泄露尖峰会高出几百伏特,不过仍然处于所要求的开关降额设计范围内。根据尖峰的幅度不同,常常有可能在不使开关过压的情况下完全移除缓冲器。移除缓冲器优点:减少了物料清单 (BOM) 上的组件数量,从而实现一个更小、成本有效性更高的解决方案。更为重要的一点是,你可以移除缓冲器...

404次浏览 2016-04-22 【TI模拟技术体验】 标签: 缓冲器

1

0

用于逆变焊机的场截止FS3 WDF系列沟槽IGBT

650V场截止FS3沟道 WDF系列IGBT产品(包括FGA6560WDF、FGA6540WDF、FGA6530WDF),与用于单相逆变焊接器的现有600V场截止平面IGBT相比,具有优异的热性能、更低的开关和导通损耗。 下图所示为场截止平面IGBT和FS3沟道 WDF系列IGBT的性能比较。 新IGBT系列产品推荐应用(根据焊机的实际最大输出电流)。 WDF 系列IGBT100%地经...

606次浏览 2015-10-28 【跟TI学电源】 标签: 焊机

1

0

高手在民间!工程师谈开关电源设计技巧(转)

600V650V作为交流220V 输入电源的开关管,也许与当时生产工艺有关,高耐压管子,不易制造,或者低耐压管子有更合理的导通损耗及开关特性,像这种线路反射电压不能太高,否则为使 开关管工作在安全范围内,吸收电路损耗的功率也是相当可观的。 实践证明600V管子反射电压不要大于100V,650V管子反射电压不要大于120V,把漏感尖峰电压值钳位在50V时管子还有50V的工作余量。现在 由于MOS管制造...

1154次浏览 2014-12-30 ADI参考电路 标签: 开关电源 工程师 技巧 民间

查看更多>>

600V/650V视频

查看更多>>

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved