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600V/650V

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在高频直流—直流转换器内使用650V碳化硅MOSFET的好处

在高频直流—直流转换器内使用650V碳化硅MOSFET的好处

考虑碳化硅的制造成本高于硅器件。对于600V电压以下碳化硅产品,以前市面上只有2吋或3吋碳化硅晶圆片,而且生产设备非常昂贵,因此,碳化硅器件的性价比不如硅器件。今天,4吋和6吋碳化硅晶圆片非常常见,市场对碳化硅器件需求增长可以让厂商降低制造成本。600V SiC MOSFET开始出现在市场上,具有令人感兴趣的特性,适用于各种应用领域。新器件: 650V SiC MOSFET如前...

类别:半导体生产 2017-10-15 17:05:06 标签: 意法半导体 650V SiC MOSFET 直流升压转换

高频直流—直流转换器用650V碳化硅MOSFET的好处

高频直流—直流转换器用650V碳化硅MOSFET的好处

考虑碳化硅的制造成本高于硅器件。对于600V电压以下碳化硅产品,以前市面上只有2吋或3吋碳化硅晶圆片,而且生产设备非常昂贵,因此,碳化硅器件的性价比不如硅器件。今天,4吋和6吋碳化硅晶圆片非常常见,市场对碳化硅器件需求增长可以让厂商降低制造成本。600V SiC MOSFET开始出现在市场上,具有令人感兴趣的特性,适用于各种应用领域。新器件: 650V SiC MOSFET如前...

类别:综合资讯 2017-10-14 20:18:56 标签: 碳化硅 MOSFET 意法半导体

三电平IGBT功率模块

三电平IGBT功率模块

设计更加容易并且确保器件在应用中具有更高的裕量,这些模块采用了增强型IGBT和二极管芯片,耐压达到650V。这些新的芯片与众所周知的600V IGBT3器件一样,具有相同的导通特性和开关特性;而且可靠性也没有发生改变(如SOA、RBSOA、SCSOA)。这些通过最新的IGBT和二极管终端结构的开发得以实现,并确保了超薄的70?m芯片厚度不发生改变。因此,650V IGBT...

类别:其他技术 2011-12-03 19:42:00 标签: 三电平 IGBT功能模块

三电平IGBT功率模块

三电平IGBT功率模块

设计更加容易并且确保器件在应用中具有更高的裕量,这些模块采用了增强型IGBT和二极管芯片,耐压达到650V。这些新的芯片与众所周知的600V IGBT3器件一样,具有相同的导通特性和开关特性;而且可靠性也没有发生改变(如SOA、RBSOA、SCSOA)。这些通过最新的IGBT和二极管终端结构的开发得以实现,并确保了超薄的70?m芯片厚度不发生改变。因此,650V IGBT...

类别:电子百科 2011-06-06 21:36:09 标签: 功率 模块

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如果把开关电源的频率无限提升,会发生这样的情况.....

用在3kW的逆变器上的一款600V的coolmos为例。看看这些具体的开关时间是多少那么对于这个mos管来说,它的极限开关频率(在这种极限情况下,mos管刚开通就关断)fs=1/(16+12+83+5)ns=8.6MHz,当然,在实际应用中,由于要调节占空比,不可能让开关管一开通就关断,所以实际的极限频率是远低于8.6MHz的,所以器件本身的开关速度是限制开关频率的一个因素。 2、开关损耗...

107次浏览 2017-10-19 电源技术

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