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超结N沟道

在电子工程世界为您找到如下关于“超结N沟道”的新闻

大联大品佳集团推出基于NXP和Infineon产品的快速充电解决方案

大联大品佳集团推出基于NXP和Infineon产品的快速充电解决方案

的IPAN65R650CE是650V,650mΩ,10.1A,N沟道功率MOSFET,它属于Infineon的CoolMOS™ CE高压功率MOSFET的技术平台,根据原理(SJ)设计,旨在满足消费者的需求。随着产品系列的扩大,英飞凌推出了500V、600V、650V、700V、800V和900V的高压MOSFET。方案特色TEA1901x提供最好的安全性,归功于广泛设置了保护...

类别:半导体生产 2017-12-27 19:19:16 标签: NXP Infineon

大联大品佳集团推出基于NXP和Infineon产品的快速充电解决方案

大联大品佳集团推出基于NXP和Infineon产品的快速充电解决方案

:直流-直流、电动机控制、汽车和eMobility。3.    Infineon的IPAN65R650CE是650V,650mΩ,10.1A,N沟道功率MOSFET,它属于Infineon的CoolMOS™ CE高压功率MOSFET的技术平台,根据原理(SJ)设计,旨在满足消费者的需求。随着产品系列的扩大,英飞凌推出了500V、600V...

类别:汽车与工业 2017-12-27 09:14:02 标签: 快速充电

ADI推出 Power by Linear™ 的有源整流器控制器 LT8672

ADI推出 Power by Linear™ 的有源整流器控制器 LT8672

稳定。LT8672 驱动一个外部 N 沟道 MOSFET,具 20mV 压差,与肖特基二极管相比,功耗可降低 90%,无需昂贵的散热器。汽车应用要求在高达100kHz 范围内对 AC 输入纹波整流,而该器件的快速瞬态响应使其能够满足严格的汽车应用要求。此外,运行时 20µA 静态电流和停机时 3.5µA 电流非常适合始终保持接通系统。MSOP-10 封装和外部 MOSFET 相结合,可确保...

类别:半导体生产 2017-12-05 21:14:25 标签: ADI

具反向保护的有源整流器控制器

具反向保护的有源整流器控制器

一个外部 N 沟道 MOSFET,具 20mV 压差,与肖特基二极管相比,功耗可降低 90%,无需昂贵的散热器。汽车应用要求在高达100kHz 范围内对 AC 输入纹波整流,而该器件的快速瞬态响应使其能够满足严格的汽车应用要求。此外,运行时 20µA 静态电流和停机时 3.5µA 电流非常适合始终保持接通系统。MSOP-10 封装和外部 MOSFET 相结合,可确保紧凑...

类别:控制器 2017-12-05 15:28:55

高压 IC 可取代汽车浪涌抑制器件

高压 IC 可取代汽车浪涌抑制器件

LTC3895 是一款非隔离式同步降压型开关稳压器控制器,驱动全 N 沟道 MOSFET 电源级。其 4V 至 140V (绝对最大值为 150V) 输入电压范围允许用高压输入电源或者用具有高压浪涌的输入电源运行,因此无需外部浪涌抑制器件。LTC3895 在输入电压降至 4V 时,以高达 100% 的占空比连续运行,从而非常适合汽车以及重型设备应用。该器件...

类别:汽车电子 2017-08-22 21:19:12 标签: 高压 IC 汽车浪涌 抑制器件

高压IC可取代汽车浪涌抑制器件

高压IC可取代汽车浪涌抑制器件

时正常运行,并保护下游组件安全。一款新的 IC 解决方案LTC3895 是一款非隔离式同步降压型开关稳压器控制器,驱动全 N 沟道 MOSFET 电源级。其 4V 至 140V (绝对最大值为 150V) 输入电压范围允许用高压输入电源或者用具有高压浪涌的输入电源运行,因此无需外部浪涌抑制器件。LTC3895 在输入电压降至 4V 时,以高达 100% 的占空比连续运行,从而非...

类别:动力系统 2017-08-03 17:23:02 标签: 高压IC 浪涌抑制

高压 IC 可取代汽车浪涌抑制器件

控制器,驱动全 N 沟道 MOSFET 电源级。其 4V 至 140V (绝对最大值为 150V) 输入电压范围允许用高压输入电源或者用具有高压浪涌的输入电源运行,因此无需外部浪涌抑制器件。LTC3895 在输入电压降至 4V 时,以高达 100% 的占空比连续运行,从而非常适合汽车以及重型设备应用。该器件的输出电压可以设定在 0.8V 至 60V 范围,输出电流高达 20A...

类别:行业动态 2017-06-07 21:15:26 标签: IC

高压 IC 可取代汽车浪涌抑制器件

高压 IC 可取代汽车浪涌抑制器件

开关稳压器控制器,驱动全 N 沟道 MOSFET 电源级。其 4V 至 140V (绝对最大值为 150V) 输入电压范围允许用高压输入电源或者用具有高压浪涌的输入电源运行,因此无需外部浪涌抑制器件。LTC3895 在输入电压降至 4V 时,以高达 100% 的占空比连续运行,从而非常适合汽车以及重型设备应用。该器件的输出电压可以设定在 0.8V 至 60V 范围,输出电流高达...

类别:其他技术 2017-06-07 16:22:21 标签: 高压 IC 汽车 浪涌抑制器件 凌力尔特

东芝推出EMI性能更佳的600V/650V超结N沟道功率MOSFET

东芝推出EMI性能更佳的600V/650V超结N沟道功率MOSFET

东芝公司(TOKYO:6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V/650VN沟道功率MOSFET,该产品适用于工业和办公设备。该新“DTMOS V系列”最初将提供12款产品。样品发货即日启动,批量生产发货计划于3月中旬启动。该新系列拥有与东芝当前的“DTMOS IV系列”相同水平的低导通电阻、高速开关性能,同时,其优化的设计流程使EMI...

类别:其它技术 2017-03-20 10:34:36 标签: 东芝 EMI 600V/650V 超结N沟道 功率 MOSFET

Vishay将在2016慕展上展出应用于汽车的业内领先技术和产品

、用于帮助实现高效AC/DC转换的高压E系列MOSFET,以及用于马达驱动、电动助力转向、变速箱控制和喷油嘴驱动的符合AEC-Q101认证SQ Rugged系列MOSFET。同时展出的还有400V - 600V D系列器件;具有低导通电阻 × 栅极电荷优值(FOM)的TrenchFET第四代N沟道MOSFET;以及具有业内低导通电阻的P沟道器件。  ...

类别:汽车电子 2016-03-11 10:12:47 标签: Vishay 慕尼黑上海电子展 马达驱动

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超结N沟道资料下载

医用传感器原理及应用 PPT立即下载

内部温度)和器官温度(用流经器官的血液温度来代替),测量时应根据不同需要来选用不同类型的温度传感器。温度传感器的发展历史首先把温度变成电信号的传感器是1821年由德国物理学家赛贝发明的,这就是后来的热电偶传感器。50年以后,另一位德国人西门子发明了铂电阻温度计(RTD)。后来,由于半导体材料的发明,本世纪相继开发了半导体热敏电阻传感器、PN温度传感器和集成温度传感器。根据波与物质的相互作用规律,人们...

类别:医疗电子 2013年09月22日 标签: 医用传感器

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超详解,常见电子元器件的检验要求与方法【立创商城】

效应,在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅G电压VG增大时,p型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽,而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时,电子积累层将在n+源区S和n+漏区D之间形成导电沟道。当VDS≠0时,源漏电极之间有较大的电流IDS流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压VT。当VGS>VT并取不同数值时,反型层的导电能力将 改变,在相同的VDS下也将产生...

8486次浏览 2017-12-07 信息发布

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高压超结Super Junction结构及工作原理

极的电场将栅极下的P区反型,在栅极下面的P区产生N型导电沟道,同时,源极区的电子通过导电沟道进入垂直的N+区,中和N+区的正电荷空穴,从而恢复被耗尽的N+型特性,因此导电沟道形成,垂直N+区掺杂浓度高,具有较低的电阻率,因此导通电阻低。图3:内建横向电场的SuperJunction结构 比较平面结构和沟槽结构的功率MOSFET,可以发现,型结构实际是综合了平面型和沟槽型结构两者的特点,是在平面...

707次浏览 2016-11-09 信息发布 标签: 工作原理 Super 融创芯城

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一个结的精彩

N区浓度低, jFET是耗尽型元件,区比UJT长得多,足以成为沟道,PN区浓度相近,通态电阻比UJT小, 合金三极管实际上是锗管,不是肖特基模式,那两颗铟珠是为给N型锗改性成P而设(其实这样用铟蛮浪费的)。 UJT是负阻器件,跟隧道二极管一样,也是个PN,都是正向运用, 跟隧道二极管不同,UJT的不对称,大小与浓度皆悬殊,而伏安特性却与普通二极管无异,既没特别,负阻何来...

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问:如何选择分立晶体管?

- 发射极的热特性来测量温度。 "谨慎"有两方面要求:一是确保所选器件 具有正确的极性(NPN/N-沟道还是PNP/P-沟 道),二是确保电路不允许所选晶体管 过绝对最大额定值(包括稳态和瞬态)。 >> 选择晶体管一文详细考虑了这些问题, 并总结说选择晶体管的最佳程序应归结 如下:"任何特性优于xxxx、yyyy和zzzz的 器件都可能适用于本电路...

802次浏览 2014-09-29 ADI参考电路 标签: 隔离 稳定性 晶体管 三极管 工程师

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MOSFET封装进步帮助提供超前于芯片组路线图的移动功能

;MOSFET的设计参照了几项相互冲突的参数;在物理尺寸小、能进行快速高能效开关的元件中,难于实现低导通电阻及将开关应用的能耗降至最低。为了实现这些参数的高质量组合,元件必须拥有小裸片尺寸,并带有高单元密度及低电容和低闸极电荷。 移动设备用MOSFET的微型化        通常情况下,有多种设计手段可行。功率MOSFET设计人员倾向于使用...

703次浏览 2014-05-25 【跟TI学电源】 标签: 路线图 芯片组

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再续点评Vishay视频 抢楼拿奖进行到底

做到高效率(业界最高),Vishay的功率器件确实做的很厉害! http://www.eeworld.com.cn/Vishay/2013/1121/down_948.html 快二极管 好给力啊,具有耐175度的高温不说,泄漏电流更是在600V的高压下才20uA,正向压降在8A,150摄氏度才0.85V.而且能够适用于各种各样的场合。希望能够多多的推广啊! http...

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s0 \\) s* N- Q 三是需要实现的源漏工程,确保器件具有良好的短沟道效应抑制特性和欧姆接触。 - `+ k) F$ k\' F 针对上述核心问题,项目组开展了系统的研究工作:! b: Q2 G5 m9 y, [2 N" l\' Q 在N型和P型MOS电容上均获得了EOT≤8.5,漏电流降低3个数量级,金属栅有效功函数距硅带隙边距离≤0.2eV的良好电学...

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很合适。我们选择带FET输入的“静电计级”运算放大器作为光电二极管前置 放大器,因为它必须只工作在指定的温度范围内。这类器件采用BiFET工艺制造, 使用P沟道型场效应晶体管JFET作为输入级(参见图4)。运算放大器电路的其 余部分使用双极型运算放大器设计。为使失调电压和失调电压漂移减至最小,Bi FET运算放大器在芯片工艺中采用了激光微调技术。失调电压漂移通过下列调整过 程减至最小:首先微调输入...

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通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM 几种常用的场效应三极管的主要参数 三、场效应管的分类   按沟道半导体材料的不同,型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型。型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。   场效应晶体管可分为场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型...

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