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快速恢复二极管

在电子工程世界为您找到如下关于“快速恢复二极管”的新闻

三菱电机携多款碳化硅功率器件亮相PCIM Asia 2017展

包括450A/3.3kV、330A/4.5kV和225A/6.5kV;可提高系统结构设计的灵活性,方便实现逆变器扩容。 X系列单管HVIGBT模块,采用第7代IGBT和RFC 二极管硅片技术,实现更低饱和压降和开关损耗;使用LNFLR技术实现低热阻; 允许最高运行结温150℃;安全工作区(SOA)裕度大,续流恢复能力强; 封装兼容传统的H系列和R系列HVIGBT;标准产品包括...

类别:展览/会议 2017-06-21 18:19:35 标签: 电压 电力传输 电流

美高森美的快速恢复二极管取得了面向汽车市场的AEC-Q101资格

致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 宣布其快速恢复DQ二极管产品系列现已符合AEC-Q101资格,证明这些电子组件符合用于汽车市场的主要标准。美高森美的DQ二极管取得AEC-Q101资格,意味着汽车原始设备制造商(OEM)以及一级和其他供应商能够在...

类别:汽车与工业 2017-06-19 15:55:10 标签: 汽车市场 制造商 二极管

美高森美的快速恢复二极管 取得了面向汽车市场的AEC-Q101资格

美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布其快速恢复DQ二极管产品系列现已符合AEC-Q101资格,证明这些电子组件符合用于汽车市场的主要标准。美高森美的DQ二极管取得AEC-Q101资格,意味着汽车原始设备制造商(OEM)以及一级和其他供应商能够在各种车载应用中使用这款产品。下面就随汽车电子小编一起来了解一下相关内容吧。相比在交流-直流/直流-直流...

类别:行业动态 2017-06-19 15:13:53 标签: 美高森美 快速恢复二极管 AEC-Q101

意法半导体新款的MDmesh™ MOSFET内置快速恢复二极管

eeworld网消息,中国,2017年5月22日 —— 意法半导体推出最新的MDmesh™ Dk5功率MOSFET管,内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管,这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效,包括零压开关(ZVS)LLC谐振转换器。作为超结MOSFET管,新产品额定电压范围950V至1050V,开关性能、导通电阻(RDS(ON))和硅...

类别:半导体生产 2017-05-22 21:19:33 标签: 意法半导体

意法半导体推出最新的1200V碳化硅二极管,兼备出色的能效和先进的稳健性

意法半导体推出最新的1200V碳化硅二极管,兼备出色的能效和先进的稳健性

意法半导体2A - 40A 1200V碳化硅(SiC) JBS (结势垒肖特基)二极管全系产品让更多的应用设备产品受益于碳化硅技术的高开关能效、快速恢复和稳定的温度特性。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。意法半导体2A - 40A 1200V碳化硅(SiC) JBS (结势垒肖特基)二极管全系产品让更多的应用设备产品受益于碳化硅技术的高开关能效、快速恢复和稳定的温度...

类别:市场动态 2017-05-22 09:39:14 标签: 意法半导体 碳化硅二极管

意法半导体推出最新的1200V碳化硅二极管

意法半导体推出最新的1200V碳化硅二极管

意法半导体2A - 40A 1200V碳化硅(SiC) JBS (结势垒肖特基)二极管全系产品让更多的应用设备产品受益于碳化硅技术的高开关能效、快速恢复和稳定的温度特性。意法半导体的碳化硅制程可以制造出稳健性极高、正向电压同级最好(VF最低)的二极管,给电路设计人员更多的发挥空间,用低价的小电流二极管取得高能效和高可靠性,让碳化硅技术更容易打开成本敏感的应用市场,例如太阳能...

类别:材料技术 2017-05-18 09:50:17 标签: 意法半导体 碳化硅二极管 逆变器 驱动器 适配器

SIA重磅报告:半导体未来的机会

SIA重磅报告:半导体未来的机会

台上实现同样的目的(例如,缓慢的本地计算,远程数据传输和快速计算,在加速器计算效率非常高但是大致计算)本身就有很多手段,而且适宜的优化可能因系统的当前状态而有所不同。  例如,在简单的硬件上,通过操作系统和硬件挂钩,执行时间和数据移动可以以近乎最佳的方式自动平衡,而不在乎是否有程序员干预;内置控件可能允许系统管理员在特定系统安装的约束条件下,权衡性能、功效、响应等待时间等因素...

类别:市场动态 2017-05-17 11:08:38 标签: SIA 半导体

安森美半导体提供全面的功率器件

,电场分布呈梯形,可实现优化的导通损耗和开关性能。 安森美半导体的IGBT具有出色的非钳位感性开关(UIS)能力,大大增强了在系统发生瞬态事件时的可靠性。UIS用以测试器件的抗雪崩能力,如器件在击穿后能承受的能量水平。UIS能力不依赖于击穿电压。安森美半导体的FSIII 超场截止1200 V IGBT采用公司专有的超场截止沟槽技术,并与一个具有软关断特性的快速恢复二极管...

类别:半导体生产 2017-05-16 20:43:08 标签: 半导体

安森美半导体的IGBT满足汽车、太阳能逆变器等各类应用需求

安森美半导体的IGBT满足汽车、太阳能逆变器等各类应用需求

,并与一个具有软关断特性的快速恢复二极管(FRD)共同封装在一起,提供最小的反向恢复损耗。FSIII FRD采用更薄的外延层、优化的外延缓冲层和更少掺杂的阳极,表现出更低的正向压降(VF)、更软开关和更低的反向恢复电流(IRRM)。加之其极宽的高度触发的场截止层,能实现领先行业的总开关损耗,为大功率开关系统在电源能效方面设立新的基准。如NGTB40N120FL3WG的总开关损耗...

类别:材料技术 2017-05-16 15:09:47 标签: 安森美 半导体 IGBT 汽车 太阳能逆变器 不间断电源 白家电

瑞萨电子为新能源汽车推出业界领先的小型逆变器解决方案

瑞萨电子为新能源汽车推出业界领先的小型逆变器解决方案

(MCU)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和快恢复二极管(FRD)等硬件组件,以及其他功率半导体设备。新解决方案能够帮助系统开发人员缩短用于各开发步骤的时间:从规格分析到软硬件开发和电机特性调整。例如,可以将逆变器原型机开发时间从两到三年缩短至一年,周期缩短50%以上,从而大大减少开发周期和成本。由于全球变暖引起的异常天气事件和环境污染程度的加剧,二氧化碳排放量正在上升。对...

类别:动力系统 2017-05-09 14:21:53 标签: 瑞萨电子 新能源汽车 逆变器

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快速恢复二极管资料下载

步进电机控制电路设计立即下载

幅度的VCS脉冲电压.这一电压会引起栅源击穿造成管子的永久损坏,如果是正方向的VCS脉冲电压,虽然达不到损坏器件的程度,但会导致器件的误导通.为此,要适当降低栅极驱动电路的阻抗,在栅源之间并接阻尼电阻或接一个稳压值小于20 V而又接近20V的齐纳二极管1N4744,防止栅源开路工作.    功率MOSFET管有内接的快恢复二极管.当不接VD11,VD12,VD13...

类别:工业控制 2013年09月22日 标签: 步进电机控制电路设计

医用传感器原理及应用 PPT立即下载

输出一输入曲线的不重合程度。迟滞是由传感器材料固有特性和机械上的不可避免的缺陷等原因产生的。重复性是指传感器在同一工作条件下输入量按同一方向作全量程连续多次变动所得到特性曲线的不一致程度。产生重复性误差的原因同样是传感器内机械缺陷引起的,如材料内的摩擦、间隙、积尘等。动态特性传感器的动态特性是指传感器对激励(输入)的响应(输出)特性。具有良好的动态特性的传感器,在动态(快速变换)的输入信号作用下...

类别:医疗电子 2013年09月22日 标签: 医用传感器

肖特基二极管原理和常用参数和检测方法立即下载

肖特基二极管原理和常用参数和检测方法肖特基二极管原理肖特基势垒二极管 SBD(Schottky Barrier Diode,简称肖特基二极管)是近 年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短(可以小 到几纳秒),正向导通压降仅 0.4V 左右,而整流电流却可达到几千安培。这些 优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 二极管 原理 常用 参数 数和

开关电源知识培圳资料立即下载

。但一般的工业自动化场合,功率电子器件已越来越多地使用MOSFET和IGBT,特别是IGBT获得了更多的使用,开始全面取代可控硅来做为新型的功率控制器件。第二节:功率电子器件概览一. 整流二极管:二极管是功率电子系统中不可或缺的器件,用于整流、续流等。目前比较多地使用如下三种选择:1. 高效快速恢复二极管。压降0.8-1.2V,适合小功率,12V左右电源。2. 高效超快速二极管。0.8-1.2V...

类别:开关电源 2013年09月22日 标签: 开关电源知识培圳资料

开关电源原理及其应用立即下载

目前仍然是最高的,在某些特定场合,仍然要使用大电流、高耐压的可控硅。但一般的工业自动化场合,功率电子器件已越来越多地使用MOSFET和IGBT,特别是IGBT获得了更多的使用,开始全面取代可控硅来做为新型的功率控制器件。 第二节:功率电子器件概览 一. 整流二极管: 二极管是功率电子系统中不可或缺的器件,用于整流、续流等。目前比较多地使用如下三种选择: 1. 高效快速恢复二极管。压降...

类别:开关电源 2013年08月27日 标签: 开关电源

驱动集成电路功率级中瞬态问题的处理立即下载

元素图1描述了一个驱动IC驱动由两个MOSFET组成的典型桥式电路,功率电路中,由器件内部的连线、引脚和PCB线组成的无用电感统一用LS1.2和LD1.2表示。另外还有栅极驱动电路中的杂散参数,在布线路板时也应考虑。在此我们将主要讨论有最大的电流和di/dt发生的桥式电路本身。在开关期间,桥式电路中快速变化的电流将会在杂散电感中产生电压瞬变。这些瞬变会耦合到其它电路中引起噪声问题,增加开关损耗...

类别:模拟及混合电路 2013年09月20日 标签: 驱动集成电路功率级中瞬态问题的处理

隔离式DC/DC变换器的电磁兼容设计立即下载

这一产品能否在市场上销售,所以, 进行开关电源的电磁兼容性研究显得非常重要。 1 内部噪声干扰源分析 l.l 二极管厦向恢复引起的噪声干扰 在开关电源中常使用工频整流二极管、高频整流二极管、续流二极管等,由于这些二极管都工作在开关状态, 如图 l 所示,在二极管由阻断状态到导通的转换过程中,将产生一个很高的电压尖峰 UFP;在二极管由导通状态 到阻断的转换过程中,存在一个反向恢复时间 trr 在...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 隔离 变换 器的 电磁 兼容 设计

隔离式DC/DC变换器的电磁兼容设计立即下载

开关电源的电磁兼容性研究显得非常重要。1 内部噪声干扰源分析l.l 二极管厦向恢复引起的噪声干扰    在开关电源中常使用工频整流二极管、高频整流二极管、续流二极管等,由于这些二极管都工作在开关状态,如图l所示,在二极管由阻断状态到导通的转换过程中,将产生一个很高的电压尖峰UFP;在二极管由导通状态到阻断的转换过程中,存在一个反向恢复时间trr在反向恢复过程中,由于二极管封装电感及引线电感的存在,将产生...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 隔离 DCdc 变换

LED驱动方案立即下载

2.4cm×7.8cm 两块 高温老化: 70°C 恒温测试方案二(电路图)方案二(BOM)位置 RT F1 BD1 C1 C2 C3 C3-1 C3-2 C5 C6 D1,D2,D3 D5 L Z1 名称 热敏电阻 保险丝 整流桥 电解电容 电解电容 X电容 涤纶电容 电解电容 电解电容 电解电容 快恢复二极管快速二极管 电感 稳压二极管 型号 50D-9 250V/1A IN4007...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 日光 灯驱 动介

反激式变压器设计介绍立即下载

110V 时最小输入电压 85Vac,可有 10V 抖动) 4〕最大占空比-Dm(建议最大值为 0.5) 5)串联谐振电容值-Cres〔建议取值范围为 100pf~1.5nf,见图 1〕 3〕变压器设计步骤 首先计算总输出功率,它包括所有次级输出功率,辅助输出功率和输出二极 管的压降。通常主要输出电流若大于 1A 使用肖特基二极管,小于 1A 使用快恢复二 ……...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 反激 式变 压器 设计 介绍

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关于变压器整流滤波稳压后给运放供电时的选型参数

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