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高功率晶体管

在电子工程世界为您找到如下关于“高功率晶体管”的新闻

电源管理IC类别与全球电源管理芯片厂商大盘点

,一系列新型电压调整器应运 而生。电源管理用接口电路主要有接口驱动器、马达驱动器、功率场效应晶体管(MOSFET)驱动器以及电压/大电流的显示驱动器等等。电源管理分立式半导体器件则包括一些传统的功率半导体器件,可将它分为两大类,一类包含整流器和晶闸管;另一类是三极管型,包含功率双极性晶体管,含有MOS结构的功率场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT...

类别:综合资讯 2018-01-21 21:01:04 标签: 电源管理 ti 电源管理芯片

华微电子年报预增122%-134%

功率晶体管的专用生产技术,其中大屏幕彩电用反压大功率晶体管的生产技术列入国家"九五"重点科技成果推广计划。...

类别:半导体生产 2018-01-17 19:37:20 标签: 华微电子

TCL集团2017年净利预计达28亿元,华微电子年报预增122%-134%

股东的净利润与上年同期相比,将增加4,938.13万元到5,438.13万元,同比增加121.57%到133.88%。华微电子为国内功率半导体行业的龙头企业,公司主要从事功率半导体器件的设计、芯片加工、封装及销售业务,产品主要服务于家电、绿色照明、计算机及通讯、汽车电子四大领域,并具备自主研发能力,拥有一整套具有自主知识产权的反压大功率晶体管的专用生产技术,其中大屏幕彩电用反...

类别:便携/移动产品 2018-01-16 08:50:12 标签: TCL集团

如何用示波器测量交流电压_示波器测量交流电压方法

。第一台电子管示波器于1931年问世,随着晶体管、集成组件、超小型元件、器件和新型示波管的出现,现代示波器的性能和结构已有显著的改进。示波器测交流电波形的步骤1.首先先将示波器的电源插头与接地端断开2.然后将示波器调整到测试状态3.其次探头调到X10或X100档4.然后示波器调到直流耦合5.最后调整Y轴每格的V数,直到波形最大程度的显示在屏幕上。使用示波器注意事项1.测试前应估算...

类别:综合资讯 2018-01-15 20:32:43 标签: 交流电压 电压 示波器

透过CES新方案/新品看自动驾驶趋势

透过CES新方案/新品看自动驾驶趋势

三大AI平台,涵盖下一代汽车驾驶体验的各个方面,Xavier拥有超过90亿个晶体管,研发历时四年,投入高达20亿美元。 据了解,Xavier将成为NVIDIA DRIVE Pegasus AI 计算平台的重要组成部分,资料显示,Pegasus 是致力于推进 L5 级全自动驾驶机器人出租车的 AI 车载超级计算机,它的外形只有车牌大小,性能却相当于满满一个后备箱的个人电脑...

类别:汽车电子 2018-01-10 18:45:26 标签: CES 自动驾驶 NVIDIA

FPGA的三个时代:可编程技术30年回顾

FPGA的三个时代:可编程技术30年回顾

。早期的FPGA架构师指出,高效的互联体系结构应该遵守集成电路的二维性。 PAL的长而慢的线被相邻块之间的短连接代替,这些短连接可以根据需要通过编程串联在一起以形成更长的路由路径。最初,简单的传输晶体管将信号引导通过互连段到相邻的块。接线效率,因为没有未使用的导线部分。这些优化极大地缩小了互连区域,并使FPGA成为可能。与此同时,由于大电容和通过晶体管开关网络分布的串联...

类别:综合资讯 2018-01-08 14:00:05 标签: FPGA

世强元件电商带来的门类齐全的汽车元器件和解决方案

世强元件电商带来的门类齐全的汽车元器件和解决方案

高热量和功率循环效应,热可靠性强,且具有更持久的工作寿命。广泛应用于电动车驱动、工业驱动、高压变频等领域。  在雷达激光技术上,世强元件电商带来了超小尺寸,更高功率的增强型GaN功率晶体管——EPC2102。EPC2102采用低电感封装,可在高频段工作,具有高密度引脚,由驱动程序、电感器和输出过滤器组成。广泛应用于激光雷达(LiDAR)、汽车电子、电动汽车...

类别:汽车电子 2018-01-07 13:20:28 标签: 世强元件电商 汽车 元器件

CMOS图像传感器步入划时代

CMOS图像传感器步入划时代

要的带宽,因而瞬时噪声也较小。快门会同时对阵列上的所有像素进行曝光。但是CMOS传感器采用这一方法的话,由于每像素需要额外的晶体管,反而占用更多像素空间。另外,CMOS每一像素拥有一个开环输出放大器,而因着晶圆工艺的差异,每一放大器的补偿和增益会有所变化,使或暗的不均匀状况都比CCD传感器差。相对于同级的CCD传感器,CMOS传感器拥有较低的功耗,而芯片上其它电路的功耗...

类别:光学传感器 2018-01-05 10:12:58 标签: CMOS 图像传感器

2017年电子行业十大技术突破

2017年电子行业十大技术突破

通过发光二极管的开发积累了GaN元件技术,GaN芯片生产量占据世界最高份额。若做到现有技术的实用化,将处于世界优势地位。  功率半导体有利于家电、汽车、电车等的节能,产业需求很大。GaN功率半导体中,硅基板上形成横型GaN系的电子迁移率晶体管等设备已经量产,但是,GaN基板上形成GaN的金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)高性能设备的研究刚刚起步。美国也在积极研究,世界...

类别:综合资讯 2018-01-04 19:33:05 标签: 石墨烯 OLED

CMOS图像传感器步入划时代

CMOS图像传感器步入划时代

;1 – CCD-CMOS 特点比较表另一方面,CIS有较低采样频率,可以减小像素读出所需要的带宽,因而瞬时噪声也较小。快门会同时对阵列上的所有像素进行曝光。但是CMOS传感器采用这一方法的话,由于每像素需要额外的晶体管,反而占用更多像素空间。另外,CMOS每一像素拥有一个开环输出放大器,而因着晶圆工艺的差异,每一放大器的补偿和增益会有所变化,使或暗的不均匀状况都比CCD...

类别:数码影像 2018-01-04 18:13:17 标签: CMOS图像传感器 Teledyne-e2v CCD

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高功率晶体管资料下载

《开关电源的原理与设计》 张占松,蔡宣三著立即下载

晶体管 4.1.1 晶体管的开关过程 4.1.2 开关时间的物理意义及减小的方法 4.1.3 抗饱和技术 4.2 双极型晶体管的基极驱动电路 4.2.1 一般基极驱动电路 4.2.2 高压双极型晶体管基极驱动电路 4.2.3 比例基极驱动电路 4.3 功率场效应管 4.3.1 功率场效应管的主要参数 4.3.2 功率场效应管的静态特性 4.3.3...

类别:开关电源 2013年08月05日 标签: 开关电源的原理与设计

现代电力电子及电源技术的发展立即下载

装置的普及,大功率逆变用的晶闸管、巨型功率晶体管(GTR)和门极可关断晶闸管(GT0)成为当时电力电子器件的主角。类似的应用还包括高压直流输出,静止式无功功率动态补偿等。这时的电力电子技术已经能够实现整流和逆变,但工作频率较低,仅局限在中低频范围内。 1.3 变频器时代 进入八十年代,大规模和超大规模集成电路技术的迅猛发展,为现代电力电子技术的发展奠定了基础。将集成电路技术的精细加工...

类别:开关电源 2013年09月19日 标签: 电力电子电源技术

开关电源设计(第二版)立即下载

能同时满足、低b值的晶体管工作要求的设计方案8.2.6驱动效率8.3贝克(baker)钳位8.3.1baker钳位的工作原理8.3.2使用变压器耦合的baker钳位电路8.3.3变压器型baker钳位[5]8.3.4达林顿管(darlington)内部的baker钳位电路8.3.5比例基极驱动[2~4]8.3.6其他类型的基极驱动电路参考文献第9章大功率场效应管(mosfet)及其驱动电路9.1...

类别:开关电源 2013年06月18日 标签: 开关电源设计

Switching Power Supply Design Second Edition立即下载

拓扑 1.1 简介 1.2 线性调整器——开关调整器的原型 1.2.1 基本工作原理及优缺点 1.2.2 线性调整器的缺点 1.2.3 串接晶体管功率损耗 1.2.4 线性调整器的效率与输出电压的关系 1.2.5 串接PNP型晶体管的低压差线性调整器 1.3 buck开关型调整器拓扑 1.3.1 基本工作原理 1.3.2 buck调整器的主要电流波形 1.3.3 buck...

类别:开关电源 2013年07月15日 标签: 开关电源

射频模拟电路立即下载

1. 2 高频小信号调谐放大器 1. 2. 1 高频小信号放大器的基本要求 1. 2. 2 高频晶体管小信号等效电路模型与参数 1. 2. 3 晶体管的高频参数 1....

类别:模拟及混合电路 2013年06月08日 标签: 射频模拟电路

D放大器设计(手提设备首先)立即下载

功率的信号输出,理想情况下,输入信号波形应该没有任何改变地被复制 放大。市场上共存着多种类型功率放大器,并按照晶体管的导通时间分类。 A 类放大器(Class A Amplifier) A 类放大器晶体管总是处于导通状态,也就是说没有信号输入时,晶体管也有输出功率,因 此晶体管会变得很热,大部分功率都浪费在了产生热量上。尽管其效率很低(约 20%),但精 度非常。图 1.1:A 类放大器 B 类...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: D放大器设计 手提设备首先

电子元器件的抗辐射应用立即下载

力的比较是在其它条件相同或相当的前提下进行的,只具有相对的意义,不要把它们绝对化。    1. 双极型器件抗中子辐照的能力差,最敏感的参数是电流放大系数hFE;MOS器件抗电离辐照的能力差,最敏感的参数是阀值电压VT。MOS场效应管的抗中子辐射能力比双极晶体管1~2个数量级,但它的抗电离辐射能力却比双极晶体管低2~3个数量级。   ...

类别:模拟及混合电路 2013年09月18日 标签: 电子元器件的抗辐射应用

高功率单管放大器设计立即下载

功率单管放大器设计 功率单管放大器设计 马如涛 (华东电子工程研究所,合肥 230031)【摘要】本文以功率晶体管MRF154放大器设计为例,对匹配电路中片状电容器进行分析,给出了电容器...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 高功 率单 管放 大器 设计

射频功率放大器设计--讲义立即下载

功率放大器设计--讲义第七讲 功率放大器设计1提高功率放大器的线性,是当前微波电路设计 研究的热点。功率放大器主要技术指标― 工作频带工作频带是指放大器应满足全部性能指标的连续频率范围。2硅双极型晶体管功率放大器和硅金属氧化物场效应管功率放大 器的工作频率是从 300MHz 到 4GHz (注:以上数据是 1995 年前 水平),砷化镓场效应管功率...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 功率 放大 器设 讲义

步进电机控制电路设计立即下载

,当开关K2,K3关断的瞬间,由二极管VD4,VD1提供线圈绕组的续流,电流回路为地→VD4→线圈绕组BA→VD1→电源+Vs.步进电机驱动器中,实现上述开关功能的元件在实际电路中常采用功率MOSFET管.    由步进电机H桥驱动电路原理可知,电流在绕组中流动是两个完全相反的方向.推动级的信号逻辑应使对角线晶体管不能同时导通,以免造成高低压管的直通. ...

类别:工业控制 2013年09月22日 标签: 步进电机控制电路设计

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【转帖】关于运放的一些经典问题

防止输出电压失控。6.为什么一般都在运算放大器输入端串联电阻和电容?(1)如果你熟悉运算放大器的内部电路的话,你会知道,不论什么运算放大器都是由几个几个晶体管或是MOS管组成。在没有外接元件的情况下,运算放大器就是个比较器,同相端电压的时候,会输出近似于正电压的电平,反之也一样……但这样运放似乎没有什么太大的用处,只有在外接电路的时候,构成反馈形式,才会使运放有放大,翻转等功能……7.运算放大器...

0次浏览 2018-01-18 综合技术交流

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功放与音箱匹配技巧与注意事项

和增大失真等现象。好在大都胆机都有可变输出阻抗匹配接口如4-8-16欧,与音箱阻抗匹配已趋简单。   2、对于晶体管功放(石机)与音箱阻抗的匹配   ①音箱阻抗比功放输出阻抗时,除了输出功率不同程度的降低外,无其它影响。   ②音箱阻抗比功放输出阻抗低时,输出功率相应成比例增加,失真度一般不会增加或增加一点点可忽略。但匹配时音箱阻抗不能太低,如低至2欧(指2只4欧音箱并联时),此时只有功...

0次浏览 2018-01-13 【TI模拟技术体验】

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通过电源模块提高电动工具设计的性能

转自:deyisupport 使用电动工具、 园艺工具和吸尘器的家电使用低电压(2至10节)锂离子电池供电的电动机驱动。这些工具使用有刷直流(BDC)或三相无刷直流(BLDC)电机。BLDC电机效率更高、维护少、噪音小、使用寿命更长。 驱动电机功率级的最重要的性能要求是尺寸小、效率、散热性能好、保护可靠、峰值电流承载能力强。小尺寸可实现工具内的功率级的灵活安装、更好的电路板布局性能和低成本...

101次浏览 2018-01-09 【跟TI学电源】

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新颖的想法:创造一个带有较低额定输入电压控制器的150V非同步降压解决方案

来解决问题。这是如何实现的呢?降压控制器通常来源于参考电位(0V)的偏置电源(图1a)。偏置电源来自输入电压;因此,器件需要承受全部的VIN电位。然而,因为开通P通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)所需的栅极驱动电压在VGS低于VIN,P通道降压控制器具有参考VIN(图1b)的栅极驱动电源。关闭P通道MOSFET则仅需简单地将栅极电压变为VIN(0V VGS)(图2)。 图1:N通道...

101次浏览 2018-01-09 【跟TI学电源】

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【转帖】常用的电子元器件失效机理与故障分析

否开路。(4)电容器参数的精确测量。单个电容器容量的精确测量可使用LCR电桥,耐压值的测量可采用晶体管特性测试仪。电感和变压器类此类元件包括电感、变压器、振荡线圈、滤波线圈等。其故障多由于外界原因所引起的,例如,当负载短路时,由于流过线圈的电流超过额定值,变压器温度升高,造成线圈短路、断路或绝缘击穿。当通风不良、温度过高或受潮时,亦会产生漏电或绝缘击穿的现象。对于变压器的故障现象及原因,常见的有以下...

101次浏览 2018-01-03 综合技术交流

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如上所述我们拥有覆盖完整价值链的垂直整合业务模式

),以及表面贴装分立封装(SMD)。 与此同时,Transphorm正在基于我们常闭共源共栅GaN FET——金属绝缘电子迁移晶体管(Metal Insulated High Electron Mobile Transistor)D-Mode器件,开发一种E-Mode技术。这种GaN器件的结构有别于目前市场上其它供应商的E-Mode器件。 YD:Transphorm公司相对GaN产业...

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我们拥有覆盖完整价值链的垂直整合业务模式

,提高了其抗噪能力和器件性能,无需负栅极驱动,并且相比上代产品降低了整体成本。新一代GaN技术可提供传统的通孔封装(through-hole packages, TO-XXX),以及表面贴装分立封装(SMD)。 与此同时,Transphorm正在基于我们常闭共源共栅GaN FET——金属绝缘电子迁移晶体管(Metal Insulated High Electron Mobile Transistor...

0次浏览 2017-12-19 信息发布

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化的半导体公司为高压功率转换应用开发了完整认证的

同时,Transphorm正在基于我们常闭共源共栅GaN FET——金属绝缘电子迁移晶体管(Metal Insulated High Electron Mobile Transistor)D-Mode器件,开发一种E-Mode技术。这种GaN器件的结构有别于目前市场上其它供应商的E-Mo www.cajaj.com/read.php?tid=976267 www.cajaj.com...

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第三代靠谱半导体材料GaN(氮化镓)北京博星安徽表示将成为市场发展新动力

:我们正在努力推出我们的第三代常闭GaN FET技术。该技术的阈值将提高到4.0V,提高了其抗噪能力和器件性能,无需负栅极驱动,并且相比上代产品降低了整体成本。新一代GaN技术可提供传统的通孔封装(through-hole packages, TO-XXX),以及表面贴装分立封装(SMD)。 与此同时,Transphorm正在基于我们常闭共源共栅GaN FET——金属绝缘电子迁移晶体管(Metal...

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第三代半导体材料中证通投资公司专业GaN(氮化镓)将成为市场发展新动力

电子迁移晶体管(Metal Insulated High Electron Mobile Transistor)D-Mode器件,开发一种E-Mode技术。这种GaN器件的结构有别于目前市场上其它供应商的E-Mode器件。 第三代半导体材料中证通投资公司专业GaN(氮化镓)将成为市场发展新动力...

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