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栅极驱动器

在电子工程世界为您找到如下关于“栅极驱动器”的新闻

栅极驱动器的原理
我们将简要介绍栅极驱动器的概念并详细解释隔离式和非隔离式栅极驱动器的本质特征。我们还将学习隔离式栅极驱动器的一些关键优势。什么是栅极驱动器?简单来说,栅极驱动器是一个用于放大来自微控制器或其他来源的低电压或低电流的缓冲电路。在某些情况下,例如驱动用于数字信号传输的逻辑电平晶体管时,使用微控制器输出不会损害应用的效率、尺寸或热性能。在高功率应用中,微控制器输出通常不适合...
类别:驱动 2019-01-07 标签: 栅极驱动器
支持更高密度需求——TI LMG3410R070 GaN功率级产品
、温度、电压和开关频率比硅晶体管更高,同时还可减少高达80%的开关损耗。         贸泽电子供应的TI LMG3410R070 GaN功率级产品集成有栅极驱动器和稳定可靠的保护功能,可提供比硅MOSFET和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 更出色的性能。该器件具有零共源极电感、25至100 V...
类别:稳压稳流 2018-12-24 标签: TI 栅极驱动器
增强安全性,简化设计—意法半导体的4A双通道栅极驱动器
STGAP2DM栅极驱动器是意法半导体的 STGAP2系列电隔离驱动器的第二款产品,集成了低压控制和接口电路以及两个电隔离输出通道,可以驱动单极或双极型晶体管的栅极。 STGAP2DM内部额定隔离电压高达1700V,有助于增强安全性,简化系统设计,节省物料清单成本和电路板空间。两个26V轨到轨输出具有4A栅极驱动能力,可确保工业电机驱动器和大功率变频有强大的性能...
类别:驱动 2018-11-15 标签: 驱动器
ST推出新款单路电气隔离栅极驱动器
意法半导体的STGAP2S单路电气隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压,准许用户选择独立的导通/关断输出或内部有源米勒钳位功能,可用于各种开关拓扑控制碳化硅(SiC)或硅MOSFET和IGBT功率晶体管。 STGAP2SCM配备一个有源米勒钳位专用引脚,为设计人员防止半桥配置晶体管意外导通提供一个简便的解决方案。在MOSFET关断状态时,该引脚可将...
类别:控制器 2018-08-03 标签: ST 单路电气隔离栅极驱动器
东芝推出紧凑型功率MOSFET栅极驱动器智能功率器件
-新器件尺寸显著减小,适用于汽车用三相无刷电机应用东京—东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布面向汽车用三相无刷电机推出一款全新的紧凑型功率MOSFET栅极驱动器智能功率器件(IPD)。该器件适用于汽车用电机驱动器应用,例如,12V电动助力转向系统(EPS)、油泵/水泵、风扇电机和电动涡轮增压。东芝的IPD产品为高边和低边功率开关提供保护,在汽车应用中尤为有用。通常...
类别:分立器件 2018-07-24 标签: 东芝 MOSFET
三相马达驱动用的栅极驱动器DRV8305-Q1的主要特性
    TI公司的DRV8305-Q1是三相马达驱动用的栅极驱动器,提供三个半桥驱动器,每个能驱动高边和低边N沟MOSFET;电荷泵驱动器支持100%占空比。器件满足AEC-Q100标准,4.4-V 到45-V工作电压,栅极峰值电流1.25A和1A,工作温度–40℃到150℃,主要用在三相BLDC和PMSM马达,汽车油泵和水泵,风扇...
类别:行业动态 2018-04-29 标签: 栅极驱动器 半桥驱动器 TI公司
基于LV8907无传感器三相无刷直流马达控制方案
    On Semi公司的LV8907是高性能AEC-Q100许可的无传感器三相无刷直流(BLDC)马达控制器,集成了用来驱动外接N-MOSFET的栅极驱动器,两级电荷泵提供各种低RDS(ON)外接N-MOSFET所需的栅极电压,工作结温高达175ºC,工作电压5.5V 到 20V,主要用在汽车泵(燃料泵,油泵和水泵),风扇(HVAC...
类别:行业动态 2018-04-29 标签: LV8907 栅极驱动器 BLDC
基础无刷栅极驱动器设计 —— 第1部分
内容线性下降对于其余六个读卡,许多无刷直流电机系统旨在追求高功率和高效率,这意味着最好的实现方式是用分立式MOSFET控制栅极驱动器的微控制器(MCU)。在您测试出最佳的速度环路算法来控制您的电机之前,您只需将MCU的智能与MOSFET的原始电流驱动能力连接即可。栅极驱动器充当MCU的逻辑域与MOSFET和电动机的功率域之间的转换。有两种可以实现这种转换的架构:分立式栅极...
类别:综合资讯 2017-12-19 标签: 驱动器 无刷直流电机
基础无刷栅极驱动器设计 —— 第2部分
无刷直流电机很酷(可以帮您结交朋友)。没有人喜欢谈论实际的硬件(但是我打算这么做)。分立式和集成式栅极驱动器各有优缺点。我可以整天谈论功能和优点,但工程师想看的是一些真正的电路。在这篇博文中,我将直接比较分立式和集成式栅极驱动架构,展示两者的电路板级差异。原理图和布局比较的两个关键指标是组件数量和解决方案尺寸。第一个度量标准是: 元件数量。这在原理图完成后可以相对容易地找到...
类别:综合资讯 2017-12-19 标签: 驱动器 无刷直流电机
基础无刷栅极驱动器设计 —— 第2部分
无刷直流电机很酷(可以帮您结交朋友)。没有人喜欢谈论实际的硬件(但是我打算这么做)。分立式和集成式栅极驱动器各有优缺点。我可以整天谈论功能和优点,但工程师想看的是一些真正的电路。在这篇博文中,我将直接比较分立式和集成式栅极驱动架构,展示两者的电路板级差异。原理图和布局比较的两个关键指标是组件数量和解决方案尺寸。第一个度量标准是:  元件数量。这在原理图完成后可以相对...
类别:传动与执行 2017-12-19

栅极驱动器资料下载

驱动电流前后沿的改善    从步进电机的运行特性分析中知道 ,性能较高的驱动器都要求提供的电流前后沿要陡,以便改善电机的高频响应.本驱动器中由于功率MOSFET管栅极电容的存在,对该管的驱动电流实际表现为对栅极电容的充、放电.极间电容越大,在开关驱动中所需的驱动电流也越大,为使开关波形具有足够的上升和下降陡度,驱动电流要具有较大的数值.如果直接用集电极开路的器件...
类别:电机 2013年09月22日 标签: 步进电机控制电路设计
output parts 3. input/output parts 4. power parts 5. test pins and others 液晶显示的原理是液晶在不同电压的作用下会呈现出不同的 光特性。 LCD真彩显示使用TFT型LCD,主动点阵显示,需要采用源极 驱动器(source driver)和栅极驱动器(gate driver)去控 制LCD场效应晶体管FET的源极与栅极...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 端口 和接 口详 解利 于理 模块
iCoupler技术揭秘利用隔离式栅极驱动器ADuM3220驱动H电桥 H 电桥电路用于许多存在高压和其它电气风险的电源应用,如逆变和电机驱动器等。为提供安全保护,设计人员可以利用两个双通道隔离式栅极驱动器将控制电路与H 电桥隔离开来,例如ADuM1233、ADuM1234 或ADuM7234。这些器件非常适合驱动H 电桥,因为其高端输出可以参考比隔离接地参考更高的电压,而且其高端输出与低端...
类别:电机 2013年09月18日 标签: iCoupler技术
AN-6076供高电压栅极驱动器IC使用的自举电路的设计和使用准则 本文讲述了一种运用于功率型MOSFET 和IGBT 设计性能自举式栅极驱动电路的系统方法,适用于高频率,大功率及高效率的开关应用场合。不同经验的电力电子 工程师们都能从中获益。在大多数开关应用中,开关功耗主要取决于开关速度。因此,对于绝大部分本文阐述的大功率开关应用,开关特性是非常重要的。自举式电 源是一种使用最为广泛...
类别:模拟及混合电路 2013年09月19日 标签: AN6076 高电压栅极驱动器
MOSFET驱动器与MOSFET栅极电荷匹配设计 当今多种模式风头技术和鬼片支撑并存,而且技术进步越来越快,要根据MOSFET的电压/电流或管芯吃困,对如何将MOSFET驱动器与MOSFET进行匹配进行了一般说明。 本笔记详细讨论与MOSFET栅极电荷和工作频率相关的MOSFET驱动器功耗...
类别:电源技术 2013年09月16日 标签: MOSFET驱动器
兼容,并增加了8 引脚SOIC封装选项。8 引脚DFN 封装提高了功率消耗能力,可以驱动更大的容性或阻性负载。TC4423A/TC4424A/TC4425A MOSFET 驱动器能够在20 ns 之内轻松地对1800 pF的栅极电容进行充/ 放电。在开、关状态下,器件都具有足够低的阻抗,确保MOSFET的预期状态即使发生大的瞬态事件也不会受到影响。TC4423A/TC4424A/TC4425A 输入...
大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术 功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点,因而非常适合用作开关电源switch-mode powersupplies,SMPS)的整流组件,不过,在选用MOSFET时有一些注意事项。功率MOSFET和双极型晶体管不同,它的栅极电容比较大,在导通之前要先对该电容充电,当电容电压超过阈值电压(VGS-TH)时MOSFET才开始导通。因此,栅极驱动器...
类别:开关电源 2013年08月30日 标签: 大功率 开关电源 率MOSFET 驱动技术
首先,所有逆变都拥有MOSFET或IGBT功率晶体管,用以完成将直流电源转换成交流电源的繁重任务。这些功率开关由直流/交流控制器驱动。由于多数控制器均为低压器件,功率晶体管则为相对高压器件,因此需用数字隔离栅极驱动器才能实现这种转换功能。ADI的iCoupler®技术构成多种隔离栅极驱动器的基础,如ADuM3220,其中有两个隔离驱动器集成在单个封装中,具有4 A峰值电流驱动能力。两个...
类别:逆变电源 2013年09月22日 标签: 数字隔离器 太阳能逆变器 iCoupler
用双极性方法驱动单极性栅极驱动器...
类别:开关电源 2018年12月28日 标签: 双极性 单极性 栅极驱动器 MOS
高压浮动MOSFET栅极驱动器原理及应用?? 4.8 一种基于单片微机的可控硅智能控制模块?? 4.9 最小的多模式步进电机控制器及其应用?? 4.10 基于串行接口芯片的单片机智能控制器的设计与实现?? 4.11 单片机在灯光自动控制系统中的应用?? 4.12 一种通过对电机可逆调速获得合成图案的激光投射仪?? 4.13 输出大电流的功率运算放大器PA03及其应用...
类别:电机 2013年01月21日 标签: 单片机

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电阻由于其封装结构而具有较高的ESL,应避免使用。一般来说,ESL效应会随着电流的增加、检测信号幅度的减小以及布局不合理而变得更加明显。电路的总电感还包括由元件引线和其他电路元件引起的寄生电感。电路的总电感也受到布局的影响,因此必须妥善考虑元件的布局,不恰当的布局可能影响稳定性并加剧现有电路设计问题。 检测电阻ESL的影响可能很轻微,也可能很严重。ESL会导致开关栅极驱动器发生明显振荡,从而对开关导...
47次浏览 2019-01-15 电源技术

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传统的分立式DC/DC降压开关电源无法满足对更高功耗密度的要求,也不能解决高开关频率下的寄生参数影响问题。 随着技术的革新与进步,把驱动器和MOSFET整合在一起,构建多芯片模块已经成为了现实,这种整合方式同时可以节省相当可观的空间从而提升功耗密度,通过对驱动器和MOS管的优化提高电能效率和优质DC电流,这就是整合驱动IC的DrMOS。 瑞萨第2代DrMOS 经过QFN-56无脚封装...
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智能无源传感器电动汽车车载充电机(OBC)及ASPM解决方案物联网应用中超低功耗BLE用于工业应用的MOSFET和宽禁带(WBG)解决方案用于工业应用的高性能IGBT和隔离栅极驱动器 届时,WPIg 和ON Semiconductor的技术专家将于现场为大家展示ON Semiconductor BLE & Industry相关产品的应用,与大家分享/交流设计中遇到的各种问题和解决方法!务必...
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;  数字隔离、隔离链路、模数转换、隔离放大器和隔离栅极驱动器中均使用了这一隔离通信路径。此结构可实现非常高的隔离能力,包括12.8kV额定浪涌电压、8kV峰值瞬态过压和1.5kVRMS工作电压。下面,让我们来深入了解一下该结构。我们将会从上层开始。在16引脚SOIC封装的X射线图像中,大家会看到什么。 这是一个宽体封装。在封装内部,两个裸片垫之间有一个较大...
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开关,如有源钳位正激、推挽或半桥Fly-Buck™转换。有时,需要MOSFET栅极驱动器驱动MOSFET。这两个PWM系列是非常基本的控制器,逻辑不复杂,拥有适量的其他功能,使其易于在许多应用中实现。       PWM应用包括焊接、家用电、电机驱动器、个人电子产品、逆变、电动车、不间断电源、太阳能发电、音频放大器和汽车加热...
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Type-C™ DFP 5V 3A 充电参考设计原理图设计指南设计文件 适用于伺服驱动器,并采用智能栅极驱动参考设计的 48V/500W 三相逆变原理图设计指南设计文件 个人电子产品: TI 为消费类和便携式电子终端设备应用提供了最为可靠、可扩展且低功耗的参考设计。 功率密度为 30W/in3、效率高达 94% 的 65W USB Type-C PD 交流/直流适配器参考设计原理图设计...
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的大小。第二注意的是,普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计...
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上升和下降时间可将fR的位置向低频方向移动,而更高频率信号的强度将以40dB/dec的速度快速降低,从而改善其辐射状况。在低频段,较低的上升和下降速度所导致的改善是很有限的。 在自举电路上增加串联电阻开关切换波形的上升时间取决于上桥MOSFET Q1的导通速度。Q1是受浮动驱动器驱动的,该驱动器的供电来自于自举电容Cboot。在集成化的Buck转换中,Cboot由内部的稳压进行供电,其电压通常...
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=4]在自举电路上增加串联电阻[/size] [size=4] [/size] [size=4] 开关切换波形的上升时间取决于上桥MOSFET Q1的导通速度。Q1是受浮动驱动器驱动的,该驱动器的供电来自于自举电容Cboot。在集成化的Buck转换中,Cboot由内部的稳压进行供电,其电压通常为4V~5V。见图7左侧。[/size] [size=4][attach]386416...
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具 4 个调节环路的 80V、98% 效率、四开关同步降压-升压型控制器 IC
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2013-01-01 标签: Linear 控制器 LT8705
80V同步SEPIC/负输出/升压型控制器IC
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