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原子厚度

在电子工程世界为您找到如下关于“原子厚度”的新闻

“充电10分钟,续航千公里”,石墨烯电池真有这么厉害?

“充电10分钟,续航千公里”,石墨烯电池真有这么厉害?

K750、K550,续航里程均达到了1000KM,动能回收率达到了30%,并且官方表示最早在2019年就能向消费者出售。  除了车辆本身之外,正道汽车最关键的技术就在于目前尚无车企使用的石墨烯技术,那么这个东西到底厉害在哪儿?石墨烯,是由碳原子组成的单原子层平面薄膜,厚度仅为0.34纳米,单层厚度相当于头发丝直径的十五万分之一。是目前世界上已知的最轻薄、最坚硬的纳米材料,透光性好...

类别:动力系统 2017-07-08 09:54:19 标签: 充电 续航 石墨烯电池

提升新能源汽车的续航能力,石墨烯电池真的这么神奇?

提升新能源汽车的续航能力,石墨烯电池真的这么神奇?

H600之外,正道K750、K550,续航里程均达到了1000KM,动能回收率达到了30%,并且官方表示最早在2019年就能向消费者出售。除了车辆本身之外,正道汽车最关键的技术就在于目前尚无车企使用的石墨烯技术,那么这个东西到底厉害在哪儿? 石墨烯,是由碳原子组成的单原子层平面薄膜,厚度仅为0.34纳米,单层厚度相当于头发丝直径的十五万分之一。是目前世界上已知的最轻薄、最...

类别:汽车电子 2017-07-07 22:11:14 标签: 电动汽车 黑科技 续航能力

提升新能源汽车的续航能力,石墨烯电池真的这么神奇?

提升新能源汽车的续航能力,石墨烯电池真的这么神奇?

均达到了1000KM,动能回收率达到了30%,并且官方表示最早在2019年就能向消费者出售。除了车辆本身之外,正道汽车最关键的技术就在于目前尚无车企使用的石墨烯技术,那么这个东西到底厉害在哪儿? 提升新能源汽车的续航能力,石墨烯电池真的这么神奇?石墨烯,是由碳原子组成的单原子层平面薄膜,厚度仅为0.34纳米,单层厚度相当于头发丝直径的十五万分之一。是目前世界上已知的最...

类别:行业动态 2017-07-07 14:56:14 标签: 电动汽车 黑科技 续航能力

IBM打造出世界最小晶体管

10个原子大小。在此基础上继续突破几乎是不可能的——从技术上讲,你不可能造出单个原子大小的晶体管。另外,因为考虑到生产成本,制造商们将不再有意愿继续改进制程工艺,因为目前的芯片计算能力基本可以满足需求。这一趋势其实在模拟芯片市场早就出现了,很多模拟芯片厂商还在使用五年前的工艺来生产产品。而且,像移动设备中使用的 WiFi 芯片,28纳米的制程工艺已经足够好了,完全没必要花费大笔...

类别:半导体生产 2017-07-03 21:43:09 标签: IBM 晶体管

一篇文章说清半导体制程发展史

一篇文章说清半导体制程发展史

介电常数除以绝缘层的厚度。显然,厚度越小,介电常数越大,对晶体管越有利。  可以看出,这里已经出现了一对设计目标上的矛盾,那就是绝缘层的厚度要不要继续缩小。实际上在这个节点之前,二氧化硅已经缩小到了不到两个纳米的厚度,也就是十几个原子层的厚度,漏电流的问题已经取代了性能的问题,成为头号大敌。  于是聪明绝顶的人类开始想办法。人类很贪心的,既不愿意放弃大电容的性能增强,又不愿意冒...

类别:市场动态 2017-07-03 17:35:04 标签: 半导体 晶体管

推动中国集成电路技术砥砺前行

考虑芯片太热、漏电等问题造成的电脑或手机性能下降。    根据摩尔定律,每18个月就会在同样面积的硅片上把两倍的晶体管“塞”进去。按之前的工艺,已经将晶体管的组成部分做到了几个分子和原子厚度,组成半导体的材料已经达到了极限。其中,最早达到这个极限的部件是组成晶体管的栅极氧化物——栅极介电质,原有的工艺都是采用二氧化硅层作为栅极介电质。 ...

类别:半导体生产 2017-06-30 20:47:59 标签: 集成电路

推动中国集成电路技术砥砺前行

几个分子和原子厚度,组成半导体的材料已经达到了极限。其中,最早达到这个极限的部件是组成晶体管的栅极氧化物——栅极介电质,原有的工艺都是采用二氧化硅层作为栅极介电质。  “我们可以把栅极比喻为控制水管的阀门,开启让水流过,关闭截止水流。”中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心主任赵超告诉记者,从65nm开始,我们已经无法让二氧化硅栅极介电质继续缩减变薄,如果不能解决栅极向下...

类别:市场动态 2017-06-30 10:18:24 标签: 集成电路

蒸镀以及可折叠伸展式AMOLED蒸镀技术难点

蒸镀以及可折叠伸展式AMOLED蒸镀技术难点

子公司——CanonTokki。),且市场蒸镀设备也不多,这也是OLED屏幕成本高的一个重要原因。什么是OLED显示技术的蒸镀?——真空蒸镀这里蒸镀就是真空中通过电流加热,电子束轰击加热和激光加热等方法,使被蒸材料蒸发成原子或分子,它们随即以较大的自由程作直线运动,碰撞基片表面而凝结,形成薄膜。真空蒸镀在OLED显示技术的应用和实现概述主要应用于RGB(红绿蓝)三色排列的典型...

类别:综合资讯 2017-06-22 17:39:05 标签: 蒸镀

台积电放大招,首次公开核心数据

台积电放大招,首次公开核心数据

奈米的 10 倍。 台积电以大数据与机械学习的方式,善用这些数据。以一个月产 30 万片的晶圆厂为例,场内 3 千台生产机台,每天会产生 800 万的派工命令,台积电的工厂管理系统,可以在一分钟之内计算出最佳的生产排列组合。 成果是,准时交货率 99.5%,产品生产周期 1~1.2 天。第二,是制程精密控制方面,随着晶体管的尺度小到逼近物理极限,制程要控制的厚度变异量,甚至比...

类别:综合资讯 2017-06-06 18:22:02 标签: 台积电 智能制造 IC

IBM打造5纳米芯片 厚度仅相当于几个原子

IBM打造5纳米芯片 厚度仅相当于几个原子

。”   IBM打造5纳米芯片 厚度仅相当于几个原子  IBM称,性能的提高将可以加速认知计算能力、物联网和其他云端数据密集型应用程序的发展。能耗的节省也意味着智能手机和其他移动设备中的电池充一次电使用的时间将比现在的设备长一两倍。  IBM在纽约州立大学理工学院纳米科学与工程学院领导了一个名为Research Alliance的研究项目。该项目的科学家...

类别:综合资讯 2017-06-06 10:49:15 标签: IBM 芯片

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原子厚度资料下载

原子力显微镜工作原理及其应用立即下载

观察样品表面,可用于几乎所有样品(对表面光洁度有一定要求),而不需要进行其他制样处理,就可以得到样品表面的三维形貌图象。并可对扫描所得的三维形貌图象进行粗糙度计算、厚度、步宽、方框图或颗粒度分析。 原子力显微镜可以检测很多样品,提供表面研究和生产控制或流程发展的数据,这些都是常规扫描型表面粗糙度仪及电子显微镜所不能提供的。 一、基本原理 原子力显微镜是利用检测样品表面与细微的探针尖端之间的...

类别:IC设计及制造 2013年09月17日 标签: 原子力显微镜

替代电解电容的膜电容技术立即下载

  金属化技术   原理 在电介质膜上,镀上很薄的金属层,如果电介质 出现短路,金属镀层会因此而挥发并将短路的地 方隔离开来。这种现象称为自愈效应。   金属化工艺 首先,对聚合物膜(聚丙烯)进行处理, 使金属 原子能够附着在膜上。 金属在真空下蒸发(对铝 1200°C)浓缩到被处理 过的膜表面(膜被冷却到 -25 °C 至 -35°C)形成金 属层。    金属化膜的自愈效应是提高电压梯度的主...

类别:其他 2013年09月22日 标签: 电解电容 膜电 替代

氢、氧等离子体处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响立即下载

用RF磁控溅射的方法在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后分别用氢、氧等离子体对薄膜表面进行了处理,用红外光谱、原子力显微镜、光电子能谱以及场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明氢等离子体使BN薄膜表面NEA增加,阈值电场降低,发射电流明显增大。氧等离子体处理对BN薄膜的场发射特性影响不大,只是发射电流略有降低,这只能是由于氧化层存在的原因。关键词:氮化硼...

类别:射频与通信技术 2013年09月19日 标签: 氧等离子体 等离子体 处理 氮化硼 薄膜

PVDF/PDDA静电自组装超薄膜的制备与表征立即下载

提出了一种制备纳米量级铁电聚合物PVDF/PDDA超薄膜的新方法。聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDDA)和极化处理后的聚偏氟乙烯(PVDF)复合超薄膜是通过层与层的静电自组装(LbL-SA)方法制备的,厚度约30~150 nm,每层膜厚度约为9 nm。PVDF/PDDA多层膜通过石英晶振微天平(QCM)、红外频谱仪、原子力显微镜(AFM)进行了测试与表征。QCM表征结果表明,PVDF与PDDA超薄膜...

类别:射频与通信技术 2013年09月22日 标签: PVDF PDDA静电自组装超薄膜的制备与表征

医用传感器原理及应用 PPT立即下载

适量的电刺激以使疼痛减轻;控制心脏起搏器监测心脏节率并在搏动失常时给予适当的电刺激来维持心肌的搏动等等,都需要利用另一类电极向生物体导入电信号,这一类电极称为刺激电极。生物电检测电极示意图电极的本质——半电池原理当某种金属浸入含有这种金属离子的电解质溶液中时,金属中的原子将失去一些电子进入溶液,溶液中的离子也将在金属电极上沉积,当这两种过程相平衡时,在金属和电解质溶液的接触面上形成电荷分布,并建立起...

类别:医疗电子 2013年09月22日 标签: 医用传感器

表面热处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响立即下载

摘 要:用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后对薄膜在真空度低于5×10-4Pa、温度分别为800℃和1000℃条件下进行了表面热处理,分别用红外光谱、原子力显微镜以及不同退火温度的场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明表面热处理对BN薄膜的表面形貌没有明显影响,样品场发射特性的变化可能与表面负电子亲和势有关,未进行热处理的样品阈值电场较低,可能归因于...

类别:射频与通信技术 2013年09月22日 标签: 表面热处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响

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