首页 > 关键词 > 二氧化硅

二氧化硅

在电子工程世界为您找到如下关于“二氧化硅”的新闻

我们常听到的22nm、14nm、10nm究竟是什么意思?

我们常听到的22nm、14nm、10nm究竟是什么意思?

损耗,而栅极的宽度则决定了电流通过时的损耗,表现出来就是手机常见的发热和功耗,宽度越窄,功耗越低。而栅极的最小宽度(栅长),就是XX nm工艺中的数值。  对于芯片制造商而言,主要就要不断升级技术,力求栅极宽度越窄越好。不过当宽度逼近20nm时,栅极对电流控制能力急剧下降,会出现“电流泄露”问题。为了在CPU上集成更多的晶体管,二氧化硅绝缘层会变得更薄,容易导致电流泄漏...

类别:综合资讯 2017-03-24 11:04:20 标签: 14nm 10nm

深度剖析 我们常听到的22nm 14nm 10nm究竟是什么意思

深度剖析 我们常听到的22nm 14nm 10nm究竟是什么意思

的通断。电流会损耗,而栅极的宽度则决定了电流通过时的损耗,表现出来就是手机常见的发热和功耗,宽度越窄,功耗越低。而栅极的最小宽度(栅长),就是 XX nm工艺中的数值。  对于芯片制造商而言,主要就要不断升级技术,力求栅极宽度越窄越好。不过当宽度逼近 20nm 时,栅极对电流控制能力急剧下降,会出现“电流泄露”问题。为了在 CPU 上集成更多的晶体管,二氧化硅绝缘层会变得更薄...

类别:便携/移动产品 2017-03-22 19:33:45 标签: 电流 骁龙 芯片

为啥说10nm芯片好 芯片制程工艺科普

为啥说10nm芯片好 芯片制程工艺科普

20nm 时,栅极对电流控制能力急剧下降,会出现“电流泄露”问题。为了在 CPU 上集成更多的晶体管,二氧化硅绝缘层会变得更薄,容易导致电流泄漏。  一方面,电流泄露将直接增加芯片的功耗,为晶体管带来额外的发热量;另一方面,电流泄露导致电路错误,信号模糊。为了解决信号模糊问题,芯片又不得不提高核心电压,功耗增加,陷入死循环。  因而,漏电率如果不能降低,CPU 整体性能和功耗...

类别:拆解与评测 2017-03-22 11:17:42 标签: 10nm 芯片

科学家发明“零损伤”复苏冷冻人体细胞技术,器官短缺问题将得到改善

科学家发明“零损伤”复苏冷冻人体细胞技术,器官短缺问题将得到改善

加热就不够均匀,会产生冰晶损伤组织,或者组织会因受热不均直接碎裂。为了克服这一问题,科学家们祭出了“纳米微波炉”方法。他们把直径50nm左右,镀有二氧化硅的氧化铁纳米颗粒(iron oxide nanoparticle (IONP) )和组织混在一起。再通过均匀的磁场加热组织(工作原理类似于我们烧菜的微波炉),使得组织的各部分以接近相同的速度升温,而不产生冰晶。当组织完全融化后...

类别:综合资讯 2017-03-20 23:38:36 标签: 冷冻人体细胞技术 医疗电子

Molex 将展示 Polymicro™ Technologie的专用光学解决方案

Molex 跨越众多的市场,为高增长的医疗行业提供专业的 Polymicro Technologies 解决方案。比如说,MediSpec™ 中空二氧化硅波导针对医疗激光应用而设计,在一条轻量级的光纤中集成了具有可见目标光束对准特点的红外激光功率输送功能。这种波导的传输针对二氧化碳激光或 Er:YAG 激光的波长进行了优化。Polymicro Technologies的熔融石英...

类别:其他技术 2017-03-20 18:44:56 标签: 光学技术 石英光纤 二氧化硅

Molex于光电子中国博览会上展示专用光学解决方案

Molex于光电子中国博览会上展示专用光学解决方案

广泛的行业,包括医疗、工业、分析以及替代能源等。我们专业从事纯熔融石英光纤及毛细管解决方案,提供全系列的光纤、高功率光纤束、毛细管产品以及相关的组件。” 医疗行业的光学解决方案Molex 跨越众多的市场,为高增长的医疗行业提供专业的 Polymicro Technologies 解决方案。比如说,MediSpec™ 中空二氧化硅波导针对医疗激光应用而设计,在一条轻量级...

类别:医学成像 2017-03-20 14:47:08 标签: Molex 光电子中国博览会 Polymicro™ Technologies 专用光学

电动汽车电源管理技术最新进展

电动汽车电源管理技术最新进展

temperature),很高的热传导性(在多晶SiC中),在电场中实现快速开关和低电阻率的高载流子饱和速度,方便生成二氧化硅(SiO2)带来的更低的生产成本,以及很高的阈值能量导致更强的辐射硬化(radiation hardening)。SiC组件在电动汽车中有许多关键应用。现有的电力牵引驱动装置能够将85%的电能转换为机械动能以驱动车轮,这个效率是相当高的,但SiC也能协助提高效率。电能...

类别:行业动态 2017-02-08 18:46:53 标签: 电动汽车 电源管理

电动汽车电源管理技术最新进展

电动汽车电源管理技术最新进展

temperature),很高的热传导性(在多晶SiC中),在电场中实现快速开关和低电阻率的高载流子饱和速度,方便生成二氧化硅(SiO2)带来的更低的生产成本,以及很高的阈值能量导致更强的辐射硬化(radiation hardening)。SiC组件在电动汽车中有许多关键应用。现有的电力牵引驱动装置能够将85%的电能转换为机械动能以驱动车轮,这个效率是相当高的,但SiC也能协助提高效率。电能转换器...

类别:汽车电子 2017-02-04 21:01:33 标签: 电动汽车 电源管理

CPU制造全过程,你知道吗

CPU制造全过程,你知道吗

衬底,在其上刻划的逻辑电路要遵循nMOS电路的特性来设计,这种类型的晶体管空间利用率更高也更加节能。同时在多数情况下,必须尽量限制pMOS型晶体管的出现,因为在制造过程的后期,需要将N型材料植入P型衬底当中,而这一过程会导致pMOS管的形成。在掺入化学物质的工作完成之后,标准的切片就完成了。然后将每一个切片放入高温炉中加热,通过控制加温时间而使得切片表面生成一层二氧化硅膜。通过...

类别:消费电子 2017-01-10 18:16:53 标签: CPU 制造全过程

纳米线晶体管能自我修复 有助研制单芯片飞船

·米尔纳、脸谱创始人马克·扎克伯格合作建造能以五分之一光速(每秒6万千米)飞行的微型星际飞船。不过,这种微型星际飞船能否“熬过”20年的太空飞行依然存疑,因为NASA的研究表明,宇宙高能射线会导致正电荷堆积,破坏芯片的二氧化硅层,让设备性能受损,最终导致飞船失灵。为了解决这个问题,NASA提出了很多方案:一是调整航线避开高能辐射区,但这可能导致航程增加数年,也不一定能保证飞船...

类别:市场动态 2016-12-14 10:08:26 标签: 纳米线晶体管

查看更多>>

二氧化硅资料下载

一种二氧化硅自动分析仪的设计立即下载

一种二氧化硅自动分析仪的设计...

类别:其它 2013年01月27日 标签: 二氧化硅 自动分析仪

界面势垒对碳纳米管场发射特性的影响立即下载

以界面势垒对碳纳米管(CNT)场发射的影响为研究目的,在硅衬底上引进很薄的二氧化硅层,以二氧化硅层作为绝缘势垒,然后在二氧化硅界面层上直接生长CNT,来研究二氧化硅绝缘势垒层对CNT场发射的影响。场发射结果为:Fowler-Nordheim(F-N)曲线分为两部分,高电场下偏离F-N曲线并趋于饱和。在双势垒模型的基础上,从电场在两势垒上的分布不同及电子在两势垒上的隧穿几率不同,理论上分析了界面势...

类别: 2013年09月22日 标签: 界面势垒对碳纳米管场发射特性的影响

双层二氧化硅和氮化硅中的电荷存储立即下载

        双层二氧化硅和氮化硅中的电荷存储...

类别:科学普及 2013年12月06日 标签: 双层二氧化硅和氮化硅中的电荷存储

水泥强度试验用标准砂 GB 178-77立即下载

标准砂是统一检验水泥强度用的材料,是以福建省平潭县芦洋浦的夭然石英海砂经筛洗等加工制成。一、品质指 标1。 二氧化硅(slog)含最大于96%,2, 烧失t不得超过0,40%,3. 含泥量(包括可溶性盐类)不得超过20%,4, 粒度(见下表):二 、 试胜方法5。 二氧化硅及烧失量的侧定按附录一进行。6。 含泥量及粒度的测定按附录二进行。三 、 脸收舰翔7, 标准砂出厂一吨为一编号.每一编号应取...

类别: 2013年09月20日 标签: 水泥强度试验用标准砂 GB 17877

辐照电子在光纤芯处能量沉积的计算立即下载

辐照电子在光纤芯处能量沉积的计算:摘要 为了用尽可能低的辐照电子能量在光纤芯处形成大的性质改变, 模拟 了0 . 1 ~1   Me V能量的电子辐照二氧化硅。发现每一特定能量的电子辐照二氧化硅时, 在其中有个能量沉积最快 的位置。计算得到 0 . 4 4 7   4   Me V能量的电子在单模光纤中心能量沉积最快, 分析发现对于这个 能量的电子多数可以穿透到光纤芯处, 电子能量在光纤芯处的...

类别: 2013年09月20日 标签: 辐照电子在光纤芯处能量沉积的计算

高效液相色谱法PPT立即下载

;       高效液相色谱固定相以承受高压能力来分类,可分为刚性固体和硬胶两大类。刚性固体以二氧化硅为基质,可承受7.O×108~1.O×109Pa的高压,可制成直径、形状、孔隙度不同的颗粒。如果在二氧化硅表面键合各种官能团,就是键合固定相,可扩大应用范围,它是目前最广泛使用的一种固定相。硬胶主要用于离子交换和尺寸排阻色谱中,它由...

类别:DSP 2013年09月22日 标签: 高效液相色谱法PPT

PDA手机背光——CCFL燈管工作原理立即下载

近似二氧化硅(SiO2)的介電材料。三 RSDS(微幅差分信號)與LVDS(低壓差分信號)初步知識 Low voltage differential(有差別的)signal(信號)和Reduced(縮減,減少) Swing(擺動,搖擺) differential signal,國內好像尚無正式稱呼,姑且我稱它為低壓差分信號和微幅差分信號。雖然兩种solution(解決,解答,解決...

类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 燈管 工作 原理

热释电单元探测器的电压响应模拟立即下载

采用一维热扩散理论, 用M at lab 应用软件, 模拟了热释电单元传感器的电压响应, 比较PET 塑料衬底、多孔二氧化硅衬底、悬空结构以及体硅衬底的热传导对探测器性能的的影响, 并与PCL TöP (VDF- T rFE) 热释电单元传感器的实验结果作了比较。关键词: 热释电传感器, 电压响应, 理论模拟...

类别: 2013年09月22日 标签: 热释电单元探测器的电压响应模拟

SOI和体硅集成电路工艺平台互补问题的探讨立即下载

有些质量问题要进行具体分析;例如工艺中不受控的重金属杂质集中在SOI 区内无法泄漏;空气中硼(B)杂质污染硅片引起电阻率的变化;衬底的硅片是直拉单晶,其高浓度氧(O)杂质在高温时外扩散到SOI 中引起SOI 中O 浓度提高等;这些问题的起因主要是由于各种杂质在硅中和二氧化硅中扩散系数不同所引起的,这些问题的解决有的需要二个工艺平台的互补,即需要相互配合使SOI IC 的质量不断提高;本文将这些杂质...

类别:模拟及混合电路 2013年09月20日 标签: SOI和体硅集成电路工艺平台互补问题的探讨

基于硅隔离技术的耐高温压力传感器研究立即下载

采用硅隔离So I (Silicon on Insulator) 技术,应用高能氧离子的注入方法,在单晶硅材料中形成埋层二氧化硅,用以隔离作为测量电路的顶部硅层与体硅之间因温度升高而造成的漏电流. 采用梁膜结合的压力传递机构,将被测压力与So I 敏感元件隔离开来,因此避免了被测压力的瞬时高温冲击. 给出了传感器的结构模型和实验数据,测试结果表明,这种新型结构的耐高压力传感器,具有较好的动静态...

类别:测试测量 2013年09月20日 标签: 基于硅隔离技术的耐高温压力传感器研究

查看更多>>

二氧化硅相关帖子

1

0

晶振匹配和温度漂移

不当,造成电路频率漂移的麻烦,下面来浅谈有源晶振(钟振)是如何做到避免以上不良的。     石英晶体俗称水晶,成分为二氧化硅,具有"压电效应"和极高的品质因数,被应用于各种振荡电路,其频率稳定度一般可以达到10-6~10-8数量级,甚至更高。然而其频率精度受到石英晶体自身所固有的两个特性影响:频率牵引量(TS)和温漂。频率牵引量是描述石英晶体频率精度随着负载...

17次浏览 2017-03-17 【跟TI学电源】

0

0

石英晶振内部电路分析说明

即所谓逆压电效应。当外加电压频率等于晶体谐振器的固有频率时,就会发生压电谐振,从而导致机械变形的振幅突然增大。 一、水晶材料基本特性石英晶体振荡器是利用石英晶体(二氧化硅的结晶体) 的压电效应制成的一种谐振器件,它的基本构成大致是:从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片,在它的两个对应面上涂敷银层作为电极,在每个电极上各焊一根引线接到管脚上,再加上封装外壳,就构成了石英晶体谐振器,简称为石英晶体或...

0次浏览 2017-03-01 信息发布 标签: 石英晶振

0

0

溅射靶材_碳化硅靶材、硅靶、氧化硅靶材

15950903918长期回收报废单晶和衬底基片,溅射靶材,靶材,平面磁控溅射镀膜靶材. 光学薄膜用硅靶. 溅射靶材.硅铝靶,硅靶,铌靶 等各种旋转靶材,ito靶材,ato靶材,锑靶材,陶瓷靶材,碳化硼靶材,硅靶,二氧化硅靶,铜,镍,钛,钼,铝,铬,铌金属靶材及合金靶,氧化铌靶材铝靶、镍铁靶、铜镍靶、铬钨靶、铬钒靶、铬铝靶、钛铝靶、铁钴靶、镍铬靶、铜镓靶、铜铟镓靶、铜铟镓硒、铝硅靶、锌铝靶、钼铌...

0次浏览 2017-02-27 信息发布 标签: 镀膜 溅射靶材 二氧化硅 企业邮箱 碳化硅

0

0

单晶硅靶,多晶硅靶,硅靶,溅射靶材

15950903918长期回收多晶硅板,多晶硅靶,单晶硅板,单晶硅靶;各种溅射靶材,陶瓷靶材,氧化物靶材,稀土合金靶材,单晶硅靶3N-6N5纯度,圆形靶材,单晶硅靶材,硅靶材,靶材,硅靶,多晶硅靶,高纯硅靶 单晶硅片、多晶硅靶、单晶硅棒、多晶硅棒,靶材绑定,锑靶材,贵金属靶材,真空镀膜靶材,合金靶材ITO靶、单晶硅靶、多晶硅靶、一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化钛靶TiO2、氧化锆靶...

0次浏览 2017-02-21 信息发布 标签: 溅射靶材 多晶硅 单晶硅

0

0

晶振和匹配电容

晶体振荡器是利用石英晶体(二氧化硅的结晶体)的压电效应制成的一种谐振器件,它的基本构成大致是:从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片,它可以是正方形、矩形或圆形等),在它的两个对应面上涂敷银层作为电极,在每个电极上各焊一根引线接到管脚上,再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器,简称为石英晶体或晶体、晶振。其产品一般用金属外壳封装,也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。 2、压电效应 若在石英晶体...

0次浏览 2017-02-16 【跟TI学电源】 标签: 振荡器 影响

0

0

应变式压力传感器原理及分类

压力传感器有好多种,主要有:   1)利用晶体的压电效应的效应的压力传感器。   2)利压力传感器是工业实践中最为常用的一种传感器,而我们通常使用的压力传感器主要是利用压电效应制造而成的,这样的传感器也称为压电传感器。   压力传感器之压电传感器中主要使用的压电材料包括有石英、酒石酸钾钠和磷酸二氢胺。其中石英(二氧化硅)是一种天然晶体,压电效应就是在这种晶体中...

0次浏览 2016-11-08 信息发布 标签: 压力传感器

1

0

UCC21520好在哪里?

;  UCC21520的第二个优势是隔离可靠性。它采用二氧化硅膜电容隔离,拥有大于40年的长寿命和长期可靠性,可提供顶级的12.8kV浪涌防护、100V/ns以上的抗噪声性能以及集成死区时间控制,可充分保护人员和设备的安全。      UCC21520的第三个优势是通用灵活性。它允许3至18V宽范围输入电压、可编程死区时间控制、双通道与并联...

147次浏览 2016-10-10 【跟TI学电源】

6

0

什么晶振会需要使用垫片呢?能为晶振带来什么作用呢?

,有些客户会要求套上绝缘垫片.49S晶振是石英晶振的一个特殊封装类别,没有因为体积大而被淘汰,反而成了元器件主流产品,芯片的主要材料为水晶材质(二氧化硅),利用这种材料的压电特性,经过高压极化以后,形成周期性的机械能和电能的转换,产生稳定的频率.性能稳定,物美价廉因此广泛运用于电脑周边产品.这颗料容易被记住叫法也多种多样,椭圆晶振,或者铁壳插件晶振,也可以说S插件石英晶振.为什么49S晶振就需要使用...

1076次浏览 2016-05-21 综合技术交流 标签: 如何 垫片

0

0

晶振匹配和温度漂移

做到避免以上不良的。      有源晶振(钟振)如何避免不良问题  石英晶体俗称水晶,成分为二氧化硅,具有"压电效应"和极高的品质因数,被应用于各种振荡电路,其频率稳定度一般可以达到10-6~10-8数量级,甚至更高。然而其频率精度受到石英晶体自身所固有的两个特性影响:频率牵引量(TS)和温漂。频率牵引量是描述石英晶体频率精度随着负载电容...

303次浏览 2016-04-11 【TI模拟技术体验】

0

0

IGBT的检测方法

S)出发,经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区,最后垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示,因为流通截面积增大,所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层,因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。 国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等,典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。 下面介绍检测VMOS管的方法。 1.判定栅极G 将万用表...

303次浏览 2016-04-03 【跟TI学电源】 标签: 检测

查看更多>>

二氧化硅视频

查看更多>>

二氧化硅创意

查看更多>>

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved