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光刻

在电子工程世界为您找到如下关于“光刻”的新闻

科学家制备出新型柔性压力传感器

压力传感器能否兼具柔韧性和准确测量压力分布信息等功能成为人们关注的焦点。由于微结构不仅能够提高传感器的灵敏度,还能更快地恢复传感器的弹性形变,具备快速响应能力。因此,构建微结构是提高柔性压力传感器综合性能的有效途径,成为学术界和工业界的关注重点。科研团队巧妙利用聚合物胶体微球自组装阵列作为模板,通过两步复制制备了具有微凸点阵列的柔性基底。相对于传统光刻技术制备微结构硅模板的方法,该研究...

类别:半导体生产 2017-10-20 20:43:48 标签: 传感器

中国半导体产业崛起:政策频出 但核心技术仍差三代

要时间  虽然设计和封测领域已经能够追赶其他发达国家与地区,但从整体盘面来看,芯片制造方面差距则较大。  在半导体制造过程中需要大量的半导体设备和材料,郭高航对记者指出,国内厂商在制造方面与国际先进企业存在较大差距。设备方面,北方华创的刻蚀机能做到28nm级别,但也没有大规模量产,而现在国际最先进的技术已经到7nm级别, 相差三代,光刻机领域的差距更大。  材料端包括硅片...

类别:半导体生产 2017-10-20 20:41:05 标签: 半导体

三星GF英特尔竞争海思7nm第二供应商

下世代的A12订单,台积电以7nm结合InFO全拿订单也胜券在握。台积电 7nm制程将于明年量产,业界预期,台积电可望持续独吃苹果 A12 处理器订单,此外NVIDIA与高通供货比重将可提高,并可望受惠系统厂自行开发人工智能芯片。前不久三星电子宣布了新的11nm FinFET制造工艺“11LPP”(Low Power Plus),并确认未来7nm工艺将上EUV极紫外光刻。...

类别:半导体生产 2017-10-20 20:27:18 标签: 三星

中国半导体业崛起:政策频出但核心技术仍差三代

中国半导体业崛起:政策频出但核心技术仍差三代

差距。  掌握核心技术仍需要时间  虽然设计和封测领域已经能够追赶其他发达国家与地区,但从整体盘面来看,芯片制造方面差距则较大。  在半导体制造过程中需要大量的半导体设备和材料,郭高航对记者指出,国内厂商在制造方面与国际先进企业存在较大差距。设备方面,北方华创的刻蚀机能做到28nm级别,但也没有大规模量产,而现在国际最先进的技术已经到7nm级别, 相差三代,光刻机领域的差距更大。  材料端...

类别:综合资讯 2017-10-20 20:17:15 标签: 半导体 政策 核心技术

传三星格罗方德英特尔竞争海思7纳米第二供应商

工艺将上EUV极紫外光刻。    以上是关于半导体中-传三星格罗方德英特尔竞争海思7纳米第二供应商的相关介绍,如果想要了解更多相关信息,请多多关注eeworld,eeworld电子工程将给大家提供更全、更详细、更新的资讯信息。...

类别:市场动态 2017-10-20 16:08:43 标签: 海思 7纳米

中国半导体产业崛起:政策频出 但核心技术仍差三代

中国半导体产业崛起:政策频出 但核心技术仍差三代

差距。  掌握核心技术仍需要时间  虽然设计和封测领域已经能够追赶其他发达国家与地区,但从整体盘面来看,芯片制造方面差距则较大。  在半导体制造过程中需要大量的半导体设备和材料,郭高航对记者指出,国内厂商在制造方面与国际先进企业存在较大差距。设备方面,北方华创的刻蚀机能做到28nm级别,但也没有大规模量产,而现在国际最先进的技术已经到7nm级别, 相差三代,光刻机领域的差距更大...

类别:便携/移动产品 2017-10-20 08:50:52 标签: 半导体

担忧苹果高通挤压7纳米产能,海思考察第二供应商分散风险

半导体论坛上与7nm EUV光刻工艺进展一同公布。三星表示,相比于10nm制程,全新8nm制程的芯片不仅面积能缩减10%,功耗也能降低10%。该工艺正式投产后,将会定位于高端旗舰市场。格芯过去14纳米是向三星授权,在10纳米世代则是弃权,进入7纳米世代后重新加入高端制程战局,手上的王牌即是IBM。过去海思曾在IBM投片晶圆代工,IBM退出半导体生产制造后,把资产卖给格芯,承袭...

类别:半导体生产 2017-10-19 20:33:08 标签: 苹果 高通 7纳米

三星8nm工艺通过验证准备量产,但7nm进展仍落后于台积电

在 7nm 工艺之前最先进也最有竞争力的工艺,并且也会很快投入市场。至于具体商用时间,三星表示会在随后于全球各地举行的三星半导体论坛上与 7nm EUV 光刻工艺进展一同公布。此前有报道称,三星确认了包含 EUV (extreme ultra violet,远紫外区) 光刻技术的 7nm LPP 制程已经提上日程,目标是将在明年的下半年开始初步试产。或许是为了平衡量产问题,三星...

类别:半导体生产 2017-10-19 20:32:12 标签: 三星 8nm

担忧苹果高通挤压7纳米产能,海思考察第二供应商分散风险

进也最有竞争力的工艺,并且也会很快投入市场。至于具体商用时间,三星表示会在随后于全球各地举行的三星半导体论坛上与7nm EUV光刻工艺进展一同公布。三星表示,相比于10nm制程,全新8nm制程的芯片不仅面积能缩减10%,功耗也能降低10%。该工艺正式投产后,将会定位于高端旗舰市场。  格芯过去14纳米是向三星授权,在10纳米世代则是弃权,进入7纳米世代后重新加入高端制程战局,手上...

类别:综合资讯 2017-10-19 15:44:04 标签: 海思 7纳米

三星GF英特尔竞争海思7nm第二供应商

Plus),并确认未来7nm工艺将上EUV极紫外光刻。    以上是关于手机便携中-三星GF英特尔竞争海思7nm第二供应商的相关介绍,如果想要了解更多相关信息,请多多关注eeworld,eeworld电子工程将给大家提供更全、更详细、更新的资讯信息。...

类别:综合资讯 2017-10-19 15:29:32 标签: 三星 7nm

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光刻资料下载

半导体光刻技术及设备的发展趋势立即下载

  随着芯片集成度的不断提高、器件尺寸的不断缩小,光刻技术和光刻设备发生着显著变化。通过对目前国内外光刻设备生产厂商对下一代光刻技术的开发及目前已经应用到先进生产线上的光刻技术及设备进行了对比研究,对光刻技术和光刻设备的发展趋势进行了介绍,并对我国今后半导体光刻技术及设备的发展提出了合理化建议。  ...

类别: 2013年09月16日 标签: 半导体 光刻技术

光刻胶与光刻工艺技术立即下载

  光刻胶与光刻工艺技术  微电路的制造需要把在数量上精确控制的杂质引入到硅衬底上的微小  区域内,然后把这些区域连起来以形成器件和VLSI电路.确定这些区域图形  的工艺是由光刻来完成的,也就是说,首先在硅片上旋转涂覆光刻胶,再将  其曝露于某种光源下,如紫外光,电子束或X-射线,对抗蚀层进行选择性的  曝光.完成这项工作需利用光刻机,掩模版,甚至电子束光刻时的数据带.  曝光后的硅片经过显影...

类别:科学普及 2013年09月22日 标签: 光刻 光刻胶

有机电致发光显示器件新型封装技术及材料的研究.rar立即下载

参与其研发和产业化。然而,OLED也存在一些问题,特别是在发光机理、稳定性和寿命等方面还需要进一步的研究。要达到这些目标,除了器件的材料,结构设计外,封装也十分重要。 本论文的主要工作是利用现有的材料,从绿光OLED器件制作工艺、发光机理,结构和封装入手,首先,探讨了作为阳极的ITO玻璃表面处理工艺和ITO玻璃的光刻工艺。ITO表面的清洁程度严重影响着光刻质量和器件的最终性能;ITO表面经过氧...

类别:IC设计及制造 2014年03月05日 标签: 电致发光

光学光刻中的离轴照明技术立即下载

提要:本文讨论了光学光刻中的离轴照明技术。主要从改善光刻分辨率、增大焦深、提高空间像对比度等方面对离轴照明与传统照明作了比较,并用 仿真软件进行了模拟分析。研究表明,离轴照明是一种很有效的光刻分辨率增强技术...

类别:电路仿真 2013年09月19日 标签: 离轴照明 光学光刻

基于SOPC技术的激光直写数字伺服控制器立即下载

目前,精密、超精密加工技术的应用已从国防尖端和航空航天等少数部门扩展到国民经济领域。伴随着半导体产业的不断发展,对超大规模集成电路制造业的核心—激光直写光刻技术的需求在不断提高。激光直写光刻技术利用强度可变的激光束对基片表面实施变剂量曝光,其重要环节是利用计算机控制激光束进行高精度扫描。在光刻过程中,置于载物台的光刻基片随平台移动,由声光调制器控制激光束的强弱对其进行变剂量曝光,载物工作台所达到...

类别:工业控制 2013年09月22日 标签: 基于SOPC技术的激光直写数字伺服控制器

基于视频共焦显微镜光刻对准系统设计研究立即下载

基于视频共焦显微镜光刻对准系统设计研究王鲁宾,周金运,宋超(广东工业大学物理与光电工程学院,广东 广州 510006)摘要:针对目前研究的激光投影光刻机的对准需要,设计了一套基于视频图像对准原理的激光投影光刻对准系统。详细分析了共焦显微镜和CCD 相关双采样图像处理关键技术在本系统中的应用,结果表明CCD 图像的质量明显提高,从而提高了视频图像对准系统的精度,完全满足系统分辨精度2.5um...

类别:DSP 2013年09月22日 标签: 基于视频共焦显微镜光刻对准系统设计研究

成品率驱动的光刻校正技术立即下载

成品率驱动的光刻校正技术,成品率驱动的光刻校正技术……...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 成品 率驱 动的 光刻 校正 技术

photo 光刻工艺 Fab资料立即下载

光刻工艺培训资料 光刻过程 分类 工艺参数...

类别:IC设计及制造 2015年04月21日 标签: photo 光刻 Fab资料 工艺 IC

激光全息光刻法制作光子晶体LED立即下载

        激光全息光刻技术利用光的干涉衍射特性,通过特定的光束组合方式,来调控干涉场内的光强度分布,并用感光材料记录下来,从而产生光刻图形。...

类别:科学普及 2013年12月06日 标签: 激光全息光刻法制作光子晶体LED

半导体激光器光刻工艺立即下载

        通过光刻步骤介绍,分析了808大功率激光器的光刻流程......

类别:科学普及 2013年12月06日 标签: 半导体激光器光刻工艺

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电以7纳米结合InFO全拿订单也胜券在握。   台积电7纳米制程将于明年量产,业界预期,台积电可望持续独吃苹果A12处理器订单,此外英伟达与高通供货比重将可提高,并可望受惠系统厂自行开发人工智能芯片。   前不久三星电子宣布了新的11纳米FinFET制造工艺“11LPP”(LowPowerPlus),并确认未来7纳米工艺将上EUV极紫外光刻。 北京股商安徽分公司三星格罗方德英特尔竞争海...

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在一些特定领域,硅光将大放光彩

精度光刻工艺界定,并且EFT激光器通过专有的自对准(SAEFT)工艺以标准倒装方式贴装到芯片上,这种工艺同时支持边缘发射和表面发射激光器。这种端到端光刻工艺可确保激光器输出和输入波导定位是精确已知的。这既省去了CFT所需的成本高昂且繁琐的机械对准过程,又可确保高达80%的光耦合效率和器件一致性。 与CFT激光器相比,EFT激光器还具有影响硅光子集成电路尺寸和成本的其它优势。CFT激光器需要通过气...

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都降在漂移区上就可以了。 2) 大电流:一般的MOSFET的沟道长度有Poly CD决定,而功率MOSFET的沟道是靠两次扩散的结深差来控制,所以只要process稳定就可以做的很小,而且不受光刻精度的限制。而器件的电流取决于W/L,所以如果要获得大电流,只需要提高W就可以了。 所以上面的Power MOSFET也叫作LDMOS (Lateral Double diffusion MOS...

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