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氮化镓

在电子工程世界为您找到如下关于“氮化镓”的新闻

Anker宣布充用上GaN元件 消费级氮化镓充电器开卖
   关于消费级氮化镓GaN充电器的话题从来不曾停止。先是初创品牌Dart-C日渐式微,台达Innergie 60W USB PD与GaN绝缘,就连德州仪器提供的DEMO也并不建议用做量产参考,小体积大功率的消费级氮化镓充电器在哪里成了谜团。但等待的时间似乎没有用上太久,Anker2018新品发布会上,正式发布了基于氮化镓GaN元件的Anker...
类别:便携/移动产品 2018-10-26 标签: 氮化镓充电器
强大的AIX G5+C金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 反应器
Plessey 是屡获殊荣的光电子技术解决方案的领先开发商,宣布已从 AIXTRON SE (FSE: AIXA) 订购了下一个反应器,AIXTRON SE 是半导体行业沉积设备的全球领先供应商。AIX G5+ C 金属有机学气相沉积 (MOCVD) 反应器将提升 Plessey 在硅 (GaN-on-Si) 晶圆上制造氮化镓的能力,其目标是应用于下一代...
类别:光通讯 2018-09-26 标签: 反应器 氮化镓
合作研制先进的硅基氮化镓功率二极管和晶体管架构,并将其量产利用IRT纳电子技术研究所的研究结果,工艺技术将会从Leti的200mm研发线转到意法半导体的200mm晶圆试产线,2020年前投入运营 意法半导体(和CEA Tech下属的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化镓(GaN)功率开关器件制造技术。该硅基氮化镓功率技术将让意法半导体能够满足高能效、高功率的应用...
类别:分立器件 2018-09-25 标签: 硅基氮化镓
氮化镓IC将改变电动汽车市场
节能减碳意识兴起,这股风潮也连带席卷汽车产业,电动车需求开始快速攀升。为有效提升电动车整体功率并减少车体重量,采用新一代功率半导体可说是势在必行,氮化镓便应运而生;透过氮化镓IC,未来的电动汽车将更快、更小、具更佳的性能,同时实现更低的能源损耗。随着全球能源结构朝向低碳能源和节能运输转移,节能汽车产业亦正面临着挑战。如今,整个电动汽车(EV)市场的成长率已经超过传统内燃机...
类别:动力系统 2018-08-13 标签: 氮化镓
重量和提高能效,从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。碳硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料,提供下一代功率器件的基础。与硅相比,SiC和GaN需要高3倍的能量才能使电子开始在材料中自由移动。因而具有比硅更佳的特性和性能。一个主要优势是大大减少开关损耗。首先,这意味着器件运行更不易发热。这有...
类别:电源设计 2018-07-24 标签: 功率器件 氮化镓
宜普公司推出基于氮化镓器件高效率电源转换方案
),其效率高于96%。 EPC9130开发板有五个相位、在半桥配置中包含两个100 V的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)EPC2045及采用uPI 半导体公司的 up1966A 栅极驱动器。发送至栅极驱动器的 PWM 信号由板载 Microchip dsPIC33 微控制器发出。该板包含所有关键元器件,采用可实现最佳开关性能的布局 – 物料清单/成本是每瓦...
类别:电源模块 2018-07-10 标签: 宜普公司 电源转换方案
氮化镓(GaN)技术推动电源管理不断革新
能源并占用更小空间,所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年,电力电子领域将管理大约80%的能源,而2005年这一比例仅为30%1。这相当于30亿千瓦时以上的节能。这些电力足以为30多万个家庭提供一年的电量。任何可以直接从电网获得电力的设备(从智能手机充电器到数据中心),或任何可以处理高达数百伏高电压...
类别:材料技术 2018-06-28 标签: GaN
贸泽备货Qorvo 1800W QPD1025L碳化硅基氮化镓晶体管
2018年5月31日 – 专注于新产品引入 (NPI) 并提供极丰富产品类型的业界顶级半导体和电子元件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Qorvo的QPD1025L碳硅 (SiC) 基氮化镓 (GaN) 晶体管。QPD1025在65 V 电压下的功率为1.8 kW,是业界功率最高的碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 射频晶体管,提供高...
类别:电子设计 2018-06-01 标签: 贸泽 碳化硅基氮化镓晶体管
宜普电源转换公司(EPC)的两个车用氮化镓晶体管成功通过了国际汽车电子协会所制定的AEC Q101分立器件应力测试认证。宜普电源转换公司宣布其两个车用氮化镓(eGaN)器件成功通过AEC Q101测试认证,可在车用及其它严峻环境实现多种全新应用。EPC2202及EPC2203是采用晶圆级芯片规模封装(WLCS) 、80 VDS 的分立晶体管。面向严峻的车用环境的多个分立晶体管...
类别:行业动态 2018-05-04 标签: 氮化镓 eGaN
氮化镓GaN功率元件产业逐渐起飞
2016年氮化镓(GaN)功率元件产业规模约为1,200万美元,研究机构Yole Développemen研究显示预计到2022年该市场将成长到4.6亿美元,年复合成长率高达79%。包括LiDAR、无线功率和封包追踪等应用,尤其是高阶低/中压应用,GaN技术是满足其特定需求的唯一现有解决方案。虽然目前只有少数厂商展示商业的GaN技术,但事实上已有许多公司投入GaN技术...
类别:半导体生产 2018-05-03 标签: 氮化镓

氮化镓资料下载

本书为Qorvo的射频技术For Dummies系列书籍中的《氮化镓 For Dummies》的氮化镓技术部分。...
类别:射频 2017年11月10日 标签: 氮化镓
本书为Qorvo的射频技术ForDummies系列书籍中的《氮化镓ForDummies》的氮化镓应用部分。...
类别:射频 2017年11月10日 标签: 氮化镓应用
  氮化镓是一种具有较大禁带宽度的半导体,属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料,也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。   增强型氮化镓(eGaN)FET与硅功率MOSFET相比有许多优势,而且就像MOSFET一样,许多设计人员想通过并联器件来提高其转换器的功率性能。因为eGaN FET的开关速度要比商用MOSFET快十倍,所以并联会带来许多新挑战。这篇文章分成...
类别:射频 2013年09月22日 标签: 场效应晶体管 寄生电感 开关阈值电压
,产生电致发光现象。发光颜色与构成其基底的材质元素有关。 3.材料 材料: GaAs(砷化镓)红光,GaP(磷)绿光,GaN(氮化镓)蓝色 4.LED类型 (1). 直插型      ① 346(φ3椭圆)      ② 546(φ5椭圆) (2). 表贴三合一    ...
类别:模拟及混合电路 2013年09月22日 标签: LED 显示屏 基础知识
氮化镓MOSFET 高频,低开关损耗...
类别:模拟及混合电路 2016年05月20日 标签: TPH3212PS TPH3207WS TPH3208PS
transphorm 氮化镓产品...
类别:模拟及混合电路 2016年05月20日 标签: TPH3212PS TPH3208PS
LED制作流程分为两大部分。首先在衬低上制作氮化镓(GaN)基的外延片,这个过程主要是在金属有机学气相沉积外延炉中完成的。准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后,按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳硅和硅衬底,还有GaAs、AlN、ZnO等材料。MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉积...
类别:模拟及混合电路 2013年09月20日 标签: LED芯片制造流程入门资料
        为使大众更了解LED的制作程序,以下将针对氮化镓系列LED作详细的介绍。...
类别:科学普及 2013年12月06日 标签: LED外延和芯片制造过程
Using enhancement mode GaN-on-Silicon devices is very similar to using modern power MOSFETs. However, due to the significantly better performance, there are some additional design and test considerati...
类别:开关电源 2013年09月07日 标签: 使用增强型氮化镓上硅功率晶体管

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直播主题: TI 基于GaN 的高频(1.2MHz)高效率 1.6kW 高密度临界模式 (CrM) 图腾柱功率因数校正 (PFC)转换器的应用介绍 直播时间: 2018年12月04日 上午10:00-11:30 直播内容: TIDA-00961方案使用了TI 600V氮化镓(GaN)功率器件LMG3410和TI Piccolo™ F280049主控芯片,其满载功率...
101次浏览 2018-11-15 TI技术论坛

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以下是小编为大家精选的关于DC-DC/AC-DC转换器的课程,内容涉及转换器使用与电路设计的一些关键点、技巧。希望大家学习之后,能够对DC-DC/AC-DC转换器的理解与设计有一个显著的进步: >>高性能DCDC设计的关键之电源热设计 >>氮化镓功率器件及其应用 >>如何设计TI的DC/DC器件 >>多相同步升压型变换器(1) >...
101次浏览 2018-11-13 大学堂专版

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。 学习任务 一、PFC 功率电路——共4门课程,36课时,150积分 • PFC电源设计与电感设计计算 • 基于成本和效率考虑的PFC设计 • 三相维也纳PFC拓扑设计方案 • 基于氮化镓的图腾柱无桥 PFC (CCM) 二、PFC 控制电路——共5门课程,21课时,100积分 • 三相维也纳PFC拓扑...
2005次浏览 2018-10-22 TI技术论坛

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0次浏览 2018-10-22 【跟TI学电源】

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数十年来,横向扩散金属氧物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。 与LDMOS相比,硅基氮化镓的性能优势已牢固确立——它可提供超过70%的功率效率,将每单位面积的功率提高4到6倍,并且可扩展至高频率。同时,综合测试数据已证实,硅基氮化镓符合严格的可靠性...
0次浏览 2018-10-22 信息发布

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以下是小编为大家精选的关于PFC功率电路的课程,希望大家学习之后,能够对PFC的理解与设计有一个显著的进步: >>PFC电源设计与电感设计计算 >>基于成本和效率考虑的PFC设计 >>三相维也纳PFC拓扑设计方案 >>基于氮化镓的图腾柱无桥 PFC (CCM) 现在完整学习以上课程即可赢得规定积分以外的150个TI积分作为额外奖励,请...
725次浏览 2018-10-15 大学堂专版

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的bq25910 6A三级降压电池充电器可在智能手机、平板电脑和电子销售终端(EPOS)中将解决方案尺寸减小60%。 TI高压电源解决方案副总裁Steve Lambouses表示:“消费者希望以更小的尺寸实现更快速的充电,这些新解决方案不仅能够实现这一目标,而且还能使设计人员以更低的功耗实现比之前更多的功能。” 有源钳位反激式芯片组符合现代效率标准 UCC28780同时支持氮化镓(GaN)和硅(Si...
308次浏览 2018-10-15 TI技术论坛

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瑞典的研究人员在碳硅(SiC)上生长出更薄的IIIA族氮化物结构,以期实现高功率和高频薄层高电子迁移率晶体管(T-HEMT)和其他器件。 新结构采用高质量的60nm无晶界氮化铝(AlN)成核层,而不是大约1-2μm厚的氮化镓(GaN)缓冲层,以避免大面积扩展缺陷。 成核层允许高质量的GaN在0.2μm的厚度内生长。 用于高频和功率电子器件的GaN-SiC混合材料 (a)常规和(b)低...
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日本SCIOCS有限公司和法政大学曾报导了在氮化镓(GaN)中利用光电学(PEC)蚀刻深层高纵横比沟槽的进展[Fumimasa Horikiri et  al, Appl. Phys. Express, vol11, p091001, 2018]。 该团队希望该技术能够在高场中能够利用GaN的高击穿场和高电子迁移速度为电力电子技术开辟新的器件结构。 具有p型和n型材料列...
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、碳硅和氮化镓功率器件最新驱动技术、大量快速成型的规则等电源设计话题还有待进一步探讨。设计人员可从e络盟获取以上制造商产品和其他热门电源应用器件以及相关支持服务,从而实现无障碍设计。   伺服驱动器是现代运动控制的重要组成部分,被广泛应用于工业机器人及数控加工中心等自动设备中。尤其是应用于控制交流永磁同步电机的伺服驱动器已经成为国内外研究热点。当前交流伺服驱动器设计中普遍采用基于矢量控制...
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2015电源设计研讨会: 基于氮化镓的图腾柱无桥 PFC (CCM)
由于其出色的开关特性和经改进的性能指标,氮化镓 (GaN) 技术最近在电源转换应用中备受关注。具有低寄生电容和零反向恢复的非共源共栅 (cascoded) GaN可实现更高的开关频率和效率,从而提供了全新的应用和拓扑选择。连续传导模式 (CCM) 图腾柱PFC就是从GaN优点中受益的一种拓扑。与...

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