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晶体管

在电子工程世界为您找到如下关于“晶体管”的新闻

Ampleon推出62%效率的Gen9HV LDMOS晶体管
埃赋隆半导体(Ampleon)今天宣布推出一款750W的Gen9HV LDMOS RF功率晶体管BLF13H9L750P,专门设计用于工作在1.3GHz频谱的粒子加速器应用。该晶体管采用陶瓷4引脚SOT539形式并采用法兰螺栓固定封装(BLF13H9L750P)和法兰无耳封装(BLF13H9LS750P),可提供优于62%、据信是同类产品中最高的效率。凭借如此高的工作效率规格...
类别:电源设计 2018-09-26 标签: Ampleon 晶体管
埃赋隆半导体推出大功率坚固型BLF189XRA RF功率晶体管
高效1,600W极坚固RF功率晶体管面向50V FM无线电广播应用埃赋隆半导体(Ampleon)今天宣布推出大功率坚固型BLF189XRA RF功率晶体管,用于88-108MHz频率范围内的广播FM无线电应用。 BLF189XRA采用业界标准的50V电源供电,输出功率超过1,600W(CW)。该晶体管具有同类最佳的工作功率效率(>82%),这一“绿色”凭证...
类别:工艺设备 2018-09-25 标签: 晶体管 埃赋隆
高通和苹果杠上了,骁龙1000曝光:拥有超85亿个晶体管
即将推出的Snapdragon 8180代号为“Poipu”项目,将拥有超过85亿个晶体管。作为对比,骁龙835拥有30亿个晶体管,而苹果A12拥有69亿颗晶体管。新的骁龙8180还可以提供高达15W的最大功率,与英特尔的U系列酷睿i3、i5和i7芯片相当。骁龙8180的尺寸为20×15mm,由台湾制造商台积电制造,基于7nm工艺打造。高通似乎对他们即将推出的用于PC的骁龙...
类别:嵌入式处理器 2018-09-18 标签: 高通 骁龙
技术突破:世界最小单原子晶体管问世
德国卡尔斯鲁厄理工学院托马斯⋅希梅尔教授领导的团队开发出了单原子晶体管——一种利用电流控制单个原子位移实现开关的量子电子元件。单原子晶体管可在室温下操作,并消耗很少电能,这为未来信息技术开辟了新的应用前景。这项成果已被刊登在《先进材料》杂志上。   数字化对能源有巨大需求,在工业化国家中,信息技术目前用电量占整个工业用电量的10%以上,无论是计算机处理中心、个人电脑...
类别:其他技术 2018-09-03 标签: 单原子晶体管
华为麒麟980:指甲盖大小的芯片塞了69亿个晶体管
的尺寸上塞进69亿个晶体管。麒麟980相关数据其中,麒麟CPU子系统推出了智能调度机制,设计了2超大核(基于Cortex-A76开发)、2大核(基于Cortex-A76开发)、4小核(Cortex-A55)的全新能效架构。相对于传统的大小核两档位设计,大中小核能效架构在调度层次方面更加精准。AI调频调度技术能够实时学习帧率、流畅度和触屏输入变化,预测手机任务负载,动态智能感知手机...
类别:基带/AP/平台 2018-09-01 标签: 华为 麒麟980
德国开发单原子量子晶体管,计算机能耗或降低1万倍
据报道,德国卡尔斯鲁厄理工学院一个研究团队开发了仅有一个原子组成的量子晶体管,而且能够在室温下运行。这一研究开启了计算能力和效率的新篇章。控制电子信号传输的晶体管是现代电子产品的基础。在逾半个世纪以来,晶体管尺寸和能耗的稳步降低,一直是推动计算能力增长的基本动力。新型晶体管依靠移动一个银原子开启或关闭电路。材料科学新闻网站Nanowerk称这种晶体管是世界上最小的晶体管。更重...
类别:其他 2018-08-21 标签: 晶体管
坚固耐用型250W RF PA晶体管具有69%的能效,并可在所有相位上承受20:1的VSWR 荷兰奈梅亨 – 2018年7月18日,埃赋隆半导体(Ampleon)今天宣布向其适用于连续波(CW)射频能量应用的大功率LDMOS射频晶体管产品阵容中新增一款产品。BLC2425M10LS250功率晶体管效率高达69%,能够在2,400至2,500MHz频率范围内提供高达...
类别:RF技术 2018-07-19 标签: 射频晶体管 埃赋隆半导体
最新突破!人造感觉神经问世,人造皮肤可识别盲文!
。  而此次的人造传入神经系统则参考了生物的传入神经系统,由三大核心组件构成:触觉感受器、人造神经元和突触晶体管。  图 “金字塔结构”电阻式压力传感器,“金字塔结构”电阻式压力传感器的灵敏度和工作范围与生物皮肤机械感受器的灵敏度和工作范围相当  其中,触觉感受器由一组压力传感器组成,连接到一个作为人造神经元的环形振荡器上;一系列传感器负责感知压力信号,并由此产生相应的电压变化;之后...
类别:综合资讯 2018-06-25 标签: 神经 盲文 晶体管
英特尔现在的主力工艺依然是14nm,10nm遭遇量产,不过联想Ideapad 330就使用了10nm Cannonlake架构的Core i3-8121处理器,通过分析英特尔的10nm工艺晶体管密度达到了100MTr/mm2,是14nm节点的2.7倍,而且英特尔首次使用了贵金属钌。英特尔现在的主力工艺依然是14nm,目前已经发展了三代14nm工艺,将会一直用到2019...
类别:综合资讯 2018-06-15 标签: 英特尔 10nm工艺
Intel 10nm工艺揭秘:晶体管密度比肩台积电/三星7nm
10nm工艺使用了第三代FinFET立体晶体管技术,晶体管密度达到了每平方毫米1.008亿个(符合官方宣称),是目前14nm的足足2.7倍!作为对比,三星10nm工艺晶体管密度不过每平方毫米5510万个,仅相当于Intel的一半多,7nm则是每平方毫米1.0123亿个,勉强高过Intel 10nm。至于台积电、GF两家的7nm,晶体管密度比三星还要低一些。换言之,仅晶体管集成度...
类别:综合资讯 2018-06-15 标签: Intel 10nm

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力的比较是在其它条件相同或相当的前提下进行的,只具有相对的意义,不要把它们绝对化。    1. 双极型器件抗中子辐照的能力差,最敏感的参数是电流放大系数hFE;MOS器件抗电离辐照的能力差,最敏感的参数是阀值电压VT。MOS场效应管的抗中子辐射能力比双极晶体管高1~2个数量级,但它的抗电离辐射能力却比双极晶体管低2~3个数量级。   ...
类别:模拟及混合电路 2013年09月18日 标签: 电子元器件的抗辐射应用
第三节 半桥式逆变器电路 50 一、电压馈电半桥式逆变器电路 51 二、电流馈电半桥式逆变器电路 59 第四节 自振荡IC驱动的半桥式逆变器电路 62 一、由NE555时基电路组成的它激式半桥逆变器电路 63 二、由自振荡IC直接驱动的MOSFET半桥逆变器电路 64 第五节 全桥式逆变器电路 74 第五章 逆变器中功率开关晶体管 77 第一节 双极型晶体管的开关...
类别:模拟及混合电路 2013年07月13日 标签: 电子镇流器
功率的信号输出,理想情况下,输入信号波形应该没有任何改变地被复制 放大。市场上共存着多种类型功率放大器,并按照晶体管的导通时间分类。 A 类放大器(Class A Amplifier) A 类放大器晶体管总是处于导通状态,也就是说没有信号输入时,晶体管也有输出功率,因 此晶体管会变得很热,大部分功率都浪费在了产生热量上。尽管其效率很低(约 20%),但精 度非常高。图 1.1:A 类放大器 B 类...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: D放大器设计 手提设备首先
D类音频放大器设计:概念、原理和方法(上)D类放大器首次提出于1958年,近些年已逐渐流行起来。那么,什么是D类放大器?它们与其它类型的放大器相比如何? 为什么D类放大器对于音频应用很有意义?设计一个“优质”D类音频放大器需要考虑哪些因素? 美国模拟器件公司(简称ADI公司)D类放大器产品的特点是什么? 本文中试图回答上述所有问题。D类放大器的优点在传统晶体管...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 类音 频放 大器 设计 概念 原理 和方
* I S B N : 9787564108342 * 包  装: 平装 内容简介 本教材按照材料与器件物理、制造工艺、版图设计、元器件及其SPICE 模型、基于SPICE的集成电路仿真、晶体管级设计、模块级设计、系统级设计、集成电路封装和测试的“自底向上”设计流程讲述集成电路设计的基础知识和基本技术,并介绍九天(Zeni)系统、Silvaco系统等相关的分析与设计软件工具...
类别:应用案例 2012年12月25日 标签: 集成电路
] 电池电量与电压对照曲线2.充电通路晶体管的控制和功率限制 外部通路晶体管的控制驱动器包含在了PMIC中;这个驱动的输出可以内部晶体管应用,也可以通过CHG-CTL-N脚供外部应用。如果需要的话,一般操作时PMIC使用通路晶体管的闭环控制来校准VDD电压,快速充电(恒流充电)时的检测电流(IDET),或者充电最后状态的电池电压。通路晶体管的阻抗也被增加以用来...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 08124
英特尔 3D晶体管 晶体管是现代电子学的基石,而Intel 此举堪称晶体管历史上最伟大的里程碑式发明,甚至可以说是“重新发明了晶体管”。半个多世纪以来,晶体管一直都在使用2-D 平面结构,现在终于迈入了3-D 三维立体时代。 3-D Tri-Gate 使用一个薄得不可思议的三维硅鳍片取代了传统二维晶体管上的平面栅极,形象地说就是从硅基底上站了起来。硅鳍片的三个面都安排了一个栅极,其中两侧各一个...
类别:模拟及混合电路 2013年07月08日 标签: 英特尔 3D晶体管
2G4Hz低噪声放大器的研究2G4Hz低噪声放大器的研究摘要:低噪声放大器是对来自天线的微伏级信号进行放大的射频接收端的放大模块。该低噪声放大器主要由输入匹配网络、微波晶体管放大器和输出匹配网络组成。匹配网络采用微带线形式建立,微波晶体管采用NPN硅晶体管BFP420。利用MicrowaveOffice进行电路仿真和优化。该放大器满足小信号放大器的指标要求...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 2G4Hz 低噪 声放 大器 的研
高频晶体管的特性与使用技巧目前已经商品化的高频晶体管,大致上可分成:Si—BJT(BJT:Bipolar Junction Transistor,双极性接点晶体管)Si—MOSFETSi—JFETGaAs—MESFETGaAs—HEMTGaAs—HBT等六大类。由于高频晶体管取得非常容易,因此使用者经常忽略它的详细规格,其结果却经常造成电路无法发挥预期的特性,有鉴于此本文要深入探讨各种高频晶体管...
类别:IC设计及制造 2013年09月22日 标签: 高频晶体管的特性与使用技巧
  6.4.4 电力晶体管的检测²²²²²²²²²²²²²²²²²²²²²²²²²²75   第七章 用万用表检测场效应晶体管²²²²²²²²²²²²²²²²²²²²²²²²76   7.1 场效应晶体管的特点和分类²²²²²²²²²²²²²²²²²²²²²76   4   7.1.1 场效应晶体管的特点²²²²²²²²²²²²²²²²²²²²²²76   7.1.2...
类别:模拟及混合电路 2013年06月30日 标签: 电子元件 识别与测量

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Type-C™充电,两个集成的5-A场效应晶体管(FET)路径使其能够支持笔记本电脑、扩展坞或连接外设等高功率应用,同时保持低RDS(on),以最低功耗实现高效充电。 配置简单 无需进行固件开发,因为每个器件都针对最常见的用例进行了预配置,从而可以快速轻松地进行选择和实施。 TI的USB Type-C™优势 作为USB开发者论坛的创始成员,TI在发布高性能的USB兼容产品...
208次浏览 2018-10-15 TI技术论坛

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很久很久以前,有一群人,他们决定用8个可以开合的晶体管来组合成不同的状态,以表示世界上的万物。他们看到8个开关状态是好的,于是他们把这称为"字节"。 再后来,他们又做了一些可以处理这些字节的机器,机器开动了,可以用字节来组合出很多状态,状态开始变来变去。他们看到这样是好的,于是它们就这机器称为"计算机"。 开始计算机只在美国用。八位的字节一共...
0次浏览 2018-10-13 【MSP430】

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甚至更高。 4.无摩擦,机械运动部件,故可靠性高,而现有浮子式液位开关浮子极易卡死造成不良。 5.头部光顺,清洗容易。 6.内置发射二极管和光敏晶体管,故寿命长。 7.带电部件与被控液体完全隔离,无仍何安全隐患。 一、这一款产品性能的可靠性方面我们有各方面的数据可以提供(根据客户要求),以及签署质量保证协议。(质保50000小时) 二、此型号产品为我司专利产品,符合安规标准要求...
0次浏览 2018-10-12 信息发布

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德州仪器(TI)近日推出了三款兼具高速和高精度的新型放大器,使设计人员能够为误差敏感型应用创建更精确的电路。新器件支持对测试与测量、医疗和数据采集系统中各种输入信号进行更精确的测量和更快的处理。如需了解有关TI新型放大器(最大电源电压范围为27V至36V)。 设计人员可以选择符合其系统要求的放大器架构,其输入电压、带宽和关键特性分别如下: OPA2810:27V结型栅场效应晶体管(JFET...
303次浏览 2018-10-12 TI技术论坛

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了[/quote] 应该说从晶体管电路开始,把大学教材电子技术基础真学明白了,MCU根本不用学,我就没学过,拿来就用。 但接触的第一款MCU,MCS51有其优势,因为资料多,跟其本身好不好无关。 [quote][size=2][url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=2781139&ptid=1029698][color=#999999]chunyang...
538次浏览 2018-10-11 【stm32/stm8】

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板。● 采用继电器输出时,所承受的电感性负载的大小,会影响到继电器的使用寿命,因此,使用电感性负载时应合理选择,或加隔离继电器。● PLC的输出负载可能产生干扰,因此要采取措施加以控制,如直流输出的续流管保护造车网版权所有,交流输出的阻容吸收电路,晶体管及双向晶闸管输出的旁路电阻保护。(4)正确选择接地点,完善接地系统良好的接地是保证PLC可靠工作的重要条件,可以避免偶然发生的电压冲击危害。接地的目的...
202次浏览 2018-10-11 电源技术

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吧 欢迎大家讨论 也给那些即将踏上工作的学子们指一点门路 关于学习 关于学习,其实就是一个浮躁不浮躁的事:) 从晶体管开始,从欧姆定律开始,愿意弄懂这些“简单”、“基本没用”的知识点才是高手之路的起点。 [quote][size=2][url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=2780171&ptid...
469次浏览 2018-10-10 RF/无线

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,同时运用 2+2+4的大中小DynamIQ架构组合,两个M4核心,采用自研的CPU和GPU。 比特大陆BM1391芯片 比特币市场带动了ASIC芯片的发展,比特大陆和嘉楠耘智是目前这个市场的领导者。比特大陆的BM1391芯片采用了7nm工艺,据介绍,这款芯片集成了超过10亿个晶体管,设计这款芯片的目的是提升挖矿效率。因为采用了最新工艺设计,芯片可以明显提升哈希率算力,同时保持低能耗,这款芯片...
102次浏览 2018-10-10 信息发布

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元件体平行并紧贴于电路板安装,焊接,其优点是元件安装的机械强度较好.这两种不同的安装元件,印刷电路板上的元件孔距是不一样的.(3)同一级电路的接地点应尽量靠近,并且本级电路的电源滤波电容也应接在该级接地点上.特别是本级晶体管基极、发射极的接地点不能离得太远,否则因两个接地点间的铜箔太长会引起干扰与自激,采用这样“一点接地法”的电路,工作较稳定,不易自激.(4)总地线必须严格按高频-中频-低频一级级...
303次浏览 2018-10-10 电源技术

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真人秀版晶体管是如何工作的
晶体管有三个极;双极性晶体管的三个极,分别由N型跟P型组成发射极(Emitter)、基极(Base) 和集电极(Collector);场效应晶体管的三个极,分别是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)。 这个课程用真人秀的方式展示晶体管三个极的关系。...
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一节课了解电脑如何进行逻辑运算
看电脑内部,微处理器中的晶体管如何协同工作,如何利用逻辑门进行运算的。...
2015-09-15 标签: 微处理器 晶体管 逻辑运算 电脑
半导体器件原理 复旦大学 蒋玉龙
半导体器件是微电子学的基础课程,在对半导体物理的基本原理有一定了解后,了解和掌握半导体器件的基本理论和物理模型对于微电子学及相关专业人员是非常必要的。本系列课程由复旦大学蒋玉龙老师为我们讲解,蒋玉龙老师系统的介绍了集成电路中的半导体器件的工作原理,着重讲解了半导体器件的物理概念及物理模型,以及基本...
模拟电子技术基础国防科大杜湘瑜
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2018-08-08 标签: 模电 基本放大电路 频率响应
集成传感器
传感器是能够感受规定的被测量,并按照一定规律转换成可用输出信号的器件或装置。本课程围绕常见传感器类型,讲解其原理、实现方式、应用、最新研究及产品进展等。...
2017-08-12 标签: 传感器 清华 伍晓明
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课程主要内容包括半导体基础知识、放大电路基础、多级放大电路、集成运算放大电路、放大电路的频率响应、放大电路的反馈、信号的运算和处理、波形的产生和信号的转换、功率放大电路、直流稳压电源和模拟电子电路的读图等。本课程通过对常用电子器件、模拟电路及其系统的分析和设计学习,使学生获得模拟电子技术方面的基本知...
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沙子要经过怎样的洗礼,才能变成一颗集成上亿晶体管的芯片,这是一个奇妙而充满艺术的过程...
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IBM世界首款7nm芯片展示
这款测试芯片首度在7nm晶体管内加入一种叫做“硅锗”(silicon germanium,简称 SiGe)的材料,替代原有的纯硅,并采用了极紫外光(Extreme Ultraviolet,EUV)微影技术。据悉,相较10nm,使用7nm制程后的面积将所缩小近一半,但同时因为能容纳更多的晶体管(200...
2015-09-10 标签: 7nm IBM 硅锗 SiGe EUV

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