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超结N沟道

在电子工程世界为您找到如下关于“超结N沟道”的新闻

高压IC可取代汽车浪涌抑制器件

高压IC可取代汽车浪涌抑制器件

时正常运行,并保护下游组件安全。一款新的 IC 解决方案LTC3895 是一款非隔离式同步降压型开关稳压器控制器,驱动全 N 沟道 MOSFET 电源级。其 4V 至 140V (绝对最大值为 150V) 输入电压范围允许用高压输入电源或者用具有高压浪涌的输入电源运行,因此无需外部浪涌抑制器件。LTC3895 在输入电压降至 4V 时,以高达 100% 的占空比连续运行,从而...

类别:动力系统 2017-08-03 17:23:02 标签: 高压IC 浪涌抑制

高压 IC 可取代汽车浪涌抑制器件

开关时间过了 OVLO 引脚设定的时间,那么 LTC3895 将停机,以保护自身免于过热。开关时间可以设定为几毫秒直至几秒钟,之后再停机。MOSFET 驱动器及效率LTC3895 有强大的 1.1? 内置 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器,可最大限度减少转换时间和开关损耗。栅极驱动电压可设定为 5V 至 10V,从而允许使用逻辑电平或标准电平 N 沟道 MOSFET 以最大限度...

类别:行业动态 2017-06-07 21:15:26 标签: IC

高压 IC 可取代汽车浪涌抑制器件

高压 IC 可取代汽车浪涌抑制器件

开关稳压器控制器,驱动全 N 沟道 MOSFET 电源级。其 4V 至 140V (绝对最大值为 150V) 输入电压范围允许用高压输入电源或者用具有高压浪涌的输入电源运行,因此无需外部浪涌抑制器件。LTC3895 在输入电压降至 4V 时,以高达 100% 的占空比连续运行,从而非常适合汽车以及重型设备应用。该器件的输出电压可以设定在 0.8V 至 60V 范围,输出电流高达...

类别:其他技术 2017-06-07 16:22:21 标签: 高压 IC 汽车 浪涌抑制器件 凌力尔特

东芝推出EMI性能更佳的600V/650V超结N沟道功率MOSFET

东芝推出EMI性能更佳的600V/650V超结N沟道功率MOSFET

东芝公司(TOKYO:6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V/650VN沟道功率MOSFET,该产品适用于工业和办公设备。该新“DTMOS V系列”最初将提供12款产品。样品发货即日启动,批量生产发货计划于3月中旬启动。该新系列拥有与东芝当前的“DTMOS IV系列”相同水平的低导通电阻、高速开关性能,同时,其优化的设计流程使EMI...

类别:其它技术 2017-03-20 10:34:36 标签: 东芝 EMI 600V/650V 超结N沟道 功率 MOSFET

Vishay将在2016慕展上展出应用于汽车的业内领先技术和产品

、用于帮助实现高效AC/DC转换的高压E系列MOSFET,以及用于马达驱动、电动助力转向、变速箱控制和喷油嘴驱动的符合AEC-Q101认证SQ Rugged系列MOSFET。同时展出的还有400V - 600V D系列器件;具有低导通电阻 × 栅极电荷优值(FOM)的TrenchFET第四代N沟道MOSFET;以及具有业内低导通电阻的P沟道器件。  ...

类别:汽车电子 2016-03-11 10:12:47 标签: Vishay 慕尼黑上海电子展 马达驱动

Vishay将在2016慕尼黑上海电子展展出汽车电子最新的业内领先技术和产品

)的TrenchFET®第四代N沟道MOSFET;以及具有业内低导通电阻的P沟道器件。     Vishay Siliconix还将演示其80V - 100V ThunderFET® MOSFET在隔离式总线转换器级中的高效率及高功率密度;其PowerPAIR TrenchFET第四代解决方案在负载点功率级中的最佳电和热性能;以...

类别:行业动态 2016-03-05 18:58:35 标签: 2016慕尼黑上海电子展 Vishay 汽车电

Vishay用于汽车和其他电子领域的领先技术和产品将参慕展

帮助实现高效AC/DC转换的高压E系列MOSFET,以及用于马达驱动、电动助力转向、变速箱控制和喷油嘴驱动的符合AEC-Q101认证SQ Rugged系列MOSFET。同时展出的还有400V - 600V D系列器件;具有低导通电阻 × 栅极电荷优值(FOM)的TrenchFET®第四代N沟道MOSFET;以及具有业内低导通电阻的P沟道器件。  ...

类别:展览/会议 2016-03-04 09:57:39 标签: Vishay 2016慕展

半导体厂商重兵集结汽车电子,深挖智能汽车

半导体厂商重兵集结汽车电子,深挖智能汽车

    随着汽车产业的发展以及人们环保意识的抬头,节能的绿色动力已成为汽车发展的主流和消费者关注的热点,将智能引入功率技术,以智能方式提高能效,是未来的发展趋势。     近日,意法半导体针对汽车市场推出了新系列高压N沟道功率MOSFET。新产品通过AEC-Q101汽车测试认证,采用意法半导体最先进、内置快速...

类别:行业动态 2016-01-26 20:39:20 标签: 半导体厂商 汽车电子 智能汽车

智能汽车大战当前,半导体厂商都没闲着

基础设施)等安全应用。 将智能引入功率技术 随着汽车产业的发展以及人们环保意识的抬头,节能的绿色动力已成为汽车发展的主流和消费者关注的热点,将智能引入功率技术,以智能方式提高能效,是未来的发展趋势。 近日,意法半导体针对汽车市场推出了新系列高压N沟道功率MOSFET。新产品通过AEC-Q101汽车测试认证,采用意法半导体最先进、内置快速恢复二极管的...

类别:汽车电子 2016-01-21 17:24:09 标签: 智能汽车 半导体 V2X MOSFET 视觉处理器 ADAS 雷达芯片

Vishay在2016 Automotive World展出众多针对汽车应用的技术和产品

Automotive World 2016上,Vishay Siliconix展出用于马达驱动装置、电动助力转向、变速箱控制及喷嘴驱动装置的SQ Rugged Series 超薄、高功率密度功率MOSFET。采用低导通电阻n沟道和p沟道TrenchFET®技术,SQ Rugged 系列 MOSFET的额定最大温为+175 °C,提供坚固耐用的芯片设计,并提供多种...

类别:车身电子 2016-01-13 16:31:32 标签: 二极管 光电子产品 逆变器

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高压超结Super Junction结构及工作原理

电场将栅极下的P区反型,在栅极下面的P区产生N型导电沟道,同时,源极区的电子通过导电沟道进入垂直的N+区,中和N+区的正电荷空穴,从而恢复被耗尽的N+型特性,因此导电沟道形成,垂直N+区掺杂浓度高,具有较低的电阻率,因此导通电阻低。图3:内建横向电场的SuperJunction结构 比较平面结构和沟槽结构的功率MOSFET,可以发现,型结构实际是综合了平面型和沟槽型结构两者的特点,是在平面型...

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一个结的精彩

N区浓度低, jFET是耗尽型元件,区比UJT长得多,足以成为沟道,PN区浓度相近,通态电阻比UJT小, 合金结三极管实际上是锗管,不是肖特基模式,那两颗铟珠是为给N型锗改性成P而设(其实这样用铟蛮浪费的)。 UJT是负阻器件,跟隧道二极管一样,也是个PN,都是正向运用, 跟隧道二极管不同,UJT的不对称,大小与浓度皆悬殊,而伏安特性却与普通二极管无异,既没特别,负阻何来...

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s0 \\) s* N- Q 三是需要实现的源漏工程,确保器件具有良好的短沟道效应抑制特性和欧姆接触。 - `+ k) F$ k\' F 针对上述核心问题,项目组开展了系统的研究工作:! b: Q2 G5 m9 y, [2 N" l\' Q 在N型和P型MOS电容上均获得了EOT≤8.5,漏电流降低3个数量级,金属栅有效功函数距硅带隙边距离≤0.2eV的良好电学结果...

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合适。我们选择带FET输入的“静电计级”运算放大器作为光电二极管前置 放大器,因为它必须只工作在指定的温度范围内。这类器件采用BiFET工艺制造, 使用P沟道型场效应晶体管JFET作为输入级(参见图4)。运算放大器电路的其 余部分使用双极型运算放大器设计。为使失调电压和失调电压漂移减至最小,Bi FET运算放大器在芯片工艺中采用了激光微调技术。失调电压漂移通过下列调整过 程减至最小:首先微调输入...

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最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM 几种常用的场效应三极管的主要参数 三、场效应管的分类   按沟道半导体材料的不同,型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型。型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。   场效应晶体管可分为场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型...

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