3nm

在电子工程世界为您找到如下关于“3nm”的新闻

北京首条8英寸集成电路产线上梁,目标月产能5万片

装备有限公司致力于打造高端半导体工艺装备及核心零部件的研发与制造基地,成功开发以刻蚀设备(ETCH)、化学气相沉积设备(CVD)、物理气相沉积设备(PVD)三大类半导体装备产品为基础的20余类产品,成功替代国外厂商同类产品,部分产品正式进入海外主流芯片生产线。北京科益虹源光电技术有限公司全面开展国家02专项28nm浸没式曝光光源项目开发,完成了193nm工程样机的实验;北京华卓精科...

类别:半导体生产 2018-04-26 07:49:00 标签: 集成电路

北京亦庄“芯”贡献:首尾呼应环环相连 开发区IC产业质变

芯片生产线。北京科益虹源光电技术有限公司全面开展国家02专项28nm浸没式曝光光源项目开发,完成了193nm工程样机的实验;北京华卓精科科技股份有限公司生产的光刻机工件台填补国内光刻机关键零部件研发和制造领域空白,具有独占和不可替代的优势地位,为下一步北京市开展光刻机整机研制奠定基础。东方晶源微电子科技有限公司承担02专项任务,完成了首台国产多功能电子束图形检测系统的系统集成,达到...

类别:半导体生产 2018-04-24 13:01:44 标签: IC产业

IC厂商纷纷冲刺7纳米工艺 台积电、三星、英特尔进入第一阵营

,3-5nm制程已经进入台积电和三星的视野。台积电计划从2020年开始量产5nm12寸晶圆,计划生产5nm制程的晶圆十八厂第一期厂房已于今年年初在南部工业科学园区动工,预计2020年年初进入量产;二期、三期厂房预计在2020年、2021年分别进入量产。待2022年第一、二、三期厂房全部进入量产,年产能预估超过100万片。同时台积电承诺,未来3nm厂房也将在南部科学园区建立。三星...

类别:综合资讯 2018-04-24 11:38:15 标签: 台积电 三星

IC厂商纷纷冲刺7纳米,第一阵营格局已定?

5nm制程的晶圆十八厂第一期厂房已于今年年初在南部工业科学园区动工,预计2020年年初进入量产;二期、三期厂房预计在2020年、2021年分别进入量产。待2022年第一、二、三期厂房全部进入量产,年产能预估超过100万片。同时台积电承诺,未来3nm厂房也将在南部科学园区建立。三星也在去年联合IBM、格罗方德开发了可打造5nm芯片的制程。但5nm技术还不成熟,近期 EUV技术爆出...

类别:半导体生产 2018-04-19 19:57:18 标签: IC厂商

Synopsys中国董事长兼全球副总裁葛群:让明天更有新思

Synopsys中国董事长兼全球副总裁葛群:让明天更有新思

持续发展100年时可是认真的,一部份的原因在于目前没有其他替代方案,而且这个世界也需要我们。”在迈向5nm3nm甚者2nm半导体工艺技术之路上,除了不遗余力的技术创新,更需要来自各方的合作支持。Synopsys董事长兼首席执行官Aart de Geus博士接受CCTV采访正如日前新思科技董事长兼首席执行官Aart de Geus博士在接受CCTV采访时说的那样,“所有真正...

类别:市场动态 2018-04-17 11:03:26 标签: Synopsys

14张图看懂半导体工艺演进对DRAM、逻辑器件、NAND的影响

14张图看懂半导体工艺演进对DRAM、逻辑器件、NAND的影响

NAND的总清洗次数与三星3D NAND工艺的层数。3D NAND清洗次数之所以随着层数增加而增加,主要是因为阶梯成型时的CMP清洗。在第一阶梯掩模之后,每个后续掩模都需要在施加掩膜之前通过CMP清洗将层平坦化。结论DRAM工艺尺寸的缩减正在面临基本的物理限制,目前还有没有明确的解决方案,由于印刷需求的推动,DRAM的清洗复杂度也在增加。随着行业向5nm3nm的推进,逻辑器...

类别:消费电子 2018-04-16 21:44:05 标签: 半导体工艺 DRAM 逻辑器件 NAND

14张图看懂半导体工艺演进对DRAM、逻辑器件、NAND的影响

14张图看懂半导体工艺演进对DRAM、逻辑器件、NAND的影响

限制,目前还有没有明确的解决方案,由于印刷需求的推动,DRAM的清洗复杂度也在增加。  随着行业向5nm3nm的推进,逻辑器件的工艺尺寸将持续缩减。纳米线和纳米片将对清洗带来新的挑战。随着掩膜数量的则更加,以及多重图案化方案越来越复杂,逻辑器件的清洗次数也在增长。  NAND工艺尺寸的缩减已经完成落脚到了3D NAND层数的增加上。由于阶梯成型需要CMP清洗,3D NAND...

类别:综合资讯 2018-04-16 14:13:31 标签: DRAM NAND

EUV缺陷为芯片前景蒙上阴影

EUV缺陷为芯片前景蒙上阴影

明确。像McIntyre这样的乐观主义者认为,针对这种所谓的“随机效应”很快地就会出现一连串的解决方案。但一些怀疑论者则认为这样的结果只是多了一个让人更加质疑EUV系统的理由——价格昂贵且延迟已久的EUV系统是否真的能成为芯片制造商的主流工具?前英特尔(Intel)微影技术专家Yan Borodovsky预期,业界工程师应该能够使用EUV步进机进行2-3次曝光,打造出5nm或甚至是3nm元件...

类别:半导体生产 2018-04-09 20:05:13 标签: EUV 芯片

专家分享:3nm实现之路有哪些挑战?

3nm测试芯片2015年10月Cadence与imec联合宣布全球首款5nm芯片成功流片,今年二月底,Cadence与imec再次联合宣布,下一代3nm测试芯片成功流片。该设计采纳Cadence Genus™ 综合解决方案和Innovus™ 设计实现系统,测试芯片采用业界通用的64-bit CPU设计,内置自定义3nm标准单元库。芯片的金属绕线间距最小仅为21nm。21nm...

类别:半导体生产 2018-04-08 19:13:36 标签: 3nm

极紫外(EUV)光刻新挑战,除了光刻胶还有啥?

极紫外(EUV)光刻新挑战,除了光刻胶还有啥?

;为什么是EUV?芯片制造商需要EUV,因为使用今天的光刻技术来绘制微小特征变得越来越困难。 最初,芯片制造商将把今天的193nm沉浸式光刻和多重曝光扩展到10nm和7nm工艺节点。这些技术是可行的,但是使用它们来实现特定图形变得更加困难。因此,芯片制造商最初希望将EUV用于器件的通孔层。他们将继续在其他部分使用沉浸式光刻和多重曝光。 ...

类别:消费电子 2018-04-07 13:00:47 标签: EUV 极紫外光刻 光刻胶

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3nm资料下载

SiC肖特基紫外光电探测器的研制立即下载

分析了这两种器件的光谱响应特性及其I-V 特性。其光谱响应范围均是200~400nm,室温无偏压下,Au/n-4H-SiC的光谱响应峰值在310nm,光谱响应半宽是73nm,室温7V偏压下光谱响应峰值86.72mA/W,量子效率可达37.15%,Ni/n-4H-SiC相应的参数分别为300nm、83nm、45.84mA/W 及18.98%。Au/n-4H-SiC室温下正向开启电压0.81V,Ni...

类别:测试测量 2013年09月22日 标签: 肖特基 SiC 紫外 光电探测器

ZnO压敏电阻的漏电流立即下载

; Bi2O3同质异构体的晶体结构和电气特性晶相 晶体结构 晶格常数 导电类型 导电载流子(1)α相,低温稳定相 单斜晶系  空穴电导 空穴(2)β 相,亚稳定相 四方晶系 a=1.093nmc=0.563nm 离子电导 氧离子(3)γ相,亚稳定相 体心立方晶系 a=1.019nm 离子电导 氧离子(4)δ相,高稳定相 面心立方晶系 a=0.548nm 离子电导 氧离子图 3 ...

类别:IC设计及制造 2013年09月18日 标签: ZnO压敏电阻的漏电流

MTK Roadmap立即下载

Integrated, 8/Mp CameraMT62xx (SOC)MEDIATEKR7, SOCMEDIATEKMT6238/39 Mainstream Multimedia PlatformsMEDIATEK153nm, 208 MHz ARM9, EDGE, 3Mp(5Mp) ISP, HS USB, H.264 video65nmMEDIATEK MEDIA……...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: Roadmap

MTK Road Map立即下载

/BT Integrated, 8/Mp CameraMT62xx (SOC)MEDIATEKR7, SOCMEDIATEKMT6238/39 Mainstream Multimedia PlatformsMEDIATEK153nm, 208 MHz ARM9, EDGE, 3Mp(5Mp) ISP, HS USB, H.264 video65nmMEDIATEK MEDIA……...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: Roadmap 20110222

艾默生 Digitax ST 伺服驱动器 技术参数指南 EN立即下载

        Digitax ST伺服驱动器 电压等级:200、400 V功率范围:0.72Nm - 73Nm...

类别:科学普及 2013年12月06日 标签: 艾默生 Digitax ST 伺服驱动器 技术参数指南 EN

艾默生 Digitax ST 伺服驱动器 用户手册 EN立即下载

        Digitax ST伺服驱动器 电压等级:200、400 V功率范围:0.72Nm - 73Nm...

类别:科学普及 2013年12月06日 标签: 艾默生 Digitax ST 伺服驱动器 用户手册 EN

艾默生 Digitax ST 伺服驱动器 安装指南 EN立即下载

        Digitax ST伺服驱动器 电压等级:200、400 V功率范围:0.72Nm - 73Nm...

类别:科学普及 2013年12月06日 标签: 艾默生 Digitax ST 伺服驱动器 安装指南 EN

艾默生 Digitax ST 伺服驱动器 样本 EN立即下载

        Digitax ST伺服驱动器 电压等级:200、400 V功率范围:0.72Nm - 73Nm...

类别:科学普及 2013年12月06日 标签: 艾默生 Digitax ST 伺服驱动器 样本 EN

NMEA 0183协议(中文)立即下载

NMEA_0183NMEA 0183 协议 该协议为 NAEA 0183 2.0 版,此协议是为了在不同的 GPS 导航设备中建立统一的 RTCM 标 准。NAEA 0183 语句以 ASCII 格式输出,传输速率可自定义。缺省波特率为 4800。 传输长度表:传输长度=传输总字符数/每秒传输数 波特率 1200 2400 4800 9600 每秒传输数...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: NMEA 0183协议 中文

利用复合Nd:YAG实现600mW高效紧凑型蓝光激光器立即下载

        报道了采用复合Nd:YAG晶体,LBO腔内倍频,简单的平凹谐振腔结构实现大功率LDA泵浦条件下高效率蓝光激光器。利用大功率泵浦情况下晶体的热透镜效应实现最优模式匹配,在可吸收泵浦功率为15.09W时,激光器的473nm蓝光功率输出达600mW,光—光转化效率达3.98%。...

类别:科学普及 2013年12月06日 标签: 利用 复合 实现 高效 紧凑型

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