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长江存储

在电子工程世界为您找到如下关于“长江存储”的新闻

        集微网消息(文/小北)近日,长江存储好消息频传,继32层3D NAND将于2018年底前投产,又有业内人士透露,Xtacking架构64层NAND已送样至合作伙伴进行测试。长江存储有望在2020年进入128层3D NAND并与国际大厂展开竞争。        今年4月,长江存储武汉...
类别:综合资讯 2018-11-15 标签: 长江存储 3D NAND
        尽管受到来自美国方面的批评与制裁,半导体产业仍受到大陆政府全力扶植,近日传出,2016年在湖北武汉成立、总投资达240亿美元的长江存储正加快建设步伐,有望在2018年年底投产,实现每月30万片晶圆的产能目标。        大陆是全球存储器芯片消费的第一大国,但关键技术上几乎仰赖...
类别:便携/移动产品 2018-11-15 标签: 长江存储
长江存储 年底可望投产,每月30万片晶圆
尽管受到来自美国方面的批评与制裁,半导体产业仍受到大陆政府全力扶植,近日传出,2016年在湖北武汉成立、总投资达240亿美元的长江存储正加快建设步伐,有望在2018年年底投产,实现每月30万片晶圆的产能目标。 大陆是全球存储器芯片消费的第一大国,但关键技术上几乎仰赖境外,为此,大陆政府在“十三五”规划与“中国制造2025”中,均将推动本土半导体产业发展作为重...
类别:存储技术 2018-11-14 标签: 长江存储
长江存储杨士宁:Xtacking™架构有三大技术突破,64层3D NAND将
   9月19日,2018年中国闪市场峰会(CFMS2018)在深圳举行,长江存储总经理杨士宁博士以“创新Xtacking™架构:释放3D NAND潜能”为主题,介绍长江存储Xtacking™架构的技术优势和长江存储3D NAND新进展。如今我们终端设备需要存储的数据越来越多,随着人工智能的应用,要求分析数据的速率也越来越快。杨士宁表示,闪市场增...
类别:存储技术 2018-09-19 标签: 长江存储
致力于打造“中国芯”的长江存储再传好消息。8月7日,长江存储公开发布Xtacking技术。该技术将为三维闪提供更高的读写性能和更高的存储密度,同时缩短产品研发周期。传统三维闪架构中,外围电路与存储单元共享芯片面积。生产时,外围电路和存储单元需同时进行加工,二者容易互相掣肘,对工艺要求极高。Xtacking技术将外围电路置于存储单元之上,让芯片加工从平面走向立体。即在一片...
类别:存储技术 2018-08-08 标签: 长江存储
   今日长江存储正式公开了其突破性技术——XtackingTM。据悉,该技术将为3D NAND闪带来前所未有的I/O高性能,更高的存储密度,以及更短的产品上市周期。同时,该技术可应用于智能手机、个人计算、数据中心和企业应用等领域,并将开启高性能、定制化NAND解决方案的全新篇章。目前,长江存储已成功将Xtacking TM技术应用于其第二代3D...
类别:综合资讯 2018-08-08 标签: 3D NAND
刁石京表示长江存储闪存芯片四季度量产
  4日,在位于武汉东湖高新区的长江存储科技有限责任公司(国家存储器基地),紫光集团联席总裁刁石京透露,中国首批拥有自主知识产权的32层三维NAND闪芯片将于今年第四季度在此实现量产。  中新社记者 张斌 摄  据悉,长江存储于2017年成功研发中国首颗32层三维NAND闪芯片,并获得中国电子信息博览会(CITE2018)金奖。  这颗芯片,耗资10亿美元,由1000人...
类别:市场动态 2018-08-06 标签: 长江存储
刁石京:长江存储闪存芯片第四季度实现量产
   4日,在位于武汉东湖高新区的长江存储科技有限责任公司(国家存储器基地),紫光集团联席总裁刁石京透露,中国首批拥有自主知识产权的32层三维NAND闪芯片将于今年第四季度在此实现量产。  中新社记者 张斌 摄  据悉,长江存储于2017年成功研发中国首颗32层三维NAND闪芯片,并获得中国电子信息博览会(CITE2018)金奖。  这颗芯片,耗资10...
类别:存储技术 2018-08-06 标签: 长江存储
刁石京:长江存储闪存芯片第四季度实现量产
    4日,在位于武汉东湖高新区的长江存储科技有限责任公司(国家存储器基地),紫光集团联席总裁刁石京透露,中国首批拥有自主知识产权的32层三维NAND闪芯片将于今年第四季度在此实现量产。  中新社记者 张斌 摄  据悉,长江存储于2017年成功研发中国首颗32层三维NAND闪芯片,并获得中国电子信息博览会(CITE2018)金奖。  这颗...
类别:综合资讯 2018-08-06 标签: 长江存储
一文了解长江存储、合肥长鑫、福建晋华的最新进展
第一季三星、海力士、美光在DRAM产业的市占率合计共占95.4%的市场份额,而中国存储厂商在该市场的份额依然为零。目前,我国存储领域已形成包括发展NAND Flash的长江存储,专注移动式内的合肥鑫以及致力于利基型内的福建晋华三大阵营。值得注意的是,今年将是中国存储产业发展的关键节点,那么三家厂商目前的进度如何?福建晋华福建省晋华集成电路有限公司(简称晋华集成电路,JHICC...
类别:综合资讯 2018-06-04 标签: 长江存储

长江存储相关帖子

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2005 年10 月 世界首次开发成功70nm DRAM,开发出世界上速度最快的图形DRAM(GDDR4) 2006 年 研发出50 纳米DDR,2008 年4 月量产 2009 年2 月 研发出世界首款40 纳米1GB DDR2 内 2010 年7 月 成功研发出世界首款30 纳米级2GB DDR3 DRAM 虽然国内对内芯片越来越重视,也出现了长江存储、紫光国微等企业,但国内厂商...
101次浏览 2018-10-10 信息发布

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(三比特单元)为主,下半年部分原厂已经转为96层TLC或者64层QLC(四比特单元)。“目前来看,大规模量产将集中在2019年上半年,量产容量基本是256GB或512GB,也有部分原厂采用64层QLC量产1TB技术比如美光,长江存储也计划明年量产64层TLC。”邰炜表示。   据介绍,目前NAND2D极限容量已从128GB上升到64层512GB,96层会以512GB过渡,技术成熟以后量产到1TB技术...
101次浏览 2018-10-09 信息发布

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了国外CPU,但由于缺乏产业生态支撑,还无法与占主导地位的产品竞争。 3.存储器差距较大 目前全球存储芯片主要有三类产品,根据销售额大小依次为:DRAM、NANDFlash以及NorFlash。 在内和闪领域中,IDM厂韩国三星和海力士拥有绝对的优势,截止到2017年,在两大领域合计市场份额分别为75.7%和49.1%,中国厂商竞争空间极为有限,武汉长江存储试图发展3DNandFlash...
101次浏览 2018-10-09 信息发布

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CFMS2018近日成功举办,来自三星、西部数据、英特尔、美光、长江存储等全球存储业大咖,与行业人士共同探讨3D NAND技术的发展未来。我们来看看他们都说了什么。 三星:看好在UFS市场的绝对优势 三星大中华区首席技术官裵容徹先生表示,三星不断进行技术创新,新一代的QLC产品成本可以降低60%,同时还推出了容量高达1Tb的V-NAND技术,速度将会达到1200Mbps。在市场应用方面,三星...
101次浏览 2018-09-20 信息发布 标签: 华强旗舰 闪存芯片

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面,在国家政策和资金扶持下的中国存储企业正在快马加鞭加快量产;另一方面,则在加强进行反垄断调查。由于三星、SK海力士与美光在DRAM市场囊括约96%的市场占有率,继去年年底三星遭发改委约谈之后,中国反垄断机构前几个月前又约谈了美光。未来反垄断调查的事件可能将持续发生,并或从侧面抑制存储器涨幅。   今年对于中国存储产业而言是关键节点,在NAND闪为主的长江存储、专注于手机内的合肥鑫以及利基型...
101次浏览 2018-09-19 信息发布

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存储芯片的管理技术,在保护存储芯片信息安全中有着举足轻重的作用。 还是以SSD为例,从成本上来说,存储芯片大概占SSD硬盘物料成本的70%或更多。控制器芯片在物料成本中占据10~15%的比例,不是最贵的部件,但也非常重要。 因存储芯片的巨大市值,目前国内已被长江存储、福建晋华、合肥鑫等一批国家队看重,风光无限;但是,决定最终产品性能以及国家看重的资讯安全的并不是存储芯片,而是控制器芯片...
101次浏览 2018-09-07 信息发布

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    北京股商安徽分公司SK海力士正规宣布业内首款4D闪     在美国举办的闪行业会议中,在Keynote环节,SK海力士位于倒数第二个出场(排在我国的长江存储前),它在NAND市场的全球份额排名第五,DRAM份额全球第二。     首先是3D NAND的技术路线选择。     SK海力士称,CTF...
202次浏览 2018-08-10 信息发布

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失去了上涨的动力。另外,新竞争者的加入也将影响该行业。据分析称,中国国内三大存储芯片公司——长江存储、福建晋华和合肥鑫,即将进行内芯片量产。 业内电子元器件采购交易人士表示,“直到明年上半年,中国公司的生产规模将很小,但随着利润率的提高,产量会增加,这将将会对明年下半年的半导体市场产生影响。” 内芯片产成本降低,将影响内芯片厂商...
101次浏览 2018-07-31 信息发布

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影响较小,约影响毛利率0.2个百分点。但是在2018年硅晶圆价格上涨的情况下,影响可能扩大至0.5到1个百分点。市场预期,一线大厂在2019年重新进行硅晶圆的合约议价后,毛利率减损恐会扩大。而相较于一线晶圆代工大厂,在二线厂中GlobalFoundries、世界先进、联电、中芯国际与长江存储等多家厂商,预计受冲击程度恐将加大。事实上,在过去的一波涨价潮中,二线晶圆代工厂的受惠程度是高于台积电等一线...
303次浏览 2018-07-25 信息发布

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内将持续扩充闪产能,为跨入96层、甚至更高层数而加大投入力度。可见,3D NAND闪已经成为国际存储器厂商间的“主战场”。   另一方面,以长江存储为代表的中国存储器厂商,也加快了项目进展的步伐。据公开资料显示,由长江存储主导的国家存储器基地已于2018年4月11日,正式进场安装生产设备。同时,专注于行动式内的合肥鑫,以及晋华集成的试产时间也调快至2018年下半年。可以说,2018年或将成...
202次浏览 2018-07-17 信息发布

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