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功率器件

在电子工程世界为您找到如下关于“功率器件”的新闻

GaN功率器件市场趋热 英飞凌新方案细节曝光
CoolGaN是英飞凌GaN增强模式高电子迁移率晶体管(E-HEMT)系列产品。最近该公司推出了两款进入量产的产品——CoolGaN 600 V增强型HEMT和GaN开关管专用驱动IC GaN EiceDRIVER。籍此我们梳理了一下GaN功率器件在全球市场、产品应用和技术特性方面的信息,以及英飞凌相关业务和此次量产产品的细节。 英飞凌的业务面 根据英飞凌...
类别:行业动态 2018-12-07 标签: CoolGaN 600 GaN 功率器件 英飞凌
长74.58%;加权平均净资产收益率5.50%,同比上升2.14个百分点。 半导体业务台基股份2018年上半年销售各类功率半导体器件66.28万只(包括晶闸管、模块、芯片、组件、散热器等),同比增长29.33%,其中晶闸管销售29.64万只,同比增长25.49%;模块销售33.96万只,同比增长26.25%。台基股份在传统应用领域精耕细作,巩固和提高了市场占有率,在冶金铸造领域...
类别:综合资讯 2018-08-17 标签: 台基股份
东芝推出紧凑型功率MOSFET栅极驱动器智能功率器件
-新器件尺寸显著减小,适用于汽车用三相无刷电机应用东京—东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布面向汽车用三相无刷电机推出一款全新的紧凑型功率MOSFET栅极驱动器智能功率器件(IPD)。该器件适用于汽车用电机驱动器应用,例如,12V电动助力转向系统(EPS)、油泵/水泵、风扇电机和电动涡轮增压器。东芝的IPD产品为高边和低边功率开关提供保护,在汽车应用中尤为有用。通常...
类别:分立器件 2018-07-24 标签: 东芝 MOSFET
重量和提高能效,从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料,提供下一代功率器件的基础。与硅相比,SiC和GaN需要高3倍的能量才能使电子开始在材料中自由移动。因而具有比硅更佳的特性和性能。一个主要优势是大大减少开关损耗。首先,这意味着器件运行更不易发热。这有...
类别:电源设计 2018-07-24 标签: 功率器件 氮化镓
碳化硅功率器件市场预测 汽车行业是助力
据外媒报道,据法国市场研究公司Yole Developpement称,预计到2023年,碳化硅功率器件市场市值将达14亿美元,2017年至2023年的年复合增长率预计为29%。上述数字表明,2017年碳化硅(SiC)功率元件市值约为3亿美元,2018年将达3.9亿美元,2019年将持续增长到5亿美元。Yole断言,汽车行业采用碳化硅,将是未来几年的关键趋势。目前...
类别:行业动态 2018-07-18 标签: 碳化硅 汽车行业
,一个月产能达到720万片,接下来,三菱电机还将进一步扩充产能。为了进一步巩固三菱电机功率半导体在变频家电市场的领先地位,三菱电机将依托位于合肥的功率半导体工厂和联合实验室,为中国客户提供更好、更快的支持;而在铁道牵引、电动汽车和工业新能源应用领域,三菱电机将持续性地联合国内知名大学和专业设计公司,开发本地化的基于新型功率半导体的整体解决方案。三菱电机功率器件在变频家电、工业、新能源...
类别:综合资讯 2018-06-29 标签: 三菱电机半导体 功率器件
集微网消息(记者/邓文标),“所有功率器件都在涨价,其中电容领涨,MOSFET、IGBT、二极管等都在持续跟进涨价潮。”业内人士向集微网记者表示,自去年以来,电容涨幅超过十几倍,MOSFET、IGBT整体涨幅超过40%,未来很长一段时间功率器件涨价依旧坚挺。更严峻的是,在上游晶圆产能持续紧张的现况下,供不应求的产能只会去保大客户,中小客户很难拿到单,生存压力很大。整个功率器件...
类别:综合资讯 2018-06-19 标签: MOSFET
EMI及PCB设计与开关频率详解
频率提高。图5 变压器铁损与开关频率关系图三、EMI及PCB设计与开关频率假设上述的功率器件损耗解决了,真正做到高频还需要解决一系列工程问题,因为在高频下,电感已经不是我们熟悉的电感,电容也不是我们已知的电容了,所有的寄生参数都会产生相应的寄生效应,严重影响电源的性能,如变压器原副边的寄生电容、变压器漏感,PCB布线间的寄生电感和寄生电容,会造成一系列电压电流波形振荡和EMI...
类别:综合资讯 2018-05-20 标签: 电源管理 emi 功率器件
EMI及PCB设计与开关频率详解
频率提高。图5 变压器铁损与开关频率关系图三、EMI及PCB设计与开关频率假设上述的功率器件损耗解决了,真正做到高频还需要解决一系列工程问题,因为在高频下,电感已经不是我们熟悉的电感,电容也不是我们已知的电容了,所有的寄生参数都会产生相应的寄生效应,严重影响电源的性能,如变压器原副边的寄生电容、变压器漏感,PCB布线间的寄生电感和寄生电容,会造成一系列电压电流波形振荡和EMI...
类别:综合资讯 2018-05-19 标签: 电源管理 emi 功率器件
集微网消息,科锐今日宣布与荷兰Nexperia公司签署非排他性、全球性的付费专利许可协议。通过这一协议,Nexperia将有权使用科锐GaN氮化镓功率器件专利组合,包括了超过300项已授权美国和国外专利,涵盖了HEMT(高电子迁移率场效晶体管)和GaN氮化镓肖特基二极管的诸多创新。这一专利组合针对新型器件结构、材料和工艺提升,以及封装技术,不包括技术转让。科锐联合创始人兼...
类别:综合资讯 2018-04-17 标签: 科锐

功率器件资料下载

功率器件热设计及散热计算功率器件热设计及散热计算摘  要:本文介绍了功率器件的热性能参数,并根据实际工作经验,阐述了功率器件的热设计方法和散热器的合理选择.关键词:热设计;功率器件;散热计算;散热器选择引言    当前,电子设备的主要失效形式就是热失效.据统计,电子设备的失效有55%是温度超过规定值引起的,随着温度的增加,电子设备的失效率呈指数增长...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 功率 器件 热设 计及 散热 计算
技术和高压大电流技术有机结合,出现了一批全新的全控型功率器件、首先是功率M0SFET的问世,导致了中小功率电源向高频化发展,而后绝缘门极双极晶体管(IGBT)的出现,又为大中型功率电源向高频发展带来机遇。MOSFET和IGBT的相继问世,是传统的电力电子向现代电力电子转化的标志。据统计,到1995年底,功率M0SFET和GTR在功率半导体器件市场上已达到平分秋色的地步,而用IGBT代替GTR在电力...
类别:应用案例 2013年09月19日 标签: 电力电子电源技术
MOSFET 功率开关器件的散热计算MOSFET 功率开关器件的散热计算摘要 : 文中介绍了以为代表的功率开关器件功率损耗的组成及其计算方法 ,给出了功率器件散热器的热阻计算方法和步骤 ,简要说明了在采用风冷散热时应遵循的一般准则。 关键词 :; 功率开关 ; 热阻 ; 散热器 0 引 言 随着电力电子功率器件向高功率密度方向的发展 ,元件单位体积内的热量...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: MOSFET 功率 开关 器件 的散 热计
    《IGBT场效应半导体功率器件导论》以新一代半导体功率器件IGBT为主线,系统地论述了场效应半导体功率器件的基础理论和工艺制作方面的知识,内容包括器件的原理、模型、设计、制作工艺及应用等,重点讨论IGBT,同时对其他器件如VDMOS、C001MOS等也作了简单介绍。《IGBT场效应半导体功率器件导论》着重阐述基础理论,并适当吸收该领域近期的研究报道,各章后附有相关参考文献...
类别:嵌入式系统 2013年09月22日 标签: 半导体 场效应管 IGBT 功率器件
功率器件的散热设计方法 在模拟电路设计过程中难免会使用功率器件,如何处理和解决这些功率器件散热问题对于电路设计师来说非常重要,因为这些功率器件的工作温度将直接影响到整个电路的工作稳定性和安全性,文中首先介绍了功率器件的热性能指标,并根据作者的实际工作经验,介绍了功率器件的散热设计方法。...
类别:模拟及混合电路 2013年07月08日 标签: 功率器件 散热设计
功率器件包括功率 IC 和功率分立器件功率分立器件则主要包括功率MOSFET、大功率晶体管和IGBT 等半导体器件功率器件几乎用于所有的电子制造业,所应用的产品包括计算机领域的笔记本、PC、服务器、显示器以及各种外设;网络通信领域的手机、电话以及其它各种终端和局端设备;消费电子领域的传统黑白家电和各种数码产品;工业控制类中的工业PC、各类仪器仪表和各类控制设备等。除了保证这些设备的正常运行...
类别:开关电源 2013年09月22日 标签: 中国功率器件市场发展现状
微波功率模块—雷达发射机的新型功率器件维普资讯 http://www.cqvip.comNo . 2   1 9 9 8  班 。  ( S e r l e s   No . 6 3 )  微波功率模块  雷达发射机的新型功率器件。  Mi c  ̄ ' o wa v e   Po we r   Mo d u l e: a   Ne w― t y p e...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 微波 功率 模块 雷达 发射 机的 新型 器件
开关电源知识培圳资料的内容有:功率电子器件,功率电子器件及其应用要求功率电子器件大量被应用于电源、伺服驱动、变频器、电机保护器等功率电子设备。这些设备都是自动化系统中必不可少的,因此,我们了解它们是必要的。近年来,随着应用日益高速发展的需求,推动了功率电子器件的制造工艺的研究和发展,功率电子器件有了飞跃性的进步。器件的类型朝多元化发展,性能也越来越改善。大致来讲,功率器件的发展,体现在如下方...
类别:应用案例 2013年09月22日 标签: 开关电源知识培圳资料
。大致来讲,功率器件的发展,体现在如下方面: 1. 器件能够快速恢复,以满足越来越高的速度需要。以开关电源为例,采用双极型晶体管时,速度可以到几十千赫;使用MOSFET和IGBT,可以到几百千赫;而采用了谐振技术的开关电源,则可以达到兆赫以上。 2. 通态压降(正向压降)降低。这可以减少器件损耗,有利于提高速度,减小器件体积。 3. 电流控制能力增大。电流能力的增大和速度的提高是一对矛盾...
类别:应用案例 2013年08月27日 标签: 开关电源
脉宽调制整流技术具有非常广阔的应用前景。从功率器件,主电路拓朴和控制方法三个方面对其进行了详细的介绍,并对其未来发展进行了预测。关键词:脉宽调制整流器;功率器件;电路拓扑;控制方法引言随着电力电子技术的迅速发展,各种电力电子装置在电力系统、工业、信息、交通、家庭等众多领域中的应用日益广泛。电力电子装置的非线性,引起网侧电流、电压波形的严重畸变,导致了日趋严重的谐波...
类别:电机 2013年09月22日 标签: 脉宽调制整流电路介绍

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同等功率器件的条件下,接收机接收光束的功率密度是红外接收机接收光束功率密度的数百至几千倍。因而在同样气候条件下,激光的传输衰减远小于其他同类探测器,穿透雨雾能力强,探测距离可达数百米至几千米,极大降低了气候环境所产生的误报警。激光单色性强,方向性好,相互之间无串扰,可满足较高等级的安防要求。         (二)安装调试简便,运行稳定...
0次浏览 2019-02-22 信息发布

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等。是现代安防领域重要的入侵探测器。         探测距离远,误报率低   激光入侵探测系统与同类主动探测系统相比,对恶劣气候环境的适应性显著增强。激光束发射的功率密度大,发散角小,光束集中,方向性好,使用同等功率器件的条件下,在百米处,目标接接收激光束的功率密度是红外发光二极管光束的数倍,因而穿透雨、雪、雾、风沙能力强,极大降低了误报率...
0次浏览 2019-02-20 信息发布

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输出整流管、阻塞二极管、反馈电路中的整流管。 3、肖特基二极管(SBD),属于低电压、低功耗、大电流、超高速半导体功率器件,其反向恢复时间可小到几纳秒,正向导通压降仅为0.4V左右,整流电流可达几十至几百安培。用作开关电源充电器、开关电源模块低压输出电路中的整流二极管、续流二极管。 4、瞬变变压抑制二极管(TVS),响应速度极快、钳位电压稳定,是一种新型过电压保护器件,用作保护开关电源PWM集成电路...
0次浏览 2019-02-18 信息发布 标签: 开关电源 电源模块

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,大家都知道锂电池是容易爆炸的,相必是业内人士。 INN2215K采用磁隔离技术,进一步提高了功率密度。一直以来,磁隔离技术用在信号隔离器件上;在开关电源领域,都采用光耦隔离的方法,这增加了成本和体积,PI公司创新性的将磁隔离技术用在功率器件上,提高了芯片的集成度。为这样的创新产品和创新公司点赞! 紫米公司把充电器和充电宝二合一,减轻旅行箱重量的同时,又降低了成本,在充满竞争的充电宝市场,十分...
721次浏览 2019-02-11 电源技术

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。大功率器件尽可能放在电路板边缘。 (7)在单片机I/O口,电源线,电路板连接线等关键地方使用抗干扰元件如磁珠、磁环、电源滤波器,屏蔽罩,可显着提高电路的抗干扰性能。3、提高敏感器件的抗干扰性能 提高敏感器件的抗干扰性能是指从敏感器件这边考虑尽量减少对干扰噪声的拾取,以及从不正常状态尽快恢复的方法。 提高敏感器件抗干扰性能的常用措施如下: (1)布线时尽量减少回路环的面积,以降低感应噪声...
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太阳光照射方向安装,太阳直射接收机也不会产生误报,支持在强太阳光下正常布防工作。不受外界自然环境的影响。     山东飞天激光对射的优势     1、探测距离远,误报率低     激光入侵探测系统与同类主动探测系统相比,对恶劣气候环境的适应性显著增强。激光束发射的功率密度大,发散角小,光束集中,方向性好,使用同等功率器件...
0次浏览 2019-01-17 信息发布

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    (一) 激光特性优异,品质较高:     1、激光入侵探测系统与同类主动探测器相比,对恶劣气候环境的适应性显著增强。激光束发射功率密度大,发散角小,光束集中,方向性好,在使用同等功率器件的条件下,接收机接收光束的功率密度是红外接收机接收光束功率密度的数百至几千倍。因而在同样气候条件下,激光的传输衰减远小于其他同类探测器,穿透雨雾能力强...
0次浏览 2019-01-16 信息发布

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晶体管、小规模集成电路、电解电容等)放在冷却气流的最上流(入口处),发热量大或耐热性好的器件(如功率晶体管、大规模集成电路等)放在冷却气流最下游。   6.、在水平方向上,大功率器件尽量靠近印制板边沿布置,以便缩短传热路径;在垂直方向上,大功率器件尽量靠近印制板上方布置,以便减少这些器件工作时对其他器件温度的影响。   7、对温度比较敏感的器件最好安置在温度最低的区域(如设备的底部),千万不要将...
262次浏览 2019-01-14 PCB设计 标签: PCB

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、大规模集成电路等)放在冷却气流最下游。d、在水平方向上,大功率器件尽量靠近印制板边沿布置,以便缩短传热路径;在垂直方向上,大功率器件尽量靠近印制板上方布置,以便减少这些器件工作时对其他器件温度的影响。e、设备内印制板的散热主要依靠空气流动,所以在设计时要研究空气流动路径,合理配置器件或印制电路板。空气流动时总是趋向于阻力小的地方流动,所以在印制电路板上配置器件时,要避免在某个区域留有较大的空域...
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       随着物联网 (IoT) 内器件的互联程度越来越高,并且客户需求也使得固件和软件升级变为重要的产品要求,这一切都使得针对这些更新的架构搭建成为前沿产品设计中的一个关键组成部分。虽然能耗比较高的应用往往包含一个伴随处理器,连同一个诸如MSP430 MCU的低功耗MCU,所使用的机制有所不同;但是在使用低功率器件的环境中,到MSP430™...
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东芝PCIM在线展会主要包含以下内容: 大功率器件IEGT 无传感器直流无刷风机控制方案 高效光伏逆变器 大功率器件SiC混合模块 SiC MOSFET PMI 模块封装IEGT PPI...
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开关电源原理与维修
开关电源是很多电器必不可少的电路,大家在维修时是否有深入了解它的工作原理呢?我希望大家不妨认真观看一下本站提供的这部开关电源原理与维修视频教程。百科一下:开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关断的时间比率,维持稳定输出电压的一种电源,开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSF...
2017-04-12 标签: 开关电源 原理

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