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超结N沟道

在电子工程世界为您找到如下关于“超结N沟道”的新闻

东芝推出EMI性能更佳的600V/650V超结N沟道功率MOSFET

东芝推出EMI性能更佳的600V/650V超结N沟道功率MOSFET

东芝公司(TOKYO:6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V/650VN沟道功率MOSFET,该产品适用于工业和办公设备。该新“DTMOS V系列”最初将提供12款产品。样品发货即日启动,批量生产发货计划于3月中旬启动。该新系列拥有与东芝当前的“DTMOS IV系列”相同水平的低导通电阻、高速开关性能,同时,其优化的设计流程使EMI...

类别:其它技术 2017-03-20 10:34:36 标签: 东芝 EMI 600V/650V 超结N沟道 功率 MOSFET

东芝面向高效电源推出800V超级结N沟道功率MOSFET

东芝面向高效电源推出800V超级结N沟道功率MOSFET

东芝公司(TOKYO:6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布面向高效电源推出具备改进的低导通电阻、高速开关的800V超级N沟道功率MOSFET。“DTMOS IV系列”的八款新MOSFET利用结构,与东芝之前的“π-MOSVIII系列”相比,其可将其单位面积导通电阻(RON x A)降低近79%。 该系列产品改进的高速开关还有助于提高使用该系列产品的芯片组的...

类别:电源模块 2017-03-20 10:18:58 标签: 东芝 高效电源 800V MOSFET

Fairchild发布具有一流效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列

Fairchild发布具有一流效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列

加利福尼亚桑尼维尔 – 2016 年 9月 21日 — Fairchild,现在是安森美半导体的一部分,今天推出了其SuperFET® III系列,用于650V N沟道MOSFET,这是该公司新一代的MOSFET,可满足最新的通信、服务器、电动车(EV)充电器和太阳能产品的更高功率密度、系统效率和优越的可靠性要求。  ...

类别:分立器件 2016-09-21 14:14:45 标签: 服务器 器件 电压

Vishay将在2016慕展上展出应用于汽车的业内领先技术和产品

、用于帮助实现高效AC/DC转换的高压E系列MOSFET,以及用于马达驱动、电动助力转向、变速箱控制和喷油嘴驱动的符合AEC-Q101认证SQ Rugged系列MOSFET。同时展出的还有400V - 600V D系列器件;具有低导通电阻 × 栅极电荷优值(FOM)的TrenchFET第四代N沟道MOSFET;以及具有业内低导通电阻的P沟道器件。  ...

类别:汽车电子 2016-03-11 10:12:47 标签: Vishay 慕尼黑上海电子展 马达驱动

Vishay将在2016慕尼黑上海电子展展出汽车电子最新的业内领先技术和产品

)的TrenchFET®第四代N沟道MOSFET;以及具有业内低导通电阻的P沟道器件。     Vishay Siliconix还将演示其80V - 100V ThunderFET® MOSFET在隔离式总线转换器级中的高效率及高功率密度;其PowerPAIR TrenchFET第四代解决方案在负载点功率级中的最佳电和热性能;以...

类别:行业动态 2016-03-05 18:58:35 标签: 2016慕尼黑上海电子展 Vishay 汽车电

Vishay用于汽车和其他电子领域的领先技术和产品将参慕展

帮助实现高效AC/DC转换的高压E系列MOSFET,以及用于马达驱动、电动助力转向、变速箱控制和喷油嘴驱动的符合AEC-Q101认证SQ Rugged系列MOSFET。同时展出的还有400V - 600V D系列器件;具有低导通电阻 × 栅极电荷优值(FOM)的TrenchFET®第四代N沟道MOSFET;以及具有业内低导通电阻的P沟道器件。  ...

类别:展览/会议 2016-03-04 09:57:39 标签: Vishay 2016慕展

半导体厂商重兵集结汽车电子,深挖智能汽车

半导体厂商重兵集结汽车电子,深挖智能汽车

    随着汽车产业的发展以及人们环保意识的抬头,节能的绿色动力已成为汽车发展的主流和消费者关注的热点,将智能引入功率技术,以智能方式提高能效,是未来的发展趋势。     近日,意法半导体针对汽车市场推出了新系列高压N沟道功率MOSFET。新产品通过AEC-Q101汽车测试认证,采用意法半导体最先进、内置快速...

类别:行业动态 2016-01-26 20:39:20 标签: 半导体厂商 汽车电子 智能汽车

智能汽车大战当前,半导体厂商都没闲着

基础设施)等安全应用。 将智能引入功率技术 随着汽车产业的发展以及人们环保意识的抬头,节能的绿色动力已成为汽车发展的主流和消费者关注的热点,将智能引入功率技术,以智能方式提高能效,是未来的发展趋势。 近日,意法半导体针对汽车市场推出了新系列高压N沟道功率MOSFET。新产品通过AEC-Q101汽车测试认证,采用意法半导体最先进、内置快速恢复二极管的...

类别:汽车电子 2016-01-21 17:24:09 标签: 智能汽车 半导体 V2X MOSFET 视觉处理器 ADAS 雷达芯片

Vishay在2016 Automotive World展出众多针对汽车应用的技术和产品

Automotive World 2016上,Vishay Siliconix展出用于马达驱动装置、电动助力转向、变速箱控制及喷嘴驱动装置的SQ Rugged Series 超薄、高功率密度功率MOSFET。采用低导通电阻n沟道和p沟道TrenchFET®技术,SQ Rugged 系列 MOSFET的额定最大温为+175 °C,提供坚固耐用的芯片设计,并提供多种...

类别:车身电子 2016-01-13 16:31:32 标签: 二极管 光电子产品 逆变器

ST推出新款功率MOSFET,实现更小、更环保的汽车电源

ST推出新款功率MOSFET,实现更小、更环保的汽车电源

    中国,2015年12月23日——意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)针对汽车市场推出了新系列高压N沟道功率MOSFET。新产品通过AEC-Q101汽车测试认证,采用意法半导体最先进、内置快速恢复二极管的MDmeshTM DM2制造工艺,击穿电压范围为400V至650V...

类别:分立器件 2015-12-23 18:36:06 标签: ST MOSFET 汽车

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高压超结Super Junction结构及工作原理

电场将栅极下的P区反型,在栅极下面的P区产生N型导电沟道,同时,源极区的电子通过导电沟道进入垂直的N+区,中和N+区的正电荷空穴,从而恢复被耗尽的N+型特性,因此导电沟道形成,垂直N+区掺杂浓度高,具有较低的电阻率,因此导通电阻低。图3:内建横向电场的SuperJunction结构 比较平面结构和沟槽结构的功率MOSFET,可以发现,型结构实际是综合了平面型和沟槽型结构两者的特点,是在平面型...

101次浏览 2016-11-09 信息发布 标签: 工作原理 Super 融创芯城

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一个结的精彩

N区浓度低, jFET是耗尽型元件,区比UJT长得多,足以成为沟道,PN区浓度相近,通态电阻比UJT小, 合金结三极管实际上是锗管,不是肖特基模式,那两颗铟珠是为给N型锗改性成P而设(其实这样用铟蛮浪费的)。 UJT是负阻器件,跟隧道二极管一样,也是个PN,都是正向运用, 跟隧道二极管不同,UJT的不对称,大小与浓度皆悬殊,而伏安特性却与普通二极管无异,既没特别,负阻何来...

1788次浏览 2015-07-12 【分立器件】 标签: 元素周期表

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MOSFET封装进步帮助提供超前于芯片组路线图的移动功能

;MOSFET的设计参照了几项相互冲突的参数;在物理尺寸小、能进行快速高能效开关的元件中,难于实现低导通电阻及将开关应用的能耗降至最低。为了实现这些参数的高质量组合,元件必须拥有小裸片尺寸,并带有高单元密度及低电容和低闸极电荷。 移动设备用MOSFET的微型化        通常情况下,有多种设计手段可行。功率MOSFET设计人员倾向于使用...

602次浏览 2014-05-25 【跟TI学电源】 标签: 路线图 芯片组

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再续点评Vishay视频 抢楼拿奖进行到底

高效率(业界最高),Vishay的功率器件确实做的很厉害! http://www.eeworld.com.cn/Vishay/2013/1121/down_948.html 快二极管 好给力啊,具有耐175度的高温不说,泄漏电流更是在600V的高压下才20uA,正向压降在8A,150摄氏度才0.85V.而且能够适用于各种各样的场合。希望能够多多的推广啊! http...

12606次浏览 2013-12-02 【分立器件】 标签: Vishay 视频 再续 点评

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中科院微电子所在22nm CMOS工艺研发上取得突破性进展

s0 \\) s* N- Q 三是需要实现的源漏工程,确保器件具有良好的短沟道效应抑制特性和欧姆接触。 - `+ k) F$ k\' F 针对上述核心问题,项目组开展了系统的研究工作:! b: Q2 G5 m9 y, [2 N" l\' Q 在N型和P型MOS电容上均获得了EOT≤8.5,漏电流降低3个数量级,金属栅有效功函数距硅带隙边距离≤0.2eV的良好电学结果...

1752次浏览 2012-12-14 聊聊、笑笑、闹闹 标签: 工艺 研发 中科院 突破性 微电子

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基于单片机的开关稳压电源设计

,再经三极管到MOSFET的驱动电路IR210l。MSP430产生的PWM波,经过光耦及后面的IR2101芯片,在芯片的5管脚输出的PWM波接到MOS—FET的门极G端,使其工作。IR2101是专门用来驱动耐高压高频率的N沟道MOSFET和IGBT的。它是一个8管脚的芯片,其具有高低侧的输出参考电平。门极提供的电压范围是10~20 V。 3.4 保护电路的设计   ...

920次浏览 2012-09-22 信息发布 标签: 单片机 blank 处理器 medium

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光电二极管前置放大器设计与电路分析

合适。我们选择带FET输入的“静电计级”运算放大器作为光电二极管前置 放大器,因为它必须只工作在指定的温度范围内。这类器件采用BiFET工艺制造, 使用P沟道型场效应晶体管JFET作为输入级(参见图4)。运算放大器电路的其 余部分使用双极型运算放大器设计。为使失调电压和失调电压漂移减至最小,Bi FET运算放大器在芯片工艺中采用了激光微调技术。失调电压漂移通过下列调整过 程减至最小:首先微调输入...

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在非开关工作条件下操作功率MOSFET的一些忠告

事件,对封装的完整性几乎没有影响。UIS峰值温度上限与外延掺杂浓度有关;即与N沟道MOSFET中的Nd掺杂浓度或P沟道MOSFET中的Na掺杂浓度有关。 热运动产生的载流子浓度(ni)随温增大而增加(见式(2))。当这些由热运动产生的载流子大大超过掺杂原子 Nd,自由载流子便会出现。 (2) 这里的T为开氏温度K。 当ni大于或等于Nd时,掺杂不再起作用,而硅半导体将恢复其本征行为。ni...

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单片机系统常用电子元器件知识简析

最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM 几种常用的场效应三极管的主要参数 三、场效应管的分类   按沟道半导体材料的不同,型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型。型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。   场效应晶体管可分为场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型...

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单片机系统外围电路中的电子器件选型简单指南

,进行合理选用, 电路安装中二极管使用准则 1.低于最大额定值下使用 2.降额使用. 3.很低于最高温下使用. 4.正确地切断,成型和安装二极管 5.使用注意事项 由于二极管向微型.微型和片状化发展,在使用中要特别注意以下事项: 1.对于点触型和玻壳二极管,要防止跌落在坚硬的地面, 2.对于玻壳二极管,焊接时要防止电烙铁直接接触玻壳, 3.对稳压二极管不能加正向电压...

22056次浏览 2010-03-18 单片机 标签: 固定电阻器 电阻

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2014-07-24 标签: 动力车 电动车 超跑

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UHD是“Ultra High Definition Television”的缩写,代表“超高清电视”。在2年之内,低端三星、LG UHD电视的价格下跌了40%。随着价格的走低,UHD电视越来越流行。 产业报告认为,三星低端55英寸电视的价格今年降到了1590美元,2014年约为2950美元,下降1360美元。LG低端55英寸电视的价格...

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1月6日消息,电视机向来是CES展会的热门产品之一,但是由于4K片源尚未普及,所以厂商们并没有着急提升新款产品的分辨率,而是在保持4K分辨率的基础上深度开发电视机搭载的系统,希望藉此提升产品的体验效果。但是也有例外,就如日本厂商夏普仍在追求更高的电视产品分辨率。   在本届CES消费电子展上,传统电视厂商夏普就推出了自己在2015年全新的电视产品阵容,其中就包括了一款80...

2015-01-07 标签: 高清 电视 8K

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2015-01-09 标签: 设备 CES 2015 可穿戴

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1月6日,中国制造产品遍天下,特别是在美国,那里的电子产品,大部分是由中国生产。而相较于人们如雷贯耳的‘made in china’,来自中国的科技品牌在海外的知名度则相形见绌。 CES大会于本周在拉斯维加斯开幕,因而,许多中国企业都希望能够在这个全球最大的消费者电子产品大会上,打响自己的名号。为了进一步建立自己的国际品牌形象,联想和华为等大型企业以及一批小型中国电子...

2015-01-06 标签: 参展商 中国 CES 2015

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五秒钟传完一部高清电影,这是什么样的速度?三星最新款PCI-E固态硬盘SM951可以做到,它采用了PCI-E 3.0作为数据传输接口,抛弃了老迈、缓慢的SATA,其读取速度达到惊人的2150MB/s,写入速度也有1550MB/s,比SATA接口的固态硬盘快上好几倍。 SM951主要应用领域是工作站和超轻薄笔记本电脑,它长得就不像一块硬盘,金手指上方是长条状的PCB,上面搭载了高速闪存颗粒...

2015-01-14 标签: 固态 硬盘 三星

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2016-11-24 标签: 日本 高清 显示屏

中国版Apple Watch塔罗斯TWatch4S众筹超目标5倍

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5月14日,被誉为中国版Apple Watch的塔罗斯TWatch4S智能手表正式登陆苏宁众筹平台,凭借着超高的性价比和对运动健康的追求,目前众筹超目标五倍,金额超五十万,在苏宁众筹官网上就获得近万人次的关注,吸引众多网友热情点赞。 对于很多人来讲可穿戴设备已经对很多人来说不陌生了。不管是来自于海外的Apple Watch智能腕表、微软全息投影眼镜HoloLens、Fitbit和Pebble...

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超高清是HD(High Definition高清)、Full HD(全高清)的下一代技术。按照标准屏幕的物理分辨率达到3840×2160(4K×2K)及以上的显示就可以称之为超高清。虽然目前的超高清技术仅有4K和8K两个分辨率,但是相信有不少人都会认为将来会有更加高的标准出现。不过日本公共广播机构NHK的执行研究工程师MasayukiSugawara打破了我们的幻想,他称8...

2015-05-04 标签: NHK 8K

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