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高功率晶体管

在电子工程世界为您找到如下关于“高功率晶体管”的新闻

无人驾驶传感器产业链和市场趋势分析

无人驾驶传感器产业链和市场趋势分析

信号的同时就可以取出电信号,还能同时处理各单元的图像信息,速度比 CCD 电荷耦合器快很多,高性能的 CMOS 摄像头影像采集速度能高达 5,000 帧/秒;2)动态范围。在车辆高速行驶时,光线条件变化剧烈且频繁, COMS 即使在亮度差别较大的环境中仍能快速识别周边物体。CMOS 价值约占到摄像头成本的三分之一,基本被外资品牌把控。 Sony、 Samsung 和...

类别:车用传感器/MCU 2017-07-25 20:01:43 标签: 无人驾驶 传感器

王传福的野“芯” 起底比亚迪芯片布局

王传福的野“芯” 起底比亚迪芯片布局

相关的数据披露。  进攻IGBT,助力新能源汽车  所谓的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),就是绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT产品集合了高频、高压、大电流三大技术优势,是电力...

类别:行业动态 2017-07-21 15:19:40 标签: 比亚迪 芯片

野“芯”勃勃,比亚迪布局芯片市场

野“芯”勃勃,比亚迪布局芯片市场

雷声大雨点小,似乎没能获得意料中的效果。也没见到很多相关的数据披露。进攻IGBT,助力新能源汽车所谓的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),就是绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT产品...

类别:综合资讯 2017-07-21 14:06:21 标签: 比亚迪 宁波中纬 指纹识别 IG

王传福的野“芯” 起底比亚迪芯片布局

王传福的野“芯” 起底比亚迪芯片布局

Transistor),就是绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT产品集合了高频、高压、大电流三大技术优势,是电力电子设备中的核心部件,涉及几乎所有电压等级下的电气设备。作为主流的新型电力电子器件之一,IGBT被大规模应用于...

类别:市场动态 2017-07-20 11:54:08 标签: 比亚迪

我国石墨烯太赫兹外差混频探测器研究获进展

我国石墨烯太赫兹外差混频探测器研究获进展

更高的要求。天线耦合的场效应晶体管支持在频率远高于其截止频率的太赫兹波段进行自混频探测和外差混频探测。前者是直接探测的一种有效方法,可形成规模化的阵列探测器,也是实现基于场效应晶体管的外差混频探测的基础。目前,国际上基于CMOS晶体管实现了本振频率为213GHz的2次(426GHz)和3次(639GHz)分谐波混频探测,但其阻特性限制了工作频率和中频带宽的提升。石墨烯...

类别:市场动态 2017-07-06 14:31:32 标签: 半导体 新材料研究

恩智浦推出新型晶体管为915MHz应用提供750W CW,突破固态射频

 恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)推出业内面向915MHz应用的最高功率晶体管。MRF13750H晶体管提供750W连续波(CW),比目前市场上同类产品高出百分之五十。MRF13750H晶体管基于50V硅技术LDMOS,突破了半导体射频功率放大器的极限,使之成为在功率工业系统中替代真空管的极具吸引力的产品。下面就随模拟电子小编一起来...

类别:综合资讯 2017-07-06 11:21:33 标签: 高功率晶体管 射频能量 固态功率放大器

恩智浦最高功率晶体管突破半导体射频功率放大器极限

电子网消息,全球最大的射频功率晶体管供应商恩智浦半导体( NXP )宣布推出业内面向915MHz应用的最高功率晶体管。据悉,MRF13750H晶体管提供750W连续波(CW),比目前市场上同类产品高出百分之五十。此外,MRF13750H晶体管基于50V硅技术LDMOS,突破了半导体射频功率放大器的极限,使之成为在功率工业系统中替代真空管的极具吸引力的产品。这款晶体管简单易用...

类别:半导体生产 2017-07-05 21:50:42 标签: 恩智浦

恩智浦推出面向915MHz最高功率晶体管

射频功率晶体管供应商恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克代码:NXPI)今日宣布推出业内面向915MHz应用的最高功率晶体管。MRF13750H晶体管提供750W连续波(CW),比目前市场上同类产品高出百分之五十。MRF13750H晶体管基于50V硅技术LDMOS,突破了半导体射频功率放大器的极限,使之成为在功率工业系统中替代真空管的极具...

类别:其他技术 2017-07-05 16:04:27 标签: 恩智浦 晶体管

恩智浦突破固态射频能量极限

全球最大的射频功率晶体管供应商恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布推出业内面向915MHz应用的最高功率晶体管。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。MRF13750H晶体管提供750W连续波(CW),比目前市场上同类产品高出百分之五十。MRF13750H晶体管基于50V硅技术LDMOS,突破了半导体射频功率放大器的极限,使之成为在...

类别:市场动态 2017-07-05 11:55:16 标签: 恩智浦 半导体

碳化硅/氮化镓组件进入商品化 电力电子产业迎来大革命

(Infineon)工业电源控制事业处市场开发总监马国伟(图1)指出,碳化硅具有极佳的材料特性,可以显著降低开关损耗,因此电源开关的操作频率可以大为提高,从而使电源系统的尺寸明显缩小。 至于在转换效率方面,相较于硅晶体管在单极(Unipolar)操作下无法支持电压,碳化硅即便是在电压条件下,一样可以支持单极操作,因此其功率损失、转换效率等指针性能的表现,也显著优于硅组件...

类别:半导体生产 2017-07-03 21:41:43 标签: 碳化硅 氮化镓

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高功率晶体管资料下载

现代电力电子及电源技术的发展立即下载

装置的普及,大功率逆变用的晶闸管、巨型功率晶体管(GTR)和门极可关断晶闸管(GT0)成为当时电力电子器件的主角。类似的应用还包括高压直流输出,静止式无功功率动态补偿等。这时的电力电子技术已经能够实现整流和逆变,但工作频率较低,仅局限在中低频范围内。 1.3 变频器时代 进入八十年代,大规模和超大规模集成电路技术的迅猛发展,为现代电力电子技术的发展奠定了基础。将集成电路技术的精细加工...

类别:开关电源 2013年09月19日 标签: 电力电子电源技术

《开关电源的原理与设计》 张占松,蔡宣三著立即下载

晶体管 4.1.1 晶体管的开关过程 4.1.2 开关时间的物理意义及减小的方法 4.1.3 抗饱和技术 4.2 双极型晶体管的基极驱动电路 4.2.1 一般基极驱动电路 4.2.2 高压双极型晶体管基极驱动电路 4.2.3 比例基极驱动电路 4.3 功率场效应管 4.3.1 功率场效应管的主要参数 4.3.2 功率场效应管的静态特性 4.3.3...

类别:开关电源 2013年08月05日 标签: 开关电源的原理与设计

Switching Power Supply Design Second Edition立即下载

拓扑 1.1 简介 1.2 线性调整器——开关调整器的原型 1.2.1 基本工作原理及优缺点 1.2.2 线性调整器的缺点 1.2.3 串接晶体管功率损耗 1.2.4 线性调整器的效率与输出电压的关系 1.2.5 串接PNP型晶体管的低压差线性调整器 1.3 buck开关型调整器拓扑 1.3.1 基本工作原理 1.3.2 buck调整器的主要电流波形 1.3.3 buck...

类别:开关电源 2013年07月15日 标签: 开关电源

开关电源设计(第二版)立即下载

的教材,也可作为从事开关电源设计、开发的工程师的设计参考资料。 图书目录第1部分拓扑分析第1章基本开关型调整器——buck、boost及反相型拓扑1.1简介1.2线性调整器——开关调整器的原型1.2.1基本工作原理及优缺点1.2.2线性调整器的缺点1.2.3串接晶体管功率损耗1.2.4线性调整器的效率与输出电压的关系1.2.5串接pnp型晶体管的低压差线性调整器1.3buck开关型调整器拓扑...

类别:开关电源 2013年06月18日 标签: 开关电源设计

高功率单管放大器设计立即下载

功率单管放大器设计 功率单管放大器设计 马如涛 (华东电子工程研究所,合肥 230031)【摘要】本文以功率晶体管MRF154放大器设计为例,对匹配电路中片状电容器进行分析,给出了电容器的...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 高功 率单 管放 大器 设计

步进电机控制电路设计立即下载

,当开关K2,K3关断的瞬间,由二极管VD4,VD1提供线圈绕组的续流,电流回路为地→VD4→线圈绕组BA→VD1→电源+Vs.步进电机驱动器中,实现上述开关功能的元件在实际电路中常采用功率MOSFET管.    由步进电机H桥驱动电路原理可知,电流在绕组中流动是两个完全相反的方向.推动级的信号逻辑应使对角线晶体管不能同时导通,以免造成高低压管的直通. ...

类别:工业控制 2013年09月22日 标签: 步进电机控制电路设计

D放大器设计(手提设备首先)立即下载

功率的信号输出,理想情况下,输入信号波形应该没有任何改变地被复制 放大。市场上共存着多种类型功率放大器,并按照晶体管的导通时间分类。 A 类放大器(Class A Amplifier) A 类放大器晶体管总是处于导通状态,也就是说没有信号输入时,晶体管也有输出功率,因 此晶体管会变得很热,大部分功率都浪费在了产生热量上。尽管其效率很低(约 20%),但精 度非常。图 1.1:A 类放大器 B 类...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: D放大器设计 手提设备首先

脉宽调制整流电路介绍立即下载

污染。相关资料表明,电力电子装置生产量在未来的十年中将以每年不低于10%的速度递增,由这类装置所产生的次谐波约占总谐波源的70%以上。因此,谐波治理势在必行。为了抑制电力电子装置产生的谐波,功率因数校正技术应运而生。本文主要对与PWM整流器相关的功率开关器件、主电路拓扑结构和控制方式等进行详细说明,在此基础上对PWM整流技术的发展方向加以探讨。1 功率开关器件PWM整流器的基础是电力电子器件,其...

类别:模拟及混合电路 2013年09月22日 标签: 脉宽调制整流电路介绍

开关电源知识培圳资料立即下载

完全替代可控硅。4. 额定电压:耐压。耐压和电流都是体现驱动能力的重要参数,特别对电力系统,这显得非常重要。5. 温度与功耗。这是一个综合性的参数,它制约了电流能力、开关速度等能力的提高。目前有两个方向解决这个问题,一是继续提高功率器件的品质,二是改进控制技术来降低器件功耗,比如谐振式开关电源。总体来讲,从耐压、电流能力看,可控硅目前仍然是最高的,在某些特定场合,仍然要使用大电流、耐压的可控硅...

类别:开关电源 2013年09月22日 标签: 开关电源知识培圳资料

射频功率放大器设计--讲义立即下载

7.1~7.7 7.7~8.5功率放大器主要技术指标―输出功率最好的功率匹配并不能得到最好的增益匹配。 通常功率器件的增益低于低功率器件的增益。3在宽带系统中要想得到较好的功率输出是很难实现宽带匹配的。 1.饱和输出功率 当功率放大器的输入功率加大到 某一值后,再加大输入功率并不 会改变输出功率的大小,该输出 功率称为功率放大器的饱和输出 功率。 2.1dB压缩点输出功率P1dB 功率放大器...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 功率 放大 器设 讲义

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王传福的野“芯” 北京股商带你起底比亚迪芯片布局怎么样

还是略显鸡肋,但抵不住庞大的市场需求,比亚迪同样也杀入这个红海。 进攻IGBT,助力新能源汽车 所谓的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),就是绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT产品集合了高频...

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漏极,漏磁通,漏感的理解

电感的漏感,怎么理解这些定义?【3】上文说的,漏磁通下降了,漏感就任然可以释放储能,是根据什么?谢谢 漏极,漏磁通,漏感的理解 第一问题涉及MOS管的基本结构 MOS分N和P沟道 漏极相当于双极型晶体管的C极,源极相当于e极,栅极相当b极, 但二者的控制原理不一样,场效应管为压控器件,晶体管为流控器件.当栅源电压大于开启电压时,漏源之间导通,电流由漏极流向源极.也就是说漏极是接正电压的...

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低功耗有毒气体探测器设计

CO-AX传感器技术规格摘要。表2. CO-AX传感器技术规格  对于这种应用中的便携式仪表,实现最长的电池寿命是最重要的目标,因此,必须将功耗降到最低,这一点至关重要。在典型的低功耗系统中,测量电路上电后执行一次测量,然后关断进入长时间待机状态。然而,在这种应用中,由于电化学传感器的时间常数很长,测量电路必须始终保持上电状态。幸运的是,因为响应缓慢,所以我们可以使用微功耗放大器、值电阻和低频滤波器,从...

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说一下利用升压三极管获取功率?

结处运动,此过程类似一个雪崩过程。  集电极的电子通过电源回到发射极,这就是晶体管的工作原理。三极管工作时,两个pn结都会感应出电荷,当做开关管处于导通状态时,三极管处于饱和状态,如果这时三极管截至,pn结感应的电荷要恢复到平衡状态,这个过程需要时间。  下面我们将介绍通过实例来说明利用升压三极管可以获取更多功率的方式。虽然采用的6L6束射功率管尽管已经存在了66年,但是现在仍然十分流行地应用于...

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搞定PA功率放大器那些事!

被发明出来。本质上,晶体管的工作都是表现为一个受控的电流源或电压源,其工作机制是将不含内容的直流的能量转化为“有用的”输出。直流能量乃是从外界获得,晶体管加以消耗,并转化成有用的成分。一个晶体管,我们可以视之为“一个单位”。 不同的晶体管不同的“能力”,例如其承受功率的能力有区别,这也是因为其能获取的直流能量的能力不同所致;例如其反应速度不同,这决定它能工作在多宽多高的频带上;例如其面向输入...

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常用基础电路保护器件作用总结

气体放电管为主,具体应用中放电管类别和型号的选择则需要工程师根据产品应用端口的防护等级以及相关选型参数来确定。2.瞬态抑制二极管的作用:瞬态抑制二极管能以10的负12次方秒量级的速度,将其两极间的阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。3.压敏电阻的作用:压敏电阻是一种限压型保护器件,电路保护中主要是利用...

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各种放大电路的主要任务是使负载上获得尽可能大的不大真电压信号,它们的主要指标是电压放大倍数。而功率放大电路的主要任务则是,在允许的失真限度内,尽可能高效率地向负载提供足够大的功率。因此,功率放大电路的电路形式、工作状态、分析方法等都与小信号放大电路有所不同。对功率放大电路的基本要求是: (1)输出功率要大。输出功率Po = UoIo,要获得大的输出功率,不仅要求输出电压,而且要求输出电流大...

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,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管功率晶体管的强大竞争者。1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的...

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