首页 > 关键词 > 氮化镓

氮化镓

在电子工程世界为您找到如下关于“氮化镓”的新闻

氮化镓IC将改变电动汽车市场
节能减碳意识兴起,这股风潮也连带席卷汽车产业,电动车需求开始快速攀升。为有效提升电动车整体功率并减少车体重量,采用新一代功率半导体可说是势在必行,氮化镓便应运而生;透过氮化镓IC,未来的电动汽车将更快、更小、具更佳的性能,同时实现更低的能源损耗。随着全球能源结构朝向低碳能源和节能运输转移,节能汽车产业亦正面临着挑战。如今,整个电动汽车(EV)市场的成长率已经超过传统内燃机...
类别:动力系统 2018-08-13 标签: 氮化镓
重量和提高能效,从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。碳硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料,提供下一代功率器件的基础。与硅相比,SiC和GaN需要高3倍的能量才能使电子开始在材料中自由移动。因而具有比硅更佳的特性和性能。一个主要优势是大大减少开关损耗。首先,这意味着器件运行更不易发热。这有...
类别:电源设计 2018-07-24 标签: 功率器件 氮化镓
宜普公司推出基于氮化镓器件高效率电源转换方案
),其效率高于96%。 EPC9130开发板有五个相位、在半桥配置中包含两个100 V的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)EPC2045及采用uPI 半导体公司的 up1966A 栅极驱动器。发送至栅极驱动器的 PWM 信号由板载 Microchip dsPIC33 微控制器发出。该板包含所有关键元器件,采用可实现最佳开关性能的布局 – 物料清单/成本是每瓦...
类别:电源模块 2018-07-10 标签: 宜普公司 电源转换方案
氮化镓(GaN)技术推动电源管理不断革新
能源并占用更小空间,所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年,电力电子领域将管理大约80%的能源,而2005年这一比例仅为30%1。这相当于30亿千瓦时以上的节能。这些电力足以为30多万个家庭提供一年的电量。任何可以直接从电网获得电力的设备(从智能手机充电器到数据中心),或任何可以处理高达数百伏高电压...
类别:材料技术 2018-06-28 标签: GaN
贸泽备货Qorvo 1800W QPD1025L碳化硅基氮化镓晶体管
2018年5月31日 – 专注于新产品引入 (NPI) 并提供极丰富产品类型的业界顶级半导体和电子元件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Qorvo的QPD1025L碳硅 (SiC) 基氮化镓 (GaN) 晶体管。QPD1025在65 V 电压下的功率为1.8 kW,是业界功率最高的碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 射频晶体管,提供高...
类别:电子设计 2018-06-01 标签: 贸泽 碳化硅基氮化镓晶体管
宜普电源转换公司(EPC)的两个车用氮化镓晶体管成功通过了国际汽车电子协会所制定的AEC Q101分立器件应力测试认证。宜普电源转换公司宣布其两个车用氮化镓(eGaN)器件成功通过AEC Q101测试认证,可在车用及其它严峻环境实现多种全新应用。EPC2202及EPC2203是采用晶圆级芯片规模封装(WLCS) 、80 VDS 的分立晶体管。面向严峻的车用环境的多个分立晶体管...
类别:行业动态 2018-05-04 标签: 氮化镓 eGaN
氮化镓GaN功率元件产业逐渐起飞
2016年氮化镓(GaN)功率元件产业规模约为1,200万美元,研究机构Yole Développemen研究显示预计到2022年该市场将成长到4.6亿美元,年复合成长率高达79%。包括LiDAR、无线功率和封包追踪等应用,尤其是高阶低/中压应用,GaN技术是满足其特定需求的唯一现有解决方案。虽然目前只有少数厂商展示商业的GaN技术,但事实上已有许多公司投入GaN技术...
类别:半导体生产 2018-05-03 标签: 氮化镓
  5G高频率特性让氮化镓(GaN)半导体制程成为功率放大器(PA)市场主流技术,同时,GaN功率元件也开始被大量应用在车联网及电动车领域。看好GaN市场强劲成长爆发力,世界先进(5347)经过3年研发布局,今年硅基氮化镓(GaN-on-Si)制程将进入量产,成为全球第一家提供8吋GaN晶圆代工的业者,大啖5G及车电市场大饼。下面就随网络通信小编一起来了解一下...
类别:综合资讯 2018-03-29 标签: 5G
和MACOM聊一聊硅基氮化镓
近日,MACOM参加EDICON China展,正如公司口号Partners from RF to Light一样,此次MACOM展出了众多先进的RF产品,包括MMIC、二极管和硅基氮化镓器件等。具体产品组合,包括:MATK-102425-300:射频能量工具包演示射频等离子体“喷枪”演示面向高性能窄带VCO产品组合的新型硅基解决方案面向4G和5G应用的完整无线接入前端组件...
类别:RF技术 2018-03-28 标签: MACOM 氮化镓
一文看懂氮化镓和碳化硅在混合动力汽车中的作用
汽车所能行驶的距离以及充电过程的时间长短。同样,这些问题也源于所使用的功率电子。提高电源的效率水平将有助于使逆变器体积更小,因此也具有更高的性能价格比。这也将使它们变得更轻,从而使车辆能够行驶更远的距离。同时,氮化镓(GaN)或碳硅(SiC)等宽带隙技术的出现提供了可以避免硅器件中固有功率损失的技术途径。 GaN和SiC都比硅器件具有更高的电子迁移率和更低的RDS [ON]参数...
类别:动力系统 2018-03-26 标签: 混合动力汽车 氮化镓 碳化硅

氮化镓资料下载

本书为Qorvo的射频技术For Dummies系列书籍中的《氮化镓 For Dummies》的氮化镓技术部分。...
类别:射频 2017年11月10日 标签: 氮化镓
本书为Qorvo的射频技术ForDummies系列书籍中的《氮化镓ForDummies》的氮化镓应用部分。...
类别:射频 2017年11月10日 标签: 氮化镓应用
  氮化镓是一种具有较大禁带宽度的半导体,属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料,也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。   增强型氮化镓(eGaN)FET与硅功率MOSFET相比有许多优势,而且就像MOSFET一样,许多设计人员想通过并联器件来提高其转换器的功率性能。因为eGaN FET的开关速度要比商用MOSFET快十倍,所以并联会带来许多新挑战。这篇文章分成...
类别:射频 2013年09月22日 标签: 场效应晶体管 寄生电感 开关阈值电压
,产生电致发光现象。发光颜色与构成其基底的材质元素有关。 3.材料 材料: GaAs(砷化镓)红光,GaP(磷)绿光,GaN(氮化镓)蓝色 4.LED类型 (1). 直插型      ① 346(φ3椭圆)      ② 546(φ5椭圆) (2). 表贴三合一    ...
类别:模拟及混合电路 2013年09月22日 标签: LED 显示屏 基础知识
氮化镓MOSFET 高频,低开关损耗...
类别:模拟及混合电路 2016年05月20日 标签: TPH3212PS TPH3207WS TPH3208PS
transphorm 氮化镓产品...
类别:模拟及混合电路 2016年05月20日 标签: TPH3212PS TPH3208PS
LED制作流程分为两大部分。首先在衬低上制作氮化镓(GaN)基的外延片,这个过程主要是在金属有机学气相沉积外延炉中完成的。准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后,按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳硅和硅衬底,还有GaAs、AlN、ZnO等材料。MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉积...
类别:模拟及混合电路 2013年09月20日 标签: LED芯片制造流程入门资料
        为使大众更了解LED的制作程序,以下将针对氮化镓系列LED作详细的介绍。...
类别:科学普及 2013年12月06日 标签: LED外延和芯片制造过程
Using enhancement mode GaN-on-Silicon devices is very similar to using modern power MOSFETs. However, due to the significantly better performance, there are some additional design and test considerati...
类别:开关电源 2013年09月07日 标签: 使用增强型氮化镓上硅功率晶体管

氮化镓相关帖子

0

0

、功率、效率方面更具关键优势,这样一来,提高了治疗的准确性,同时降低了损伤邻近组织和器官的风险。更多的能量精确的引至治疗部位,使肿瘤和不需要的组织脱水和/或烧掉,同时在系统级降低功耗和热限制。 未来,基于氮化镓的固态射频医疗设备可被用于在输血和移植时加热血液和器官。输血时,射频能量可以使储存的冷冻血液迅速而均匀地加热而不会产生有害毒素,从而在紧急情况下快速输血。同样,冻结和快速解冻捐献的器官而不引...
0次浏览 2018-08-21 信息发布 标签: 固态射频 传统射频 射频能量

0

0

提供了一种工具来计算给定时间段内的黑夜小时数(即整个太阳低于地平线的时间)。以洛杉矶为例,今年八月份平均每日黑夜时间为10小时9分钟,一个月的黑夜时间总共为313小时。如果在这些黑夜时间段内持续点亮,则由磁控管供电的等离子灯的使用寿命最短2个月,最长4个月。因此,由于更换灯泡的成本过高,诸如室外、街道、体育场或区域照明的应用将无法从基于磁控管的等离子照明中获益。不过,利用氮化镓技术的性能优势...
0次浏览 2018-08-06 信息发布 标签: 固态射频 射频能量 射频应用

0

0

造、新材料、半导体等战略新兴行业进行了产业布局。其中半导体方面,在2017年2月份投资了氮化镓企业江苏能华微电子科技发展有限公司,今年7月份投资上海伟测半导体科技有限公司,之后将与傅城为核心的股权投资团队合作发起设立文治芯成半导体产业基金,该基金将定位于半导体产业领域阶段偏中期的轻资产项目投资。   “现在大家都觉得国家支持半导体行业,很多产业项目和资本都扎堆进入其中,有些企业明明不是做半导体...
0次浏览 2018-08-03 信息发布

0

0

基础。     让我们更深入地了解一些创新技术以及未来可能实现的现实:     无需耗尽电池电量,获得电动汽车的扭矩动力     氮化镓(GaN)和碳硅(SiC)在高压应用中的优势已经在电源行业被广泛讨论,可靠性问题是阻碍其广泛推广的最后屏障。现在我们已经克服了这个问题,静待这令人兴奋的新机遇在汽车、工业、医疗以及消费类电子市场中...
0次浏览 2018-08-01 信息发布

0

0

都有很大影响。〉〉〉点击查看详情 关于TPS54610芯片输出电压不正常的问题 很早之前做的设计,电源芯片选择的是TPS54610,输入是5V,输入是2.5V,当时利用TI的WEBENCH工具设计电路,电路图如下所示:〉〉〉点击查看详情 【GaN 干货大集合】这些氮化镓 (GaN) 技术干货你看过吗? 这些 GaN 技术干货你看过...
202次浏览 2018-07-27 【跟TI学电源】

2

0

基于氮化镓器件的48 V - 12V非隔离稳压式转换器开发板,其功率密度每立方英寸超过1250W及效率可高于96% GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SIC、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率...
51次浏览 2018-07-10 电源技术

0

0

【GaN 干货大集合】这些氮化镓 (GaN) 技术干货你看过吗? 氮化镓 (GaN) 解决方案综合介绍 www.ti.com.cn/gan说不完道不尽的氮化镓氮化镓已为数字电源控制做好准备技术前沿:德州仪器加快氮化镓技术的推广应用智能电源为所有智能产品提供便利释放高压创新的力量GaN 相关白皮书 - 通过高压创新重新定义电源管理〉〉〉点击查看详情 请帮忙确定UCC25630的四个...
202次浏览 2018-06-22 【跟TI学电源】

0

0

全球排放量的 2%。而据GeSI预测,到 2020 年,无线行业的能源相关排放可能占据 ICT 行业的 50% 以上。在抗击全球变暖期间,这些数据引起了人们的担忧。 毫无疑问,无线运营商渴望着迎来提高基站能源效率的技术创新。正因如此,硅基氮化镓(GaN)技术将顺理成章地取代行内基站功率放大器 LDMOS。 氮化镓将实现更高能效 例如,与LDMOS相比,MACOM 硅基氮化镓提高了 10...
0次浏览 2018-06-20 信息发布

0

0

氮化镓衬底量产技术获得重大突破,实现国内首创4英寸GaN自支撑衬底的试量产。 天域半导体是我国首家专业从事第三代半导体碳硅外延片研发、生产和销售的高新技术企业。据悉,早在2010年,该公司就与中国科学院半导体所合作成立了“碳硅技术研究院”。目前,天域半导体可提供6英寸SiC晶圆,以及各种单极、双极型SiC功率器件。 风华高科是一家专业从事新型元器件、电子材料、电子专用设备等电子信息基础产品...
0次浏览 2018-06-13 信息发布

0

0

高频电能变换技术的创新突破发展。 中半导体的一大产品线就是GaN半导体衬底材料。据悉,目前已建成国内首家专业的GaN衬底材料生产线,制造出厚度达1100微米的自支撑GaN衬底,并能够稳定生产。今年2月初,中半导体氮化镓衬底量产技术获得重大突破,实现国内首创4英寸GaN自支撑衬底的试量产。 天域半导体是我国首家专业从事第三代半导体碳硅外延片研发、生产和销售的高新技术企业。据悉,早在2010...
101次浏览 2018-06-12 信息发布

氮化镓视频

2015电源设计研讨会: 基于氮化镓的图腾柱无桥 PFC (CCM)
由于其出色的开关特性和经改进的性能指标,氮化镓 (GaN) 技术最近在电源转换应用中备受关注。具有低寄生电容和零反向恢复的非共源共栅 (cascoded) GaN可实现更高的开关频率和效率,从而提供了全新的应用和拓扑选择。连续传导模式 (CCM) 图腾柱PFC就是从GaN优点中受益的一种拓扑。与...

小广播

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved