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内部flash

在电子工程世界为您找到如下关于“内部flash”的新闻

STM32寄存器操作方式学习-时钟配置

一、当STM32刚上电启动时,它是从频率为8 MHz 的内部振荡器运行的,假如程序设置外部高速时钟(HSE)为系统时钟源时,在外部高速时钟准备好之前对HSI相关寄存器的操作是无效的,相关位的值将保持在默认值。因此,要想关闭HSI以节能,必须在外部高速时钟准备好之后对HSI相关寄存器操作。二、当STM32启动时,它是从频率为8 MHz 的内部振荡器运行的,因此内部FLASH 的...

类别:ARM单片机 2017-09-26 08:39:46 标签: STM32 寄存器操作 时钟配置

北科天绘推出两款激光雷达产品:R-Fans-32和C-Fans

北科天绘推出两款激光雷达产品:R-Fans-32和C-Fans

。 张智武表示,R-Fans-32目前是最小的32线激光雷达,是因为北科天绘采取了完全不同的总体设计和技术路线。张智武介绍道,传统的多线激光雷达产品,有多少线扫描线就意味着内部有多少层电路板,每层还分成两块电路板,一块管激光发射,一块管激光接收。也就是说,传统的32线产品要把64块电路板密密麻麻罗列起来,还要保证每一块电路板的收、发光角度和安装位置的精密性,这个装调工艺...

类别:汽车电子 2017-09-26 07:54:02 标签: 北科天绘 激光雷达 R-Fans-32 C-Fans

STM32睡眠模式低功耗(停止模式)

STM32睡眠模式低功耗(停止模式)

;     //中断唤醒#define PWR_STOPEntry_WFE              //事件唤醒12停机模式唤醒后自动选择系统内部时钟,看自己的应用是否需要...

类别:ARM单片机 2017-09-25 08:22:18 标签: STM32 睡眠模式 低功耗 停止模式

基于Xmodem的STM32的IAP升级【转】

基于Xmodem的STM32的IAP升级【转】

一般支持128 字节的数据包,并且支持校验和、CRC 两种校验方式。2.iap编程原理在线编程目前有两种实现方法:在系统编程(ISP)和在应用编程(IAP)。ISP一般是通过单片机专用的串行口对内部的整个Flash存储器进行编程,而IAP技术是从结构上将Flash存储器分为两个部分,当运行一个存储体上的用户程序时,可对另一个存储体重新编程,之后将控制从一个存储体转向另一个。而...

类别:ARM单片机 2017-09-25 08:18:34 标签: Xmodem STM32 IAP升级

东芝宣布出售予美日联盟 加速提升3D NAND产能追赶三星

东芝宣布出售予美日联盟 加速提升3D NAND产能追赶三星

的资本支出结构将不用再受到东芝母公司过去财务问题与内部间资源分配不均的拖累,而能更专注在NAND Flash相关的技术与产能投入,未来无论是在策略积极度、决策效率上都将较以往提升。最后,观察本次的出售案,若要顺利成行,关键的决定因素仍在于威腾的态度以及双方未来可能的协商状况。目前东芝与西数仍共同出资持有生产工厂,东芝与西数持有比重为55:45,东芝若确定出售,未来与西数的合作...

类别:消费电子 2017-09-24 14:49:55 标签: 东芝 美日联盟 3D NAND

STM32系列第15篇--灵活的静态存储控制器FSMC

STM32系列第15篇--灵活的静态存储控制器FSMC

6800模式NANDFlash和16位PCCard,NAND Flash具有硬件ECC结构FSMC分为四块BANK,每块各占256M字节空间,每块分为四个区,每个区占64M。  NOR/PSRAM 256M字节的空间需要28根地址线寻址HADDR是内部AHB地址总线HADDR[25:0]来自外部存储器地址FSMC[25:0]HADDR[26:27]对4个...

类别:ARM单片机 2017-09-22 11:44:45 标签: STM32系列 静态存储控制器 FSMC

STM32系列第23篇--SPI

STM32系列第23篇--SPI

简介:SPI 是英语Serial Peripheral interface的缩写,顾名思义就是串行外围设备接口。是Motorola首先在其MC68HCXX系列处理器上定义的。SPI,是一种高速的,全双工,同步的通信总线,并且在芯片的管脚上只占用四根线,节约了芯片的管脚,同时为PCB的布局上节省空间,提供方便,主要应用在EEPROM,FLASH,实时时钟,AD转换器,还有...

类别:ARM单片机 2017-09-22 11:29:34 标签: STM32系列 SPI

东芝宣布出售予美日联盟,加速提升3D NAND产能追赶三星

东芝宣布出售予美日联盟,加速提升3D NAND产能追赶三星

公司,未来新公司的资本支出结构将不用再受到东芝母公司过去财务问题与内部间资源分配不均的拖累,而能更专注在NAND Flash相关的技术与产能投入,未来无论是在策略积极度、决策效率上都将较以往提升。最后,观察本次的出售案,若要顺利成行,关键的决定因素仍在于威腾的态度以及双方未来可能的协商状况。目前东芝与西数仍共同出资持有生产工厂,东芝与西数持有比重为55:45,东芝若确定出售,未来...

类别:综合资讯 2017-09-21 21:52:55 标签: 东芝

STM32 IAP在线升级详解

STM32 IAP在线升级详解

;         下图在stm32f100芯片手册的29页,我们只截取关键部分从上图我们看出几个关键部分:1.内部flash是从0x0800 0000开始到0x0801 FFFF结束,0x0801FFFF-0x0800 0000 = 0x20000 = 128k 128也就是flash的大小;2.SRAM的开始地址是0x2000 0000...

类别:ARM单片机 2017-09-21 16:30:06 标签: STM32 IAP 在线升级

STM32:GPIO基础与对应管脚操作库函数

USE_STDPERIPH_DRIVER, STM32F10X_HDSTM32固件库Libraries\CMSIS\Core\CM3\startup\arm中启动文件的文件名英文缩写意义:cl:互联型产品, stm32f105/107 系列vl:超值型产品, stm32f100 系列xl:超高密度(容量) 产品, stm32f101/103 系列ld:低密度产品, FLASH...

类别:ARM单片机 2017-09-21 16:12:10 标签: STM32 GPIO 对应管脚 库函数

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内部flash资料下载

Flash单片机自编程技术的探讨立即下载

同时执行程序的。目前,有两种途径可以解决:①在擦除/编程Flash的过程中,将CPU置于空闲状态;②将擦除/编程Flash的指令复制到RAM,再由CPU来执行。   TI公司的MSP430系列Flash型单片机内部集成有Flash控制器,可以采用外部编程器进行烧写,也可以利用自己的程序修改Flash的内容,且不用外加编程电压。在进行系统设计时,可以利用片内的Flash保存一些运行数据,实现掉电保护...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: Flash 单片 机自 编程 技术 的探

TMS320C5410烧写Flash实现并行自举引导立即下载

TMS320C5410上电后用户程序并行自举引导 。关键词:Am29LV200B Flash DSP 并行自举引导 自举表  Flash是一种可在线进行电擦写,掉电后信息不丢失的存储器。它具有低功耗、大容量、擦写速度快等特点,并且内部嵌入算法完成对芯片的操作,因而在数字信号处理系统中得到了广泛的应用。本文通过一个完整的实例,介绍Am29LV200BFlash存储器的烧写方法,实现...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: TMS320C5410 烧写 Flash 实现 并行 自举 引导

基于ARM的嵌入式数据存储系统研究立即下载

到了广泛的应用。Flash存储器主要有两种形式:Nor Flash和Nand Flash。Nor Flash具有XIP特性,可以直接在芯片上执行代码,而且读取速度较快。Nand Flash存储密度大、容量大、生产工艺简单、性价比高,但是控制方式复杂而且可能会存在一定的坏块。SD卡是近年来流行的大容量便携式存储卡。本系统中,我们以Flash和SD卡作为数据存储介质。在存储介质的选择方面,在系统内部采...

类别:ARM MPU 2014年03月05日 标签: 基于ARM的嵌入式数据存储系统研究

DSP+FLASH引导装载系统的设计与实现立即下载

。    关键词:数字信号处理器 FLASH存储器 引导装载 在一些脱机运行的DSP系统中,用户代码需要在加电后自动装载运行。DSP系统的引导装载(Bootload)是指在系统加电时,DSP将一段存储在外部的非易失性存储器的代码移植到内部的高速存储器单元中去执行。这样既利用了外部的存储单元扩展DSP本身有限的ROM资源,又充分发挥了DSP内部资源的效能。尽管用户代码在一段时间相对是固定的...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: DSP FLASH 引导 装载 系统 的设 计与 实现

基于CPLD的Flash读取控制的设计与实现立即下载

        在使用Flash 存储数据时,有时需要对其设计读写控制逻辑。本文介绍了用VHDL 语言在CPLD内部编程,实现对Flash 中数据的读取控制的具体方法,并给出了时序仿真波形。根据需求进行相应的修改,该设计可以支持可多种数据输出宽度,因而具有较好的灵活性。关键词:CPLD VHDL Flash 多种数据输出宽度...

类别:其他 2013年09月19日 标签: 基于CPLD的Flash读取控制的设计与实现

pic单片机实用教程(提高篇)立即下载

;背景知识1.1.1 通用型半导体存储器的种类和特点1.1.2 PIC单片机内部的程序存储器1.1.3 PIC单片机内部的EEPROM数据存储器1.1.4 PIC16F87X内部EEPROM和FIASH操作方法1.2 与EEPROM相关的寄存器1.3 片内EEPROM数据存储器结构和操作原理1.3.1 从EEPROM中读取数据...

类别:其它 2014年03月05日 标签: pic单片机实用教程 提高篇

NAND Flash的驱动程序设计方案立即下载

NAND Flash的驱动程序设计方案NAND Flash的驱动程序设计方案以三星公司K9F2808UOB为例,设计了NAND Flash与S3C2410的接口电路,介绍了NANDFlash在ARM嵌入式系统中的设计与实现方法,并在UBoot上进行了验证。所设计的驱动易于移植,可简化嵌入式系统开发。关键词  ARM  UBoot  NAND Flash...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: Flash 的驱 动程 序设 计方

NAND Flash的驱动程序设计立即下载

NAND Flash存储芯片。要访问NAND Flash中的数据,必须通过NANDFlash控制器发送命令才能完成。所以, NANDFlash相当于S3C2410的一个外设,并不位于它的内存地址区。1.1  芯片内部存储布局及存储操作特点  一片NAND Flash为一个设备, 其数据存储分层为:1设备=4096块;1块=32页;1页=528字节=数据块大小(512字节)+OOB块大小(16字节...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: Flash 的驱 动程 序设

PIC单片机实用教程(提高篇)立即下载

1.1.1 通用型半导体存储器的种类和特点 1.1.2 PIC单片机内部的程序存储器 1.1.3 PIC单片机内部的EEPROM数据存储器 1.1.4 PIC16F87X内部EEPROM和FIASH操作方法 1.2 与EEPROM相关的寄存器 1.3 片内EEPROM数据存储器结构和操作原理 1.3.1 从EEPROM中读取数据 1.3.2 向EEPROM中烧写数据 1.4 与...

类别:PIC 2013年08月23日 标签: PIC单片机

LPC2368通过IAP读写内部FLASH的实现立即下载

LPC2368通过IAP读写内部FLASH的实现 一般设计产品的时候,如果需要存储数据都会搞一片外部FLASH,而LPC268 本身就有512K的FLASH,对于一般数据不是很多的系统来说,足够存储了. 但是FLASH用于跑程序用的,所以需要将FLASH分区.具体设置在keil中设 置...

类别:ARM MCU 2013年06月27日 标签: LPC IAP读写 实现

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电子制作节二等奖-SPI NOR FLASH 烧录器

。主控芯片接收到的数据先保存在内部RAM中,然后再写入内部FLASH(或者外部FLASH),保存完成后,回传确认信息,然后在传送下一个数据块。芯片烧录过程:1.先配置母片数据地址信息;2.配置子片数据地址信息(N片FLASH同时配置);3.启动DMA传输256字节数据;4.一页数据传输完成后,跳转置2继续传输下一页数据,直至数据烧写完成;5.配置母片数据地址;6.配置子片数据地址;7.SPI的...

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C2000上电引导模式解析

默认内部上拉使能,所以即使不用加上拉电阻也可以。这时候的引导模式是GetMode,由于我们没有去配置OTP两个单元,所以这两个单元默认为0xFFFF,所以芯片的引导模式最终为boot to Flash。5. 其他外设的引导模式从上面这几张图中可以看到还有许多外设引导的功能,以SCI引导为例,带仿真器和单机跑的时候,都要配置相应的存储单元以及GPIO口状态,使之配置为SCI boot mode。然后...

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HTS221温湿度传感器的使用,和需要注意的地方

;CTRL_REG1第0位和第1位为输出速率选择,默认为One-shot,即单次转换模式,需要将CTRL_REG2的第0位写1使能转换,转换完成后CTRL_REG2的第0位会由硬件清零;CTRL_REG2的第7位为BOOT,当此位为1时校准数据从FLASH复制到对应的寄存器,第1位为加热器使能,此位为1时启动内部加热器,不同的电源电压对应不同的加热电流:CTRL_REG3用来控制DRDY引脚,第...

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预计将达20.6%,吃紧态势将延续。接下来这几大存储器厂商能否赚得钵满盆满,除了视存储器供需外,各家先进制程转进进度、良率以及产能利用率也是重点。从笔者搜集到的资讯来看:   三星仍是技术力最强的公司,目前主力制程为18纳米其良率早已超过85%,预计今年在三星内部占比将接近五成,明年往七成的比重迈进。从三星以往一个制程进入成熟阶段后,会在一年内将其比重拉到八成的往例来看,三星在18纳米制程刻意...

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ARM、DSP、FPGA的特点和区别

的应用提供了一条有效途径。 当然,与通用微处理器相比,DSP芯片的其他通用功能相对较弱些。 FPGA是英文FieldProgrammableGateArray(现场可编程门阵列)的缩写,它是在PAL、GAL、PLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物,是专用集成电路(ASIC)中集成度最高的一种。FPGA采用了逻辑单元阵列LCA(LogicCellArray)这样一个新概念,内部包括可配置逻辑...

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连续读取。D、NOR Flash带有SRAM接口,有足够的地址引进来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND Flash的地址、数据和命令共用8位总线(有写公司的产品使用16位),每次读写都要使用复杂的I/O接口串行地存取数据。E、NOR Flash的容量一般较小,通常在1MB~8MB之间;NAND Flash只用在8MB以上的产品中。因此,NOR Flash只要应用在代码存储介质中...

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初学MSP430F5529的一些问题记录

( RISC )结构,只有简洁的27 条指令,大量的指令则是模拟指令,众多的寄存器以及片内数据存储器都可参加多种运算。这些内核指令均为单周期指令,功能强,运行的速度快。  第二点,MCU主要分为两种工作模式:待机与执行。51内核单片机正常情况下消耗的电流为mA级 ,在掉电状态下,其耗电电流仍约为3mA左右 ;即使在掉电方式下,电源电压可以下降到2V ,但是为了保存内部RAM 中的数据,还需要提供约...

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