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碳化硅肖特基势垒

在电子工程世界为您找到如下关于“碳化硅肖特基势垒”的新闻

东芝推出第二代650V碳化硅肖特基势垒二极管  

东芝推出第二代650V碳化硅肖特基势垒二极管  

东芝公司(TOKYO:6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出第二代650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD),该二极管将该公司现有产品所提供的正向浪涌电流(IFSM)提高了约70%。新系列八款碳化硅肖特基势垒二极管出货即日启动。这些新的碳化硅肖特基势垒二极管采用东芝的第二代碳化硅工艺制造,与第一代产品相比,正向浪涌电流提高了约70%,同时开关损耗指标...

类别:分立器件 2017-03-20 10:08:30 标签: 东芝 第二代 650V 碳化硅肖特基势垒 二极管  

道康宁推出电力电子行业碳化硅晶圆分级结构

,如肖特基或结肖特基二极管,是一种可在性能和成本之间获得平衡的极有吸引力的选择方案,适用于较低到中等额定电流值。• Prime Select碳化硅晶片:公差更严格(MPD≤0.5 cm-2)和(BPD ≤800 cm-2),适用于要求更高的碳化硅设备,如直插式二极管或开关。• Prime Ultra碳化硅晶片:可满足对晶体质量要求最高的高功率器件的设计...

类别:市场动态 2014-05-12 17:44:56 标签: 道康宁 碳化硅 晶圆分级结构

利用开关器件提高PFC效率的实现

利用开关器件提高PFC效率的实现

和VF区分为三种类型,隐形二极管具有快速反向回缩特性,超高速元件拥有最低的VF值。通过25℃时的反向恢复测试,硅二极管中出现了大量的反向恢复电流,而SiC肖特基二极管仅仅在电容中出现由p-n结反向偏压形成的位移电流。SiC肖特基和硅二极管的V-I特性曲线均为温度的涵数。正向电流较低时,温度升高时VF减小。在这个区域内,可观察到肖特基两端的电流呈指数特性。当正向电流增加时...

类别:电源设计 2014-05-11 17:15:13 标签: 开关器件 PFC效率

利用开关器件提高PFC效率的实现

利用开关器件提高PFC效率的实现

。通过25℃时的反向恢复测试,硅二极管中出现了大量的反向恢复电流,而SiC肖特基二极管仅仅在电容中出现由p-n结反向偏压形成的位移电流。SiC肖特基和硅二极管的V-I特性曲线均为温度的涵数。正向电流较低时,温度升高时VF减小。在这个区域内,可观察到肖特基两端的电流呈指数特性。当正向电流增加时,二极管的体电阻决定其正向偏置特性,并且肖特基二极管的VF随温度上升而增大。SiC肖特基...

类别:电源设计 2013-08-04 21:12:42 标签: PFC效率 MOSFET SuperFET 二极管

欧洲项目推动功率微电子未来

/ETC,这些衬底用于中度掺杂的外延层的外延生长,适用于加工600-1200V JBS(结肖特基)二极管和MOSFET,项目组为在大面积(150mm)4H-SiC上生长外延开发了一个创新的CVD(化学汽相淀积)反应堆。 外延层质量让意法半导体能够在工业生产线上制造JBS结肖特基二极管。第一批晶圆特征分析显示,电气性能与先进的4°偏轴材料相当。在这种情况下,关键工序是在...

类别:市场动态 2013-05-21 11:17:51 标签: 欧洲 功率 微电子

何时应对宽能带隙材料时代

何时应对宽能带隙材料时代

还有什么要做? 硅功率器件的未来又是什么呢?   首先来看看碳化硅。关于碳化硅功率器件的开发已经持续了20多年了。600V肖特基二极管作为第一款商用功率器件出现在10年前,而后逐步发展成结混合PiN的肖特基二极管。碳化硅器件的好处在于其材料的耐用性。热传导性较硅器件提升三倍,同质性的基底和外延层允许垂直功率器件在硅片上均匀地散热,可以耐受大浪涌电流、高瞬态电压和高功率...

类别:数模混合 2012-12-21 19:38:31 标签: 宽能 带隙材料

PWM DC/DC转换器肖特基二极管(SBD)

  肖特基(Schottky)二极管是将金属层沉积在N型硅的薄薄外延层上,利用金属和半导体之间的接触获得单向导电作用,相当于PN结。这个接触面称为“金属半导体结”。肖特基二极管的全名应为肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode,SBD)。现有的大多数肖特基二极管都是用硅(51)半导体材料,新材料碳化硅(SiC)的SBD也已被应用。   1)硅SBD...

类别:转换器 2012-09-13 22:59:15 标签: PWM DC 转换器 肖特基二极管

功率二极管问题解析

电流,低di/dt的场合。比如小功率flyback的原边钳位电路。但是不适合大电流,高di/dt的钳位场合,比如大电流输出的电源的次级钳位电路。因为,慢恢复管在导通的时候会产生很高导通压降尖峰,导致虽然钳位电容上的电压很低,但是却没法钳住尖峰电压。所以应该选择肖特基二极管之类。 12.   什么是肖特基二极管?肖特基二极管是一种利用肖特基工艺的二极管...

类别:放大器 2012-02-19 11:06:01 标签: 功率二极管

关于功率二极管的15个小问题

。所以应该选择肖特基二极管之类。12. 什么是肖特基二极管?肖特基二极管是一种利用肖特基工艺的二极管,和普通的PN结二极管相比,其优点:更快的反向恢复时间,很多称之为0反向恢复时间。虽然并不是真的0反向恢复时间,但是相对普通二极管要快非常多。其缺点:反向漏电流比较大,所以没法做成高压的二极管。目前的肖特基二极管,基本都是200V以下的。虽然有些公司可以提供高压的肖特基硅二极管...

类别:分立器件 2012-01-09 08:32:27 标签: 功率二极管 问题

采用开关器件提高PFC效率

采用开关器件提高PFC效率

三种类型,隐形二极管具有快速反向回缩特性,超高速元件拥有最低的VF值。通过25℃时的反向恢复测试,硅二极管中出现了大量的反向恢复电流,而SiC肖特基二极管仅仅在电容中出现由p-n结反向偏压形成的位移电流。SiC肖特基和硅二极管的V-I特性曲线均为温度的涵数。正向电流较低时,温度升高时VF减小。在这个区域内,可观察到肖特基两端的电流呈指数特性。当正向电流增加时,二极管的体电阻...

类别:电源设计 2011-11-13 22:38:38 标签: 开关 PFC MOSFET

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基础知识:功率二极管常见问题

,高di/dt的钳位场合,比如大电流输出的电源的次级钳位电路。因为,慢恢复管在导通的时候会产生很高导通压降尖峰,导致虽然钳位电容上的电压很低,但是却没法钳住尖峰电压。所以应该选择肖特基二极管之类。   12.   什么是肖特基二极管?   肖特基二极管是一种利用肖特基工艺的二极管,和普通的PN结二极管相比,其优点:更快的反向恢复时间,很多称之为0反向恢复时间。虽然并不是...

303次浏览 2017-01-15 【TI模拟技术体验】 标签: 设计公司 开关电源 二极管 基础知识 可靠性

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功率二极管知识点,老司机复习下也无妨!

,高di/dt的钳位场合,比如大电流输出的电源的次级钳位电路。因为,慢恢复管在导通的时候会产生很高导通压降尖峰,导致虽然钳位电容上的电压很低,但是却没法钳住尖峰电压。所以应该选择肖特基二极管之类。 12.什么是肖特基二极管? 肖特基二极管是一种利用肖特基工艺的二极管,和普通的PN结二极管相比,其优点:更快的反向恢复时间,很多称之为0反向恢复时间。虽然并不是真的0反向恢复时间,但是相对普通...

101次浏览 2016-11-18 【跟TI学电源】 标签: 二极管 知识点 司机

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功率二极管常见问题

。  12. 什么是肖特基二极管?肖特基二极管是一种利用肖特基工艺的二极管,和普通的PN结二极管相比,其优点:更快的反向恢复时间,很多称之为0反向恢复时间。虽然并不是真的0反向恢复时间,但是相对普通二极管要快非常多。其缺点:反向漏电流比较大,所以没法做成高压的二极管。目前的肖特基二极管,基本都是200V以下的。虽然有些公司可以提供高压的肖特基硅二极管,但是也是将几个二极管串联之后封装在一起。当然...

795次浏览 2014-11-24 【TI模拟技术体验】 标签: 二极管

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【抢楼有奖】来聊聊你与二极管的故事...(03月01日-04月30日)-二极管主题月系列活动

肖特基二极管封装介绍 主要优点包括两个方面:   1)由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度,故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。   2)由于SBD是一种多数载流子导电器件,不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基电容的充、放电时间,完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少,故开关速度非常快,开关损耗也特别小...

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单片机系统常用电子元器件知识简析

。 5、极间电容 CJ:二极管的极间电容包括电容和扩散电容,在高频运用时必须考虑结电容的影响。二极管不同的工作状态,其极间电容产生的影响效果也不同。   二极管的参数是正确使用二极管的依据,一般半导体器件手册中都给出不同型号管子参数。使用时,应特别注意不要超过最大整流电流和最高反向工作电压,否则将容易损坏管子。 五、测试二极管的好坏     初学者在业余条件下可以使用...

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2014-07-08 标签: 屏幕 科幻 Pixie Dust

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