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高功率晶体管

在电子工程世界为您找到如下关于“高功率晶体管”的新闻

深入浅出STM32(15-16)和应用笔记

到一条线上。通过一只上拉电阻,在不增加任何器件的情况下,形成“与逻辑”关系。这也是I2C,SMBus等总线判断总线占用状态的原理。如果作为图腾输出必须接上拉电阻。接容性负载时,下降延是芯片内的晶体管,是有源驱动,速度较快;上升延是无源的外接电阻,速度慢。如果要求速度电阻选择要小,功耗会大。所以负载电阻的选择要兼顾功耗和速度。3.可以利用改变上拉电源的电压,改变传输...

类别:ARM单片机 2017-11-08 09:16:11 标签: STM32 FSMC

移动音乐机器人系统电路设计

移动音乐机器人系统电路设计

的L298N,内部有4 通道逻辑驱动电路。用三极管组成H 型平衡桥,驱动功率大,驱动能力强。同时H 型PWM 电路工作在晶体管的饱和状态与截止状态,具有非常的效率。  图5 拍手信号捕获电路直流电机驱动电路设计电机的转速取决于3 个因素:负载、电压和电流。对于一个给定的负载,可以通过脉冲宽度调制的方法来使电机保持稳定的速度。通过改变施加在直流电机上的脉冲宽度...

类别:消费电子 2017-11-06 08:33:41 标签: 移动音乐机器人 系统电路

STM32的八种I/O口的用法

的情况下,形成“与逻辑”关系。这也是I2C,SMBus等总线判断总线占用状态的原理。3.推挽:推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET(PMOS,NMOS,此处可以参考CMOS和TTL的区别那篇),以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小、效率。输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流。推拉...

类别:ARM单片机 2017-11-01 19:27:30 标签: STM32 I O口

#Weekly芯情#京东方AMOLED打破韩国垄断,兆易180亿元投资建厂

雷达芯片,这是是全亚太区第一颗适用于车载雷达的77GHz收发芯片。 CEO陈嘉澍博士讲道,我们所有的产品,从晶体管到电路到架构完全自主研发,并且我们在这方面有许多项专利的保护。目前该产品已达到量产标准,并且已经有客户处于小批量验证和装车试验阶段,最快将在2018年见到量产车问世。希荻微正在与通在无线充电领域深入合作,其开发的三模无线充电芯片HL6101将会在后续的通骁龙...

类别:半导体生产 2017-10-29 18:00:10 标签: AMOLED 京东方

浅谈自动驾驶三大核心传感器技术

浅谈自动驾驶三大核心传感器技术

《EPC增强型GaN-on-Silicon功率晶体管:EPC2045》“得益于GaN器件的快速开关速度、电压和电流性能,激光器每次脉冲的时间更短,发射的光子数量更多,”Lidow说,“因此,LiDAR系统能够‘看’得更远,分辨率更高,更快地创建周围环境的3D数字地图。”基于GaN的激光二极管驱动器占据LiDAR系统总成本的不到5%。“GaN晶体管已经逐渐被GaN集成电路所取...

类别:车用传感器/MCU 2017-10-27 20:29:19 标签: 传感器 自动驾驶

关于STM32GPIO的详细解析

,下降延是芯片内的晶体管,是有源驱动,速度较快;上升延是无源的外接电阻,速度慢。如果要求速度电阻选择要小,功耗会大。所以负载电阻的选择要兼顾功耗和速度。3)可以利用改变上拉电源的电压,改变传输电平。例如加上上拉电阻就可以提供TTL/CMOS电平输出等。4)开漏Pin不连接外部的上拉电阻,则只能输出低电平。一般来说,开漏是用来连接不同电平的器件,匹配电平用的。5)正常的CMOS...

类别:ARM单片机 2017-10-26 09:40:32 标签: STM32 GPIO

关于STM32 GPIO配置模式

关于STM32 GPIO配置模式

0了。这也是I2C,SMBus等总线判断总线占用状态的原理。如果作为输出必须接上拉电阻。接容性负载时,下降延是芯片内的晶体管,是有源驱动,速度较快;上升延是无源的外接电阻,速度慢。如果要求速度电阻选择要小,功耗会大。所以负载电阻的选择要兼顾功耗和速度。    3. 可以利用改变上拉电源的电压,改变传输电平。如图2, IC的逻辑电平由电源...

类别:ARM单片机 2017-10-25 09:48:20 标签: STM32 GPIO 配置模式

盘点2017年半导体产业态势:竞争加剧,中国力量崛起

、微型化、薄型化、低功耗、响应速率快、高分辨率、高精度、功率、模块化等特征,相配套的制作工艺精密化、流程自动化,生产环境也要求越来越高。  我国作为电子元器件的生产和消耗大国,电子元件的产量已占全球的近39%以上。国内厂商始终跟进发展潮流,不断提高自身的技术能力和产品质量,追赶国际先进企业,努力缩短差距,以便更好的满足国内市场对于电子元器件的需求。  摩尔定律濒临极限,但电子信息...

类别:市场动态 2017-10-24 15:49:51 标签: FPGA 物联网

盘点2017年半导体产业态势:竞争加剧,中国力量崛起

元器件成为新时代主体随着下游消费电子产品日益向轻薄化、智能化方向发展,电子元器件也正在进入以新型电子 元器件为主体的新时代。电子元器件由原来只为适应整机的小型化及新工艺要求为主的改进,变成以满足数字技术、微电子技术发展所提出的特性要求为主,而且是成套满足的产业化发展阶段。新型电子元器件具有高频化、片式化、微型化、薄型化、低功耗、响应速率快、高分辨率、高精度、功率、模块化等特征...

类别:半导体生产 2017-10-23 20:12:41 标签: 半导体

盘点2017年半导体产业态势:竞争加剧,中国力量崛起

元器件成为新时代主体随着下游消费电子产品日益向轻薄化、智能化方向发展,电子元器件也正在进入以新型电子 元器件为主体的新时代。电子元器件由原来只为适应整机的小型化及新工艺要求为主的改进,变成以满足数字技术、微电子技术发展所提出的特性要求为主,而且是成套满足的产业化发展阶段。新型电子元器件具有高频化、片式化、微型化、薄型化、低功耗、响应速率快、高分辨率、高精度、功率、模块化等特征...

类别:综合资讯 2017-10-23 18:20:20 标签: 半导体

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高功率晶体管资料下载

《开关电源的原理与设计》 张占松,蔡宣三著立即下载

晶体管 4.1.1 晶体管的开关过程 4.1.2 开关时间的物理意义及减小的方法 4.1.3 抗饱和技术 4.2 双极型晶体管的基极驱动电路 4.2.1 一般基极驱动电路 4.2.2 高压双极型晶体管基极驱动电路 4.2.3 比例基极驱动电路 4.3 功率场效应管 4.3.1 功率场效应管的主要参数 4.3.2 功率场效应管的静态特性 4.3.3...

类别:开关电源 2013年08月05日 标签: 开关电源的原理与设计

现代电力电子及电源技术的发展立即下载

装置的普及,大功率逆变用的晶闸管、巨型功率晶体管(GTR)和门极可关断晶闸管(GT0)成为当时电力电子器件的主角。类似的应用还包括高压直流输出,静止式无功功率动态补偿等。这时的电力电子技术已经能够实现整流和逆变,但工作频率较低,仅局限在中低频范围内。 1.3 变频器时代 进入八十年代,大规模和超大规模集成电路技术的迅猛发展,为现代电力电子技术的发展奠定了基础。将集成电路技术的精细加工...

类别:开关电源 2013年09月19日 标签: 电力电子电源技术

开关电源设计(第二版)立即下载

能同时满足、低b值的晶体管工作要求的设计方案8.2.6驱动效率8.3贝克(baker)钳位8.3.1baker钳位的工作原理8.3.2使用变压器耦合的baker钳位电路8.3.3变压器型baker钳位[5]8.3.4达林顿管(darlington)内部的baker钳位电路8.3.5比例基极驱动[2~4]8.3.6其他类型的基极驱动电路参考文献第9章大功率场效应管(mosfet)及其驱动电路9.1...

类别:开关电源 2013年06月18日 标签: 开关电源设计

Switching Power Supply Design Second Edition立即下载

拓扑 1.1 简介 1.2 线性调整器——开关调整器的原型 1.2.1 基本工作原理及优缺点 1.2.2 线性调整器的缺点 1.2.3 串接晶体管功率损耗 1.2.4 线性调整器的效率与输出电压的关系 1.2.5 串接PNP型晶体管的低压差线性调整器 1.3 buck开关型调整器拓扑 1.3.1 基本工作原理 1.3.2 buck调整器的主要电流波形 1.3.3 buck...

类别:开关电源 2013年07月15日 标签: 开关电源

射频模拟电路立即下载

1. 2 高频小信号调谐放大器 1. 2. 1 高频小信号放大器的基本要求 1. 2. 2 高频晶体管小信号等效电路模型与参数 1. 2. 3 晶体管的高频参数 1....

类别:模拟及混合电路 2013年06月08日 标签: 射频模拟电路

D放大器设计(手提设备首先)立即下载

功率的信号输出,理想情况下,输入信号波形应该没有任何改变地被复制 放大。市场上共存着多种类型功率放大器,并按照晶体管的导通时间分类。 A 类放大器(Class A Amplifier) A 类放大器晶体管总是处于导通状态,也就是说没有信号输入时,晶体管也有输出功率,因 此晶体管会变得很热,大部分功率都浪费在了产生热量上。尽管其效率很低(约 20%),但精 度非常。图 1.1:A 类放大器 B 类...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: D放大器设计 手提设备首先

电子元器件的抗辐射应用立即下载

力的比较是在其它条件相同或相当的前提下进行的,只具有相对的意义,不要把它们绝对化。    1. 双极型器件抗中子辐照的能力差,最敏感的参数是电流放大系数hFE;MOS器件抗电离辐照的能力差,最敏感的参数是阀值电压VT。MOS场效应管的抗中子辐射能力比双极晶体管1~2个数量级,但它的抗电离辐射能力却比双极晶体管低2~3个数量级。   ...

类别:模拟及混合电路 2013年09月18日 标签: 电子元器件的抗辐射应用

高功率单管放大器设计立即下载

功率单管放大器设计 功率单管放大器设计 马如涛 (华东电子工程研究所,合肥 230031)【摘要】本文以功率晶体管MRF154放大器设计为例,对匹配电路中片状电容器进行分析,给出了电容器...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 高功 率单 管放 大器 设计

射频功率放大器设计--讲义立即下载

功率放大器设计--讲义第七讲 功率放大器设计1提高功率放大器的线性,是当前微波电路设计 研究的热点。功率放大器主要技术指标― 工作频带工作频带是指放大器应满足全部性能指标的连续频率范围。2硅双极型晶体管功率放大器和硅金属氧化物场效应管功率放大 器的工作频率是从 300MHz 到 4GHz (注:以上数据是 1995 年前 水平),砷化镓场效应管功率...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 功率 放大 器设 讲义

步进电机控制电路设计立即下载

,当开关K2,K3关断的瞬间,由二极管VD4,VD1提供线圈绕组的续流,电流回路为地→VD4→线圈绕组BA→VD1→电源+Vs.步进电机驱动器中,实现上述开关功能的元件在实际电路中常采用功率MOSFET管.    由步进电机H桥驱动电路原理可知,电流在绕组中流动是两个完全相反的方向.推动级的信号逻辑应使对角线晶体管不能同时导通,以免造成高低压管的直通. ...

类别:工业控制 2013年09月22日 标签: 步进电机控制电路设计

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安泰维修教您如何正确使用万用表?

,这部分刻度密集很差。   二、使用前要调零。   三、不能带电测量。   四、被测电阻不能有并联支路。   五、测量晶体管、电解电容等有极性元件的等效电阻时,必须注意两支笔的极性。   六、用万用表不同倍率的欧姆挡测量非线性元件的等效电阻时,测出电阻值是不相同的。这是由于各挡位的中值电阻和满度电流各不相同所造成的,机械表中,一般倍率越小,测出的阻值越小。   万用表测直流时...

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