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10nm

在电子工程世界为您找到如下关于“10nm”的新闻

最强7nm LPP量产!三星姗姗来迟,或拉拢高通抗衡台积电
   据外媒报道,三星电子于昨日宣布7nm LPP(Low Power Plus)制程已进入量产阶段,并在工艺中成功应用极紫外光(EUV)微影技术。据悉,三星7nm LPP采用EUV光刻,机器采购自荷兰ASML(阿斯麦),型号为双工件台NXE:3400B(光源功率280W),日产能1500片。此次三星电子的7nm LPP工艺相比上一代10nm FinFET...
类别:综合资讯 2018-10-18 标签: 7nm LPP
英特尔高管:九代酷睿将是英特尔 14 nm技术的谢幕
面对着竞争对手 AMD 的步步紧逼之下,日前英特尔在发布会上一口气发布了九代酷睿以及发烧级 Core X 系列 CPU 。然而人们期盼已久的 10nm 工艺在这批 CPU 上依然没有出现。 针对这个问题,英特尔高管克里斯·席尔瓦表示,九代酷睿将会是英特尔 14nm 的谢幕。据悉,近年来即便是竞争对手早早就将工艺提升到 10nm ,但英特尔依然坚守着 14nm 工艺...
类别:嵌入式处理器 2018-10-15 标签: 酷睿 14 nm
5nm近在眼前,极紫外光刻(EUV)技术有重磅突破
客户应该已经开始基于新工艺开发芯片了。 随着半导体工艺的急剧复杂化,不仅开发量产新工艺的成本大幅增加,开发相应芯片也越来越费钱,目前估计平均得花费1.5亿美元,5nm时代可能要2-2.5亿美元。 然而,Intel刚发布的秋季桌面平台仍然都是14nm,而拖延已久的10nm要到明年才能量产,7nm则是遥遥无期,5nm就更别提了。 ...
类别:半导体生产 2018-10-10 标签: 5nm 台积电
Intel服务器路线图插入AI加速器:10nm又要推迟?
   先进的制造工艺曾经是Intel最强有力的武器,结果到了14nm上出现严重不顺,10nm更是前所未有地难产,不得不一再延长14nm工艺的寿命。按照Intel此前的官方说法,10nm工艺大规模量产已经推迟到2019年,但上半年还是下半年不确定,而根据各方面的消息,很可能等到2019年底,服务器平台更是得到2020年。这是Intel此前公布的服务器演进...
类别:综合资讯 2018-09-29 标签: Intel 服务器
台积电已到7nm层级,英特尔还在10nm徘徊不前
据中国台湾地区媒体报道,罗森布拉特(Rosenblatt Securities)证券公司的分析师Mosesmann在8月底的一份报告中表示,处理器大厂英特尔(Intel)在半导体制程上的瓶颈不只是10纳米节点的延期,而且需要许多时间来解决这个问题,因为这将造成英特尔制程劣势持续5年、6年、甚至7年时间。    此外,美国财经网站CNBC也引用金融公司雷蒙...
类别:市场动态 2018-09-29 标签: 英特尔 台积电
Intel服务器路线图爆出,新架构ICE LAKE令人期待
先进的制造工艺曾经是Intel最强有力的武器,结果到了14nm上出现严重不顺,10nm更是前所未有地难产,不得不一再延长14nm工艺的寿命。按照Intel此前的官方说法,10nm工艺大规模量产已经推迟到2019年,但上半年还是下半年不确定,而根据各方面的消息,很可能等到2019年底,服务器平台更是得到2020年。  这是Intel此前公布的服务器演进...
类别:嵌入式处理器 2018-09-29 标签: Intel 10nm
英特尔10nm技术原地踏步,台积电弯道超车
英特尔(Intel Corp.)距离推出10纳米服务器芯片、将有长达2年的空窗期,Raymond James证券认为,台积电的技术将遥遥领先。另外,该证券并认定半导体景气进入下降循环,冲击费城半导体指数在周二(9月25日)下挫。 CNBC、MarketWatch、barron`s.com报导,Raymond James分析师Chris Caso 25日以次...
类别:市场动态 2018-09-27 标签: 英特尔 台积电
格罗方德宣布搁置7nm的研发计划
日前,GlobalFoundries(格罗方德,格芯)宣布搁置7nm的研发计划,引发半导体圈哗然。虽然AMD表示不影响今后12nm/14nm芯片的供应,但双方都明白,之前的晶圆供应协议不得不要做出些调整了。据外媒消息人士爆料,AMD与GF的WSA(Wafer Supply Agreement)晶圆供应协议第七次修正案即将签署通过,号称是“互利的”。 当前的第六修正案...
类别:嵌入式处理器 2018-09-12 标签: 格罗方德 7nm
骁龙855今年Q4正式大规模量产,7nm工艺、台积电代工
。如此一来,按照惯例的话,明年初三星发布的S10手机或将首发骁龙855,而国内小米抢首发的可能性比较大一些,但之前联想表示将推全球首款骁龙855手机。  骁龙855将是高通明年上半年的旗舰移动平台,采用了7nm工艺,并且首次将内置一个专用的神经处理单元(NPU),以支持AI人工智能加速。。NPU可以理解为是一个专门的AI硬件处理单元,通过嵌入式神经网络运算,能够...
类别:消费电子 2018-08-28 标签: 骁龙855 7nm 台积电
格罗方德宣布暂停7nm LP工艺开发,分拆设计服务
缩减硅工艺的可怕竞争,最近又难倒了一位参赛选手。格罗方德(GlobalFoundries)今日宣布,它将无限期地暂停 7nm LP 工艺的开发,以便将资源转移到更加专业的 14nm 和 12nm FinFET 节点的持续开发上。这一突然的战略转折,发生在该公司位于纽约马耳他的 Fab 8 工厂宣称对这项前沿技术加大投资规模的几个月之后。首席技术官 Gary Patton...
类别:市场动态 2018-08-28 标签: 格罗方德 7nm

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波器前与在光分波器后设置波长转换器(Wavelength Transponder)OTU。这一类配置是开放式的,采用这种可以使用现有的1310nm和1550nm波长区的任一厂家的光发送与光接收机模块;波长转换器将这些非标准的光波长信号变换到1550nm窗口中规定的标准光波长信号,以便在DWDM系统中传输。美国的Ciena公司、欧洲的pirelli公司采用这类配置,他们是生产光器件的公司,通常,所生...
类别:其他 2013年09月17日 标签: 密集光波分复用系统的波长测量技术
以氢氧化钠为催化剂和乙醇为溶剂合成间苯二酚-糠醛凝胶,经乙醇超临界干燥后得到有机气凝胶。间苯二酚与催化剂的摩尔比、间苯二酚与糠醛的摩尔比以及反应物总浓度等制备条件是影响有机气凝胶密度的主要因素。TEM和N2吸附法表明,有机气凝胶具有典型的三维纳米网络结构,网络颗粒约为10nm,平均孔径为7.8nm,其BET表面积和中孔体积分别为589 m2/g和1.106 cm3/g。关键词:有机气凝胶;无机碱...
类别:其他 2013年09月19日 标签: 间苯二酚 糠醛气凝胶的制备与表征
 。 3、PCM30/32路系统中,TS0用于传送帧同步信号,TS16用于传送话路信令。 4、PCM30/32路系统中,复帧的重复频率为500HZ,周期为2ms。 5、程控交换机的硬件可分为话路系统和中央控制系统两部分,整个交换机的控制软件都放在控制系统的存储器中。 6、一般二氧化硅光纤的零色散波长在1310nm左右,而损耗最小点在1550nm波长左右。 7、G.652光纤是零色散波长在1310nm的单模光纤...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 应聘 华为 各类 工程 工程师
,周期为2ms。5、程控交换机的硬件可分为话路系统和中央控制系统两部分,整个交换机的控制软件都放在控制系统的存储器中。6、一般二氧化硅光纤的零色散波长在1310nm左右,而损耗最小点在1550nm波长左右。7、G.652光纤是零色散波长在1310nm的单模光纤。8、光缆的基本结构由缆芯、加强元件和护套组成。9、常用的光缆结构形式有层绞式光缆、束管式光缆、骨架式光缆和带状式光缆。10、在网状网...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 华为 电信 基础 知识 题库
为2ms。5、程控交换机的硬件可分为话路系统和中央控制系统两部分,整个交换机的控制软件都放在控制系统的存储器中。6、一般二氧化硅光纤的零色散波长在1310nm左右,而损耗最小点在1550nm波长左右。7、G.652光纤是零色散波长在1310nm的单模光纤。8、光缆的基本结构由缆芯、加强元件和护套组成。9、常用的光缆结构形式有层绞式光缆、束管式光缆、骨架式光缆和带状式光缆。10、在网状网的拓扑结构中...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 电信 基础 知识
可见光的相关光学知识和术语¤. 光与电磁波:光是一种电磁波,速度为:30×10000 km/s 波长为780~380nm(纳米),1纳米=10-9米¤. 光谱与颜色:光谱:红、橙、黄、绿、蓝、靛、紫 红外线波长:620~780nm。紫外线的波长:380~420nm。如下图:波长 780~620~590~560~490~450~420~380nm太阳光:波长是780~380nm,纯白色。白炽灯...
类别:模拟及混合电路 2013年09月20日 标签: 可见光的相关光学知识和术语
分析了这两种器件的光谱响应特性及其I-V 特性。其光谱响应范围均是200~400nm,室温无偏压下,Au/n-4H-SiC的光谱响应峰值在310nm,光谱响应半宽是73nm,室温7V偏压下光谱响应峰值86.72mA/W,量子效率可达37.15%,Ni/n-4H-SiC相应的参数分别为300nm、83nm、45.84mA/W 及18.98%。Au/n-4H-SiC室温下正向开启电压0.81V,Ni...
类别:测试测量 2013年09月22日 标签: 肖特基 SiC 紫外 光电探测器
int laser po sit ion detecto r PSD, and it s reso lut ion is about 10nm. The p rocedure of who le cont ro l system is p rogrammed w ith V isual Ba2 sic610, and get a bet ter result.Key words M icro p...
类别:电机 2013年09月20日 标签: 基于PSD的微轮廓测量仪及其控制系统研究
;        它由直径为10nm的硅胶微粒凝聚而成。如国外的Porasil,Zobbex、Lichrosorb系列,上海试剂一厂的堆积硅珠,青岛海洋化工厂的YWG系列,天津试剂二厂的DG系列等。也可由氧化铝微粒凝聚成全多孔型固定相,如国外的Lichrosorb ALOXT。这类固定相由于颗粒很细(5~10μm),孔仍然较浅,传质...
类别:应用案例 2013年09月22日 标签: 高效液相色谱法PPT
要求,以及最终面板的assembly 都是FED 实用化待解决的课题。SCE 型SCE﹙又称为SED,Surface Conduction Electron Emitter Display﹚是由Canon 开发的技术,其结构如下图所示,是由粒径在5~10nm 的超微细PdO﹙氧化钯﹚粒子所形成的薄膜,在发射体电极间有极微细的gap﹙nm 等级﹚,当外加电压产生tunnel 效应时,电子放出并经...
类别:消费电子 2013年09月22日 标签: 场发射显示器技术现况与发展

10nm相关帖子

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为较大的f/1.8,并且用上了4轴光学防抖;前置800万可升降双摄像头,只有在需要使用时才会自动升起。 当然了,耗费这么大经历的自拍手机,在配置上自然也不能差,vivo nex高配版搭载高通骁龙845处理器,目前最强的安卓处理器,这颗处理器采用第二代三星10nm LPPFINFET工艺,大核主频为恐怖的2.8GHz,而小核主频则为1.8GHz,内置Adreno630图形处理器。同时在续航上搭配...
0次浏览 2018-10-17 信息发布

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,并且同时研发32nm技术。自此在很长一段时间之后,intel对AMD一直有着绝对的优势。AMD和Intel计划在8月或者9月推出下一代的处理器,不过从目前的情况来看,全新发售的处理器并不面向同一个消费群体。 AMD已无法脱离台积电 尽管英特尔(美国)渐渐从10nm重大失误中恢复过来,但台积电在很久以前就赢得了这场代工大战,这得益于他有苹果芯片、通信和视频芯片的订单。从逻辑上来说,台积电下一步...
0次浏览 2018-10-15 信息发布

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(波长1060~1625nm可选)。蝶形激光器:980nm,1480nm泵浦激光器,1310nm发射机专用,CWDM 和 DWDM激光器,有害气体检测激光器。光纤旋转器:旋转损耗0.2db,可高速旋转2000/s偏振控制器:两环偏振控制器,三环偏振控制器,挤压式偏振控制器,电动偏振控制器光纤放大器:掺镱光纤放大器,掺铒光纤放大器,拉曼光纤放大器,单通道/多通道(功率最大2W)   ...
0次浏览 2018-10-15 信息发布

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Zen架构的Ryzen处理器发布,AMD也正逐渐扭转颓势。 当前,Intel正处于从14nmFinFET向10nm工艺转换的关键阶段。由于苹果今年发布的iPhoneXS和iPhoneXS max均采用了Intel的基带,占用不少14nm工艺的产能,由此导致了英特尔14nmFinFET工艺产能的不足。另据业内人士透露,Intel为确保服务器芯片的产能充足,将会进一步削减PC处理器的产能,这为AMD...
101次浏览 2018-10-11 信息发布

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望在2020年第二季度开始,正好满足后年底各家旗舰新平台。 台积电5nm工艺的EDA设计工具将在今年11月提供,因此部分客户应该已经开始基于新工艺开发芯片了。 随着半导体工艺的急剧复杂化,不仅开发量产新工艺的成本大幅增加,开发相应芯片也越来越费钱,目前估计平均得花费1.5亿美元,5nm时代可能要2-2.5亿美元。 PS:Intel刚发布的秋季桌面平台仍然都是14nm,而拖延已久的10nm要到明年才能量...
102次浏览 2018-10-10 信息发布

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增加一颗GPU核心。 由于A12采用了新的台积电的7nm工艺,使得A12的晶体管密度得到了大幅的提升,所以从上面这张A12与A11内部各个功能模块的面积数据对比来看,A12虽然性能更强,但是总体Die size比10nm的A11却做到了更小。 A12与A11内部各个功能模块的面积大小数据对比 另外,在7nm工艺加持下,A12的大小CPU内核、GPU内核的面积比10nm的A11都小,但是A12...
105次浏览 2018-10-09 信息发布

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英特尔在公司的官网发布了一封公开信,承认了公司面临着芯片供应短缺的问题。因游戏与商用系统的需求增加,今年第二季度的PC出货量出现近六年来的首次增长,突增的需求量导致芯片的供应短缺。 尽管声称其10nm级芯片制造工艺正在不断取得进展,产量有所改善,并有望在2019年实现批量生产,但PC市场的强劲增长和资本市场的质疑仍然给英特尔造成了巨大压力。 在公开信中表示,芯片供应非常短缺,尤其是入门级...
101次浏览 2018-10-08 信息发布

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/cm-2范围内的穿透位错密度比具有相同厚度的典型GaN层低两个数量级,研究人员如此估计。在具有2nm GaN帽和14nm Al0.29Ga0.71N势垒的结构上的非接触式霍尔测量得到9.8×10 12/cm 2的二维电子气(2DEG)密度和2050cm 2 / V-s迁移率。 薄层电阻为315Ω/m2。 测试T-HEMT是在具有2nm GaN帽,10nm Al0.3Ga0.7N势垒和1nm AlN...
101次浏览 2018-10-08 信息发布

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英特尔近期表示明年底投产10nm工艺,而真正进入大规模投产恐怕要延迟到2020年了,本来该工艺是应该在2015年投产的,10nm工艺的投产时间一再延迟正为竞争对手提供越来越多的机会,这恐怕正成为它衰落的起点。 10nm工艺一再遇阻或将成为英特尔衰落的起点 众狼环伺的英特尔处于窘境 如今英特尔所处的环境可谓众狼环伺,首先给它造成重大威胁的是AMD。AMD凭借去年推出的Zen架构,显示出强劲...
101次浏览 2018-09-30 信息发布

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。但从技术层面来看,开始领先于AMD的英特尔慢慢被后来者居上,AMD也使劲全力向顶层技术发起总攻,如10nm、7nm工艺。 在AMD漫长的奋斗下,英特尔稍显疲态。有分析师预测,随着英特尔缓慢的研发步伐和AMD在10nm、7nm工艺的不断攻坚,在不久的将来,AMD将会超越英特尔,获得全球30%以上的市场份额。这对英特尔来说,是一个致命的打击。 2018年9月下旬,英特尔CFO兼临时CEO Bob...
875次浏览 2018-09-29 移动便携 标签: 华强旗舰 英特尔 AMD

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IBM世界首款7nm芯片展示
这款测试芯片首度在7nm晶体管内加入一种叫做“硅锗”(silicon germanium,简称 SiGe)的材料,替代原有的纯硅,并采用了极紫外光(Extreme Ultraviolet,EUV)微影技术。据悉,相较10nm,使用7nm制程后的面积将所缩小近一半,但同时因为能容纳更多的晶体管(200...
2015-09-10 标签: 7nm IBM 硅锗 SiGe EUV

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