三星首款3D垂直NAND闪存面世 闪存容量将提升

2013-08-07 20:59:04来源: 互联网

    对生产存储容量更大的闪存片来说,最关键的挑战在于它的尺寸。因为随着密度的增加,晶体间互相干扰和闪存故障的几率也相应增加,所以想制作一款容量大尺寸小的闪存,还是存在一定的难度。不过近日,制造商三星在这点上有了新的突破,它正大批生产首款3D垂直NAND闪存,也可称其为V-NAND。

    三星制作的垂直NAND闪存改变了以往传统的2D面板架构,而采用具有更多呼吸空间的3D晶体构造。如此一来,该3D闪存在更高的密度下也保证了更高的可靠性和速度。三星称采用新技术的闪存比之前的老款可靠2到10倍,且数据写入速度是之前的两倍。最初版本的V-NAND芯片提供了16GB的容量,这种高容量我们在其他闪存上也见过,但是我们相信等到一块芯片可以包含多达24层晶体面时,它的容量会迅速提升。

    目前,三星还未指定首批使用V-NAND闪存的设备,但是我们相信这些设备很快就能到来。如果有一天,你发现你的手机或者SSD容量超大,也不必感到惊奇了。

 

关键字:三星  垂直  面世  闪存

编辑:鲁迪 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/szds/2013/0807/article_6180.html
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