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超结N沟道

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东芝推出EMI性能更佳的600V/650V超结N沟道功率MOSFET
东芝公司(TOKYO:6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V/650V超结N沟道功率MOSFET,该产品适用于工业和办公设备。该新“DTMOS V系列”最初将提供12款产品。样品发货即日启动,批量生产发货计划于3月中旬启动。该新系列拥有与东芝当前的“DTMOS IV系列”相同水平的低导通电阻、高速开关性能,同时,其优化的设计流程使EMI...
类别:其它技术 2017-03-20 10:34:36 标签: 东芝 EMI 600V/650V 超结N沟道 功率 MOSFET

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