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原子厚度

在电子工程世界为您找到如下关于“原子厚度”的新闻

iPhone X 是台湾电子业最后一场盛宴?

吋晶圆上放一层原子级材料,好比在台北到高雄距离的高速公路,放上一张明信片的厚度,难度非常高。「以前我们有问题要排解,要花 2 到 4 周送到美国,现在默克在南科设了研发中心,问题排解的时间缩到一天就可以拿到结果,」吴宗禧在研发中心开幕的致词中兴奋地说。台厂技术卡位 地位难取代若根据欧本海默证券的第二个预言,这些在科学园区、工业区大兴土木的扩建荣景,将在 iPhone 换机潮...

类别:半导体生产 2017-09-25 20:15:30 标签: iPhone X

iPhone X 是台湾电子业最后一场盛宴?

iPhone X 是台湾电子业最后一场盛宴?

开发。  与会的台积电奈米材料中心副处长吴宗禧解释,ALD 制程是 dimension(尺度)最小的制程,要在 12 吋晶圆上放一层原子级材料,好比在台北到高雄距离的高速公路,放上一张明信片的厚度,难度非常高。  「以前我们有问题要排解,要花 2 到 4 周送到美国,现在默克在南科设了研发中心,问题排解的时间缩到一天就可以拿到结果,」吴宗禧在研发中心开幕的致词中兴奋地说。  台厂...

类别:综合资讯 2017-09-25 13:33:45 标签: iPhone X

iPhone X之后, 台湾半导体产业开始衰落?

飞来高雄的默克全球IC 材料事业处副总裁温瑞克,强调台湾的重要。  这座研发中心的实验室,任务之一是前段原子沉淀积(ALD)和化学气相沉积(CVD)的材料与制程开发。  与会的台积电纳米材料中心副处长吴宗禧解释,ALD 制程是dimension(尺度)最小的制程,要在12 吋晶圆上放一层原子级材料,好比在台北到高雄距离的高速公路,放上一张明信片的厚度,难度非常高。  「以前我们有...

类别:市场动态 2017-09-25 10:44:13 标签: iPhone

遥望5nm:FinFET大热接班人水平GAA初探

遥望5nm:FinFET大热接班人水平GAA初探

GAA (c) 纳米板片沟道GAA文件中公开的这款GAA器件采用EUV光刻来制作部分电路层,器件的沟道采用纳米板片沟道,沟道材料为Si,沟道厚度5nm,沟道条数为三,各条之间的间距为10nm.栅极长度12nm,多晶硅触点节距为44/48nm.按文件披露,该器件nFET的亚阀值斜率为75mV/dec(电压每上升75mv,电流值增加10倍),pFET的亚阀值斜率则可达85mV/dec....

类别:综合资讯 2017-09-22 20:17:15 标签: 遥望5nm

高介电质材料的二维版本赋予芯片崭新的未来

薄膜HfSe2和ZrSe2被减薄到一个大约三个原子厚的单层时,它们会保持一个约1电子伏特的中等带隙。这与硅和其他“基极”3D半导体形成鲜明对比,当这些半导体被减薄到约5纳米以下时,它们的载流子迁移率开始降低,带隙开始增加。“我们制造了几个装置(晶体管)”,斯坦福大学副教授兼研究合著者Eric Pop在IEEE Spectrum电子邮件采访中说,“高介电薄膜作为栅极绝缘层和保护层...

类别:半导体生产 2017-09-01 20:16:55 标签: 高介电质

江丰电子: 用“宁波智造”射中“世界标靶”红心

关乎国家安全。  在江丰电子的展示厅里,记者见到了高纯度溅射靶材,从外观上看,像是一块直径20~60厘米的“大饼”,而其原料则是铝、铜、钛等金属材料。  “这就是一块超高纯钛的靶材。”江丰电子技术中心总监袁海军指着一块“金属饼”说,“它由两部分组成,上面这个灰色的就是高纯钛晶体,其下部的托盘是一块超强的铝合金。在芯片的生产过程中,不同的靶材在一起交互作用,金属原子被一层一层溅射到...

类别:半导体生产 2017-08-31 21:31:32 标签: 江丰电子

江丰电子: 用“宁波智造”射中“世界标靶”红心

外观上看,像是一块直径20~60厘米的“大饼”,而其原料则是铝、铜、钛等金属材料。“这就是一块超高纯钛的靶材。”江丰电子技术中心总监袁海军指着一块“金属饼”说,“它由两部分组成,上面这个灰色的就是高纯钛晶体,其下部的托盘是一块超强的铝合金。在芯片的生产过程中,不同的靶材在一起交互作用,金属原子被一层一层溅射到芯片上,再利用特殊的工艺,把它们切割成纳米级的金属导线。芯片的信息传输就...

类别:半导体生产 2017-08-30 21:33:10 标签: 江丰电子

全球首款石墨烯电子显示屏在中国诞生

全球首款石墨烯电子显示屏在中国诞生

亮度佳,并且能像纸一样卷曲,非常适合用在穿戴式电子设备上。石墨烯是什么?石墨烯世上最薄且最坚硬的纳米材料几乎完全透明,只吸收2.3%的光,目前世上电阻率最小的材料。石墨烯是从石墨材料中剥离出来、由碳原子组成的只有一层原子厚度的二维晶体。2004年,英国曼彻斯特大学物理学家安德烈?盖姆和康斯坦丁?诺沃肖洛夫,成功从石墨中分离出石墨烯,证实它可以单独存在,两人也因此共同获得2010年...

类别:数码影像 2017-08-16 20:36:33 标签: 电子显示屏 石墨烯

当超级电容器遇上石墨烯 会擦出什么火花?

当超级电容器遇上石墨烯 会擦出什么火花?

百万以上层级的宏观体),坚持不懈地一层一层地剥落,再剥落,直至得到厚度仅0.12纳米的碳原子单晶时,石墨烯展现出了声、光、电、力、热、磁等一系列优异特性,并且带动了其他原子级二维材料的制备与自组装技术的发展。  自1991年纳米科技展现魔力以来,在C60与碳纳米管的研究热潮带动下,石墨烯一经问世,就遇到了一个科研人才充足,科学经费充裕,风投资金活跃的黄金时代。在短短的十来年时间里...

类别:综合资讯 2017-07-26 11:44:51 标签: 超级电容器 石墨烯

Imec:下一代 5nm 2D材料可望突破摩尔定律限制

可以使用半伏特(《 0.5V)的电源和小于50埃(0.5nm)的有效氧化物厚度,使其FET在5nm节点以后持续扩展摩尔定律,以实现高性能逻辑应用。  研究人员预测,所展示的架构、材料和协同最佳化技术将有助于产生可靠的FET,且其厚度可一直降低至单原子级,闸极长度短于20埃,推动纳米线FET持续进展成为FinFET的接班技术。Imec目前正评估除了黑色荧光粉以外的其他材料作为主要的...

类别:综合资讯 2017-07-24 13:35:09 标签: Imec 5nm

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原子厚度资料下载

原子力显微镜工作原理及其应用立即下载

观察样品表面,可用于几乎所有样品(对表面光洁度有一定要求),而不需要进行其他制样处理,就可以得到样品表面的三维形貌图象。并可对扫描所得的三维形貌图象进行粗糙度计算、厚度、步宽、方框图或颗粒度分析。 原子力显微镜可以检测很多样品,提供表面研究和生产控制或流程发展的数据,这些都是常规扫描型表面粗糙度仪及电子显微镜所不能提供的。 一、基本原理 原子力显微镜是利用检测样品表面与细微的探针尖端之间的...

类别:IC设计及制造 2013年09月17日 标签: 原子力显微镜

替代电解电容的膜电容技术立即下载

  金属化技术   原理 在电介质膜上,镀上很薄的金属层,如果电介质 出现短路,金属镀层会因此而挥发并将短路的地 方隔离开来。这种现象称为自愈效应。   金属化工艺 首先,对聚合物膜(聚丙烯)进行处理, 使金属 原子能够附着在膜上。 金属在真空下蒸发(对铝 1200°C)浓缩到被处理 过的膜表面(膜被冷却到 -25 °C 至 -35°C)形成金 属层。    金属化膜的自愈效应是提高电压梯度的主...

类别:其他 2013年09月22日 标签: 电解电容 膜电 替代

氢、氧等离子体处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响立即下载

用RF磁控溅射的方法在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后分别用氢、氧等离子体对薄膜表面进行了处理,用红外光谱、原子力显微镜、光电子能谱以及场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明氢等离子体使BN薄膜表面NEA增加,阈值电场降低,发射电流明显增大。氧等离子体处理对BN薄膜的场发射特性影响不大,只是发射电流略有降低,这只能是由于氧化层存在的原因。关键词:氮化硼...

类别:射频与通信技术 2013年09月19日 标签: 氧等离子体 等离子体 处理 氮化硼 薄膜

PVDF/PDDA静电自组装超薄膜的制备与表征立即下载

提出了一种制备纳米量级铁电聚合物PVDF/PDDA超薄膜的新方法。聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDDA)和极化处理后的聚偏氟乙烯(PVDF)复合超薄膜是通过层与层的静电自组装(LbL-SA)方法制备的,厚度约30~150 nm,每层膜厚度约为9 nm。PVDF/PDDA多层膜通过石英晶振微天平(QCM)、红外频谱仪、原子力显微镜(AFM)进行了测试与表征。QCM表征结果表明,PVDF与PDDA超薄膜...

类别:射频与通信技术 2013年09月22日 标签: PVDF PDDA静电自组装超薄膜的制备与表征

医用传感器原理及应用 PPT立即下载

适量的电刺激以使疼痛减轻;控制心脏起搏器监测心脏节率并在搏动失常时给予适当的电刺激来维持心肌的搏动等等,都需要利用另一类电极向生物体导入电信号,这一类电极称为刺激电极。生物电检测电极示意图电极的本质——半电池原理当某种金属浸入含有这种金属离子的电解质溶液中时,金属中的原子将失去一些电子进入溶液,溶液中的离子也将在金属电极上沉积,当这两种过程相平衡时,在金属和电解质溶液的接触面上形成电荷分布,并建立起...

类别:医疗电子 2013年09月22日 标签: 医用传感器

表面热处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响立即下载

摘 要:用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后对薄膜在真空度低于5×10-4Pa、温度分别为800℃和1000℃条件下进行了表面热处理,分别用红外光谱、原子力显微镜以及不同退火温度的场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明表面热处理对BN薄膜的表面形貌没有明显影响,样品场发射特性的变化可能与表面负电子亲和势有关,未进行热处理的样品阈值电场较低,可能归因于...

类别:射频与通信技术 2013年09月22日 标签: 表面热处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响

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