LSI采用Toshiba 19nm和Intel 20nm NAND闪存技术的SSD

2012-06-06 21:16:57来源: EEWORLD

2012年6月5日,北京– 在2012台北国际电脑展上,LSI公司(纽约证交所股票代码:LSI)宣布演示其备受赞誉的SandForce® SF-2000闪存存储处理器(FSP),该产品采用Toshiba 19nm以及Intel  20nm NAND 闪存---目前SSD应用中所使用的最先进闪存技术。这些前沿的技术将于本周在2012年台北国际电脑展上进行互动演示。
 
LSI SandForce FSP 可为NAND 闪存固态硬盘(SSD)提供同类最佳的性能、可靠性、耐用性和功效。公司现有的产品证明,LSI不仅可以帮助SSD制造商以更快的速度向市场推出成本更低的SSD产品,还可以加速闪存存储在云计算、企业和客户端应用中的广泛普及。到2015年SSD产品在客户端和企业市场领域的出货量将超过1亿,与2011年相比出货量增长56%。(1) 

SSD目标分析师Jim Handy 指出:“SSD用户都希望从领先的闪存技术中获得巨大的成本优势,但大部分SSD控制器都无法管理最先进和成本最低的闪存芯片的复杂性。通过支持最小的NAND工艺,LSI将帮助OEM厂商和终端用户在云计算、企业和客户端等I/O密集型和基本数据存储应用中部署最具成本效益的闪存存储处理器。”

随着闪存存储器的尺寸不断缩小,引入最先进的错误校验功能已成为当务之急。这是因为独立单元已很难维持一定荷质比,这会降低闪存器件的可靠性、数据完整性和数据保留特性。为了优化19nm和20nm闪存存储的可靠性和耐用性,LSI 的SandForce SF-2000 FSP在512字节扇区内可校正多达55位错误,也成为业界首款可同时支持企业和客户端市场的处理器。LSI SandForce产品包括一个独特的纠错引擎,尽管当今和未来先进NAND闪存技术对闪存错误校验功能的要求不断变化和提高,但是该引擎凭借其独特的设计完全可以应对这些挑战。

LSI 闪存组件部副总裁兼总经理Michael Raam 指出:“与6家NAND闪存技术领先制造商开展合作,使我们能够针对不断缩小的芯片尺寸对闪存处理器进行优化。SSD已经具备云计算和财富1000企业中关键任务型计算环境所需的卓越可靠性,使用寿命和功效,并且随着用户越来越认可这些属性,我们期望继续看到SSD技术被广泛采用。” 

为了满足客户对小尺寸闪存器件的可靠性和耐用性要求,LSI SandForce FSP 采用了DuraClass® 高级NAND闪存管理技术。

DuraClass管理特性包括:

• DuraWrite™:优化闪存的程序周期数量,有效地提高闪存耐用性。
• RAISE™(独立芯片冗余阵列):驱动器可靠性得到大幅提高,可实现单驱动解决方案、RAID式的保护及恢复功能。
• 高级耗损平衡和监视: 最佳耗损平衡算法可进一步增强闪存耐用性。
• 反复循环器:智能地执行“垃圾收集”操作,清除无效数据,使闪存耐用性影响最小化。

关键字:LSI

编辑:eric 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/szds/2012/0606/article_4203.html
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