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晶体管

在电子工程世界为您找到如下关于“晶体管”的新闻

重量级专家带你深入解读集成电路,直击当前我国芯片产业
。 (以下为演讲全部内容)1、谁缔造了芯片奇迹?集成电路是一种芯片,我们天天都在用,比如说家庭当中用到的集成电路有三百块之多。我们在自己家里修一些电器的时候,你可以看见有很多黑黑的方块,这些黑黑的方块是什么?就是我们说的集成电路和芯片。  这里面有大量的集成电路的基本元件,叫晶体管,可能有几十亿支甚至上百亿支。晶体管的原理非常简单,但是真正要把这样...
类别:工业电子 2019-05-10 标签: 集成电路 晶体管 芯片技术
没有画画功底,也能将这些原理图符号画好
,再加上一个卡缘连接器。在1985年,DOS OrCAD甚至不能画三角形。这是那个年代的局限,也是那个年代需要担心的事。当时许多公司觉得PCB上只有一个电源,即VCC(两个“C”代表“公共集电极”,因为所有这些逻辑门都馈送电源给许多晶体管的集电极)。因此PCB只需要VCC和地。CAD公司的程序员甚至认为不需要在芯片上显示电源引脚。他们只是发明了“零长度”引脚,然后版图设计...
类别:电源设计 2019-04-11 标签: CAD 电源 电阻 晶体管
埃赋隆半导体高效率750W射频功率晶体管
埃赋隆半导体(Ampleon)今天宣布推出一款高效率750W射频功率晶体管BLF0910H9LS750P。它在915MHz时效率为72.5%,为同类最佳,其坚固耐用型设计也使其成为了工业和专业射频能源应用的理想选择。 该器件的工作频率范围为902MHz至928MHz,适用于工业、科学和医疗系统,以及专业烹饪应用。 该器件的高效率特性,可最大限度地减少...
类别:半导体生产 2019-04-08 标签: 埃赋隆 射频功率晶体管
了前所未有的基因编辑功能。为了利用CRISPR的基因靶向能力,该团队将一种失活的Cas9蛋白变体——一种可以在DNA中找到特定位点但不会剪切它的Cas9变种——连接到由石墨烯制成的晶体管上。当这种CRISPR复合物在其靶向的DNA中找到特定位点时,会与其绑定并触发石墨烯电导率变化,改变晶体管的电特性。而这些变化可以通过团队开发的手持设备进行检测。  研究人员指出,如今通过DNA测序...
类别:临床设备 2019-03-28 标签: 晶体管 基因突变 样品 纳米 芯片
科学家研制出新型超高导电材料 电导率是石墨烯千倍
今天(3月19日),材料领域国际顶级期刊《自然·材料》,发表复旦大学修发贤团队最新研究论文,《外尔半金属砷化铌纳米带中的超高电导率》,制备出二维体系中具有目前已知最高导电率的外尔半金属材料-砷化铌纳米带。  导电材料是电子工业的基础,现在最主要的材料是铜,已大规模用于晶体管的互连导线。信息时代,计算机和智能设备体积越来越小,信号传输量爆炸式增长,芯片中上千万细如发丝的晶体管...
类别:其他技术 2019-03-20 标签: 晶体管 电导率 纳米 导电
一文了解半导体的过去、现在和未来
。集成电路的尺寸将越来越小,将出现新的量子效应器件;宽禁带半导体代表了一个新的方向,将在短波长激光器、白光发光管、高频大功率器件等方面有广阔的应用;纳米电子器件有可能作为下一代的半导体微电子和光电子器件;利用单电子、单光子和自旋器件作为量子调控,将在量子计算和量子通信的实用化中起关键作用。2 晶体管的发明1945年二次大战结束时,美国贝尔实验室总裁巴克莱为了适应该室从战时转向...
类别:处理器 2019-03-18 标签: 半导体 集成电路 晶体管
主流芯片制造厂工艺水平如何,这篇分析最全
,16nm ......”当购买计算机或手机时,消费者往往会关注一些关键的处理器参数,在厂商的宣传手册或广告语上通常会看到上面的这个数字,而产品评论员和技术专家在谈论这个数字时,就好像在谈论一件非常重要的事情。那么,这个数字究竟代表什么意思?作为消费者,你需要知道这个数字代表着处理器中晶体管的大小,晶体管是CPU和数字电路的构建模块。当以不同的方式组合晶体管时,就可以获得像与、非...
类别:处理器 2019-03-11 标签: 晶体管 半导体 台积电
发现碳化硅晶体管中的缺陷:电力电子器件有望变得更节能!
场效应晶体管的内核,将改善并缩短创新周期。采用这种方法,这种致力于减少缺陷的工艺,被评估为“准确、快速、简便”的。它也将有利于加速开发更加节能的电子器件。参考资料【1】https://www.fau.eu/2019/01/10/news/research/saving-energy-by-taking-a-close-look-inside-transistors/【2】https...
类别:其他技术 2019-01-13 标签: 碳化硅 晶体管 半导体
ST推出MDmesh™系列600V超结晶体管
 意法半导体推出MDmesh™系列600V超结晶体管,该产品针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计。 针对软开关技术优化的阈值电压使新型晶体管非常适用于节能应用中的LLC谐振转换器和升压PFC转换器。电容电压曲线有助于提高轻载能效,最低16 nC的栅极电荷量(Qg)可实现高开关频率,这两个优点让MDmesh M6器件在硬开关拓扑结构中也有...
类别:分立器件 2018-12-14 标签: ST MDmesh
5nm以后的晶体管技术该如何发展
推动晶体管往5nm以下节点微缩是VLSI工业的关键问题之一,因为越变越小的晶体管带来了各种各样的挑战,全世界也正在就这个问题进行一些深入研究以克服未来技术节点的挑战。在本文,我们回顾了包括如碳纳米管FET,Gate-All-Around FET和化合物半导体在内的潜在晶体管结构和材料,他们被看做解决现有的硅FinFET晶体管在5nm以下节点缩放的问题。半导体时代始于1960年...
类别:市场动态 2018-10-17 标签: 5nm晶体管

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第三节 半桥式逆变器电路 50 一、电压馈电半桥式逆变器电路 51 二、电流馈电半桥式逆变器电路 59 第四节 自振荡IC驱动的半桥式逆变器电路 62 一、由NE555时基电路组成的它激式半桥逆变器电路 63 二、由自振荡IC直接驱动的MOSFET半桥逆变器电路 64 第五节 全桥式逆变器电路 74 第五章 逆变器中功率开关晶体管 77 第一节 双极型晶体管的开关...
类别:模拟及混合电路 2013年07月13日 标签: 电子镇流器
D类音频放大器设计:概念、原理和方法(上)D类放大器首次提出于1958年,近些年已逐渐流行起来。那么,什么是D类放大器?它们与其它类型的放大器相比如何? 为什么D类放大器对于音频应用很有意义?设计一个“优质”D类音频放大器需要考虑哪些因素? 美国模拟器件公司(简称ADI公司)D类放大器产品的特点是什么? 本文中试图回答上述所有问题。D类放大器的优点在传统晶体管...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 类音 频放 大器 设计 概念 原理 和方
功率的信号输出,理想情况下,输入信号波形应该没有任何改变地被复制 放大。市场上共存着多种类型功率放大器,并按照晶体管的导通时间分类。 A 类放大器(Class A Amplifier) A 类放大器晶体管总是处于导通状态,也就是说没有信号输入时,晶体管也有输出功率,因 此晶体管会变得很热,大部分功率都浪费在了产生热量上。尽管其效率很低(约 20%),但精 度非常高。图 1.1:A 类放大器 B 类...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: D放大器设计 手提设备首先
* I S B N : 9787564108342 * 包  装: 平装 内容简介 本教材按照材料与器件物理、制造工艺、版图设计、元器件及其SPICE 模型、基于SPICE的集成电路仿真、晶体管级设计、模块级设计、系统级设计、集成电路封装和测试的“自底向上”设计流程讲述集成电路设计的基础知识和基本技术,并介绍九天(Zeni)系统、Silvaco系统等相关的分析与设计软件工具...
类别:应用案例 2012年12月25日 标签: 集成电路
英特尔 3D晶体管 晶体管是现代电子学的基石,而Intel 此举堪称晶体管历史上最伟大的里程碑式发明,甚至可以说是“重新发明了晶体管”。半个多世纪以来,晶体管一直都在使用2-D 平面结构,现在终于迈入了3-D 三维立体时代。 3-D Tri-Gate 使用一个薄得不可思议的三维硅鳍片取代了传统二维晶体管上的平面栅极,形象地说就是从硅基底上站了起来。硅鳍片的三个面都安排了一个栅极,其中两侧各一个...
类别:模拟及混合电路 2013年07月08日 标签: 英特尔 3D晶体管
] 电池电量与电压对照曲线2.充电通路晶体管的控制和功率限制 外部通路晶体管的控制驱动器包含在了PMIC中;这个驱动的输出可以内部晶体管应用,也可以通过CHG-CTL-N脚供外部应用。如果需要的话,一般操作时PMIC使用通路晶体管的闭环控制来校准VDD电压,快速充电(恒流充电)时的检测电流(IDET),或者充电最后状态的电池电压。通路晶体管的阻抗也被增加以用来...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 08124
实验一   晶体管开关特性、限幅器与钳位器一、实验目的1.观察晶二极管、三极管的开关特性,熟知外电路参数变化对晶体管开关特性的影响。2.掌握限幅器和钳位器的基本工作原理二、实验原理1.晶体二极管的开关特性由于晶体二极管具有单向导电性,故其开关特性表现在正向导通与反向截止这两种不同状态的转换过程。如图1-1电路输入端,施加一方波激励信号v1,由于二极管结电容的存在,因而有充电...
类别:开关电源 2013年09月22日 标签: 数字电子技术基础实验指导书
2G4Hz低噪声放大器的研究2G4Hz低噪声放大器的研究摘要:低噪声放大器是对来自天线的微伏级信号进行放大的射频接收端的放大模块。该低噪声放大器主要由输入匹配网络、微波晶体管放大器和输出匹配网络组成。匹配网络采用微带线形式建立,微波晶体管采用NPN硅晶体管BFP420。利用MicrowaveOffice进行电路仿真和优化。该放大器满足小信号放大器的指标要求...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 2G4Hz 低噪 声放 大器 的研
高频晶体管的特性与使用技巧目前已经商品化的高频晶体管,大致上可分成:Si—BJT(BJT:Bipolar Junction Transistor,双极性接点晶体管)Si—MOSFETSi—JFETGaAs—MESFETGaAs—HEMTGaAs—HBT等六大类。由于高频晶体管取得非常容易,因此使用者经常忽略它的详细规格,其结果却经常造成电路无法发挥预期的特性,有鉴于此本文要深入探讨各种高频晶体管...
类别:IC设计及制造 2013年09月22日 标签: 高频晶体管的特性与使用技巧
:以晶体管为例说明一下: 晶体管是我们常用的的元件之一,在DEVICE。LIB库中,简简单单的只有NPN与PNP之分,但 实际上,如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO—3,如果它是NPN的2N3054,则有 可能是铁壳的TO-66或TO-5,而学用的CS9013,有TO-92A,TO-92B,还有TO-5,TO-46,TO-5 2等等,千变万化。 还有一个就是电阻,在DEVICE库中...
类别:电机 2013年09月22日 标签: 元器件 封装

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晶体管 2. 带隙参考源 3. 运算放大器 4. 反馈电阻分压器 在选择 LDO 时,重要的是要知道如何区分各种LDO。器件的静态电流、封装大小和型号是重要的器件参数。根据具体应用来确定各种参数,将会得到最优的设计。     LDO的静态电流IQ是器件空载工作时器件的接地电流 IGND。IGND 是 LDO 用来进行稳压的电流...
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  线性稳压器(Linear Regulator)使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET,从应用的输入电压中减去超额的电压,产生经过调节的输出电压。其产品均采用小型封装,具有出色的性能,并且提供热过载保护、安全限流等增值特性,关断模式还能大幅降低功耗。   线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET,从应用的输入电压中减去超额的电压,产生经过调节的输出电压。所谓压降电压,是指稳压器...
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;   公式2计算最大金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)应力:     公式3给出了最大二极管应力:     其中Vin是输入电压,Vout是输出电压,Vf是二极管正向电压。 与线性稳压器或低压差稳压器(LDO)相比,输入电压和输出电压之间的差异越大,降压转换...
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Qorvo MatchCalc™: 一款简单易用的RF/匹配计算器,轻松匹配S1p和S2P文件。   Modelithics Qorvo GaN Library: Modelithics®Qorvo GaN 库中包含 Qorvo GaN 晶体管器件的高精度非线性仿真模型。   怎么样我推荐的不少吧,如果想用这些小工具的可以点击...
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、电路设计、器件放置、阻抗控制、PCB走线规范均会影响RTC的时间基准的稳定性, 图 1为RTC芯片PCF8563电路设计。   图1  PCF8563参考电路图   2)晶体对地电容容值选择   负载电容Cload= [ (Ca*Cb)/(Ca+Cb) ]+Cstray,其中Ca、Cb为接在晶体两引脚到地的电容,Cstray为晶体引脚至处理器晶体管脚的走线电容(即杂散电容...
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,以及在运行 SI 仿真时人们首选的模型。 SPICE 模型: SPICE 代表以集成电路为重点的仿真程序。顾名思义,模型设计得非常详细(详细到到晶体管级别和工艺参数)。这些模型非常准确且非常复杂。然而,由于电路是在晶体管级进行描述的(这是专有信息),并非所有器件供应商都将这些模型用于 SI 仿真。还有一个限制,即并非所有...
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形成连续的覆膜,它不需要进一步处理就可以直接电镀。这种油墨是一种基于树脂的物质,它具有很强烈的粘着性,可以毫不费力的粘接在大多数热抛光的孔壁上,这样就消除了回蚀这一步骤。     3     卷轮连动式选择镀     电子元器件的引脚和插针,例如连接器、集成电路、晶体管和柔性印制电路等都是采用选择镀来获得良好的接触电阻...
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