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门极电流

在电子工程世界为您找到如下关于“门极电流”的新闻

基于绝热逻辑的低功耗乘法器电路设计方案

基于绝热逻辑的低功耗乘法器电路设计方案

增加,这不得不增加为芯片散热的成本。因而,如文献中所述,电路的低功耗已成为电路设计的重要指标。从已有的研究成果可知,电路中的功率消耗源主要有以下几种:由逻辑转换引起的逻辑门对负载电容充、放电引起的功率消耗;由逻辑中瞬时短路电流引起的功率消耗;由器件的漏电流引起的消耗,并且每引进一次新的制造技术会导致漏电流20倍的增加,漏电流引起的消耗已经成为功率消耗的主要因素。目前降低功耗的...

类别:消费电子 2017-08-14 21:13:36 标签: 绝热逻辑 低功耗 乘法器

安森美半导体与伟诠电子合作推出PD壁式充电器参考设计

安森美半导体与伟诠电子合作推出PD壁式充电器参考设计

NTMFS6B03导通电阻低至4.8 mΩ,最大限度地降低导通损耗,低电荷和电容最大限度地降低驱动损耗。而输出FET采用单P沟道ATPAK功率MOSFET ATP104,具备低导通电阻、大电流、纤薄的封装和4.5 V驱动能力。伟诠的USB PD控制器WT6632F/WT6615F支持USB PD 3.0规范和QC 3.0,用于USB Type-C DFP下行端口(源)充电应用...

类别:综合资讯 2017-08-11 14:31:54 标签: 连接器 快速充电 总线电压

一种新型商用空调逆变器硬件电路方案的研究

一种新型商用空调逆变器硬件电路方案的研究

dvCE/dt,它会引起一个位移电流 的流动,从而对上桥臂IGBT的-集电极寄生电容CCG进行充电。电容CCG和CGE形成一个容性分压器,图6示例了电流iCG流经IGBT米勒电容的路径。  电流iCG流经米勒电容、串联电阻、CGE与直流母线。这个电流在电阻两端产生电压差 ,如果该电压差超过IGBT的阈值电压VGEth,就将引起IGBT的寄生导通。  图6...

类别:白色家电 2017-07-17 20:09:58 标签: 商用空调 IGBT模块 磁隔离驱动IC

如何通过一站式IPM方案满足工业、汽车、消费等的需求

如何通过一站式IPM方案满足工业、汽车、消费等的需求

变频器、工业泵和工业风扇等,这些模块集成了内置 IGBT 已优化的驱动,使用 Al2O3陶瓷基板实现低热阻,从而优化EMI性能和最小化损耗,同时提供欠压锁定、过流关断和故障报告等多种保护特性。内置高速 HVIC 仅需要单电源电压并将收到的逻辑电平输入信号转换为高电压、高电流驱动信号,从而有效驱动模块的内部 IGBT。其中1200 V系列主要针对要求小型化的3相变频器应用...

类别:工业电子 2017-07-06 20:35:40

三菱电机强势出击PCIM亚洲2017展

三菱电机强势出击PCIM亚洲2017展

2017上,三菱电机为铁道牵引和电力传输,带来三款功率模块,分别为新推出的3.3kV及6.5kV HVIPM、X系列的单管及双管HVIGBT模块,适合牵引变流器及直流输电应用。  首次亮相展会的3.3kV及6.5kV HVIPM,可应用于铁道牵引、电力传输和高可靠性变流器等。它集成驱动和保护电路,实现短路保护(片上),过温保护(片上)及欠压保护;低饱和压...

类别:综合资讯 2017-07-06 13:34:47 标签: 三菱电机 功率器件

如何通过一站式IPM方案满足工业、汽车、消费等不同需求

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变频器、工业泵和工业风扇等,这些模块集成了内置 IGBT 已优化的驱动,使用 Al2O3陶瓷基板实现低热阻,从而优化EMI性能和最小化损耗,同时提供欠压锁定、过流关断和故障报告等多种保护特性。内置高速 HVIC 仅需要单电源电压并将收到的逻辑电平输入信号转换为高电压、高电流驱动信号,从而有效驱动模块的内部 IGBT。其中1200 V系列主要针对要求小型化的3相变频器应用...

类别:综合资讯 2017-07-05 16:45:15 标签: IPM

中国芯守护高铁“命脉”

中国芯守护高铁“命脉”

  6月26日上午11时05分,两列“复兴号”从京沪两地同时对开首发。这是中国标准动车组的正式亮相。中国标准少不了“中国芯”——大功率IGBT(绝缘栅双型晶体管)技术。正是它悄然把控着机车的自动控制和功率变换。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。  这项被誉为“皇冠上的明珠”的现代机车车辆技术,被德国、日本等国把控了30年。如今,由中车株洲电力机车研究所有限公司...

类别:综合资讯 2017-07-03 17:24:23 标签: 中国芯 IGBT

交流斩波调压器中PWM控制的FPGA实现

交流斩波调压器中PWM控制的FPGA实现

制单管反串联交流斩波式调压电路。表1为带电流检测的非互补信号的控制逻辑。图1 单管反串联交流斩波式调压电路表1 带电流检测的非互补信号控制逻辑表1中区间的划分依据为电压与电流的极性关系,根据极性关系可划分四个区,每个区各个IGBT开关对应不同的控制逻辑。其中“1”表示IGBT施加驱动信号;“0”表示IGBT信号封锁;Ug表示斩波开关与续流开关的PWM驱动信号。2 PWM...

类别:市场动态 2017-07-03 17:07:23 标签: 交流斩波调压器 PWM FPGA

中车株洲所IGBT亮相复兴号高铁

6月26日上午11时05分,两列“复兴号”从京沪两地同时对开首发。这是中国标准动车组的正式亮相。中国标准少不了“中国芯”——大功率IGBT(绝缘栅双型晶体管)技术。正是它悄然把控着机车的自动控制和功率变换。这项被誉为“皇冠上的明珠”的现代机车车辆技术,被德国、日本等国把控了30年。如今,由中车株洲电力机车研究所有限公司(以下简称“中车株洲所”)研发突破,实现了自主国产化...

类别:半导体生产 2017-07-02 21:12:37 标签: 中车株洲 大功率IGBT 复兴号

中车株洲所IGBT亮相复兴号高铁

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类别:半导体生产 2017-07-01 21:02:53 标签: IGBT

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门极电流资料下载

闸流管和双向可控硅的应用技术立即下载

这篇技术文献的目标是提供有趣的、描述性的、实际的介绍,帮助读者在功率控制方面成功应用闸流管和双向可控硅,提出指导工作的十条黄金规则。闸流管闸流管是一种可控制的整流管,由向阴极送出微小信号电流即可触发单向电流自阳极流向阴极。导通让相对阴极成正极性,使产生电流,闸流管立即导通。当电压达到阀值电压VGT,并导致电流达到阀值IGT,经过很短时间tgt(称作控制导通时间)负载电流从...

类别:模拟及混合电路 2013年09月22日 标签: 闸流管和双向可控硅的应用技术

晶闸管(可控硅)资料立即下载

晶闸管的外形有两种:螺栓型和平板型。晶闸管的结构和等效电路如下图所示,晶闸管的管芯是P1N1P2N2四层半导体,形成3个PN结J1、J2和J3。2. 晶闸管的工作原理νIG↑→Ib2↑→IC2(Ib1)↑→IC1↑(1) 欲使晶闸管导通需具备两个条件:① 应在晶闸管的阳极与阴极之间加上正向电压。② 应在晶闸管的与阴极之间也加上正向电压和电流。(2) 晶闸管一旦导通,即失去控制作用,故晶闸管...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 晶闸

电风扇无级调速器课题立即下载

负,T2为正;电压G为负,T2为正。2.双向晶闸管的参数1)双向晶闸管额定通态电流不同于普通晶闸管的额定通态电流。前者用交流有效值标定,后者用正弦半波平均值标定,选择晶闸管时不能混淆。例如双向晶闸管额定通态电流为100A,若用两个反并联的普通晶闸管代替,按有效相等的原则,得 ,所以, 。因此一个100A的双向晶闸管与两个45A反并联的普通晶闸管等效。2)在选择双向晶闸管的额定通态电流时,要...

类别:开关电源 2013年09月22日 标签: 电风扇无级调速器课题

场效应管工作原理立即下载

JFET 的电气特性 的特点。 首先,-源间电压以 0V时考虑(VGS =0)。在此状态下漏-源间电压 VDS 从 0V增加,漏电流ID几乎与VDS 成比例增加,将此区域称为非饱和区。VDS 达到某值以上漏电流ID 的变化变小,几乎达到一定值。此时的ID 称为饱和漏电 流(有时也称漏电流用IDSS 表示。与此IDSS 对应的VDS 称为夹断电压VP ,此 区域称为饱和区。 其次在漏-源间...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 场效应管 工作原理

电工技师复习题立即下载

电工技师考试复习题,我现在用的,拿出来和大家分享,有很多,将陆续上传一、是非题:1、磁力线是磁场中实际存在着的若干曲线,从磁极N出发而终止于磁极S 。2、两根平行的直导线同时通入相反方向的电流时,其间作用力相互排斥。 3、两个固定的互感线圈,若磁路介质改变,其互感电动势不变。 4、涡流产生在与磁通垂直的铁心平面内,为了减少涡流,铁心采用图有绝缘层的薄硅钢片叠装而成。5、通电线圈产生磁场的强弱,只...

类别:开关电源 2013年09月22日 标签: 电工技师复习题

带电流检测的门极驱动电路IR212X应用手册立即下载

电流检测的驱动电路IR212X应用手册 带电流检测的驱动ICs: IR212X应用手册 IR212X概要 IR212X器件介绍 电流检测原理 电流检测电路结构 布线注意事项 IR212X器件介绍 IR有四款单通道驱动器具有电流检测功能。IR2121 和 IR2125 分别为低端和高端驱动器,它们具有较高的驱动能力(1A 出/2A 入)。这两款器件...

类别:IC设计及制造 2013年07月31日 标签: IR212X 应用手册

爆炸和火灾危险环境电力装置设计规范 GB50058-92立即下载

危险区域划分举例见附录二。图2.3.16释放源上面有排风罩时的爆炸危险区域范围图2.3.17易燃液体、液化易燃气体、压缩易燃气体及低温液体释放源位于户外地坪上方。第四节爆炸性气体混合物的分级、分组第2.4.1条爆炸性气体混合物,应按其最大试验安全间隙(MDSG)或最小点燃电流(MIC)分级,并应符合表2.4.1的规定。最大试验安全间隙(MESG)或最小点燃电流(MIC)分级表2.4.1级别...

类别:消费电子 2013年09月22日 标签: 爆炸 火灾 火灾危险 危险 环境

现代电力电子及电源技术的发展立即下载

技术和高压大电流技术有机结合,出现了一批全新的全控型功率器件、首先是功率M0SFET的问世,导致了中小功率电源向高频化发展,而后绝缘双极晶体管(IGBT)的出现,又为大中型功率电源向高频发展带来机遇。MOSFET和IGBT的相继问世,是传统的电力电子向现代电力电子转化的标志。据统计,到1995年底,功率M0SFET和GTR在功率半导体器件市场上已达到平分秋色的地步,而用IGBT代替GTR在电力...

类别:开关电源 2013年09月19日 标签: 电力电子电源技术

电力电子技术期末考试试卷立即下载

一个管芯上而成( B )①大功率三极管  ②逆阻型晶闸管  ③双向晶闸管   ④可关断晶闸管6.已经导通了的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流(A  )①减小至维持电流IH以下        ②减小至擎住电流IL以下③减小至触发电流IG以下    ④减小至5A以下7. 单相半波可控...

类别:逆变电源 2013年09月20日 标签: 电力电子技术期末考试试卷

脉宽调制整流电路介绍立即下载

与普通整流器和相控整流器的不同之处是采用了全控型器件。目前在PWM整流器中得到广泛应用的电力电子器件主要有如下几种。1.1 极可关断晶闸管(GTO)GTO是最早的大功率可关断器件,是目前阻断电压最高和通态电流最大的全控型器件,已达6kV/6kA的制造水平。它由控制导通和关断,具有通过电流大、通态电压低、导通损耗小,dv/dt耐量高等优点,在大功率的场合应用较多。但是,GTO的缺点也很明显,诸...

类别:模拟及混合电路 2013年09月22日 标签: 脉宽调制整流电路介绍

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N MOSFET VGS(th)和管子导通的关系 ?

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漏极,漏磁通,漏感的理解

看到书上讲推完变换器的原理,说道当MOS管开通,由于变压器次级在整流二极管反向恢复时间内造成的短路,漏电流将出现尖峰在MOS管关断时,高频变压器的漏磁通下降,漏感依然将释放储能,变压器绕组上,相应地在MOS管的漏-源稳态截止电压上,出现电压尖峰。 我的问题如下【1】MOS管的漏就是相当于三极管的集电极,为什么要说成漏,漏这个说法我一直不明白?【2】经常可以看到说变压的漏磁,漏磁通,或者...

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问题,但就楼主说的喇叭功放越来越小,直至没有声音,这类问题,因为喇叭需要一定的输入功率才能推动,这种现象,就要从原理图到实物连接好好查查 “例如:我接喇叭的功放会越来越小声,直到没有声音” 因为没有看到电原理图,更没有看到实物,只能猜测。 如果是分立元件,一种可能是静态电流没有调整好,一段时间后温度升高造成的。另外,散热太差也可能产生这种现像。 要得到准确的解释,你必须提供足够的信息...

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;  VRRM--反向反复峰值电压   IDRM--断态重复峰值电流    ITSM--通态一个周波不反复浪涌电流   VTM--通态峰值电压   IGT--触发电流   VGT--触发电压   IH--维持电流    dv/dt--断态电压临界上升...

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