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高功率晶体管

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微控制器(MCU)架构分析

微控制器(MCU)架构分析

可以经由软件以位单位来设定输出/入方向。各埠附加大电流、耐压的缓冲器,以直接驱动 LED 与高功率晶体管,以及做模 拟讯号的输入之用。    定时器、定时器    定时器(Time Counter)、定时器(Timer),由外加振荡晶体,经除频电路来提供 MCU 数种不 同的时基(Time Base)。常应用于...

类别:其他技术 2018-04-05 14:37:53 标签: 微控制器 MCU

Qorvo® 推出业内最强大的GaN-on-SiC晶体管

Qorvo® 推出业内最强大的GaN-on-SiC晶体管

;Qorvo功率解决方案部总经理Roger Hall表示,“这款新型高功率晶体管无需结合放大器的复杂操作便可实现数千瓦的解决方案,能够大幅节省客户的时间和成本。与LDMOS相比,QPD1025的漏极效率有了显著提升,效率出近15个百分点,这对IFF和航空电子应用来说都非常重要。” Qorvo提供业内种类最多、最具创意的GaN-on-SiC产品组合。Qorvo产品具有...

类别:电子设计 2018-03-22 11:29:07 标签: GaN-on-SiC

Qorvo 推出业内最强大的 GaN-on-SiC 晶体管

Qorvo 推出业内最强大的 GaN-on-SiC 晶体管

,“Qorvo的QPD1025晶体管对市场来说是真正颠覆性的产品。提供与硅基LDMOS和硅双极器件相比,它不仅具备相同的脉冲功率和占空比性能,在效率上还有了显著提升。Qorvo推出的这款功率效率解决方案,在热管理工艺流程中无需采用金刚石等耐温材料,具备极性价比。”Qorvo功率解决方案部总经理Roger Hall表示,“这款新型高功率晶体管无需结合放大器的复杂操作...

类别:半导体生产 2018-03-21 20:12:47 标签: Qorvo GaN-on-SiC 晶体管

恩智浦推出新型晶体管为915MHz应用提供750W CW,突破固态射频

 恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)推出业内面向915MHz应用的最高功率晶体管。MRF13750H晶体管提供750W连续波(CW),比目前市场上同类产品出百分之五十。MRF13750H晶体管基于50V硅技术LDMOS,突破了半导体射频功率放大器的极限,使之成为在功率工业系统中替代真空管的极具吸引力的产品。下面就随模拟电子小编一起来了...

类别:综合资讯 2017-07-06 11:21:33 标签: 高功率晶体管 射频能量 固态功率放大器

恩智浦最高功率晶体管突破半导体射频功率放大器极限

电子网消息,全球最大的射频功率晶体管供应商恩智浦半导体( NXP )宣布推出业内面向915MHz应用的最高功率晶体管。据悉,MRF13750H晶体管提供750W连续波(CW),比目前市场上同类产品出百分之五十。此外,MRF13750H晶体管基于50V硅技术LDMOS,突破了半导体射频功率放大器的极限,使之成为在功率工业系统中替代真空管的极具吸引力的产品。这款晶体管简单易用...

类别:半导体生产 2017-07-05 21:50:42 标签: 恩智浦

恩智浦推出面向915MHz最高功率晶体管

射频功率晶体管供应商恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克代码:NXPI)今日宣布推出业内面向915MHz应用的最高功率晶体管。MRF13750H晶体管提供750W连续波(CW),比目前市场上同类产品出百分之五十。MRF13750H晶体管基于50V硅技术LDMOS,突破了半导体射频功率放大器的极限,使之成为在功率工业系统中替代真空管的极具...

类别:其他技术 2017-07-05 16:04:27 标签: 恩智浦 晶体管

恩智浦突破固态射频能量极限

全球最大的射频功率晶体管供应商恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布推出业内面向915MHz应用的最高功率晶体管。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。MRF13750H晶体管提供750W连续波(CW),比目前市场上同类产品出百分之五十。MRF13750H晶体管基于50V硅技术LDMOS,突破了半导体射频功率放大器的极限,使之成为在...

类别:市场动态 2017-07-05 11:55:16 标签: 恩智浦 半导体

研究人员发现降低GaAs电路成本的新方法

发光二极管(LED),剥离后再放置于另一基板上 (来源:MIT)由于石墨烯比钢强600倍,而且能与下方供体晶圆紧密地接合,使得这一过程得以不断地重复,如同用于大规模生产橡胶车轮的钢模具,有助于石墨烯大量生产结合特殊材料的CMOS晶圆。 这些特殊材料本身还可用于LED、太阳能电池、高功率晶体管或其他组件。 研究团队宣称,单供体晶圆采用这种「复制-贴上」的方式目前还没有次数的限制。该研究团队已经...

类别:半导体生产 2017-04-21 17:07:31 标签: GaAs电路

研究人员发现降低GaAs电路成本的新方法

发光二极管(LED),剥离后再放置于另一基板上 (来源:MIT)由于石墨烯比钢强600倍,而且能与下方供体晶圆紧密地接合,使得这一过程得以不断地重复,如同用于大规模生产橡胶车轮的钢模具,有助于石墨烯大量生产结合特殊材料的CMOS晶圆。 这些特殊材料本身还可用于LED、太阳能电池、高功率晶体管或其他组件。 研究团队宣称,单供体晶圆采用这种「复制-贴上」的方式目前还没有次数的限制。该研究团队已经...

类别:材料技术 2017-04-21 09:31:31 标签: GaAs 石墨烯 晶圆

恩智浦1500 kW射频功率晶体管树立新标杆

恩智浦1500 kW射频功率晶体管树立新标杆

用真空管的理想替代品。  MRF1K50H采用了标准气腔陶瓷封装,其阻抗与当前市场上现有的高功率晶体管兼容:只需进行微小的重新调节,便可移植到现有系统,且无需重新设计印刷电路板(PCB)。 恩智浦的射频功率工业技术级总监Pierre Piel表示:“当移植到现有PCB时,这款新型晶体管可为射频设计者提供市场上最的输出功率和能量吸收。对于需要在最恶劣环境...

类别:分立器件 2016-05-06 17:42:30 标签: 发射机 晶体管 放大器

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高功率晶体管资料下载

高功率单管放大器设计立即下载

功率单管放大器设计 功率单管放大器设计 马如涛 (华东电子工程研究所,合肥 230031)【摘要】本文以高功率晶体管MRF154放大器设计为例,对匹配电路中片状电容器进行分析,给出了电容器...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 高功 率单 管放 大器 设计

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Qorvo正规推出业内最强大的博星GaN-on-SiC晶体管

的QPD1025晶体管对市场来说是真正颠覆性的产品。提供与硅基LDMOS和硅双极器件相比,它不仅具备相同的脉冲功率和占空比性能,在效率上还有了显著提升。Qorvo推出的这款功率效率解决方案,在热管理工艺流程中无需采用金刚石等耐温材料,具备极性价比。” Qorvo功率解决方案部总经理Roger Hall表示,“这款新型高功率晶体管无需结合放大器的复杂操作便可实现数千瓦的解决方案...

0次浏览 2018-03-22 信息发布

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