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光刻

在电子工程世界为您找到如下关于“光刻”的新闻

22纳米芯片即将国产化,紫外超分辨光刻装备已制成
超分辨光刻装备核心部件纳米定位干涉仪以及精密间隙测量系统。 国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”29日通过验收,这是我国成功研制出的世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制,光刻分辨力达到22纳米,结合多重曝光技术后,可用于制造10纳米级别的芯片。超分辨光刻设备核心部件超分辨光刻镜头。 中科院理化技术研究所许祖...
类别:半导体生产 2018-11-30 标签: 22纳米
国际在线报道(记者 张喆炯):作为中国国家重大科研装备研制项目,“超分辨光刻装备研制”项目近日在超分辨成像器件设计与加工技术等关键技术上取得系列突破,研制出了全球首套分辨率突破了衍射极限的光刻装备,并拥有完全自主知识产权。这不仅打破了国外在高端光刻装备领域的垄断,也为纳米光学加工提供了全新的解决途径。经过近七年艰苦攻关,中国的“超分辨光刻装备研制”项目,在无国外成熟经验可借鉴...
类别:综合资讯 2018-11-30 标签: 超分辨光刻装备
光刻技术的争夺愈演愈烈
近期,半导体界掀起了一阵小小的光刻潮,原因就是浸润式光刻技术的开创者林本坚博士获得了2018年未来科学大奖-数学与计算机科学奖,并于近日进行了多次主题演讲,使半导体光刻这项高端而又略显神秘的技术形象地展示在了业界人士面前,也使得越来越多的人对它产生了兴趣,希望能够进一步了解和研讨。 这里,首先了解一下光刻技术及其发展状况。 光刻流程 光刻...
类别:半导体生产 2018-11-26 标签: 光刻
年产25吨ArF光刻胶!南大光电宁波项目今日开工
集微网消息(文/春夏)11月2日,南大光电光刻胶材料及配套关键材料开发及产业化项目在浙江宁波北仑芯港小镇正式动工。        南大光电是我国集高纯电子材料研发、制造和产业化于一体的上市公司。        今年1月,南大光电与宁波经济技术开发区管理委员会签订投资协议书,南大光电拟在宁波开发区...
类别:综合资讯 2018-11-03 标签: ArF光刻胶
带你了解下什么是半导体光刻胶
光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一,特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展,更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。1954 年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用于印刷工业的,以后才用于电子工业。光刻胶是由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成份组成的、对光敏感的混合液体。利用光化学反应,经曝光、显影、刻蚀等工艺将所需...
类别:半导体生产 2018-10-19 标签: 半导体光刻胶
一文让你知道晶圆光刻技术
在集成电路的制造过程中,有一个重要的环节——光刻,正因为有了它,我们才能在微小的芯片上实现功能。现代刻划技术可以追溯到190年以前,1822年法国人Nicephore niepce在各种材料光照实验以后,开始试图复制一种刻蚀在油纸上的印痕(图案),他将油纸放在一块玻璃片上,玻片上涂有溶解在植物油中的沥青。经过2、3小时的日晒,透光部分的沥青明显变硬,而不透光部分沥青依然软并可...
类别:工艺设备 2018-09-30 标签: 晶圆光刻
什么是EUV?为何如此昂贵
为什么三星、台积电、英特尔,这三家直接竞争对手企业争相投资ASML?EUV堪称半导体设备发展以来最昂贵的设备,一台售价高达9,000 万欧元。中芯国际也向阿斯麦下单了一台价值高达1.2亿美元的EUV(极紫外线)光刻机。看看如何修炼这台设备的。...
类别:半导体生产 2018-09-30 标签: EUV 光刻
近日,国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”专项(以下简称02重大专项)实施管理办公室组织任务验收专家组、财务验收专家组对02重大专项“极紫外光刻胶材料与实验室检测技术研究”项目进行了任务验收和财务验收。与会专家听取了项目负责人和课题负责人对项目和课题完成情况的汇报、测试组的现场测试报告、财务执行情况报告等,审阅了验收资料。经过认真讨论,与会专家一致同意该项...
类别:半导体生产 2018-06-04 标签: 极紫外光刻胶
  5月24日,国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”专项(以下简称02重大专项)实施管理办公室组织任务验收专家组、财务验收专家组对02重大专项“极紫外光刻胶材料与实验室检测技术研究”项目进行了任务验收和财务验收。与会专家听取了项目负责人和课题负责人对项目和课题完成情况的汇报、测试组的现场测试报告、财务执行情况报告等,审阅了验收资料。经过认真讨论,与会专家...
类别:综合资讯 2018-06-01 标签: 极紫外光刻胶
  “假如我们把光刻机比作一把菜刀,那么光刻胶就好比是要切割的菜,没有高质量的菜,即使有了锋利的菜刀,也无法做出一道佳肴。”日前,江苏博砚电子科技有限公司技术部章宇轩在接受科技日报记者采访时说。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。  在北京化工大学理学院院长聂俊眼里,我国虽然已成为世界半导体生产大国,但面板产业整体产业链仍较为落后。目前,上游高端电子化学品(LCD用光刻...
类别:综合资讯 2018-06-01 标签: 光刻胶 半导体

光刻资料下载

  随着芯片集成度的不断提高、器件尺寸的不断缩小,光刻技术和光刻设备发生着显著变化。通过对目前国内外光刻设备生产厂商对下一代光刻技术的开发及目前已经应用到先进生产线上的光刻技术及设备进行了对比研究,对光刻技术和光刻设备的发展趋势进行了介绍,并对我国今后半导体光刻技术及设备的发展提出了合理化建议。  ...
类别:其他 2013年09月16日 标签: 半导体 光刻技术
  光刻胶与光刻工艺技术  微电路的制造需要把在数量上精确控制的杂质引入到硅衬底上的微小  区域内,然后把这些区域连起来以形成器件和VLSI电路.确定这些区域图形  的工艺是由光刻来完成的,也就是说,首先在硅片上旋转涂覆光刻胶,再将  其曝露于某种光源下,如紫外光,电子束或X-射线,对抗蚀层进行选择性的  曝光.完成这项工作需利用光刻机,掩模版,甚至电子束光刻时的数据带.  曝光后的硅片经过显影...
类别:科学普及 2013年09月22日 标签: 光刻 光刻胶
参与其研发和产业化。然而,OLED也存在一些问题,特别是在发光机理、稳定性和寿命等方面还需要进一步的研究。要达到这些目标,除了器件的材料,结构设计外,封装也十分重要。 本论文的主要工作是利用现有的材料,从绿光OLED器件制作工艺、发光机理,结构和封装入手,首先,探讨了作为阳极的ITO玻璃表面处理工艺和ITO玻璃的光刻工艺。ITO表面的清洁程度严重影响着光刻质量和器件的最终性能;ITO表面经过氧...
类别:IC设计及制造 2014年03月05日 标签: 电致发光
目前,精密、超精密加工技术的应用已从国防尖端和航空航天等少数部门扩展到国民经济领域。伴随着半导体产业的不断发展,对超大规模集成电路制造业的核心—激光直写光刻技术的需求在不断提高。激光直写光刻技术利用强度可变的激光束对基片表面实施变剂量曝光,其重要环节是利用计算机控制激光束进行高精度扫描。在光刻过程中,置于载物台的光刻基片随平台移动,由声光调制器控制激光束的强弱对其进行变剂量曝光,载物工作台所达到...
类别:电机 2013年09月22日 标签: 基于SOPC技术的激光直写数字伺服控制器
液晶显示器制造工艺流程基础技术一.工艺流程简述:前段工位:ITO 玻璃的投入(grading) 玻璃清洗与干燥(CLEANING)涂光刻胶(PR COAT) 前烘烤(PREBREAK)曝光(DEVELOP) 显影(MAIN CURE)蚀刻(ETCHING) 去膜(STRIP CLEAN) 图检(INSP)清洗干燥(CLEAN) TOP 涂布(TOP COAT)UV 烘烤(UV CURE) 固化...
类别:消费电子 2013年09月19日 标签: 液晶显示器制造工艺流程基础技术
提要:本文讨论了光学光刻中的离轴照明技术。主要从改善光刻分辨率、增大焦深、提高空间像对比度等方面对离轴照明与传统照明作了比较,并用 仿真软件进行了模拟分析。研究表明,离轴照明是一种很有效的光刻分辨率增强技术...
类别:电路仿真 2013年09月19日 标签: 离轴照明 光学光刻
报道了采用局部背接触结构的激光刻槽埋栅太阳电池的研究结果。模拟分析了局部背接触结构的作用,设计了合理的电池结构。通过工艺优化,得到了转换效率达到17. 28 %(大气质量AM = 1. 5 G,VOC = 650. 4mV ,JSC = 33. 15 mA/ cm2 , FF= 0. 8014 ,电池面积为4 cm2 )的太阳电池。 在少数载流子寿命大大提高和有发射区钝化的基础上,发生在晶体Si...
基于视频共焦显微镜光刻对准系统设计研究王鲁宾,周金运,宋超(广东工业大学物理与光电工程学院,广东 广州 510006)摘要:针对目前研究的激光投影光刻机的对准需要,设计了一套基于视频图像对准原理的激光投影光刻对准系统。详细分析了共焦显微镜和CCD 相关双采样图像处理关键技术在本系统中的应用,结果表明CCD 图像的质量明显提高,从而提高了视频图像对准系统的精度,完全满足系统分辨精度2.5um...
类别:DSP 2013年09月22日 标签: 基于视频共焦显微镜光刻对准系统设计研究
符号位),②测温范围为-55℃-+125℃,测量分辨率为0.0625℃,③内含64位经过激光修正的只读存储器ROM,④适配各种单片机或系统机,⑤用户可分别设定各路温度的上、下限,⑥内含寄生电源。 2. DS18B20内部结构 DS18B20内部结构主要由四部分组成:64位光刻ROM,温度传感器,非挥发的温度报警触发器TH和TL,高速暂存器。64位光刻ROM是出厂前被光刻好的,它可以看作...
类别:其他 2013年09月19日 标签: 数字温度计的设计与实现
介绍了一种基于光强调制的新型光纤温度传感器,它是通过光刻腐蚀和镀敷金属材料的方法在光纤上直接形成的。对其测温原理进行了研究:纹光纤受轴向应变时,其中传输的光信号输出功率对轴向应变相当敏感,很容易测量出光信号输出功率减少,原因是由于纹段光纤受轴向应变时纤芯折射率及半径变化的结果,且纹段与未纹段将发生大小不同的应变。当外界环境温度发生变化时,由敷在纹光纤外表面上的金属敷层将随环境温度的变化...
类别:射频 2013年09月20日 标签: 一种基于强度调制的新型光纤温度传感器

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元件、谐振腔和微波电子管组成的。到了二十世纪六十年代,便出现了以半导体器件以及薄膜淀积技术、光刻技术见长的新一代微波集成电路。由于具有体积小,重量轻,使用方便等优点,使得它在武器、航空航天以及卫星等方面得到充分的利用。 第二次世界大战期间,在微波电路中经常采用两种基本传输,即波导和TEM模同轴线。波导的特点是功率高、损耗小。后一特点导致了高Q谐振腔的出现。同轴线则由于不存在色散效应,具备固有的宽带...
176次浏览 2018-12-12 RF/无线

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SANG1000 系列倾角传感器www.fhsensor.com1、精度高 采用高速数字处理器,对重力加速度信息进行处理与解算,数字输出角度。采用光刻电阻技术补偿非线性误差,解决了传统倾角传感器在较大角度范围不能保证精度的问题,实现了全测量范围内线性化,保证了精度指标。 2、启动快,稳定性好,分辨率高 采用动态数字滤波技术、零位测试补偿技术和零位与标度因数自校正技术,具有快速稳定和低噪声输出...
0次浏览 2018-12-11 信息发布

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SANG1000-S360系列单轴倾角传感器一、产品特点1、精度高内部采用高速数字处理器,对多维重力加速度信息进行处理与姿态角解算,并采用角度数字输出模式。传感器利用光刻电阻技术补偿非线性误差,解决了传统倾角传感器www.fhsensor.com只有在小范围才能保证精度的现象,使得倾角传感器在全测量范围内线性化,保持同一额定精度指标。2、启动快,稳定性好,分辨率高角度分辨率可达到4″,输出稳定...
0次浏览 2018-12-11 信息发布

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像环形振荡器这样的基本设备,我们声称它是真正的产品,”Mark Papermaster在当天接受采访时表示7纳米芯片已经曝光。“摩尔定律正在放缓,半导体节点更加昂贵,而且我们没有得到我们过去常常得到的频率提升,”他在发布会上的一次谈话中说,称7-nm迁移“是一个粗略的提升,增加了掩模,更多的抵抗和寄生。“展望未来,使用极紫外光刻(EUV)的7纳米节点将“主要利用效率和一些适度的设备性能机会...
101次浏览 2018-12-10 嵌入式系统编程

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年在中国就有将近20个新开工的晶圆制造厂建设项目。 在晶圆厂制造中,光刻决定了半导体线路的精度,以及芯片功耗与性能,相关设备需要集成材料、光学、机电等领域最尖端的技术,被誉为是半导体产业皇冠上的明珠。单台设备价格在2000万美金以上,是中国半导体设备最需突破的环节之一。很多国内外半导体就上全球IC采购网:qic.com.cn 半导体国产化,设备待突破...
0次浏览 2018-12-04 信息发布

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->多晶硅制造->拉晶->切割、研磨等,对应的设备分别是熔炼炉、CVD设备、单晶炉和切片机等;晶圆加工则是指在制备晶圆材料上构建完整的集成电路芯片的过程,主要包含镀膜、光刻、刻蚀、离子注入等几大工艺。 3、IC测封:封装是半导体设备制造过程中的最后一个环节,主要包含减薄/切割、贴装/互联、封装、测试等过程,分别对应切割减薄设备、引线机、键合机、分选测试机等。将半导体材料模块集中于一个保护壳内,防止...
0次浏览 2018-11-23 信息发布

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浮胶是显影或腐蚀过程中常出现的一种不良现像,也是影响较为严重的一种光刻弊病。 显影时产生的浮胶 在显影时,玻璃表面的胶膜皱起呈桔皮状或胶膜大片剥离。产生这一现像,说明胶膜与玻璃表面ITO层粘附不好,得认真找出原因。同时,出现问题的玻璃得返工。 显影时出现浮胶的原因一般有: 1)涂胶前玻璃表面清洁处理不当,表面有油污,不汽等,或玻璃清洁后在空气中放置时间过长,空气中的水汽附在玻璃表面上...
144次浏览 2018-11-22 综合技术交流

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IC半导体芯片制造主要包括制造晶棒、生产晶圆、晶圆涂膜、显影和蚀刻,掺杂等,半导体线路的线宽,还有芯片的性能和功耗都与光刻工艺息息相关。 光刻的耗时占到整个IC生产环节的一半左右,占芯片生产成本的1/3, 光刻在芯片制造中非常重要。光刻整个过程在光刻机上完成,光刻机就好比放大的单反,将已设计好的集成电路图形通过光线的曝光印在光感材料上形成图形。将数十亿晶体管集成在2-3cm2的方寸之地,光刻...
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掺杂n型倍增(n-),0.2μm n电荷,0.5μm n-吸附和0.3μm n+接触层组成。 大面积碳化硅紫外可见盲雪崩光电二极管 图1:(a)4H-SiC APD的示意性横截面结构;(b)光刻胶回流技术的温度变化和800μm直径4H-SiC APD的斜面台面和(插图)顶视图照片。 其制造开始于电感耦合等离子体(ICP)台面蚀刻。 其间,台面倾斜以避免边缘击穿效应;用于台面蚀刻的厚光刻胶经回流...
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十分相似。IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、新能源汽车等领域应用极广。 我国的IGBT产业有两大特点一、IGBT的需求空间大随着新技术、新材料及新工艺的出现,CAD设计、离子注入、多层金属化、纳米级光刻等先进工艺技术应用到功IGBT器件中,IGBT设计技术将不断得到推动和提升。未来,IGBT器件的应用将非常广泛...
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微电子与微光刻技术
微电子技术工艺基础——微光刻与微/纳米加工技术,是人类迄今为止能够达到纳米级精度的加工技术,其加工设备和加工工艺也在不断发展以满足芯片加工从微米到纳米尺度的需求。一旦将电子元件作到纳米量级,其芯片的运行速度和内存都将大幅度提高,从而为未来的单电子计算机或纳米计算机的设计与实现开辟一条新的途径。...
2018-06-28 标签: 微电子 微光刻
MEMS与微系统
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集成MEMS传感系统设计与应用
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