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600V/650V

在电子工程世界为您找到如下关于“600V/650V”的新闻

东芝推出EMI性能更佳的600V/650V超结N沟道功率MOSFET

东芝推出EMI性能更佳的600V/650V超结N沟道功率MOSFET

东芝公司(TOKYO:6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V650V超结N沟道功率MOSFET,该产品适用于工业和办公设备。该新“DTMOS V系列”最初将提供12款产品。样品发货即日启动,批量生产发货计划于3月中旬启动。该新系列拥有与东芝当前的“DTMOS IV系列”相同水平的低导通电阻、高速开关性能,同时,其优化的设计流程使EMI...

类别:其它技术 2017-03-20 10:34:36 标签: 东芝 EMI 600V/650V 超结N沟道 功率 MOSFET

大联大品佳集团力推英飞凌高效UPS解决方案

大联大品佳集团力推英飞凌高效UPS解决方案

二极管英飞凌的全新快速1和快速2功率硅二极管作为现有高功率600V/650V二极管的补充,填补了碳化硅二极管与发射极控制二极管之间的空白。全新极速和超高速二极管系列提供无与伦比的效率和可靠性以及超高的性价比。额外的50V确保更高的可靠性。 Rapid1 VF 1.35V,适合频率范围18KHz~40KHz,Rapid2 VF 1.6V,适合频率范围:40KHz...

类别:电源设计 2016-11-24 16:49:30 标签: 晶体管 光伏逆变器

Vishay的新款600V和650V E系列MOSFET提高了可靠性并减小封装电感

Vishay的新款600V和650V E系列MOSFET提高了可靠性并减小封装电感

宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 7 月15 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出3颗采用小尺寸PowerPAK® SO-8L封装的N沟道器件---SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E,扩充其600V650V E系列功率MOSFET...

类别:分立器件 2016-07-15 16:33:39 标签: 电感 制造 测试

三菱电机展台大受欢迎,携八款功率器件实力亮相

三菱电机展台大受欢迎,携八款功率器件实力亮相

。 X系列单管HVIGBT模块   J1系列汽车用IGBT模块是专为电动汽车驱动器,及高可靠性逆变器设计,采用Pin-fin底板的六合一汽车用IGBT模块。它使用第7代IGBT硅片技术,损耗更低;高可靠性的DLB(直接主端子绑定)技术;及基于硅片的温度和电流检测技术。J1系列提供A、B两种封装。A型封装(小封装)有300A/650V、600A/650V、400A...

类别:驱动 2016-06-28 17:16:55 标签: 三菱电机 功率器件

三菱电机携八款功率器件在PCIM Asia 2016隆重登场

三菱电机携八款功率器件在PCIM Asia 2016隆重登场

封装(小封装)有300A/650V、600A/650V、400A/900V和300A/1200V;B型封装(大封装)有1000A/650V和600A/1200V,这两种封装可以满足从小型电动汽车到大型电动公交车的应用要求。   针对J1系列新型汽车模块,三菱电机将提供包括驱动电路、冷却水套及薄膜电容的整体解决方案技术支持,以方便客户快速应用该模块实现汽车用逆变器的...

类别:市场动态 2016-06-06 15:04:45 标签: 三菱电机 功率器件 PCIM Asia 2016

士兰微电子推出内置高压MOS管的原边控制电路新品

小型化应用。 该系列电路的具体参数如下表示: 电路型号 结构 最大功率/电流 MOSFET(1) 待机功耗 封装 电路型号 结构 最大功率/电流 MOSFET(1) 待机功耗 封装 SDH8592AS 隔离反激PSR 5W 5V/1A 650V/7.2Ω 40mW SOP7...

类别:电源设计 2016-05-26 17:00:27 标签: 便携式 充电器 电流

Vishay推出新的650V EF系列器件扩大MOSFET产品组合

Vishay推出新的650V EF系列器件扩大MOSFET产品组合

SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF扩大了该公司的600V产品,为工业、通信和可再生能源应用提供了迫切需要的电压余量。     今天推出的这批650V快速体二极管MOSFET采用E系列超级结技术制造,反向恢复电荷(Qrr)比传统MOSFET低10倍。这样器件就能更快地阻断电压,有助于避免共通和热过应力造成的失效,在零电压切换...

类别:分立器件 2016-05-12 14:13:55 标签: 二极管 电压

高集成度轿车用电机控制技术研究

开关信息并反馈相关信息(保护信号);放大开关信号并驱动IGBT;提供电压隔离和保护功能。控制器驱动电路以隔离型驱动芯片为核心,对控制单元提供的PWM信号进行隔离放大,驱动大功率器件IGBT,实现DC-AC转换。控制器采用英飞凌的FS400R07A1E3(400A/650V,PinFin结构)作为大功率开关器件。直流滤波电容采用国内领先的AAEV42872膜电容,配套与IGBT...

类别:汽车电子 2016-04-01 10:06:58 标签: 电机控制 高集成度轿车

Diodes Triac可调光 LED 驱动器为230/120VAC灯完善调光器兼容性

Diodes Triac可调光 LED 驱动器为230/120VAC灯完善调光器兼容性

。AL1697采用临界导通模式,可提升转换效率,还能降低开关噪声并简化电磁干扰设计。它具有130μA的低启动电流和170μA的低工作电流。   AL1697提供两款MOSFET选择,包括适合高达2A/600V工作的4Ω漏源导通电阻规格,以及可支持4A/650V工作的1.8Ω超结 (super-junction) 导通电阻规格。该器件...

类别:驱动IC 2016-04-01 10:03:46 标签: 调光器 驱动 启动

半导体厂商重兵集结汽车电子,深挖智能汽车

半导体厂商重兵集结汽车电子,深挖智能汽车

恢复二极管的MDmeshTMDM2超结制造工艺,击穿电压范围为400V至650V,可提供D2PAK、TO-220及TO-247三种封装。     400V和500V两款新产品是市场上同级产品中首个获得AEC-Q101认证的功率MOSFET,而600V650V产品性能则高于现有竞争产品。全系列产品专为汽车应用设计,内部集成快速恢复体二极管...

类别:行业动态 2016-01-26 20:39:20 标签: 半导体厂商 汽车电子 智能汽车

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浅析基于碳化硅MOSFET的谐振LLC和移相电路在新能源汽车的应用

及操声,便于实现LLC谐振宽范围工作。同一额定电流器件,碳化硅MOSFET 寄生二极管反向电荷只有同等电压规格硅基MOSFET的5%。对于桥式电路,特别当LLC变换器工作在高于谐振频率和移相电路硬关断时候,这个指标非常关键,它可以减小死区时间以及体二极管的反向恢复带来的损耗和噪音,便于提高开关工作频率;(3) 由于拓扑简化,采用硅600V MOSFET的方案在每个开通时刻有两颗MOSFET同时导通...

883次浏览 2016-08-25 电源技术 标签: 新能源汽车 碳化硅 优缺点 英文 成本

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基于碳化硅MOSFET的20KW高效LLC谐振隔离DC/DC变换器方案研究

桥电路,提高可靠性;由于拓扑简化,采用硅基650V MOSFET的方案在每个开通时刻有两颗MOSFET同时导通,所以实际等效导通损耗会比采用全桥拓扑的1000V碳化硅MOSFET要大;低寄生电容如输入电容(Ciss),输出电容(Coss)及反向传输电容(Crss),使得器件快速开关,从而减少关断损耗,开关表现更好并适合用于更高频开关变换器;体二极管具有极低反向恢复时间(trr)及反向恢复电荷...

1071次浏览 2016-08-05 电源技术 标签: 碳化硅 二极管 可靠性 如图所示 隔离

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关于英飞凌“高效开关电源解决方案”的评论

方便了用户。通信电源在PFC方案中核心产品使用英飞凌600V CoolMOS C7效率高达99%,在高压直流直流转换方案的移相全桥拓扑中效率高达98%。该产品适用高频化场合,能耗更低,功率密度更高,和CP系列相比,轻载效率和整个负载效率都有所提升。 [attach]248541[/attach][attach]248542[/attach] 英飞凌产品集成度高易用性兼容、完整性解决方案、产品...

279次浏览 2016-07-04 电源技术 标签: 无人机 解决方案 开关电源

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关于英飞凌“新能源汽车车载能源变换系统”的评论

。 Infineon的650V CoolMOS CFDA适用于软开关拓扑,故在移相全桥、LLC的解决方案中采用该CoolMOS CFDA器件,它具有较高的系统转换效率和更高的可靠性,从而有较高的性价比。CoolMOS CFDA器件还具有更低的开关损耗、能改善EMI性能及较多的电压安全裕量。Infineon另外的600V CoolMOS CPA适用于硬开关拓扑,比如在有源嵌位反激、PFC中使用,CPA...

169次浏览 2016-07-04 电源技术 标签: 电源 新能源汽车

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为你的flyback瘦身;甩掉多余的缓冲器

的价格要低于通用输入离线反激式转换器中常见的600V650V MOSFET。优势是显而易见的。由于BJT具有较高的电压额定值,泄露尖峰会高出几百伏特,不过仍然处于所要求的开关降额设计范围内。根据尖峰的幅度不同,常常有可能在不使开关过压的情况下完全移除缓冲器。移除缓冲器优点:减少了物料清单 (BOM) 上的组件数量,从而实现一个更小、成本有效性更高的解决方案。更为重要的一点是,你可以移除缓冲器...

202次浏览 2016-04-22 【TI模拟技术体验】 标签: 缓冲器

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用于逆变焊机的场截止FS3 WDF系列沟槽IGBT

650V场截止FS3沟道 WDF系列IGBT产品(包括FGA6560WDF、FGA6540WDF、FGA6530WDF),与用于单相逆变焊接器的现有600V场截止平面IGBT相比,具有优异的热性能、更低的开关和导通损耗。 下图所示为场截止平面IGBT和FS3沟道 WDF系列IGBT的性能比较。 新IGBT系列产品推荐应用(根据焊机的实际最大输出电流)。 WDF 系列IGBT100%地经...

404次浏览 2015-10-28 【跟TI学电源】 标签: 焊机

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高手在民间!工程师谈开关电源设计技巧(转)

600V650V作为交流220V 输入电源的开关管,也许与当时生产工艺有关,高耐压管子,不易制造,或者低耐压管子有更合理的导通损耗及开关特性,像这种线路反射电压不能太高,否则为使 开关管工作在安全范围内,吸收电路损耗的功率也是相当可观的。 实践证明600V管子反射电压不要大于100V,650V管子反射电压不要大于120V,把漏感尖峰电压值钳位在50V时管子还有50V的工作余量。现在 由于MOS管制造...

707次浏览 2014-12-30 ADI参考电路 标签: 开关电源 工程师 技巧 民间

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三极管参数大全(转载)

9012 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W   9013 2N6678 NPN 音频功放 650V 15A 175W 15MHZ 9012 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W   9013 3DA87A NPN 视频放大 100V 0.1A 1W 3DG6B NPN 通用   20V 0.02A...

1083次浏览 2014-08-31 模拟电子 标签: 三极管

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超宽范围输入电源

~400V,输出总功率约为6W左右。     1)前端电路设计     当输入电压要求为AC400V时,考虑输入时电源的波动变化为±15%,则最高输入电压将达到460V左右,此输入电压经整流滤波后,其电压可达650V左右,再考虑加上输出反馈的电压Uor和漏感形成的尖峰电压叠加后其最高电压将超过800V,而该芯片的最高电压为700V,为了保证TOP242能正常...

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再续点评Vishay视频 抢楼拿奖进行到底

这次观看的视频是威世E系列高压MOSFET演示。视频介绍中E系列的耐压等级是600V650V两个系列,在AC/DC变换应用中,采用双管正激电路,在效率、PWM调节、PFC这三个性能跟其他产品作了比较。具体比较效果视频比较模糊,看不清。我们现在应用的MOSFET的IR公司,这个是低压MOSFET的厂商的老大了。对于高压MOSFET来说,我觉的要求是比较高的。对于大功率、高压的功率开关管都用...

12606次浏览 2013-12-02 【分立器件】 标签: Vishay 视频 再续 点评

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MAX14850演示板

MAX14850演示板

演示说明:六通道600V数字隔离器适用于多种不同的串行总线收发器,如RS-232/422/485、SPI和I2C...

2013-01-01

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